本(ben)發明涉及半導體制造(zao)領域，尤其涉及一種半導體晶圓的分(fen)離(li)方法。
背景技術：
1、隨著半(ban)導體(ti)科技的(de)日(ri)新月異的(de)進(jin)(jin)步(bu)，對于半(ban)導體(ti)制造(zao)、加工的(de)要求(qiu)越(yue)來越(yue)高。傳統的(de)加工工藝中將晶圓(yuan)(yuan)切(qie)割成所需的(de)單元必不可少，通常是(shi)采用刀片對晶圓(yuan)(yuan)進(jin)(jin)行(xing)切(qie)割。然而，機械(xie)切(qie)割時，半(ban)導體(ti)的(de)切(qie)割道(dao)附近會承受較大(da)的(de)應力，容易引起邊緣崩(beng)裂和晶圓(yuan)(yuan)破(po)裂，另一種傳統方式(shi)是(shi)采用激(ji)(ji)(ji)光刻(ke)蝕，以高功率的(de)激(ji)(ji)(ji)光聚焦(jiao)于晶圓(yuan)(yuan)表面，使晶圓(yuan)(yuan)局部溫(wen)度升(sheng)高而分解，但是(shi)激(ji)(ji)(ji)光切(qie)割存在切(qie)割成本(ben)高，并(bing)且切(qie)割口容易產(chan)生微(wei)裂痕等問題。
2、因(yin)此，亟待提供一種改進(jin)的(de)半導(dao)體晶圓的(de)分離(li)方法(fa)以克服以上缺陷。
技術實現思路
1、本發明的(de)目的(de)在(zai)于提供一種(zhong)改進(jin)的(de)半導體晶圓(yuan)的(de)分離方法，降低晶圓(yuan)切(qie)割時(shi)產(chan)生(sheng)的(de)應力，從(cong)而減(jian)少半導體發生(sheng)崩裂的(de)可(ke)能，提高產(chan)品(pin)(pin)的(de)良品(pin)(pin)率。
2、為(wei)實現上(shang)述目的，本發(fa)明(ming)半導體(ti)晶圓的分(fen)離方法，包括(kuo)以(yi)下步驟：
3、采(cai)用(yong)cf4和o2的(de)(de)混合氣體在真空(kong)腔室內對(dui)晶圓的(de)(de)第(di)一(yi)表面進行第(di)一(yi)次離(li)子刻蝕(shi)，形成第(di)一(yi)刻蝕(shi)溝(gou)道；
4、采用(yong)sf6氣體在真空(kong)腔室內對所述(shu)晶圓的第二表面進行第二次離子刻蝕，形成第二刻蝕溝道；
5、保護所述(shu)(shu)晶圓除(chu)所述(shu)(shu)第一刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)溝(gou)道(dao)和所述(shu)(shu)第二(er)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)溝(gou)道(dao)外的(de)表面(mian)，將所述(shu)(shu)晶圓置于硅(gui)腐蝕(shi)(shi)液中進行(xing)濕(shi)法刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)，使所述(shu)(shu)第一刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)溝(gou)道(dao)和所述(shu)(shu)第二(er)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)溝(gou)道(dao)的(de)深度加大從而相(xiang)互連通。
6、與現(xian)有技術相比，本(ben)發明首(shou)先在(zai)(zai)晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)(de)第(di)一表(biao)面(mian)進行(xing)第(di)一次(ci)離子(zi)(zi)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)，繼而(er)(er)在(zai)(zai)晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)(de)相反的(de)(de)(de)(de)第(di)二(er)表(biao)面(mian)進行(xing)第(di)二(er)次(ci)離子(zi)(zi)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)，在(zai)(zai)正反兩(liang)個表(biao)面(mian)分別形成第(di)一刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)溝道(dao)和第(di)二(er)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)溝道(dao)，接著(zhu)用濕法刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)的(de)(de)(de)(de)方法將保護后的(de)(de)(de)(de)晶圓(yuan)(yuan)置于硅(gui)腐(fu)蝕(shi)液中進行(xing)腐(fu)蝕(shi)，從(cong)而(er)(er)使第(di)一刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)溝道(dao)和所(suo)述第(di)二(er)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)溝道(dao)的(de)(de)(de)(de)深度加大(da)從(cong)而(er)(er)相互連通，從(cong)而(er)(er)實現(xian)晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)(de)分離。由(you)此，兩(liang)次(ci)離子(zi)(zi)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)分別在(zai)(zai)晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)(de)不同表(biao)面(mian)進行(xing)，晶圓(yuan)(yuan)沒(mei)有被完全切割(ge)分離，晶圓(yuan)(yuan)的(de)(de)(de)(de)兩(liang)個表(biao)面(mian)所(suo)受的(de)(de)(de)(de)應力被大(da)大(da)降低，而(er)(er)在(zai)(zai)非機械切割(ge)的(de)(de)(de)(de)濕法刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)中，晶圓(yuan)(yuan)所(suo)受的(de)(de)(de)(de)應力不會增加，從(cong)而(er)(er)減少半(ban)導體發生(sheng)崩裂的(de)(de)(de)(de)可能，提高產品的(de)(de)(de)(de)良品率。
7、較佳地(di)，所述(shu)第一次(ci)離子刻蝕(shi)中，所述(shu)混(hun)合氣體的流量為800-1000sccm，所述(shu)cf4和所述(shu)o2的比(bi)例(li)為4：1。
8、較佳地(di)，所述(shu)第一(yi)次離子(zi)刻蝕中(zhong)，還包括(kuo)：控制(zhi)真(zhen)空腔(qiang)室(shi)的溫(wen)度為(wei)(wei)25-30℃，壓(ya)強(qiang)為(wei)(wei)20-50mtorr，源功(gong)率(lv)為(wei)(wei)1000-3000w，偏置功(gong)率(lv)為(wei)(wei)80-100w。
9、較(jiao)佳地，所述第二次離子刻蝕中，所述sf6的(de)流量為1300-1700sccm。
10、較佳地，所述第二次(ci)離子刻蝕中，還包括：控制真(zhen)空腔(qiang)室的(de)溫度25-30℃，壓強(qiang)為60-80mtorr，源功率為3500-4000w，偏置功率為150-200w。
11、較佳地(di)，所述(shu)(shu)濕法刻蝕(shi)(shi)步驟(zou)中，所述(shu)(shu)第一刻蝕(shi)(shi)溝(gou)道(dao)和所述(shu)(shu)第二刻蝕(shi)(shi)溝(gou)道(dao)的深度總(zong)和為(wei)所述(shu)(shu)晶體(ti)的總(zong)分離深度的1/2至2/3。
12、較佳地，所述濕(shi)法刻(ke)蝕(shi)步(bu)驟(zou)中(zhong)，所述硅(gui)腐蝕(shi)液為(wei)硝酸(suan)、氫(qing)氟酸(suan)及冰乙酸(suan)的混合(he)液。
13、較佳(jia)地，硝酸(suan)：氫氟酸(suan)：冰乙(yi)酸(suan)的比例(li)為(wei)7：2：1。
14、較佳地，所述(shu)濕法刻(ke)蝕(shi)步驟中(zhong)，所述(shu)硅腐(fu)蝕(shi)液的(de)溫度為10-25℃，時(shi)間為10-20分鐘，腐(fu)蝕(shi)深(shen)度為0.3-0.4mm。
1.一種半導體(ti)晶圓(yuan)的(de)分離方法(fa)，其特征(zheng)在于(yu)，包(bao)括以(yi)下步驟(zou)：
2.如權利要求1所述的半導體晶(jing)圓(yuan)的分離(li)(li)方法(fa)，其特征(zheng)在(zai)于(yu)，所述第一次離(li)(li)子刻蝕中，所述混合氣體的流量為(wei)800-1000sccm，所述cf4和所述o2的比例為(wei)4：1。
3.如(ru)權利要求(qiu)1所(suo)述的半導體晶圓的分離(li)方法，其特征在于(yu)，所(suo)述第一次離(li)子(zi)刻蝕中，還包括(kuo)：控制真空腔(qiang)室的溫度為(wei)25-30℃，壓(ya)強為(wei)20-50mtorr，源(yuan)功率為(wei)1000-3000w，偏置功率為(wei)80-100w。
4.如權利要求1所(suo)述(shu)的半(ban)導體晶圓的分(fen)離方法，其特征(zheng)在(zai)于：所(suo)述(shu)第二次(ci)離子刻蝕中(zhong)，所(suo)述(shu)sf6的流量為1300-1700sccm。
5.如權利要求(qiu)4所(suo)述的(de)半導(dao)體晶圓的(de)分離方法，其特征在于(yu)，所(suo)述第二次離子(zi)刻蝕中，還包括(kuo)：控制真空(kong)腔室的(de)溫度25-30℃，壓(ya)強為60-80mtorr，源功率(lv)(lv)為3500-4000w，偏置功率(lv)(lv)為150-200w。
6.如權利(li)要求1所述(shu)(shu)(shu)的半導體(ti)晶(jing)圓的分(fen)離方(fang)法，其(qi)特征在于：所述(shu)(shu)(shu)第(di)一刻蝕(shi)溝道和所述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)刻蝕(shi)溝道的深度總和為所述(shu)(shu)(shu)晶(jing)體(ti)的總分(fen)離深度的1/2至2/3。
7.如權利要(yao)求1所(suo)述(shu)的(de)半導體晶圓的(de)分離(li)方法，其特征(zheng)在于：所(suo)述(shu)濕法刻蝕步驟中，所(suo)述(shu)硅腐(fu)蝕液為(wei)硝酸(suan)(suan)、氫氟(fu)酸(suan)(suan)及(ji)冰乙酸(suan)(suan)的(de)混(hun)合液。
8.如權利(li)要求7所述的(de)(de)半導體晶圓的(de)(de)分離方法，其特征在于：硝酸(suan)：氫(qing)氟酸(suan)：冰乙酸(suan)的(de)(de)比例為7：2：1。
9.如權利要求(qiu)1所(suo)述(shu)的(de)(de)半導體晶圓的(de)(de)分離(li)方法(fa)，其(qi)特征在于：所(suo)述(shu)濕法(fa)刻蝕(shi)步驟中，所(suo)述(shu)硅腐蝕(shi)液的(de)(de)溫度為10-25℃，時間為10-20分鐘(zhong)，腐蝕(shi)深度為0.3-0.4mm。