晶片的加工方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及對于作為層疊形成LED等的光器件的發光層的基板的碳化硅（SiC)、 氮化鎵（GaN)等的晶片的加工方法。
【背景技術】
[0002] 層疊有形成LED等的光器件的發光層的碳化硅（SiC)、氮化鎵（GaN)等的晶片是通 過鋼絲鋸等將碳化硅（SiC)、氮化鎵（GaN)等的單晶錠分割為規定的厚度而形成的（例如， 參照專利文獻1)。
[0003] 對單晶錠分割而形成的晶片的正反表面被磨削而被精加工為鏡面。
[0004] 專利文獻1日本特開號公報
[0005] 然而，若磨削晶片的正面或背面，則可能在晶片產生翹曲而發生破損，存在生產效 率較差的問題。
[0006] 此外，若在晶片上產生了翹曲，則無法均勻地層疊發光層，存在LED等的光器件的 品質發生不均的問題。
[0007] 關于如上對晶片的正面或背面進行磨削而發生翹曲的情況，可認為是在生成錠時 在外周部上殘留有晶體畸變所致。

【發明內容】

[0008] 本發明就是鑒于上述情況而完成的，其主要技術課題在于，提供一種能夠以在對 單晶錠分割而形成的晶片上不會產生翹曲的方式進行加工的晶片的加工方法。
[0009] 為了解決上述主要技術課題，本發明提供一種晶片的加工方法，該晶片是對單晶 錠進行分割而形成的，其特征在于，實施晶體畸變去除工序，在該晶體畸變去除工序中，去 除殘留于晶片的外周的晶體畸變。
[0010] 在上述晶體畸變去除工序中，從晶片的一個面側在相比于外周緣偏規定的量的 內側的位置處沿著外周緣照射對晶片具有透過性的波長的激光光線，在從晶片的一個面 到另一個面上的范圍內使細孔和密封該細孔的非晶質成長，形成環狀的密封通道（sealed tunnel)，沿著該密封通道施加外力，從而在該密封通道的區域中使晶片破斷，去除殘留有 晶體畸變的外周部。
[0011] 此外，在上述晶體畸變去除工序中，從晶片的一個面側在相比于外周緣偏規定的 量的內側的位置處沿著外周緣照射對晶片具有吸收性的波長的激光光線，沿著外周緣實施 燒蝕加工而形成激光加工槽，從而去除殘留有晶體畸變的晶片的外周部。
[0012] 進而，優選實施標記形成工序，在晶片的一個面的激光光線照射區域的內側形成 表示晶體方位的標記。
[0013] 本發明的對單晶錠分割而形成的晶片的加工方法實施去除殘留于晶片外周的晶 體畸變的晶體畸變去除工序，因此即使磨削晶片的一個面或另一個面也不會產生由于殘留 晶體畸變而導致的翹曲。因此，在后續工序中將發光層層疊于晶片上的被磨削的一個正面 上時，由于不存在翹曲而能夠形成均勻厚度的發光層。
【附圖說明】
[0014] 圖1是對單晶錠分割而形成的晶片的立體圖。
[0015] 圖2是用于實施晶體畸變去除工序的第1實施方式的激光加工裝置的要部立體 圖。
[0016] 圖3是晶體畸變去除工序的第1實施方式的說明圖。
[0017] 圖4是在被實施了晶體畸變去除工序的第1實施方式的晶片上形成表示晶體方位 的標記的標記形成工序的說明圖。
[0018] 圖5是晶體畸變去除工序中的外周部去除工序的說明圖。
[0019] 圖6是用于實施晶體畸變去除工序的第2實施方式的激光加工裝置的要部立體 圖。
[0020] 圖7是晶體畸變去除工序的第2實施方式的說明圖。
[0021 ] 圖8是磨削工序的說明圖。
[0022] 標號說明
[0023] 2 :晶片；21 :凹口；22 :?、封通道；23 :表不晶體方位的標記；3、30 :激光加工裝置； 31 :激光加工裝置的卡盤臺；32 :激光光線照射單元；322 :聚光器；4 :磨削裝置；41 :磨削裝 置的卡盤臺；42 :磨削單元；424 :磨削輪。
【具體實施方式】
[0024] 以下，參照附圖進一步詳細說明本發明的晶片的加工方法。
[0025] 圖1示出通過本發明的晶片的加工方法而加工的晶片的立體圖。圖1所示的晶 片2是通過鋼絲鋸等將碳化硅（SiC)、氮化鎵（GaN)等的單晶錠分割為規定的厚度（例如 700~800 μπι)而形成的，且在其外周設有表示晶體方位的凹口 21。在如上對單晶錠分割 而形成的晶片2的外周殘留有晶體畸變。
[0026] 本發明的晶片的加工方法實施去除殘留于晶片2外周的晶體畸變的晶體畸變去 除工序。該晶體畸變去除工序的第1實施方式是使用圖2所示的激光加工裝置3而實施的。 圖2所示的激光加工裝置3具有保持被加工物的卡盤臺31、以及對保持于該卡盤臺31上的 被加工物照射激光光線的激光光線照射單元32。卡盤臺31構成為吸附保持被加工物，且憑 借未圖示的旋轉機構在圖2中的箭頭31a所示的方向上旋轉。
[0027] 上述激光光線照射單元32具有實際上水平配置的圓筒形狀的外殼321。在外殼 321內配設有具有未圖示的脈沖激光光線振蕩器和重復頻率設定單元的脈沖激光光線振蕩 單元。在上述外殼321的前端部安裝有聚光器322,該聚光器322具有用于會聚從脈沖激光 光線振蕩單元振蕩出的脈沖激光光線的聚光透鏡322a (參照圖3)。該聚光器322的聚光透 鏡322a的數值孔徑（NA)是如下設定的。即，聚光透鏡322a的數值孔徑（NA)被設定為單 結晶基板的折射率（N)除以數值孔徑（NA)的值為0. 05~0. 2的范圍內（數值孔徑設定工 序）。另外，激光光線照射單元32具有用于調整被聚光器322的聚光透鏡322a會聚的脈沖 激光光線的聚光點位置的聚光點位置調整單元（未圖示）。
[0028] 參照圖3說明使用上述激光加工裝置3實施的晶體畸變去除工序的第1實施方 式。
[0029] 作為晶體畸變去除工序的第1實施方式，首先如圖3的（a)所示，將晶片2的一個 面2a作為上方而將另一個面2b放置于激光加工裝置3的卡盤臺31上，在該卡盤臺31上 吸附保持晶片2。通過未圖示的移動機構將吸附保持晶片2的卡盤臺31移動至聚光器322 所處的加工區域上，如圖3所示，將其定位于使得晶片2的相比于外周緣偏規定的量的內側 的位置處位于聚光器322的正下方的位置。然后，以使得被聚光器322的聚光透鏡322a會 聚的脈沖激光光線LB的聚光點P被定位于晶片2的厚度方向上的期望位置上的方式啟動 未圖示的聚光點位置調整單元，使聚光器322在光軸方向上移動（定位工序）。另外，在本 實施方式中，脈沖激光光線的聚光點P被設定于從晶片2上的被照射脈沖激光光線的上表 面（一個面2a側）起的期望位置（例如從一個面2a起的5~10 μ m的另一個面2b側的 位置）處。
[0030] 接著，從聚光器322照射對晶片2具有透過性的波長的脈沖激光光線LB，并且使卡 盤臺31在圖3的（a)中的箭頭31a所示的方向上旋轉（密封通道形成工序）。然后，在卡 盤臺31旋轉了 1次后，如圖3的（b)所示停止脈沖激光光線的照射，并且停止卡盤臺31的 旋轉。
[0031] 通過實施上述密封通道形成工序，從而在晶片2的內部如圖3的（b)和圖3的（c) 所示，從脈沖激光光線LB的聚光點P附近（作為上表面的一個面2a)朝向作為下表面的另 一個面2b，使細孔221和形成于該細孔221的周圍的非晶質222成長，沿著晶片2的外周緣 而呈環狀形成非晶質的密封通道22。該密封通道22形成為彼此相鄰的非晶質222互相連 接。另外，在上述密封通道形成工序中形成的非晶質的密封通道22能夠形成于從作為晶片 2的上表面的一個面2a到作為下表面的另一個面2b的范圍內，因而在晶片的厚度較厚時， 照射1次脈沖激光光線