顆粒物缺陷的監控方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及集成電路制造技術領域，特別涉及一種顆粒物缺陷的監控方法。
【背景技術】
[0002]在集成電路制造過程中顆粒物缺陷(particle defect，簡稱PD)是影響成品率的重要因素，顆粒物缺陷會導致產品不良，因而耗費大量的生產成本。因此，在生產過程中需要對顆粒物缺陷進行有效控制。顆粒物缺陷包括表面附著顆粒物(fall on PD)或者顆粒物造成的表面刮傷(scratch)，都會對后續形成的器件造成不利影響，進而影響成品率。特別是表面刮傷，其在制造過程中很常見，而且對產品良率的危害甚大。
[0003]目前，監控顆粒物缺陷的方法通常是將光片(Bare Wafer)放置于一工藝設備中并仿真工藝狀態，并在仿真工藝狀態的前后對光片進行顆粒物檢測，仿真工藝狀態后的顆粒物檢測值(后值)與仿真工藝狀態前的顆粒物檢測值(前值)之差作為反映顆粒物缺陷的參數。
[0004]然而，上述監控方法雖然能夠檢出表面附著顆粒物并對其進行監控，但是由于光片的表面硬度較大，因此能造成產品表面刮傷的顆粒物未必能在光片表面留下痕跡。通過上述監控方法得到的反映顆粒物缺陷的參數并不能全面反應顆粒物缺陷的狀況。
[0005]請參考圖1，其為實際產品上檢出的顆粒物缺陷與仿真工藝狀態之后的光片上所檢出的顆粒物缺陷的對照圖。如圖1所示，將實際產品放入工藝設備中進行加工，實際產品在加工之后均出現了多處表面刮傷(圖中A部分所示)，而利用光片仿真實際產品的工藝狀態，仿真工藝狀態之后對光片進行顆粒物缺陷的檢測卻都沒有檢測出表面刮傷(圖中B部分所示)。可見，現有的監控方法只是針對表面附著顆粒物這一類的缺陷，忽視了顆粒物造成的表面刮傷，采用現有的監控方法不能有效監控顆粒物缺陷。
[0006]因此，如何解決現有的監控方法無法有效監控顆粒物缺陷的狀況，造成成品率低的問題成為當前亟需解決的技術問題。

【發明內容】

[0007]本發明的目的在于提供一種顆粒物缺陷的監控方法，以解決現有的監控方法無法有效監控顆粒物缺陷的狀況，造成成品率低的問題。
[0008]為解決上述技術問題，本發明提供一種顆粒物缺陷的監控方法，所述顆粒物缺陷的監控方法包括:
[0009]提供一光片；
[0010]在所述光片上涂布光阻，以形成監控晶片；
[0011]對所述監控晶片進行第一次顆粒物檢測，以獲取第一數據；
[0012]根據所述第一數據判斷所述監控晶片可否符合使用要求；
[0013]將符合使用要求的監控晶片放入一工藝設備中并仿真工藝狀態；
[0014]對仿真工藝狀態后的監控晶片進行第二次顆粒物檢測，以獲取第二數據；
[0015]將所述第一數據與第二數據進行比對，以獲得所述工藝設備的顆粒物缺陷的數據；以及
[0016]對所述工藝設備的顆粒物缺陷的數據進行統計，并根據統計結果在所述工藝設備中設置所述顆粒物缺陷的監控范圍。
[0017]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，所述工藝設備的顆粒物缺陷的數據是所述第一數據與所述第二數據之差。
[0018]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，所述工藝設備為離子注入設備，所述離子注入設備用于實施離子注入。
[0019]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，所述離子注入的工藝參數為:離子源為砷離子，注入劑量在5E15atoms/cm2到6E15atoms/cm2之間，注入角度為0°，工作電壓在50Kev到65Kev之間，工作電流15000 μΑ到17500 μA之間，電子浴起弧電流為IA。
[0020]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，所述第一數據要求小于50顆。
[0021]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，所述光片是只有硅襯底，表面上無其他膜層的晶圓。
[0022]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，所述光阻的厚度在1000埃到10000埃之間。
[0023]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，所述光阻的厚度在4000埃到5000埃之間。
[0024]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，在提供一光片之后，在所述光片上涂布光阻之前，還包括:對所述光片進行濕法清洗。
[0025]可選的，在所述的顆粒物缺陷的監控方法中，所述第一次顆粒物檢測和第二次顆粒物檢測采用同一檢測設備。
[0026]在本發明提供的顆粒物缺陷的監控方法中，通過在光片上形成光阻以檢出顆粒物造成的表面刮傷，使得顆粒物缺陷的監控更加全面，而且通過對顆粒物缺陷的數據統計，能夠直接在工藝設備中設置顆粒物缺陷的監控范圍，降低了由顆粒物缺陷引起的產品不良風險，所述監控方法非常簡單有效，能夠提高成品率。
【附圖說明】
[0027]圖1是實際產品上檢出的顆粒物缺陷與仿真工藝狀態之后的光片上所檢出的顆粒物缺陷的對照圖；
[0028]圖2是本發明實施例的顆粒物缺陷的監控方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0029]以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的顆粒物缺陷的監控方法作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0030]請參考圖2，其為本發明實施例的顆粒物缺陷的監控方法的流程圖。如圖2所示，所述顆粒物缺陷的監控方法包括:
[0031]步驟一:提供一光片；
[0032]步驟二:在所述光片上涂布光阻(photoresist，簡稱PR)，以形成監控晶片；
[0033]步驟三:對所述監控晶片進行第一次顆粒物檢測，以獲取第一數據；
[0034]步驟四:根據所述第一數據判斷所述監控晶片可否符合使用要求；
[0035]步驟五:將符合使用要求的監控晶片放入一工藝設備中并仿真工藝狀態；
[0036]步驟六:對仿真工藝狀態后的監控晶片進行第二次顆粒物檢測，以獲取第二數據；
[0037]步驟七:將所述第一數據與第二數據進行比對，以獲得所述工藝設備的顆粒物缺陷的數據；
[0038]步驟八:對所述工藝設備的顆粒物缺陷的數據進行統計，并根據統計結果在所述工藝設備中設置所述顆粒物缺陷的監控范圍。
[0039]具體的，首先提供一光片，所述光片是只有硅襯底，表面上無其他膜層的晶圓。
[0040]對所述光片進行濕法清洗之后，在所述光片上涂布光阻，以形成監控晶片。所述監控晶片包括光片以及所述覆蓋于所述光片表面的光阻。所述光阻的厚度一般要求在1000埃到10000埃之間。優選的，所述光阻的厚度在4000埃到5000埃之間。在所述光片上涂布光阻可以采用本領域技術人員熟知的涂布工藝，在此不再贅述。
[0041]本實施例中，所述監控晶片的表面材料是光阻，由于