中文字幕无码日韩视频无码三区

電池單體、電池以及用電裝置的制作方法

文檔(dang)序號:39490422發(fa)布日(ri)期(qi):2024-09-24 20:45閱(yue)讀:17752來(lai)源:國(guo)知局
電池單體、電池以及用電裝置的制作方法

本技術涉及(ji)電池(chi),具體而(er)言,涉及(ji)一種電池(chi)單(dan)體、電池(chi)以及(ji)用電裝(zhuang)置。


背景技術:

1、節(jie)能(neng)減排是汽(qi)車產(chan)(chan)業可持(chi)續發(fa)展的關(guan)鍵,電動(dong)(dong)車輛由于其節(jie)能(neng)環保的優勢(shi)成(cheng)為汽(qi)車產(chan)(chan)業可持(chi)續發(fa)展的重(zhong)要組成(cheng)部分。對于電動(dong)(dong)車輛而(er)言(yan),電池技術(shu)又是關(guan)乎(hu)其發(fa)展的一項(xiang)重(zhong)要因(yin)素(su)。

2、在電(dian)池(chi)(chi)技(ji)術(shu)的發展中,如何(he)提高(gao)電(dian)池(chi)(chi)的可靠性,是電(dian)池(chi)(chi)技(ji)術(shu)中一個亟(ji)待解(jie)決的技(ji)術(shu)問(wen)題(ti)。


技術實現思路

1、本技術提(ti)供(gong)了一種電池單體、電池以及(ji)用(yong)電裝置,其能夠提(ti)高電池的(de)可靠性(xing)。

2、本技術(shu)是通(tong)過下(xia)述(shu)技術(shu)方案實現的:

3、第(di)一(yi)(yi)方面,本(ben)技術提供了(le)一(yi)(yi)種電(dian)池(chi)單體(ti),電(dian)池(chi)單體(ti)包括外(wai)(wai)殼、第(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣膜(mo)(mo)和(he)膠(jiao)層。外(wai)(wai)殼包括第(di)一(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)和(he)第(di)二(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen),所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)相連(lian),所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)的外(wai)(wai)表面的表面能大于(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)的外(wai)(wai)表面的表面能。第(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣膜(mo)(mo)覆蓋所(suo)(suo)述(shu)外(wai)(wai)殼的至少一(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)。膠(jiao)層設置在所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣膜(mo)(mo)之間,用于(yu)連(lian)接所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)絕(jue)緣膜(mo)(mo)和(he)所(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)。

4、上述方(fang)案(an)中,通過(guo)設置外(wai)表(biao)面(mian)的(de)(de)表(biao)面(mian)能(neng)大于第一部分(fen)(fen)的(de)(de)表(biao)面(mian)能(neng)的(de)(de)第二部分(fen)(fen),較外(wai)殼僅包括表(biao)面(mian)能(neng)較低的(de)(de)第一部分(fen)(fen)而言(yan),能(neng)夠提高膠層與(yu)外(wai)殼之間的(de)(de)粘接(jie)力,降低因膠層與(yu)外(wai)殼之間的(de)(de)粘接(jie)力不足(zu)導(dao)致第一絕緣(yuan)膜(mo)脫落(luo)的(de)(de)風險,進(jin)而提高電池的(de)(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

5、根據(ju)本技術的一(yi)些實(shi)施例,所述第二部分的外表(biao)面的表(biao)面能為(wei)p,滿(man)足p>421n/m。

6、上述方案中,目(mu)前,一些電(dian)(dian)池單體(ti)的(de)(de)外(wai)(wai)殼(ke)的(de)(de)外(wai)(wai)表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)能為421n/m,其與膠(jiao)(jiao)層之(zhi)間的(de)(de)粘(zhan)接(jie)(jie)力(li)較低(di),為此(ci),為提高膠(jiao)(jiao)層與外(wai)(wai)殼(ke)之(zhi)間的(de)(de)粘(zhan)接(jie)(jie)力(li),在外(wai)(wai)殼(ke)上形成(cheng)外(wai)(wai)表(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)能大(da)于421n/m的(de)(de)第二部分,能夠(gou)有效改(gai)善(shan)外(wai)(wai)殼(ke)與膠(jiao)(jiao)層之(zhi)間粘(zhan)接(jie)(jie)力(li)較低(di)的(de)(de)問題(ti),降低(di)因膠(jiao)(jiao)層與外(wai)(wai)殼(ke)之(zhi)間的(de)(de)粘(zhan)接(jie)(jie)力(li)不(bu)足導致第一絕緣膜(mo)脫落的(de)(de)風(feng)險,進而(er)提高電(dian)(dian)池的(de)(de)可靠性。

7、根據本技術的一(yi)些實施例,滿足,500n/m≤p≤1500n/m。

8、上述方案(an)中,一(yi)(yi)方面,在(zai)外(wai)(wai)殼上形成外(wai)(wai)表面的(de)表面能大(da)于500n/m的(de)第(di)二部(bu)分,能夠有(you)效改善外(wai)(wai)殼與(yu)膠層之(zhi)間粘接(jie)力較低的(de)問題(ti),降(jiang)低因膠層與(yu)外(wai)(wai)殼之(zhi)間的(de)粘接(jie)力不(bu)足導致第(di)一(yi)(yi)絕緣膜脫落的(de)風險(xian),進(jin)(jin)而提高電(dian)池(chi)的(de)可靠性,另一(yi)(yi)方面,將第(di)二部(bu)分的(de)表面能限定(ding)為不(bu)大(da)于1500n/m,能夠有(you)效的(de)降(jiang)低因提高表面能而增加的(de)額外(wai)(wai)的(de)外(wai)(wai)殼的(de)制造(zao)成本,進(jin)(jin)而控制電(dian)池(chi)的(de)制造(zao)成本。

9、根據本技術的(de)一些(xie)實施例,所(suo)述(shu)第一部(bu)分為第一金(jin)屬層,所(suo)述(shu)第二部(bu)分為氧(yang)化層。

10、上述方案中,外殼的(de)(de)第一(yi)部分(fen)為(wei)第一(yi)金(jin)屬層(ceng)(ceng),第二部分(fen)可以為(wei)氧化(hua)層(ceng)(ceng),氧化(hua)層(ceng)(ceng)的(de)(de)表面能(neng)較金(jin)屬層(ceng)(ceng)的(de)(de)表面能(neng)大,膠層(ceng)(ceng)能(neng)夠有效地連接于(yu)(yu)第二部分(fen)的(de)(de)表面,為(wei)此(ci),通過將膠層(ceng)(ceng)設置于(yu)(yu)第一(yi)絕(jue)緣(yuan)膜和(he)第二部分(fen)之間(jian),能(neng)夠有效的(de)(de)提(ti)高第一(yi)絕(jue)緣(yuan)膜和(he)外殼之間(jian)的(de)(de)連接穩定性,進(jin)而提(ti)高電(dian)池(chi)的(de)(de)可靠性。

11、根據本技術的一些實施例中,所述氧(yang)化層(ceng)(ceng)形成于所述第一金屬層(ceng)(ceng)的外表面。

12、上述方案(an)中,可以(yi)通過陽(yang)極(ji)氧化、電鍍(du)等方式(shi),能(neng)(neng)夠高效地在第一金(jin)屬(shu)層(ceng)的外(wai)表面形成氧化層(ceng),從(cong)而使(shi)得外(wai)殼具有(you)較高的制造效率(lv),進而能(neng)(neng)夠提(ti)高電池(chi)的制造效率(lv)。

13、根據本(ben)技術的一些實施(shi)例(li),第(di)二部(bu)分為(wei)氧化鉻(ge)或者(zhe)氧化鎳。

14、上(shang)述方案中(zhong)(zhong),在一(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例中(zhong)(zhong),第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二部分為(wei)氧(yang)(yang)化(hua)鉻,一(yi)(yi)(yi)方面,能夠(gou)(gou)(gou)有(you)(you)效的(de)(de)(de)(de)提(ti)高(gao)外(wai)殼和(he)膠(jiao)(jiao)層(ceng)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)粘(zhan)接(jie)(jie)力,進而(er)(er)提(ti)高(gao)外(wai)殼與第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)絕緣膜(mo)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)連(lian)接(jie)(jie)強度(du),降(jiang)低(di)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)絕緣膜(mo)脫(tuo)落(luo)的(de)(de)(de)(de)風(feng)險;另一(yi)(yi)(yi)方面,氧(yang)(yang)化(hua)鉻能夠(gou)(gou)(gou)提(ti)高(gao)外(wai)殼的(de)(de)(de)(de)抗腐蝕性(xing);故(gu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二部分為(wei)氧(yang)(yang)化(hua)鉻,能夠(gou)(gou)(gou)使(shi)得(de)電池具(ju)(ju)有(you)(you)較高(gao)的(de)(de)(de)(de)可(ke)靠性(xing)。在一(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例中(zhong)(zhong),第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二部分為(wei)氧(yang)(yang)化(hua)鎳,一(yi)(yi)(yi)方面,能夠(gou)(gou)(gou)有(you)(you)效的(de)(de)(de)(de)提(ti)高(gao)外(wai)殼和(he)膠(jiao)(jiao)層(ceng)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)粘(zhan)接(jie)(jie)力,進而(er)(er)提(ti)高(gao)外(wai)殼與第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)絕緣膜(mo)之(zhi)間的(de)(de)(de)(de)連(lian)接(jie)(jie)強度(du),降(jiang)低(di)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)絕緣膜(mo)脫(tuo)落(luo)的(de)(de)(de)(de)風(feng)險;另一(yi)(yi)(yi)方面,氧(yang)(yang)化(hua)鎳具(ju)(ju)有(you)(you)較好(hao)的(de)(de)(de)(de)絕緣性(xing),為(wei)此能夠(gou)(gou)(gou)降(jiang)低(di)電池單(dan)體內部短路(lu)的(de)(de)(de)(de)風(feng)險;故(gu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二部分為(wei)氧(yang)(yang)化(hua)鎳,能夠(gou)(gou)(gou)使(shi)得(de)電池具(ju)(ju)有(you)(you)較高(gao)的(de)(de)(de)(de)可(ke)靠性(xing)。

15、根(gen)據本技術的一些實(shi)施例,所(suo)述第(di)一部分為(wei)鋁,所(suo)述第(di)二部分為(wei)氧化鋁。

16、上述方案中,第一部分為鋁(lv),第二部分為氧(yang)化鋁(lv),以(yi)(yi)(yi)能夠以(yi)(yi)(yi)在第一部分上以(yi)(yi)(yi)較低的成本形成第二部分,降(jiang)低電池(chi)單體制造(zao)的成本,進而(er)降(jiang)低電池(chi)的制造(zao)成本。

17、根據本技(ji)術的一(yi)些(xie)實施例,所述(shu)第二(er)部分(fen)的厚(hou)度為m,滿足18um≤m≤100um。

18、上述(shu)方案中,若第二(er)部分(fen)(fen),即氧化層的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)過小,如小于18um,會導致膠層與第二(er)部分(fen)(fen)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)粘接(jie)力(li)小,使(shi)(shi)(shi)得(de)第一絕緣膜脫落的(de)(de)風險較(jiao)高;若第二(er)部分(fen)(fen)的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)過大(da),如大(da)于100um,則會使(shi)(shi)(shi)得(de)外殼的(de)(de)體(ti)積(ji)增大(da),影響電(dian)池單(dan)體(ti)的(de)(de)體(ti)積(ji)能量(liang)密度(du)(du),為此本技(ji)術的(de)(de)而一些實施例將(jiang)第二(er)部分(fen)(fen)的(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)m限(xian)定在18um和100um之(zhi)間(jian)(jian),能夠使(shi)(shi)(shi)得(de)膠層與第二(er)部分(fen)(fen)之(zhi)間(jian)(jian)具有較(jiao)大(da)的(de)(de)粘接(jie)力(li),其使(shi)(shi)(shi)得(de)電(dian)池單(dan)體(ti)具有較(jiao)高的(de)(de)體(ti)積(ji)能量(liang)密度(du)(du),進(jin)而使(shi)(shi)(shi)得(de)電(dian)池具有較(jiao)高的(de)(de)可靠性(xing)。

19、根據本(ben)技術的一些(xie)實施(shi)例,所(suo)述第二部分與所(suo)述膠層(ceng)連接的表面(mian)(mian)為凹凸面(mian)(mian)。

20、上述方(fang)案中,通過將(jiang)第(di)二(er)部(bu)(bu)分(fen)與膠(jiao)層(ceng)接觸的表(biao)面(mian)設置為(wei)凹凸面(mian),能夠提高膠(jiao)層(ceng)和第(di)二(er)部(bu)(bu)分(fen)之(zhi)間的作用面(mian)積,進而提高膠(jiao)層(ceng)和第(di)二(er)部(bu)(bu)分(fen)之(zhi)間的粘接力,提高第(di)一絕緣(yuan)膜(mo)和外(wai)殼的連接強(qiang)度,使得電池具(ju)有較高的可靠性(xing)。

21、根(gen)據本(ben)技術的一(yi)些實施(shi)例,所(suo)述第一(yi)部分為第二金(jin)屬層,所(suo)述第二部分為第三金(jin)屬層。

22、上述方案中(zhong),在一(yi)些(xie)實施例(li)(li)中(zhong),電池單體的(de)(de)外殼(ke)(ke)的(de)(de)材料,即(ji)第(di)(di)一(yi)部分(fen)的(de)(de)材料可(ke)以(yi)為鋁(lv)或(huo)者其(qi)他表(biao)(biao)面(mian)能(neng)較(jiao)低的(de)(de)金(jin)屬材料制得(de),為改善該一(yi)些(xie)實施例(li)(li)中(zhong)第(di)(di)一(yi)絕緣膜和外殼(ke)(ke)之間的(de)(de)穩定性(xing),可(ke)以(yi)設置表(biao)(biao)面(mian)能(neng)較(jiao)高的(de)(de)金(jin)屬材料,例(li)(li)如(ru)鐵的(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)能(neng)較(jiao)鋁(lv)的(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)能(neng)高,為此,第(di)(di)二部分(fen)的(de)(de)材料可(ke)以(yi)為鐵或(huo)者其(qi)他表(biao)(biao)面(mian)能(neng)高于鋁(lv)的(de)(de)金(jin)屬材料,以(yi)提高第(di)(di)一(yi)絕緣膜和外殼(ke)(ke)的(de)(de)連接強度,使得(de)電池具有較(jiao)高的(de)(de)可(ke)靠性(xing)。

23、根(gen)據本技術(shu)的一些實(shi)施例,所述第(di)一部分為非(fei)金屬層(ceng),所述第(di)二(er)部分為第(di)四金屬層(ceng)和/或氧化(hua)層(ceng)。

24、上述(shu)方案(an)中,為(wei)降(jiang)低電(dian)池(chi)的(de)(de)制(zhi)造成本,電(dian)池(chi)單體的(de)(de)外殼可以(yi)采用非金屬(shu)材料制(zhi)得,即外殼的(de)(de)第(di)一(yi)部分(fen)(fen)可以(yi)為(wei)非金屬(shu)層(ceng),其材料包括但不限定有機玻璃或(huo)聚(ju)苯烯等,而非金屬(shu)層(ceng)的(de)(de)表(biao)面能(neng)較低,為(wei)此,可以(yi)通過設置第(di)二(er)部分(fen)(fen),且(qie)第(di)二(er)部分(fen)(fen)可以(yi)為(wei)表(biao)面能(neng)較大的(de)(de)第(di)四(si)金屬(shu)層(ceng)或(huo)氧化(hua)層(ceng)以(yi)改善第(di)一(yi)部分(fen)(fen)與膠層(ceng)之間粘接(jie)力較低的(de)(de)問題,降(jiang)低因膠層(ceng)與外殼之間的(de)(de)粘接(jie)力不足(zu)導致第(di)一(yi)絕緣膜脫落(luo)的(de)(de)風險,進而提高電(dian)池(chi)的(de)(de)可靠性。

25、根(gen)據本(ben)技術的(de)(de)一(yi)些(xie)實施(shi)例,沿所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)外(wai)殼的(de)(de)厚度方向,所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)部(bu)分的(de)(de)外(wai)表(biao)面(mian)高于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)部(bu)分的(de)(de)外(wai)表(biao)面(mian),或(huo),所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)部(bu)分的(de)(de)外(wai)表(biao)面(mian)與(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)部(bu)分的(de)(de)外(wai)表(biao)面(mian)相互平齊,或(huo),所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)部(bu)分的(de)(de)外(wai)表(biao)面(mian)低于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)部(bu)分的(de)(de)外(wai)表(biao)面(mian)。

26、上述方(fang)案(an)中(zhong)(zhong),在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些實(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong),第(di)(di)二(er)(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分的(de)(de)(de)外(wai)(wai)表面高于所述第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)分的(de)(de)(de)外(wai)(wai)表面,以(yi)能夠(gou)方(fang)便與(yu)膠層連接(jie),進(jin)而(er)(er)方(fang)便第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)絕緣(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)裝配。在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些實(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong),第(di)(di)二(er)(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分的(de)(de)(de)外(wai)(wai)表面可(ke)以(yi)與(yu)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)分的(de)(de)(de)外(wai)(wai)表面平(ping)齊,進(jin)而(er)(er)能夠(gou)盡量地(di)降低(di)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)絕緣(yuan)膜(mo)、膠層和(he)第(di)(di)二(er)(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分連接(jie)處(chu)較電(dian)池(chi)單(dan)體的(de)(de)(de)整體外(wai)(wai)部(bu)(bu)(bu)輪廓凸(tu)出的(de)(de)(de)程度,提(ti)高電(dian)池(chi)單(dan)體的(de)(de)(de)外(wai)(wai)部(bu)(bu)(bu)輪廓的(de)(de)(de)平(ping)整度。在(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)些實(shi)施(shi)例中(zhong)(zhong),第(di)(di)二(er)(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分的(de)(de)(de)外(wai)(wai)表面可(ke)以(yi)低(di)于第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)部(bu)(bu)(bu)分的(de)(de)(de)外(wai)(wai)表面,進(jin)而(er)(er)能夠(gou)有(you)效地(di)降低(di)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)絕緣(yuan)膜(mo)、膠層和(he)第(di)(di)二(er)(er)(er)部(bu)(bu)(bu)分連接(jie)處(chu)較電(dian)池(chi)單(dan)體的(de)(de)(de)整體外(wai)(wai)部(bu)(bu)(bu)輪廓凸(tu)出的(de)(de)(de)程度,提(ti)高電(dian)池(chi)單(dan)體的(de)(de)(de)外(wai)(wai)部(bu)(bu)(bu)輪廓的(de)(de)(de)平(ping)整度。

27、根(gen)據本技術的一些實施例,所(suo)述(shu)膠層的熔點為p1,所(suo)述(shu)第一絕緣膜的熔點為p2,滿足|p1-p2|≤30,單位℃。

28、上述方案中(zhong),膠(jiao)(jiao)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)熔(rong)點p1和第一(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)的(de)(de)(de)熔(rong)點p2之間的(de)(de)(de)差(cha)值(zhi)為(wei)30℃,即(ji)二(er)者之間具有相(xiang)(xiang)近(jin)的(de)(de)(de)熔(rong)點,便(bian)于二(er)者的(de)(de)(de)相(xiang)(xiang)互(hu)連接(jie)。在一(yi)些實(shi)施例中(zhong),膠(jiao)(jiao)層(ceng)(ceng)和第一(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)可以(yi)熱熔(rong)連接(jie),由于熔(rong)點相(xiang)(xiang)近(jin),故較為(wei)容易(yi)的(de)(de)(de)使得膠(jiao)(jiao)層(ceng)(ceng)和第一(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)相(xiang)(xiang)互(hu)熱熔(rong),降低膠(jiao)(jiao)層(ceng)(ceng)和第一(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)相(xiang)(xiang)互(hu)連接(jie)的(de)(de)(de)難度(du),提高膠(jiao)(jiao)層(ceng)(ceng)和第一(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)之間的(de)(de)(de)連接(jie)強(qiang)度(du),降低第一(yi)絕(jue)(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)脫落的(de)(de)(de)風險,使得電池具有較高的(de)(de)(de)可靠性(xing)。

29、根據本技術的(de)一些實施例,所(suo)述第一絕(jue)緣(yuan)膜與所(suo)述膠層(ceng)熱熔連接(jie)。

30、上述方案中,第一(yi)絕(jue)(jue)緣膜與所述膠層(ceng)熱熔(rong)連接,能提高膠層(ceng)和第一(yi)絕(jue)(jue)緣膜之間的連接強度(du),降低第一(yi)絕(jue)(jue)緣膜脫落的風險(xian),使得電(dian)池具有較高的可(ke)靠性(xing)。

31、根據本(ben)技術的(de)一些實(shi)施(shi)例(li),所(suo)述(shu)(shu)電池(chi)單(dan)體(ti)還包(bao)括第二絕緣膜,所(suo)述(shu)(shu)第二絕緣膜與(yu)所(suo)述(shu)(shu)第一絕緣膜的(de)背離于(yu)所(suo)述(shu)(shu)膠層的(de)表面連接(jie)。

32、上述方案中(zhong),通(tong)過(guo)在第一絕(jue)緣膜(mo)的(de)外表面設(she)置第二(er)絕(jue)緣膜(mo),能夠進(jin)一步地對外殼起防護(hu)作用,使(shi)得電池具有較高的(de)可靠性。

33、根據本(ben)技(ji)術的一些實(shi)施例,所述第一絕緣(yuan)膜和所述第二絕緣(yuan)膜熱熔連接。

34、上(shang)述(shu)方案(an)中(zhong),第一(yi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)和(he)(he)第二(er)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)通過熱熔連接,一(yi)方面(mian),能(neng)夠降(jiang)(jiang)低第一(yi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)和(he)(he)第二(er)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)的連接難度,另一(yi)方面(mian),能(neng)提高第一(yi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)和(he)(he)第二(er)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)之(zhi)間的連接強度,降(jiang)(jiang)低第二(er)絕(jue)緣(yuan)(yuan)膜(mo)(mo)脫落的風險,使得電池具有較(jiao)高的可靠性。

35、根據本技術的一(yi)些實施例,所(suo)(suo)述(shu)(shu)外(wai)殼(ke)包括殼(ke)體(ti)(ti)和端(duan)蓋(gai)(gai),所(suo)(suo)述(shu)(shu)殼(ke)體(ti)(ti)具(ju)有開口(kou),所(suo)(suo)述(shu)(shu)端(duan)蓋(gai)(gai)連接(jie)于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)殼(ke)體(ti)(ti)并(bing)封閉所(suo)(suo)述(shu)(shu)開口(kou),所(suo)(suo)述(shu)(shu)端(duan)蓋(gai)(gai)與所(suo)(suo)述(shu)(shu)殼(ke)體(ti)(ti)連接(jie)形(xing)成(cheng)第一(yi)連接(jie)部。所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)絕緣膜覆蓋(gai)(gai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)連接(jie)部。

36、上述方案中,端(duan)蓋與殼(ke)體連(lian)(lian)接(jie)形成的第一(yi)(yi)連(lian)(lian)接(jie)部(bu)為(wei)外殼(ke)的較為(wei)薄弱的部(bu)位。電(dian)池(chi)單(dan)體受沖擊(ji)時(shi),外殼(ke)內的電(dian)解液(ye)(ye)易由第一(yi)(yi)連(lian)(lian)接(jie)部(bu)泄漏(lou)。為(wei)此,通過將第一(yi)(yi)絕緣膜(mo)覆蓋第一(yi)(yi)連(lian)(lian)接(jie)部(bu),能夠對第一(yi)(yi)連(lian)(lian)接(jie)部(bu)起防護作用,降低電(dian)解液(ye)(ye)泄漏(lou)的風險,使得電(dian)池(chi)具有(you)較高的可靠性。

37、根據(ju)本技術的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)些(xie)實施例(li),所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)包(bao)括第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)子絕(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)和第(di)(di)(di)二子絕(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo),所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)子絕(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)覆蓋(gai)(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)端(duan)蓋(gai)(gai)的(de)(de)(de)外(wai)表(biao)面的(de)(de)(de)至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)部(bu)分,所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二子絕(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)覆蓋(gai)(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)殼體的(de)(de)(de)外(wai)表(biao)面的(de)(de)(de)至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)部(bu)分。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二子絕(jue)(jue)緣(yuan)膜(mo)通(tong)過所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)膠層與(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二部(bu)分連接形成第(di)(di)(di)二連接部(bu),所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二連接部(bu)沿所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)開口(kou)的(de)(de)(de)周向設置。

38、上述方案中,第(di)(di)二子(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜通過膠層與(yu)第(di)(di)二部分(fen)連(lian)接形成第(di)(di)二連(lian)接部,且將該第(di)(di)二連(lian)接部設置(zhi)為沿(yan)開口的(de)(de)周向(xiang)設置(zhi),一方面,能夠(gou)降低(di)第(di)(di)一絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜對應于(yu)第(di)(di)二連(lian)接部的(de)(de)部位(wei)脫離(li)于(yu)殼體的(de)(de)風(feng)(feng)險;另一方面,第(di)(di)二連(lian)接部配合(he)第(di)(di)一絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜的(de)(de)第(di)(di)一子(zi)絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜,能夠(gou)使得第(di)(di)一絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜將第(di)(di)一連(lian)接部到端蓋的(de)(de)部位(wei)兜(dou)住,降低(di)由第(di)(di)一連(lian)接部泄(xie)漏的(de)(de)電(dian)解液泄(xie)漏于(yu)第(di)(di)一絕(jue)緣(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)膜之外(wai),影(ying)響(xiang)電(dian)池單(dan)體之外(wai)的(de)(de)物(wu)件(jian)(例如,相鄰的(de)(de)電(dian)池單(dan)體、其他部件(jian)或者外(wai)部環(huan)境)的(de)(de)風(feng)(feng)險,使得電(dian)池具有較高的(de)(de)可(ke)靠性。

39、根據本技術的(de)一(yi)些(xie)實施(shi)例,所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)池單體(ti)還包括電(dian)極端(duan)子(zi),所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)極端(duan)子(zi)安裝于所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)外(wai)殼(ke),所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)絕(jue)緣(yuan)膜具(ju)有使所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)極端(duan)子(zi)露(lu)出的(de)第(di)(di)一(yi)通(tong)孔,所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)絕(jue)緣(yuan)膜通(tong)過(guo)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)膠層與所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二部分連(lian)接(jie)形(xing)成第(di)(di)三(san)連(lian)接(jie)部。所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三(san)連(lian)接(jie)部環繞于所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)電(dian)極端(duan)子(zi)設置。

40、上述方案中,一(yi)(yi)方面(mian),通過在第(di)(di)一(yi)(yi)絕緣(yuan)膜(mo)上設置第(di)(di)一(yi)(yi)通孔,能夠暴露出電(dian)(dian)極端(duan)(duan)子以實現電(dian)(dian)池(chi)單(dan)體的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)能的(de)(de)(de)(de)(de)輸(shu)出和輸(shu)入(ru),另一(yi)(yi)方面(mian),將第(di)(di)一(yi)(yi)絕緣(yuan)膜(mo)通過所述膠層(ceng)與所述第(di)(di)二部分連(lian)接形成第(di)(di)三連(lian)接部,提(ti)高(gao)對(dui)應于電(dian)(dian)極端(duan)(duan)子的(de)(de)(de)(de)(de)周圍的(de)(de)(de)(de)(de)絕緣(yuan)膜(mo)與外(wai)(wai)(wai)殼(ke)之間的(de)(de)(de)(de)(de)連(lian)接強度,有效地(di)對(dui)外(wai)(wai)(wai)殼(ke)的(de)(de)(de)(de)(de)安裝(zhuang)電(dian)(dian)極端(duan)(duan)子的(de)(de)(de)(de)(de)部位(wei)進行防護,降低電(dian)(dian)解(jie)(jie)液由(you)(you)(you)外(wai)(wai)(wai)殼(ke)安裝(zhuang)電(dian)(dian)極端(duan)(duan)子的(de)(de)(de)(de)(de)部位(wei)泄(xie)漏的(de)(de)(de)(de)(de)風險,或者(zhe)降低由(you)(you)(you)其(qi)余部位(wei)泄(xie)漏的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(外(wai)(wai)(wai)殼(ke)的(de)(de)(de)(de)(de)其(qi)他部位(wei)泄(xie)漏的(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)解(jie)(jie)液或者(zhe)其(qi)他電(dian)(dian)池(chi)單(dan)體泄(xie)漏電(dian)(dian)解(jie)(jie)液)由(you)(you)(you)外(wai)(wai)(wai)殼(ke)的(de)(de)(de)(de)(de)安裝(zhuang)電(dian)(dian)極端(duan)(duan)子的(de)(de)(de)(de)(de)部位(wei)進入(ru)電(dian)(dian)池(chi)單(dan)體內部導致電(dian)(dian)池(chi)單(dan)體短(duan)路的(de)(de)(de)(de)(de)風險,使得電(dian)(dian)池(chi)具有較高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)可靠性。

41、根據本技術的(de)一(yi)些實施例,所(suo)述(shu)(shu)外殼(ke)的(de)外表面設(she)置有凸(tu)起(qi),所(suo)述(shu)(shu)凸(tu)起(qi)環繞所(suo)述(shu)(shu)電極端(duan)子(zi)設(she)置,所(suo)述(shu)(shu)凸(tu)起(qi)由所(suo)述(shu)(shu)第一(yi)通孔露出。

42、上述方案(an)中(zhong),通過設(she)置(zhi)(zhi)凸(tu)起(qi),且凸(tu)起(qi)環繞(rao)電極(ji)(ji)端子(zi)設(she)置(zhi)(zhi)以對電極(ji)(ji)端子(zi)起(qi)防護(hu)作(zuo)用(yong),對電解液(ye)的(de)流動起(qi)阻擋作(zuo)用(yong),降低(di)電解液(ye)由(you)(you)殼(ke)體(ti)(ti)的(de)非安裝電極(ji)(ji)端子(zi)的(de)部位(wei)泄漏并作(zuo)用(yong)至電極(ji)(ji)端子(zi),導致(zhi)電池單體(ti)(ti)短路的(de)風險,提高電池的(de)可靠性。在一些實施例中(zhong),當電池單體(ti)(ti)倒(dao)置(zhi)(zhi)時,或者說電極(ji)(ji)端子(zi)為(wei)電池單體(ti)(ti)的(de)較(jiao)為(wei)接近地(di)面(mian)的(de)部件時,由(you)(you)于凸(tu)起(qi)的(de)設(she)置(zhi)(zhi),電解液(ye)在重力作(zuo)用(yong)下會沿著凸(tu)起(qi)向(xiang)地(di)面(mian)的(de)方向(xiang)滴落(luo),降低(di)電解液(ye)作(zuo)用(yong)于電極(ji)(ji)端子(zi)的(de)風險。

43、根據本技術的一(yi)些實(shi)施例,所(suo)述第三連接部沿所(suo)述凸起(qi)的周向(xiang)設置,且位于所(suo)述凸起(qi)的外(wai)側(ce)。

44、上述方(fang)案中,第(di)(di)三(san)連接(jie)部(bu)(bu)位于凸(tu)(tu)起的(de)(de)外(wai)側,即第(di)(di)三(san)部(bu)(bu)分不與(yu)凸(tu)(tu)起干涉,有效的(de)(de)降低(di)第(di)(di)二部(bu)(bu)分、膠層以及第(di)(di)一絕緣膜的(de)(de)連接(jie)難度,提(ti)高電池單體(ti)的(de)(de)制造效率。

45、根據本技術的一些實施例,電池單體還(huan)包(bao)括泄(xie)壓(ya)部(bu)(bu),所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)泄(xie)壓(ya)部(bu)(bu)設(she)置于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)外殼,所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一絕(jue)緣膜覆蓋所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)泄(xie)壓(ya)部(bu)(bu)。所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一絕(jue)緣膜通(tong)過所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)膠層與(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二部(bu)(bu)分連(lian)接(jie)形成(cheng)第(di)四連(lian)接(jie)部(bu)(bu),所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)四連(lian)接(jie)部(bu)(bu)環繞所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)泄(xie)壓(ya)部(bu)(bu)設(she)置。

46、上述方案中,第(di)一絕緣膜覆蓋(gai)泄(xie)(xie)壓部(bu)(bu)(bu),且第(di)一絕緣膜通過膠層(ceng)與第(di)二部(bu)(bu)(bu)分連接(jie)形(xing)成(cheng)第(di)四連接(jie)部(bu)(bu)(bu),第(di)四連接(jie)部(bu)(bu)(bu)環繞泄(xie)(xie)壓部(bu)(bu)(bu)設(she)(she)置(zhi),能夠降(jiang)(jiang)低該對應于(yu)泄(xie)(xie)壓部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)周圍(wei)的(de)(de)(de)絕緣膜脫離于(yu)外(wai)(wai)殼的(de)(de)(de)風險,從而能夠降(jiang)(jiang)低由外(wai)(wai)殼設(she)(she)置(zhi)泄(xie)(xie)壓部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)位(wei)泄(xie)(xie)漏電解液的(de)(de)(de)風險,或(huo)者降(jiang)(jiang)低由外(wai)(wai)殼設(she)(she)置(zhi)泄(xie)(xie)壓部(bu)(bu)(bu)的(de)(de)(de)部(bu)(bu)(bu)位(wei)泄(xie)(xie)漏而出(chu)的(de)(de)(de)電解液泄(xie)(xie)漏至絕緣膜之外(wai)(wai)的(de)(de)(de)風險,使(shi)得(de)電池具(ju)有較(jiao)高的(de)(de)(de)可靠(kao)性(xing)。

47、根(gen)據(ju)本技術的一(yi)些實施(shi)例,所(suo)述(shu)(shu)外殼設置有注液孔(kong),所(suo)述(shu)(shu)電池單(dan)體還包括封(feng)堵(du)件(jian),所(suo)述(shu)(shu)封(feng)堵(du)件(jian)封(feng)堵(du)所(suo)述(shu)(shu)注液孔(kong),所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)絕(jue)緣膜覆(fu)蓋(gai)所(suo)述(shu)(shu)封(feng)堵(du)件(jian)。所(suo)述(shu)(shu)絕(jue)緣膜通過(guo)所(suo)述(shu)(shu)膠層與所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二部分連接形(xing)成第(di)(di)五(wu)(wu)連接部,所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)五(wu)(wu)連接部環(huan)繞所(suo)述(shu)(shu)注液孔(kong)設置。

48、上述方(fang)案中,第(di)(di)一絕緣(yuan)膜(mo)(mo)覆(fu)蓋封堵件,且絕緣(yuan)膜(mo)(mo)通過(guo)膠層與第(di)(di)二部(bu)(bu)分連接形成第(di)(di)五連接部(bu)(bu),第(di)(di)五連接部(bu)(bu)環繞泄壓(ya)部(bu)(bu)設置,能夠降(jiang)低該對應于封堵件的(de)(de)周圍(wei)的(de)(de)絕緣(yuan)膜(mo)(mo)脫離于外殼(ke)的(de)(de)風險(xian)(xian),從而(er)(er)能夠降(jiang)低由外殼(ke)安(an)(an)裝封堵件的(de)(de)部(bu)(bu)位泄漏(lou)電解(jie)(jie)液的(de)(de)風險(xian)(xian),或者降(jiang)低由外殼(ke)安(an)(an)裝封堵案件的(de)(de)部(bu)(bu)位泄漏(lou)而(er)(er)出的(de)(de)電解(jie)(jie)液泄漏(lou)至絕緣(yuan)膜(mo)(mo)之(zhi)外的(de)(de)風險(xian)(xian),使得(de)電池具有(you)較高的(de)(de)可靠性。

49、第二方面(mian),本技術(shu)還提(ti)供一種(zhong)電池,該電池包(bao)括第一方面(mian)任(ren)一項所述的電池單體。

50、第二方(fang)面(mian),本技術還提供一種用(yong)電裝置(zhi),該(gai)用(yong)電裝置(zhi)包括第二方(fang)面(mian)任一項所述的電池或(huo),第一方(fang)面(mian)任一項所述的電池單體。

51、上述說(shuo)明僅是本(ben)技(ji)(ji)(ji)(ji)術技(ji)(ji)(ji)(ji)術方案的(de)概(gai)述,為了(le)能夠(gou)更清楚了(le)解本(ben)技(ji)(ji)(ji)(ji)術的(de)技(ji)(ji)(ji)(ji)術手段(duan),而可依照說(shuo)明書(shu)的(de)內容予以實施,并且為了(le)讓本(ben)技(ji)(ji)(ji)(ji)術的(de)上述和其它目的(de)、特(te)征(zheng)和優點能夠(gou)更明顯易懂,以下特(te)舉本(ben)技(ji)(ji)(ji)(ji)術的(de)具體實施方式。

當前第1頁1 2 
網友詢問(wen)留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1