一種太陽電池前表面電極的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及太陽電池制造技術領域，特別是涉及一種太陽電池前表面電極的制作方法。
【背景技術】
[0002]自1954年，第一塊單晶硅太陽電池的誕生至今，硅太陽電池經歷了兩個階段:以晶體硅和多晶硅為代表的第一代太陽電池和以非晶硅薄膜為代表的第二代太陽電池。目前的太陽電池以晶硅電池為主，但其高成本仍然是限制光伏應用的瓶頸，因此提高電池效率以降低成本成為太陽電池研究的關注點。
[0003]從目前晶硅電池對太陽光的吸收角度看，太陽光中很大一部分光由于電池表面的反射損失掉，經過研究，在電池受光面制備納米線陣列能夠大幅降低電池前表面的入射光反射，增加對入射光的吸收，從而有利于提高太陽電池的轉換效率。然而，由于納米線自身具有尖端結構，導致其與金屬電極的接觸面積小，接觸電阻較大，從而限制了電池的填充因子和轉換效率的提高。為改善上述接觸性能，現有技術中有的采用在硅片上選區制備納米線的方法，還有的采用在P型(111)晶向的硅片上制備傾斜納米線結構的方法來，但是效果都不明顯。
[0004]因此，如何使太陽電池的前表面電極既能降低入射光的反射，又具有良好的接觸性能，以提高電池的填充因子和轉換效率，成為亟待解決的問題。

【發明內容】

[0005]為解決上述問題，本發明提供了一種太陽電池前表面電極的制作方法，能夠使太陽電池的前表面電極既能降低入射光的反射，又具有良好的接觸性能，從而能夠提高電池的填充因子和轉換效率。
[0006]本發明提供的一種太陽電池前表面電極的制作方法，包括:
[0007]在硅片的第一表面制備納米線；
[0008]在所述第一表面形成p-n結，并沉積減反射膜；
[0009]在所述硅片的第二表面制作背電極；
[0010]在所述第一表面制作前表面電極的種子層；
[0011]在所述種子層上進行光誘導鍍，形成所述前表面電極的傳導層。
[0012]優選的，在上述太陽電池前表面電極的制作方法中，采用絲網印刷方式在所述第一表面制作所述前表面電極的種子層。
[0013]優選的，在上述太陽電池前表面電極的制作方法中，在所述第一表面制作前表面電極的種子層之后還包括:利用鏈式燒結爐對所述硅片進行燒結。
[0014]優選的，在上述太陽電池前表面電極的制作方法中，在所述種子層上進行光誘導鍍之前，還包括:設置鍍液溫度為20°C至50°C，設置電流密度為3A/dm2，設置電鍍液的pH值的范圍為10.1至10.5，設置電鍍速率為1.9ym/min。
[0015]優選的，在上述太陽電池前表面電極的制作方法中，所述在硅片的第一表面制備納米線為:采用銀誘導化學濕法腐蝕法制備硅納米線。
[0016]優選的，在上述太陽電池前表面電極的制作方法中，形成所述前表面電極的傳導層之后，還包括:對所述硅片進行清洗和退火。
[0017]優選的，在上述太陽電池前表面電極的制作方法中，在所述硅片的第一表面制備納米線之前還包括:對所述硅片進行清洗，并用氮氣進行干燥。
[0018]優選的，在上述太陽電池前表面電極的制作方法中，所述沉積減反射膜為:利用等離子體增強化學氣相沉積方式沉積氮化硅減反射膜。
[0019]優選的，在上述太陽電池前表面電極的制作方法中，在所述硅片的第二表面制作背電極為:采用絲網印刷漿料方式在所述硅片的第二表面制作背電極。
[0020]本發明提供的上述太陽電池前表面電極的制作方法，由于在所述第一表面制作前表面電極的種子層之后，還包括在所述種子層上進行光誘導鍍，形成所述前表面電極的傳導層，電極與納米線就能夠形成致密的接觸，制備的電極遮光面積小，可以有效降低串聯電阻，從而能夠使太陽電池的前表面電極既能降低入射光的反射，又具有良好的接觸性能，從而能夠提高電池的填充因子和轉換效率。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本申請實施例提供的第一種太陽電池前表面電極的制作方法的示意圖；
[0023]圖2為本申請實施例提供的第二種太陽電池前表面電極的制作方法的示意圖；
[0024]圖3-圖9為本申請實施例提供的太陽電池前表面電極的制作方法的各個步驟示意圖。
【具體實施方式】
[0025]本發明的核心思想在于提供一種太陽電池前表面電極的制作方法，能夠使太陽電池的前表面電極既能降低入射光的反射，又具有良好的接觸性能，從而能夠提高電池的填充因子和轉換效率。
[0026]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0027]本申請實施例提供的第一種太陽電池前表面電極的制作方法如圖1所示，圖1為本申請實施例提供的第一種太陽電池前表面電極的制作方法的示意圖。該方法包括如下步驟:
[0028]S1:在硅片的第一表面制備納米線；
[0029]S2:在所述第一表面形成p-n結，并沉積減反射膜；
[0030]S3:在所述硅片的第二表面制作背電極；
[0031]S4:在所述第一表面制作前表面電極的種子層；
[0032]S5:在所述種子層上進行光誘導鍍，形成所述前表面電極的傳導層。
[0033]本申請實施例提供的上述太陽電池前表面電極的制作方法，由于在所述第一表面制作前表面電極的種子層之后，還包括在所述種子層上進行光誘導鍍，形成所述前表面電極的傳導層，電極與納米線就能夠形成致密的接觸，制備的電極遮光面積小，可以有效降低串聯電阻，從而能夠使太陽電池的前表面電極既能降低入射光的反射，又具有良好的接觸性能，從而能夠提高電池的填充因子和轉換效率，降低了太陽電池的生產成本。
[0034]本申請實施例提供的第二種太陽電池前表面電極的制作方法如圖2所示，圖2為本申請實施例提供的第二種太陽電池前表面電極的制作方法的示意圖。該方法包括如下步驟:
[0035]A1:對硅片進行清洗，并用氮氣進行干燥；
[0036]A2:采用銀誘導化學濕法腐蝕法，在硅片的第一表面制備納米線；
[0037]A3:在所述第一表面形成p-n結，并利用等離子體增強化學氣相沉積方式沉積減反射膜；
[0038]A4:采用絲網印刷漿料方式在所述硅片的第二表面制作背電極；
[0039]A5:采用絲網印刷方式，在所述第一表面制作前表面電極的種子層