本申(shen)請涉(she)(she)及半(ban)(ban)導(dao)體(ti)，具體(ti)涉(she)(she)及一種(zhong)半(ban)(ban)導(dao)體(ti)器件。

背景技術：

1、在(zai)早期(qi)，集(ji)成電路的(de)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)方式(shi)主要是單芯片(pian)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(scp)，即(ji)將(jiang)單個芯片(pian)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)一(yi)個封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)中。然而，隨著電子設(she)備(bei)的(de)功能需求不斷(duan)增加(jia)，單芯片(pian)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)無法滿足(zu)多(duo)個不同功能模塊(kuai)的(de)集(ji)成需求。為了解決這(zhe)個問題(ti)，多(duo)芯片(pian)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(mcp)技術應運而生(sheng)，其是指將(jiang)多(duo)個具(ju)有(you)不同功能的(de)芯片(pian)組件(jian)集(ji)成在(zai)一(yi)個封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)中，使(shi)得器件(jian)具(ju)有(you)更高的(de)集(ji)成度和更小的(de)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)尺寸。

2、但目前的(de)半(ban)(ban)導體(ti)器(qi)件(jian)的(de)空間有限，導致集成不(bu)同功能(neng)的(de)芯片的(de)數量(liang)有限，進而(er)影(ying)響半(ban)(ban)導體(ti)器(qi)件(jian)的(de)性能(neng)。

技術實現思路

1、鑒于此，本申請提供一種(zhong)半導體(ti)器件，以提高半導體(ti)器件的空間利用率。

2、本申請提供一(yi)種半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件，包括封裝框(kuang)架(jia)、芯片以(yi)及塑(su)封體(ti)，所(suo)(suo)述(shu)封裝框(kuang)架(jia)具有基(ji)島以(yi)及設(she)置(zhi)(zhi)于所(suo)(suo)述(shu)基(ji)島周(zhou)圍(wei)的引(yin)腳(jiao)(jiao)部，所(suo)(suo)述(shu)芯片設(she)置(zhi)(zhi)于所(suo)(suo)述(shu)基(ji)島上，所(suo)(suo)述(shu)塑(su)封體(ti)覆蓋所(suo)(suo)述(shu)芯片以(yi)及所(suo)(suo)述(shu)封裝框(kuang)架(jia)，所(suo)(suo)述(shu)引(yin)腳(jiao)(jiao)部位于所(suo)(suo)述(shu)基(ji)島與所(suo)(suo)述(shu)塑(su)封體(ti)的邊緣之間(jian)，在第一(yi)方向上，所(suo)(suo)述(shu)基(ji)島與所(suo)(suo)述(shu)塑(su)封體(ti)的邊緣之間(jian)的距離至少小(xiao)于或等(deng)于500μm。

3、在(zai)一(yi)些實施例中，在(zai)所述(shu)第一(yi)方向上，所述(shu)基島與所述(shu)塑封體的(de)(de)邊緣之間(jian)的(de)(de)距離至少小(xiao)于(yu)或(huo)等(deng)于(yu)0.8μm，且大于(yu)或(huo)等(deng)于(yu)50μm。

4、在一些(xie)實施例中，第(di)二(er)方(fang)向與所(suo)述第(di)一方(fang)向垂直，在所(suo)述第(di)二(er)方(fang)向上(shang)，所(suo)述基島與所(suo)述塑封(feng)體的邊緣之(zhi)間的距離至(zhi)少小于或(huo)等于500μm。

5、在一些實施(shi)例中，第(di)二方向與(yu)所(suo)述(shu)第(di)一方向垂直，在所(suo)述(shu)第(di)二方向上，所(suo)述(shu)基島與(yu)所(suo)述(shu)塑封體的(de)邊緣之間的(de)距離至少小于或(huo)等(deng)于300μm，且小于或(huo)等(deng)于100μm。

6、在(zai)一些實施例中，所(suo)述(shu)基島中設(she)置有至少5個所(suo)述(shu)芯片(pian)，自(zi)所(suo)述(shu)芯片(pian)朝向所(suo)述(shu)封裝框(kuang)架的方向上，每兩相鄰的所(suo)述(shu)芯片(pian)的正投影之間間隔設(she)置。

7、在一些實施例中，所述(shu)(shu)封(feng)裝框架還包括(kuo)打(da)地(di)線(xian)區(qu)，所述(shu)(shu)打(da)地(di)線(xian)區(qu)設置于所述(shu)(shu)基島中，且所述(shu)(shu)打(da)地(di)線(xian)區(qu)位于所述(shu)(shu)引腳(jiao)部與所述(shu)(shu)芯片(pian)之間。

8、在一些實施(shi)例中(zhong)，所(suo)述(shu)(shu)打地線區圍繞所(suo)述(shu)(shu)芯(xin)片設置。

9、在一些實(shi)施例中，在所(suo)述第一方向上，所(suo)述基島(dao)與所(suo)述塑封體的邊緣之間(jian)的距離(li)為等間(jian)距距離(li)。

10、在一些實(shi)施例中，在所述第二方(fang)向上，所述基島(dao)與(yu)所述塑封體的邊緣之間的距(ju)離(li)(li)為等間距(ju)距(ju)離(li)(li)。

11、在一些實施例中(zhong)，所述引腳(jiao)(jiao)部包括多個間(jian)隔設置的管腳(jiao)(jiao)。

12、本申請提(ti)供一種半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)器件，包括封(feng)(feng)裝(zhuang)框(kuang)架(jia)、芯(xin)(xin)片(pian)以及(ji)塑(su)(su)封(feng)(feng)體(ti)(ti)(ti)，封(feng)(feng)裝(zhuang)框(kuang)架(jia)具有基島以及(ji)設置(zhi)于(yu)基島周(zhou)圍的(de)(de)(de)(de)(de)引(yin)腳(jiao)部(bu)，芯(xin)(xin)片(pian)設置(zhi)于(yu)基島上(shang)，塑(su)(su)封(feng)(feng)體(ti)(ti)(ti)覆蓋芯(xin)(xin)片(pian)以及(ji)封(feng)(feng)裝(zhuang)框(kuang)架(jia)，引(yin)腳(jiao)部(bu)位于(yu)基島與(yu)塑(su)(su)封(feng)(feng)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)邊緣之間，在第一方向上(shang)，基島與(yu)塑(su)(su)封(feng)(feng)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)邊緣之間的(de)(de)(de)(de)(de)距離至(zhi)少(shao)小于(yu)或等(deng)(deng)于(yu)1.32mm。在通過(guo)將基島與(yu)塑(su)(su)封(feng)(feng)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)邊緣之間的(de)(de)(de)(de)(de)距離設置(zhi)為(wei)至(zhi)少(shao)小于(yu)或等(deng)(deng)于(yu)1.32mm，通過(guo)縮減基島到塑(su)(su)封(feng)(feng)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)邊緣之間距離以增大基島的(de)(de)(de)(de)(de)面(mian)積，充(chong)分利用(yong)封(feng)(feng)裝(zhuang)框(kuang)架(jia)的(de)(de)(de)(de)(de)面(mian)積，以使得(de)基島中(zhong)可以放置(zhi)多個芯(xin)(xin)片(pian)，提(ti)高(gao)了半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)器件的(de)(de)(de)(de)(de)空(kong)間利用(yong)率(lv)，降低了半(ban)導(dao)體(ti)(ti)(ti)器件的(de)(de)(de)(de)(de)生(sheng)產成本。

技術特征：

1.一(yi)種半導體(ti)器件，其特征在(zai)于(yu)，包(bao)括封(feng)裝(zhuang)框(kuang)架、芯片(pian)以及(ji)塑(su)封(feng)體(ti)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)封(feng)裝(zhuang)框(kuang)架具(ju)有基(ji)島以及(ji)設置(zhi)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)基(ji)島周圍的(de)(de)引腳(jiao)部(bu)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)芯片(pian)設置(zhi)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)基(ji)島上，所(suo)(suo)述(shu)(shu)塑(su)封(feng)體(ti)覆蓋(gai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)芯片(pian)以及(ji)所(suo)(suo)述(shu)(shu)封(feng)裝(zhuang)框(kuang)架，所(suo)(suo)述(shu)(shu)引腳(jiao)部(bu)位于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)基(ji)島與所(suo)(suo)述(shu)(shu)塑(su)封(feng)體(ti)的(de)(de)邊緣(yuan)之(zhi)間(jian)，在(zai)第一(yi)方向上，所(suo)(suo)述(shu)(shu)基(ji)島與所(suo)(suo)述(shu)(shu)塑(su)封(feng)體(ti)的(de)(de)邊緣(yuan)之(zhi)間(jian)的(de)(de)距離至(zhi)少(shao)小于(yu)或等于(yu)500μm。

2.根據權利要求1所(suo)述(shu)(shu)(shu)的半導體器件(jian)，其特征在于(yu)，在所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一方向上，所(suo)述(shu)(shu)(shu)基島與所(suo)述(shu)(shu)(shu)塑封體的邊(bian)緣之間(jian)的距離至(zhi)少小于(yu)或(huo)(huo)等(deng)于(yu)80μm，且(qie)大于(yu)或(huo)(huo)等(deng)于(yu)50μm。

3.根(gen)據權利要(yao)求(qiu)1所述(shu)的半導(dao)體器件，其(qi)特征在于(yu)，第(di)(di)二(er)方(fang)向(xiang)與(yu)所述(shu)第(di)(di)一方(fang)向(xiang)垂直，在所述(shu)第(di)(di)二(er)方(fang)向(xiang)上，所述(shu)基(ji)島與(yu)所述(shu)塑封體的邊緣之間的距離至少小于(yu)或等于(yu)500μm。

4.根(gen)據權利要求1所述的(de)(de)半導(dao)體器(qi)件，其特征(zheng)在于，第二方(fang)向(xiang)與(yu)所述第一方(fang)向(xiang)垂直，在所述第二方(fang)向(xiang)上，所述基(ji)島與(yu)所述塑封體的(de)(de)邊緣之(zhi)間(jian)的(de)(de)距離至少小(xiao)(xiao)于或等于300μm，且小(xiao)(xiao)于或等于100μm。

5.根據權利要(yao)求1所述的(de)(de)半導體器件，其特征在于，所述基島中(zhong)設置有至(zhi)少5個所述芯(xin)片(pian)，自(zi)所述芯(xin)片(pian)朝向所述封裝框(kuang)架的(de)(de)方向上，每兩相鄰的(de)(de)所述芯(xin)片(pian)的(de)(de)正投影之間間隔(ge)設置。

6.根據權利要(yao)求(qiu)1所(suo)(suo)(suo)述(shu)的半導體器件，其特征在于(yu)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)封裝框架(jia)還包(bao)括打(da)地線區(qu)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)打(da)地線區(qu)設置(zhi)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)基(ji)島(dao)中(zhong)，且所(suo)(suo)(suo)述(shu)打(da)地線區(qu)位于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)引腳部與所(suo)(suo)(suo)述(shu)芯片之間。

7.根(gen)據權利(li)要求6所(suo)述(shu)(shu)的半導(dao)體器(qi)件(jian)，其(qi)特征(zheng)在于，所(suo)述(shu)(shu)打地線(xian)區圍繞所(suo)述(shu)(shu)芯(xin)片設置。

8.根據權利(li)要求1所述(shu)的(de)半導體器件，其特征(zheng)在(zai)于(yu)，在(zai)所述(shu)第一方(fang)向上，所述(shu)基(ji)島與所述(shu)塑封體的(de)邊緣(yuan)之(zhi)間(jian)的(de)距離(li)為等間(jian)距距離(li)。

9.根(gen)據權利要求3所述(shu)的(de)(de)半導體器件，其特(te)征在于，在所述(shu)第二方(fang)向上(shang)，所述(shu)基(ji)島與(yu)所述(shu)塑封體的(de)(de)邊(bian)緣之(zhi)間(jian)的(de)(de)距(ju)離為等(deng)間(jian)距(ju)距(ju)離。

10.根據(ju)權利要(yao)求1所述的(de)半導體器件，其特征(zheng)在于，所述引腳部包括多個間(jian)隔(ge)設(she)置的(de)管腳。

技術總結
本申請提供一種半導體器件，包括封裝框架、芯片以及塑封體，封裝框架具有基島以及設置于基島周圍的引腳部，芯片設置于基島上，塑封體覆蓋芯片以及封裝框架，引腳部位于基島與塑封體的邊緣之間，在第一方向上，基島與塑封體的邊緣之間的距離至少小于或等于500μm，以提高半導體器件的空間利用率。

技術研發人員：李斌,黃致愷
受保護的技術使用者：元能芯科技（深圳）有限公司
技術研發日：20240126
技術公布日：2024/9/19