中文字幕无码日韩视频无码三区

鰭式場效應管基體制備方法

文檔序號:9327343閱讀:447來源:國知局
鰭式場效應管基體制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造領域,更具體地說,本發明涉及一種鰭式場效應管基體制備方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路的發展,器件尺寸越來越小,集成度越來越高。而且,隨著半導體器件特征尺寸由于器件尺寸越來越小而不斷減小,傳統的平面半導體制造技術已經無法使用,目前鰭式場效應管在小尺寸領域被廣發使用。
[0003]而在模擬電路中,例如在讀出放大器和SRAM單等中,對晶體管的溝道寬度非常敏感,不同的電路性能需要調整溝道寬度來實現,而在鰭式場效應管結構中,鰭片的高度決定了溝道面積的大小。但是,傳統的鰭式場效應管制造工藝只能制造相同高度的鰭片結構。
[0004]因此,需要一種多高度的鰭式場效應管的制造方法,以制造出具有不同鰭片高度的鰭式場效應管結構。

【發明內容】

[0005]本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷,提供一種能夠制造出具有不同鰭片高度的鰭式場效應管結構的鰭式場效應管基體制備方法。
[0006]為了實現上述技術目的,根據本發明,提供了一種鰭式場效應管基體制備方法,包括:第一步驟,其中提供半導體基體,并且在所述半導體基體上覆蓋圖案化的氮化物層;第二步驟,其中在所述圖案化的氮化物層及暴露的半導體基體表面上覆蓋氧化物層,并使得所述氧化物層平坦化;第三步驟,其中在所述氧化物層上覆蓋圖案化掩膜層,并利用圖案化掩膜層蝕刻氧化物層,由此在所述圖案化的氮化物層所對應的區域中形成第一凹陷,在未覆蓋所述圖案化的氮化物層的區域中形成第二凹陷;第四步驟,其中在所述第二凹陷中部分地填充半導體材料以形成第一鰭部;第五步驟,其中刻蝕所述第一凹陷以暴露所述半導體基體;第六步驟,其中在暴露所述半導體基體的所述第一凹陷中填充半導體材料以形成第二鰭部,并且同時在所述第二凹陷中進一步填充半導體材料以使得第一鰭部的高度增大;第七步驟,其中去除所述圖案化掩膜層,并且部分去除所述氧化物層,使得暴露的第一鰭部和第二鰭部形成具有不同高度的鰭形半導體結構。
[0007]優選地,所述鰭式場效應管基體制備方法還包括第八步驟,在垂直于鰭形溝道的方向上,依次沉積高介電材料層和金屬材料層。
[0008]優選地,所述鰭式場效應管基體制備方法還包括第八步驟,在垂直于鰭形溝道的方向上,依次沉積柵極氧化層和柵極多晶硅層。
[0009]優選地,在第四步驟中通過外延生長在所述第二凹陷中部分地填充半導體材料以形成第一鰭部。
[0010]優選地,在第六步驟中,通過外延生長,在暴露所述半導體基體的所述第一凹陷中填充半導體材料以形成第二鰭部,并且同時在所述第二凹陷中進一步填充半導體材料以使得第一鰭部的高度增大。
[0011]優選地,優選地,所述半導體材料層的材料為單晶硅、鍺硅或碳硅。
[0012]優選地,所述圖案化掩膜層由氮化硅和/或氧化硅構成。
[0013]優選地,所述半導體襯底是硅襯底。
[0014]優選地,所述半導體材料為硅。
【附圖說明】
[0015]結合附圖,并通過參考下面的詳細描述,將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征,其中:
[0016]圖1示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的第一步驟。
[0017]圖2示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的第二步驟。
[0018]圖3示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的第三步驟。
[0019]圖4示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的第四步驟。
[0020]圖5示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的第五步驟。
[0021]圖6示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的第六步驟。
[0022]圖7示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的第七步驟。
[0023]圖8示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的第八步驟。
[0024]需要說明的是,附圖用于說明本發明,而非限制本發明。注意,表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
【具體實施方式】
[0025]為了使本發明的內容更加清楚和易懂,下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。
[0026]圖1至圖8示意性地示出了根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法的各個步驟。
[0027]如圖1至圖8所示,根據本發明優選實施例的鰭式場效應管基體制備方法包括:
[0028]第一步驟,其中提供半導體基體10,并且在所述半導體基體10上覆蓋圖案化的氮化物層20 ;
[0029]第二步驟,其中在所述圖案化的氮化物層20及暴露的半導體基體10表面上覆蓋氧化物層30,并使得所述氧化物層30平坦化;
[0030]第三步驟,其中在所述氧化物層30上覆蓋圖案化掩膜層40,并利用圖案化掩膜層40蝕刻氧化物層,由此在所述圖案化的氮化物層20所對應的區域中形成第一凹陷50,在未覆蓋所述圖案化的氮化物層20的區域中形成第二凹陷60 ;
[0031]第四步驟,其中在所述第二凹陷60中部分地填充半導體材料以形成第一鰭部70 ;優選地,在第四步驟中通過外延生長在所述第二凹陷60中部分地填充半導體材料以形成第一鰭部70。
[0032]第五步驟,其中刻蝕所述第一凹陷50以暴露所述半導體基體10 ;
[0033]第六步驟,其中在暴露所述半導體基體10的所述第一凹陷50中填充半導體材料以形成第二
當前第1頁1 2 
網友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1