用于弄干晶片基板的方法和用于實施該方法的晶片保持器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明提供了一種用于弄干被浸入液體中的晶片基板的方法和用于實施該方法的晶片保持器。
【背景技術】
[0002]弄干被浸入液體中的晶片基板的一種方式是其中將基板從液體轉移到包含蒸氣的氣體空間中的方法，該蒸氣不會在基板上凝結并且該蒸氣降低粘附于基板的液態殘留物的表面張力。
[0003]EP0385536 Al中描述了該方法和由此所運用的物理效應，如為一種適用于實施該方法的裝置。
[0004]這種方法的目的是無殘留物地弄干基板。最初粘附在晶片保持器與基板之間的液態殘留物能散布到基板的表面上，并且在弄干之后，在基板上留下顆粒。因此，能通過確定在干的基板上找到的顆粒的數量來檢驗方法的成效。

【發明內容】

[0005]本發明的目的是改進所述方法，并且特別是顯示出能如何減少在干的基板上找到的顆粒的數量。
[0006]通過一種用于弄干被浸入液體內的晶片基板的方法來實現該目的，包括
[0007]將基板保持在伸長的晶片保持器的楔形邊緣上，基板在晶片保持器上直立；
[0008]將基板和晶片保持器的楔形邊緣從液體轉移到包含蒸氣的氣體空間，該蒸氣不會凝結在基板上并且該蒸氣降低了液態殘留物粘附至基板的表面張力，其特征在于
[0009]通過晶片保持器的楔形邊緣的中部中的槽去除晶片基板與晶片保持器之間的液態殘留物。
[0010]另外，通過用于弄干晶片基板的晶片保持器來實現該目的，其包括沿朝向楔形邊緣的向上方向變窄的伸長本體，該楔形邊緣提供來用于保持晶片基板。晶片保持器的特征在于楔形邊緣的中部中的槽。
[0011]被圈閉在基板與晶片保持器的楔形邊緣之間并且有可能散落到基板上的液態殘留物被通過槽移除。槽優選具有不小于0.3_且不大于1.2_的寬度。槽至少延伸過用來保持基板的楔形邊緣的長度。因此，槽的長度至少與端對端地豎立的兩個基板之間的距離相應。
[0012]在向下方向上，槽優選合并到通道內，該通道引入到晶片保持器內直至不小于0.5mm深度處。該通道限定出具有槽的印跡(footprint)和所述深度的空間。通道的寬度和長度在深度方向上優選與槽的寬度和長度相應。在基板和晶片保持器的楔形邊緣已經被轉移到氣體空間之后，由于毛細管力，液體可能殘留在設于槽之下的空間中。
[0013]由于其親水性特征，當基板與晶片保持器的楔形邊緣的接觸脫開時，可能被圈閉在基板與晶片保持器的楔形邊緣之間的液態殘留物與保持粘附到基板上相比更傾向于與通道中的液體結合。
[0014]液態殘留物通過槽的主動抽吸既不是需要的也不是預期的。因此，沒有對提供和控制栗的成本和不便的需求。
[0015]晶片保持器的楔形邊緣的表面是平滑的。不設想用于引導單獨基板的例如凹槽或者其他凹陷的不平整度，因為這種結構有助于增大被圈閉在基板與晶片保持器的楔形邊緣之間的液態殘留物的體積。
[0016]優選通過升起晶片保持器來將基板和晶片保持器的楔形邊緣從液體導入到氣體空間內，因為可以非常精確地控制其運動。可替換地，可以通過降低液面來將基板轉移到氣體空間內。
[0017]晶片保持器的楔形邊緣或者整個晶片保持器由對液體的化學改變有抵抗的材料構成。合適的材料例如是塑料或者玻璃。硅同樣是合適的。特別優選的是氟聚合物、聚醚醚酮(PEEK)或者石英玻璃。
[0018]晶片基板優選是半導體晶片，特別是娃晶片。
[0019]液體優選是水或者水溶液，例如包含少量氯化氫的水。
[0020]特別優選的是類似于W095/28736 Al中所描述的方法并結合其裝置地應用該發明。同樣，明確參考該公開文件的內容作為對理解本發明的補充。
[0021]—種用于弄干晶片基板以及本發明的晶片保持器的優選裝置包括，具有用于基板的接收裝置的充有液體的槽。本發明的晶片保持器連同鄰近其的支承裝置是接收裝置的一部分并且類似于支承裝置地具有可豎直地移動的設計。其能與支承裝置無關地被升起和降下。在槽的上方設置罩，該罩具有用于容納并保持從槽中升出的基板的引導件。優選是，用于弄干晶片基板的優選裝置具有可在槽上方移動的保持器，其在用于移除基板而打開罩的過程中和其之后暫時地保持晶片基板。
[0022]基板首先被浸于填充槽的液體中。在此時，它們由槽的接收裝置保持。在支承裝置與本發明的晶片保持器之間提供用于基板的支承表面。通過借助于接收裝置升起基板來開始弄干操作。在該移動過程中，基板和至少本發明的晶片保持器的楔形邊緣離開液體，而支承裝置留在液體中。在該情況中，通過罩中的引導件和本發明的晶片保持器來保持基板。在已經將用于支承基板的可移動保持器放置到合適位置或者已經將基板夾緊到罩的引導件內之后，升起罩并且因此使基板與晶片保持器分開。
[0023]由于它們的親水性特征，在基板與晶片保持器分開之時，被圈閉在基板與本發明的晶片保持器的楔形邊緣之間的液態殘留物與仍然粘附到基板上相比更傾向于通過晶片保持器的楔形邊緣中的槽行進。
[0024]在本發明的優選實施例中，晶片保持器的楔形邊緣與水平面成傾斜地設置。該傾斜角優選大于0°并且不大于3°。晶片保持器的楔形邊緣上的所述梯度獲得了放入槽的接收裝置內的基板采取傾斜位置的效果。在該傾斜位置中，基板的平面不再豎直，并且對于所有基板，傾斜方向相同。其結果是，基板能僅通過一個側面與罩中的引導件接觸。該表面可以是基板的前側或者背側。在半導體晶片為基板的情況中，前側是其上設想形成電子結構的表面。為了保護前側因與引導件接觸而免受損傷，因此，特別優選是按如此方式將基板放置到接收裝置上，即，相鄰基板的背側和前側相互面對，并且僅基板的背側能與罩中的引導件接觸，因為它們被迫使采用傾斜位置。
【附圖說明】
[0025]在下文中參照附圖來描述本發明。
[0026]圖1和圖2以示意性剖面圖顯示了根據本發明成形的晶片保持器，具有關于槽成直角地延伸的剖面。
[0027]圖3以示意性剖面圖顯示了基板在根據本發明成形的晶片保持器上根據本發明的布置，具有延伸通過槽中部的剖面。
[0028]圖4和圖5顯不了指不存在顆粒的位置的圖。
【具體實施方式】
[0029]根據圖1的用于弄干晶片基板的晶片保持器I包括伸長本體2，伸長本體2沿至楔形邊緣3的向上方向變窄。在邊緣的中部設有槽4，槽4至少延伸過為保持晶片基板而設置的楔形邊緣的長度。在槽下面，存在延伸到晶片保持器I內直到深度T處的通道5。
[0030]根據圖2的晶片保持器I因其通道5更深地延伸到晶片保持器I內而不同于根據圖1的晶片保持器I。
[0031]根據圖3中的圖解，伸長本體2的楔形邊緣3與水平面成傾斜地設置。晶片基板6按傾斜位置處于晶片保持器I的楔形邊緣3上，僅晶片基板的背側7與罩9中的引導件8接觸。
[0032]實例和對比實例:
[0033]通過將立于晶片保持器的楔形邊緣上的半導體晶片從充有水的槽轉移到包含2-丙醇蒸氣的氣體空間內，按相同方式弄干兩組各25個拋光的硅的半導體晶片。用于A組(實例組)的晶片保持器設有根據圖1的槽，而用于B組(對比實例組)的晶片保持器缺失該槽。在其他方面，在該晶片保持器之間沒有差別。
[0034]檢查干的半導體晶片在與晶片保持器的接觸位置的部位中存在的顆粒，并且將發現顆粒的位置記錄在圖中。
[0035]表示實例(圖4)的圖與表示對比實例(圖5)的圖的對比顯示了根據該實例所承擔的弄干具有相當低的殘留水平。
【主權項】
1.一種用于弄干被浸入液體內的晶片基板的方法，包括 將該基板保持在伸長的晶片保持器的楔形邊緣上，該基板在該晶片保持器上直立；將該基板和該晶片保持器的楔形邊緣從該液體轉移到包含蒸氣的氣體空間，該蒸氣不會凝結在該基板上并且該蒸氣降低了液態殘留物粘附至該基板的表面張力，其特征在于通過該晶片保持器的楔形邊緣的中部中的槽去除該晶片基板與該晶片保持器之間的液態殘留物。2.如權利要求1所述的方法，其中不通過該槽主動抽吸液態殘留物。3.如權利要求1或權利要求2所述的方法，其中通過將該晶片保持器的楔形邊緣設置成其自水平面傾斜，來將該基板以傾斜位置放置在該晶片保持器的楔形邊緣上。4.一種用于弄干晶片基板的晶片保持器，包括 沿朝向楔形邊緣的向上方向變窄的伸長本體，該楔形邊緣提供來用于保持該晶片基板，其特征在于，該楔形邊緣的中部中的槽。5.如權利要求4所述的晶片保持器，其特征在于，延伸到該晶片保持器內從該槽直到不小于0.5mm深度的通道。
【專利摘要】一種用于弄干被浸入液體內的晶片基板的方法和用于實施該方法的晶片保持器。該方法包括將該基板保持在伸長的晶片保持器的楔形邊緣上，該基板在該晶片保持器上直立；將該基板和該晶片保持器的楔形邊緣從該液體轉移到包含蒸氣的氣體空間，該蒸氣不會凝結在該基板上并且該蒸氣降低了液態殘留物粘附至該基板的表面張力，其特征在于通過該晶片保持器的楔形邊緣的中部的槽除去該晶片基板與該晶片保持器之間的液態殘留物。
【IPC分類】H01L21/683, H01L21/02
【公開號】CN105006422
【申請號】CN201510161994
【發明人】A·庫恩施泰特爾, W·埃德邁爾, G-F·霍爾
【申請人】硅電子股份公司
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2015年4月7日
【公告號】DE6A1, US20150294883