像素界定層結構和oled器件的制備方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于印刷顯示技術領域，尤其涉及一種像素界定層結構和OLED器件的制備方法。
【背景技術】
[0002]OLED顯示器件由于同時具備自發光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板等優點，被認為是下一代的平面顯示器新興應用技術。目前，對于OLED顯示器件的制備，通常采用真空蒸鍍和印刷技術制備，這是當前國際主流的發展技術。小分子的真空蒸鍍技術比較成熟，目前已經實現產業化，并有中小尺寸的全彩色顯示屏批量推出，應用在MP3、MP4、手機及小尺寸電視機等電子設備領域；另外，三星、LG等顯示巨頭已推出大尺寸OLED電視產品，更有曲面屏OLED電視產品面世。但是，該技術設備投資和維護費用高昂、材料浪費嚴重，難以實現大面積，且成本居高不下，面對殘酷的市場環境，難以形成克爭優勢。
[0003]印刷技術被認為是解決OLED高成本和實現大面積的有效途徑，具有廣闊的發展前景，這種技術可結合液體功能性材料和先進的印刷設備來制作OLED顯示屏，可提高材料的利用率和生廣效率，降低制造成本，提尚廣能。
[0004]對負性光刻膠采用傳統的垂直曝光方法制作像素Bank時，經過顯影、刻蝕等步驟后形成像素Bank。由于UV光同一方向上曝光固化區域有限，且刻蝕液存在橫向侵蝕作用，在此條件下形成的Bank，其底部因過刻蝕而形成倒梯形結構(如圖1所示，其中，I’為TFT背板，11’為硬質載體襯底，12’為TFT陣列，13’為ITO電極，21’為倒梯形像素介電層，22’為梯形像素區域)。倒梯形像素Bank會影響器件像素的均勻性，甚至導致器件開路，減小器件的開口率。通過選擇電子束刻蝕方法或者各項異性刻蝕液等途徑，能一定程度抑制倒梯形Bank結構的形成，但是，即使通過刻蝕方法制作出邊緣垂直Bank的結構(如圖2所示，其中，I”為TFT背板，11”為硬質載體襯底，12”為TFT陣列，13”為ITO電極，21”為矩形像素介電層，22”為矩形像素區域)，也不利于OLED器件的溶液法制程。

【發明內容】

[0005]本發明的目的在于提供一種像素界定層結構的制備方法，旨在解決現有像素界定層結構的制備方法導致器件像素均勻性差、甚至導致器件開路、減小器件開口率，或不利于溶液法制作OLED器件的的問題。
[0006]本發明的另一目的在于提供一種OLED器件的制備方法。
[0007]本發明是這樣實現的，一種像素界定層結構的制備方法，包括以下步驟:
[0008]提供一 TFT背板，在所述TFT背板的陽極上涂覆負性光刻膠層；
[0009]對所述負性光刻膠層依次進行前烘、壓印、后烘處理，得到表面具有凹型壓印圖案的負性光刻膠層；
[0010]將掩膜板固定在所述負性光刻膠層上，并使得所述掩膜板的透光通道置于所述凹型壓印圖案的正上方，使得經過所述透光通道的光線通過所述凹型壓印圖案進入所述負性光刻膠層，依次進行曝光、顯影和刻蝕處理，得到倒梯形像素區域的梯形像素界定層結構，其中，所述掩膜板的透光通道尺寸不大于所述凹型壓印圖案的尺寸。
[0011]以及，一種OLED器件的制備方法，包括以下步驟:
[0012]提供上述像素界定層結構；
[0013]在所述像素界定層結構的倒梯形像素區域中，沉積有機功能層，對形成的所述有機功能層進行退火處理；
[0014]在所述倒梯形像素區域和所述有機功能層上，蒸鍍陰極層，形成OLED元件。
[0015]本發明通過采用壓印再曝光的方法制作印刷器件的像素界定層結構，首先，所述壓印出來可以獲得表面具有凹型壓印圖案的負性光刻膠層，然后曝光處理時，光通過具有平凹透鏡效應的凹型壓印圖案時發生折射，從而增加了所述凹型壓印圖案下負性光刻膠在曝光顯影時的曝光區域，使其在蝕刻后再曝光區域形成了正梯形像素界定層結構，避免了像素界定層結構底部過刻蝕造成器件開路的問題。同時獲得的正梯形像素界定層結構，容易實現表面的親疏水處理，是的倒梯形像素區域形成的溶液表面張力更有利于控制像素的均勻性。
[0016]本發明提供的OLED器件的制備方法，首先，所述OLED器件含有上述梯形像素界定層結構，因此，可以緩解刻蝕液橫向侵蝕對像素界定層結構的影響，提高印刷OLED器件像素的均勻性；其次，在此基礎上，通過沉積方式制備OLED器件，提高了生產效率，降低了器件制作成本。
【附圖說明】
[0017]圖1是現有技術提供的倒梯形像素界定層結構示意圖；
[0018]圖2是現有技術提供的矩形像素界定層結構示意圖；
[0019]圖3是本發明實施例提供的對負性光刻膠層進行壓印處理后得到表面具有凹型壓印圖案的負性光刻膠層結構示意圖；
[0020]圖4是本發明實施例提供的對負性光刻膠層進行曝光處理后得到表面具有凹型壓印圖案的負性光刻膠層結構示意圖；
[0021]圖5是本發明實施例提供的在像素界定層結構的倒梯形像素區域中沉積有機功能層后的結構示意圖；
[0022]圖6是本發明實施例提供的對OLED元件進行封裝處理后的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0023]為了使本發明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0024]結合圖3-4，本發明實施例提供了一種像素界定層結構的制備方法，包括以下步驟:
[0025]SO1.提供一 TFT背板1，在所述TFT背板I的陽極13上涂覆負性光刻膠層2 ;
[0026]具體的，上述步驟SOl中，所述TFT背板I包括在硬質載體襯底11上依次層疊設置的TFT陣列12和陽極13。所述TFT背板I可為剛性TFT背板或柔性TFT背板中的一種。當選用剛性TFT背板時，所述剛性TFT背板包括在剛性載體基板上依次形成的TFT陣列和陽極；當選用柔性TFT背板時，所述柔性TFT背板包括在剛性載體基板上依次形成的柔性膜、TFT陣列和陽極。具體的，所述剛性載體基板可選用硅片、金屬、玻璃等剛性載板中的一種；所述柔性膜可采用P1、PET或PEN材料的柔性膜，所述陽極的選用不受限制，本領域常規的像素電極均可用于本發明實施例，具體的，如像素電極ITO。值得注意的是，本發明實施例使用柔性TFT背板時，需預先將所述柔性膜貼附在剛性載體基板上后在進行下述涂覆疏水材料等處理。本實施例優選使用剛性TFT背板。
[0027]為了保證經過沉積TFT材料、對TFT材料進行退火處理以及蒸鍍陽極的步驟后所述TFT背板I中TFT陣列的性能并完成OLED器件的制作，制備所述TFT背板I前對所述剛性載體基板11進行清潔處理。所述清潔處理優選采用本領域電子級清潔工藝實現。
[0028]所述TFT背板I中，所述TFT陣列12和陽極13的制備方式不受限制，本領域常用方法都在本發明實施例的保護范圍內。作為具體實施例，采用高精度金屬掩模板(FMM)等掩膜板方式沉積各層TFT材料形成所述TFT陣列12，在所述TFT陣列12上沉積陽極13，然后對沉積后的材料進行刻蝕和燒結處理，得到圖案化陽極。所述燒結處理后，進行退火處理，以保證所述TFT陣列12的性能并完成器件制作。作為優選實施例，所述退火處理溫度為330-365°C，更有選為在350°C條件下進行退火處理。本發明實施例中，所述TFT陣列12的材料可以為結晶多晶硅或氧化物半導體如IGZO等。
[0029]本發明實施例在所述TFT背板I的陽極13上涂覆負性光刻膠層2。本發明實施例在所述陽極13上負性光刻膠層2的方式不受限制，本領域常用的涂覆方式均可實現。作為具體優選實施例，采用旋涂工藝或縫隙涂層工藝將負性光刻膠層2涂覆于所述陽極13上。其中，所述旋涂工藝涂覆所述負性光刻膠層2后，可利用高速旋轉基板帶來的離心力，有效控制負性光刻膠層2的厚度和均勻性，并將多余的溶劑除掉。作為優選實施例，所述負性光刻膠層2的厚度為1-3 μ m。作為進一步優選實施例，所述負性光刻膠層2的厚度為
1.2—2 u π?ο
[0030]本發明實施例中，所述負性光刻膠層2的材料，包括樹脂、感光劑、溶劑和添加劑等。其中，所述樹脂作為粘合劑，給予負性光刻膠層2機械與化學性質(如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等)；所述感光劑遇光能發生光化學反應；所述溶劑用于保持所述負性光刻膠層2的液體狀態，使之具有良好的流動性；所述添加劑用以改變所述負性光刻膠層2的某些特性，如改善光刻膠發生反射而添加染色劑等。作為具體優選實施例，所述負性光刻膠材料中，所述樹脂為聚異戊二烯，一種天然的橡膠；所述溶劑為二甲苯；所述感光劑為一種經過曝光后釋放出氮氣的光敏劑，其產生的自由基在橡膠分子間形成交聯，從使得所述負性光刻膠層2變得不溶于顯影液。
[0031]S02.對所述負性光刻膠層2依次進行前烘、壓印、后烘處理，得到表面具有凹型壓印圖案20的負性光刻膠層2，如圖3所示；
[0032]具體的，上述步驟S02中，所述負性光刻膠層2需要依次進行前烘、壓印、后烘處理，以去除溶劑、同時實現表面固化。作為優選實施例，為了有效去除所述負性光刻膠層2中的溶劑，所述前烘處理的方法為，在溫度為90-100°C條件下烘烤25-30S。烘烤設備不受限制，優選采用熱板實現上述前烘處理。進一步的，為了避免所述負性光刻膠層2中的溶劑沸騰影響成膜性能，作為優選實施例，所述前烘處理在負壓條件下進行，且負壓環境壓力以P表示，所述負性光刻膠層2材料的飽和蒸汽壓以Ps表示，負壓環境滿足:Ps-P > 2000Pa。
[0033]本發明實施例中，對所述負性光刻膠層2進行壓印處理，以期獲得表面具有凹型壓印圖案20的負性光刻膠層2。具體的，使用表面具有凸起的納米壓印版4對所述負性光刻