大功率發光二極管的制作方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種大功率發光二極管。
【背景技術】
[0002]半導體明是指用全固態發光器件作為光源的照明技術，包括使用半導體發光二極管或有機半導體發光二極管來作為光源。利用發光二極管照明是節能的“富礦”同樣亮度下耗電僅為普通白熾燈的1/10，使用壽命也延長。隨著LED技術的快速進步和新的應用不斷出現，節能效果已經顯現。LED光源具有抗震性、耐候性、密封性好以及熱輻射低的特點可應用與防爆、野外作業，礦山，軍事行動等特殊工作場所或惡劣工作環境之中。所以目前LED有著巨大的市場需求。但目前LED存在光電效率衰減和芷片材料與散熱材料之問容易因熱膨脹失配造成電極引線斷裂的問題，影響LED的使用壽命。

【發明內容】

[0003]本發明的目的是為了克服以上不足，提供一種大功率發光二極管，本發明散熱性能好，亮度高，透光性好，有效降低光電效率衰減延長使用壽命。
[0004]本發明提供的技術方案為:
[0005]—種大功率發光二極管，其特征在于，包括:
[0006]導電基板，其上設置有散熱片，所述散熱片和所述導電基板之間設置有過渡族金屬氮化物薄膜層，所述散熱片上設置有一層不規則厚度的低溫氧化膜；
[0007]發光芯片，其焊接在所述導電基板上，所述發光芯片上設置有封裝構件，所述封裝構件將所述發光芯片包覆，封裝材料表面涂覆有光學薄膜；
[0008]電極，其設置在發光芯片上，所述電極通過金線與所述導電基板連接。
[0009]優選的是，在所述的大功率發光二極管中，所述過渡族金屬氮化物薄膜層通過非平衡磁控濺射的方法涂覆在所述導電基板上。
[0010]優選的是，在所述的大功率發光二極管中，所述過渡族金屬氮化物薄膜層為氮化鉻或氮化鋯。
[0011]優選的是，在所述的大功率發光二極管中，所述低溫氧化膜為兩層。
[0012]優選的是，在所述的大功率發光二極管中，所述低溫氧化膜第一層的厚度為2_3 u π?ο
[0013]優選的是，在所述的大功率發光二極管中，所述低溫氧化膜第二層的厚度為6-10 μmD
[0014]優選的是，在所述的大功率發光二極管中，所述封裝構件由透明壓電材料制成。
[0015]優選的是，在所述的大功率發光二極管中，所述光學薄膜為丙烯酸酯/ 二氧化硅雜化光學增透膜。
[0016]優選的是，在所述的大功率發光二極管中，所述散熱片由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。
[0017]本發明的技術方案較現有技術有突出優點，本發明散熱性能好，亮度高，透光性好，有效降低光電效率衰減延長使用壽命。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發明的結構圖；
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖對本發明做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。
[0020]結合圖1，一種大功率發光二極管，其特征在于，包括:
[0021]導電基板1，其上設置有散熱片7，所述散熱片7和所述導電基板I之間設置有過渡族金屬氮化物薄膜層6，所述散熱片上設置有一層不規則厚度的低溫氧化膜5 ;發光芯片2，其焊接在所述導電基板I上，所述發光芯片上設置有封裝構件4，所述封裝構件4將所述發光芯片2包覆，封裝材料表面涂覆有光學薄膜；電極3，其設置在發光芯片2上，所述電極3通過金線8與所述導電基板I連接。其中過渡族金屬氮化物薄膜層6通過非平衡磁控濺射的方法涂覆在導電基板上，過渡族金屬氮化物薄膜層6為氮化鉻或氮化鋯。低溫氧化膜5為兩層，第一層的厚度為2-3 μ m，第二層的厚度為6-10 μπι。封裝構件由透明壓電材料制成，光學薄膜為丙烯酸酯/ 二氧化硅雜化光學增透膜，散熱片7由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。使用本發明作照明光源時，散熱性能好，亮度高，透光性好，有效降低光電效率衰減延長使用壽命。
[0022]盡管本發明的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本發明的領域，對于熟悉本領域的人員而言，可容易地實現另外的修改，因此在不背離權利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發明并不限于特定的細節和這里示出與描述的圖例。
【主權項】
1.一種大功率發光二極管，其特征在于，包括: 導電基板，其上設置有散熱片，所述散熱片和所述導電基板之間設置有過渡族金屬氮化物薄膜層，所述散熱片上設置有一層不規則厚度的低溫氧化膜； 發光芯片，其焊接在所述導電基板上，所述發光芯片上設置有封裝構件，所述封裝構件將所述發光芯片包覆，封裝材料表面涂覆有光學薄膜； 電極，其設置在發光芯片上，所述電極通過金線與所述導電基板連接。2.如權利要求1所述的大功率發光二極管，其特征在于，所述過渡族金屬氮化物薄膜層通過非平衡磁控濺射的方法涂覆在所述導電基板上。3.如權利要求1所述的大功率發光二極管，其特征在于，所述過渡族金屬氮化物薄膜層為氮化鉻或氮化鋯。4.如權利要求1所述的大功率發光二極管，其特征在于，所述低溫氧化膜為兩層。5.如權利要求3所述的大功率發光二極管，其特征在于，所述低溫氧化膜第一層的厚度為 2-3 μπι。6.如權利要求3所述的大功率發光二極管，其特征在于，所述低溫氧化膜第二層的厚度為 6-10 μπι。7.如權利要求1所述的大功率發光二極管，其特征在于，所述封裝構件由透明壓電材料制成。8.如權利要求1所述的大功率發光二極管，其特征在于，所述光學薄膜為丙烯酸酯/二氧化硅雜化光學增透膜。9.如權利要求1所述的大功率發光二極管，其特征在于，所述散熱片由Cu/W或Cu/Mo合金材料制成。
【專利摘要】本發明公開了一種大功率發光二極管，包括：導電基板，其上設置有散熱片，所述散熱片和所述導電基板之間設置有過渡族金屬氮化物薄膜層，所述散熱片上設置有一層不規則厚度的低溫氧化膜；發光芯片，其焊接在所述導電基板上，所述發光芯片上設置有封裝構件，所述封裝構件將所述發光芯片包覆，封裝材料表面涂覆有光學薄膜；電極，其設置在發光芯片上，所述電極通過金線與所述導電基板連接。本發明的有益效果是散熱性能好，亮度高，透光性好，有效降低光電效率衰減延長使用壽命。
【IPC分類】H01L33/56, H01L33/44, H01L33/64
【公開號】CN105161595
【申請號】CN201510482861
【發明人】董佳瑜, 董春保
【申請人】蘇州晶雷光電照明科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月7日