器、環境光傳感器、顏色傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0079]52)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、顏色傳感器、UV傳感器、光發射器。
[0080]53)如權利要求⑴中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、顏色傳感器、RGB顏色傳感器、UV傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0081]54)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、UV傳感器、IR傳感器、RGB顏色傳感器、光發射器。
[0082]55)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、顏色傳感器、RGB顏色傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0083]56)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、顏色傳感器、RGB顏色傳感器、UV傳感器、光發射器。
[0084]57)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、RGB顏色傳感器、UV傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0085]58)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、UV傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0086]59)如權利要求⑴中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、RGB傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0087]60)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、顏色傳感器、RGB傳感器、光發射器。
[0088]61)如權利要求⑴中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、顏色傳感器、RGB傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0089]62)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、顏色傳感器、IR傳感器、UV傳感器、光發射器。
[0090]63)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、顏色傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0091]64)如權利要求⑴中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、顏色傳感器、RGB顏色傳感器、UV傳感器、光發射器。
[0092]65)如權利要求⑴中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、RGB顏色傳感器、UV傳感器、光發射器。
[0093]66)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、顏色傳感器、UV傳感器、光發射器。
[0094]67)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括環境光傳感器、顏色傳感器、RGB顏色傳感器、UV傳感器、光發射器。
[0095]68)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括環境光傳感器、顏色傳感器、RGB顏色傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0096]69)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括環境光傳感器、顏色傳感器、UV傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0097]70)如權利要求(I)所述的傳感器陣列，包括環境光傳感器、RGB顏色傳感器、UV傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0098]71)如權利要求(I)所述的傳感器陣列，包括環境光傳感器、顏色傳感器、RGB顏色傳感器、UV傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0099]72)如權利要求(I)所述的傳感器陣列，包括接近傳感器、環境光傳感器、顏色傳感器、UV傳感器、IR傳感器、光發射器。
[0100]73)如權利要求(2)中的傳感器和電路陣列，其具有由發射器驅動器、傳感器控制電路和/或通信I/O電路組成的電路元件。
[0101]74)如權利要求(I)中的組合傳感器，其具有作為一個單元被集成到單個的半導體封裝中的光電元件芯片和控制電路芯片。
[0102]75)如權利要求(2)中所述的傳感器陣列，其在晶片切割之后，具有使用傳統的半導體技術封裝的所述集成的光電元件和CMOS電路芯片。
[0103]76)如權利要求(2)中所述的傳感器陣列，其在晶片切割之前，具有在晶片級進行封裝的所述集成的光電元件和CMOS電路芯片。
[0104]77)如權利要求(I)中所述的組合傳感器，其具有在晶片級進行封裝，并且隨后與所述控制電路芯片一起封裝以形成集成的單個單元的光電元件芯片。
[0105]78)如權利要求(76)中的封裝傳感器，其中，晶片級封裝包括玻璃漿料鍵合的蓋曰曰斤°
[0106]79)如權利要求(76)中所述的封裝傳感器，其中，晶片級封裝包括共晶金屬鍵合的蓋晶片。
[0107]80)如權利要求(76)中所述的封裝傳感器，其中，晶片級封裝包括高分子膠粘劑鍵合的蓋晶片。
[0108]81)如權利要求(80)中所述的封裝傳感器以及鍵合晶片組件，其中，高分子粘合劑鍵合由玻璃蓋晶片和BCB高分子材料組成。
[0109]82)如權利要求(77)中所述的封裝傳感器，其中，所述晶片級封裝包括玻璃漿料鍵合的蓋晶片。
[0110]83)如權利要求(77)中所述的封裝傳感器，其中，所述晶片級封裝包括共晶金屬鍵合的蓋晶片。
[0111]84)如權利要求(77)中所述的封裝傳感器，其中，所述晶片級封裝包括高分子粘合劑鍵合的蓋晶片。
[0112]85)如權利要求(84)中所述的封裝傳感器和所述鍵合晶片組件，其中，所述高分子粘合劑鍵合由玻璃蓋晶片和BCB高分子材料組成。
[0113]86)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括MEMS微測輻射熱計、環境光傳感器、光發射器。
[0114]87)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括MEMS微測輻射熱計以及環境光傳感器。
[0115]88)如權利要求(I)中所述的傳感器陣列，包括光學隔離開關(作為一個常見實例，例如光學三端雙向可控硅(Opto-TRIAC))。
[0116]89)如權利要求(I)中的發明包括集成在所述硅襯底上的光學聯接器。
[0117]90)如權利要求(I)中的發明，其中，襯底包括SOI晶片。
[0118]91)如權利要求(90)中的發明，其中，所述光電元件的至少一個在SOI晶片的SOI
層中制造。
[0119]92)如權利要求(90)中的發明，其中，所述光電元件的至少一個在SOI晶片中的體娃層中制造。
[0120]93)如權利要求(90)中的發明，其中，所述光電元件的至少一個在SOI晶片的SOI
層上制造。
[0121]94)如權利要求(90)中的發明，其中，所述光電元件的至少一個在SOI晶片中的體硅層上制造。
[0122]95)如權利要求⑴中的發明包括集成的光發射器、與控制ASIC共同封裝的光探測器，以用于智能固態照明。
[0123]96)如權利要求(2)中的發明包括集成的光發射器、光探測器和控制ASIC，以用于智能固態照明。
[0124]97)如權利要求⑴中的發明包括集成的光發射器、與控制ASIC共同封裝的光探測器，以用于光學LAN通信裝置。
[0125]98)如權利要求(2)中的發明包括集成的光發射器、光探測器以及控制ASIC，以用于光學LAN通信裝置。
【主權項】
1.一種傳感器陣列，所述傳感器陣列包括集成在單個硅襯底上的多個光電元件。
【專利摘要】公開了一種單片集成傳感器，所述單片集成傳感器的形式為光探測器、可見光發射器以及相關的控制電路單片集成在單個的硅微芯片上。探測器結構包括擴到所述襯底中和沉積到硅襯底的表面上的p-i-n光電二極管結構。發射器結構包括沉積在所述硅襯底的表面上的III-V族化合物半導體的異質外延層。控制電路采用傳統的CMOS大批量制造技術制造。傳感器組件被設置成在傳統的CMOS晶片廠進行加工。傳感器組件被進一步設計成晶片級封裝。
【IPC分類】H01L27/14, G01V8/10
【公開號】CN105103292
【申請號】CN201380062862
【發明人】賈斯汀·佩恩
【申請人】賈斯汀·佩恩
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2013年10月1日
【公告號】US20140091420, WO2014055562A1