本(ben)發明涉(she)及(ji)半導(dao)體技術領域，特別涉(she)及(ji)一種存(cun)儲(chu)器(qi)及(ji)其形成方法，以(yi)及(ji)半導(dao)體器(qi)件。

背景技術：

存(cun)儲器通常包括存(cun)儲電容器以(yi)及(ji)連(lian)接(jie)(jie)到(dao)所(suo)(suo)述(shu)(shu)存(cun)儲元件的(de)(de)存(cun)儲晶(jing)體(ti)管，所(suo)(suo)述(shu)(shu)存(cun)儲電容器用來(lai)存(cun)儲代表(biao)存(cun)儲信息(xi)的(de)(de)電荷。所(suo)(suo)述(shu)(shu)存(cun)儲晶(jing)體(ti)管中形成有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)、漏區(qu)(qu)(qu)和柵極，所(suo)(suo)述(shu)(shu)柵極用于(yu)控(kong)制所(suo)(suo)述(shu)(shu)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)和漏區(qu)(qu)(qu)之(zhi)間(jian)的(de)(de)電流流動，并連(lian)接(jie)(jie)至字線(xian)導(dao)體(ti)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)用于(yu)構(gou)成位線(xian)接(jie)(jie)觸(chu)區(qu)(qu)(qu)，以(yi)連(lian)接(jie)(jie)至位線(xian)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)漏區(qu)(qu)(qu)用于(yu)構(gou)成存(cun)儲節點接(jie)(jie)觸(chu)區(qu)(qu)(qu)，以(yi)連(lian)接(jie)(jie)至存(cun)儲電容器。

在傳統的(de)存(cun)儲(chu)器(qi)的(de)制(zhi)備方法中，通常包括定(ding)(ding)義有(you)源區(activearea，aa)、定(ding)(ding)義字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)(wordline，wl)、定(ding)(ding)義位線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)窗(chuang)、定(ding)(ding)義位線(xian)(xian)(xian)(bitline，bl)以及定(ding)(ding)義存(cun)儲(chu)節(jie)點接(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)窗(chuang)等至少5道(dao)光(guang)刻工藝。因此，在制(zhi)備過程中，需相(xiang)應(ying)的(de)提供對應(ying)該5道(dao)光(guang)刻工藝的(de)5道(dao)光(guang)罩(zhao)，例如，定(ding)(ding)義有(you)源區的(de)光(guang)罩(zhao)可以為島狀光(guang)罩(zhao)，定(ding)(ding)義字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)和(he)位線(xian)(xian)(xian)的(de)光(guang)罩(zhao)可以為線(xian)(xian)(xian)狀光(guang)罩(zhao)，以及定(ding)(ding)義位線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)窗(chuang)和(he)存(cun)儲(chu)節(jie)點接(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)窗(chuang)的(de)光(guang)罩(zhao)可以為接(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)孔(kong)光(guang)罩(zhao)。

隨著(zhu)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器尺寸的(de)(de)(de)不斷縮(suo)減，存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器中的(de)(de)(de)各(ge)個組件(jian)的(de)(de)(de)特征尺寸(例如，字線(xian)導(dao)體和位(wei)線(xian)的(de)(de)(de)線(xian)寬、接(jie)觸(chu)窗的(de)(de)(de)開口尺寸等(deng))也隨之(zhi)(zhi)縮(suo)小，而(er)這對于目前的(de)(de)(de)光(guang)刻(ke)工(gong)藝而(er)言，將(jiang)是(shi)一(yi)項極(ji)大的(de)(de)(de)挑(tiao)戰。并且，在(zai)(zai)執行多(duo)(duo)道(dao)光(guang)刻(ke)工(gong)藝時，不同光(guang)罩之(zhi)(zhi)間存(cun)(cun)在(zai)(zai)對準偏(pian)差(cha)的(de)(de)(de)問(wen)題，從而(er)在(zai)(zai)多(duo)(duo)道(dao)光(guang)罩相互疊加后相應(ying)(ying)的(de)(de)(de)會使對應(ying)(ying)多(duo)(duo)道(dao)光(guang)罩的(de)(de)(de)多(duo)(duo)次位(wei)移偏(pian)差(cha)相互疊加，進而(er)會對存(cun)(cun)儲(chu)(chu)器中的(de)(de)(de)部分組件(jian)之(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)電性連(lian)接(jie)造成影響。因此，在(zai)(zai)利用光(guang)刻(ke)工(gong)藝直接(jie)定義出存(cun)(cun)儲(chu)(chu)節(jie)(jie)點(dian)接(jie)觸(chu)窗時，將(jiang)導(dao)致所形成的(de)(de)(de)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)節(jie)(jie)點(dian)接(jie)觸(chu)和存(cun)(cun)儲(chu)(chu)節(jie)(jie)點(dian)接(jie)觸(chu)區之(zhi)(zhi)間產生較大的(de)(de)(de)位(wei)移偏(pian)差(cha)，進而(er)使接(jie)觸(chu)電阻過大。

由此可見，通過利用光(guang)刻工(gong)藝直(zhi)接定義出對(dui)應存儲節點接觸(chu)(chu)區的(de)(de)接觸(chu)(chu)窗以制(zhi)備存儲節點接觸(chu)(chu)時(shi)(shi)，不(bu)僅僅是(shi)制(zhi)備成本較大(da)的(de)(de)問題，同時(shi)(shi)在多(duo)道(dao)光(guang)刻工(gong)藝的(de)(de)對(dui)準精度(du)的(de)(de)限制(zhi)下，使(shi)多(duo)道(dao)光(guang)罩(zhao)在相(xiang)互疊加時(shi)(shi)將(jiang)產生更(geng)大(da)的(de)(de)位移偏差。如此，不(bu)但會影響后續所(suo)形成的(de)(de)存儲器(qi)的(de)(de)性能，并且也不(bu)利于實現組(zu)件尺(chi)寸的(de)(de)縮小(xiao)。

技術實現要素：

本發明(ming)的(de)目(mu)的(de)在(zai)于提供一種(zhong)存儲器的(de)形成方法，其(qi)有利于可減(jian)少光(guang)刻工藝的(de)執行次數，節(jie)省(sheng)成本，并能夠(gou)減(jian)小存儲節(jie)點接(jie)觸(chu)和第二接(jie)觸(chu)區之(zhi)間(jian)的(de)對準(zhun)偏(pian)差。

本發明提供的存儲(chu)器的形成方法，包括：

提供(gong)一襯底，所述襯底中定(ding)義有多(duo)個(ge)相對于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一方向(xiang)傾斜延(yan)伸(shen)的(de)有源區(qu)，所述有源區(qu)上定(ding)義有一用于(yu)(yu)形成第(di)(di)(di)一接觸(chu)區(qu)的(de)第(di)(di)(di)一區(qu)域(yu)和多(duo)個(ge)用于(yu)(yu)形成第(di)(di)(di)二接觸(chu)區(qu)的(de)第(di)(di)(di)二區(qu)域(yu)，多(duo)個(ge)所述第(di)(di)(di)二區(qu)域(yu)延(yan)伸(shen)在所述有源區(qu)的(de)延(yan)伸(shen)方向(xiang)上且位于(yu)(yu)所述第(di)(di)(di)一區(qu)域(yu)的(de)兩側；

形成(cheng)(cheng)一字線掩膜(mo)在所(suo)述(shu)襯底上，所(suo)述(shu)字線掩膜(mo)中形成(cheng)(cheng)有多個對應字線導體且沿所(suo)述(shu)第一方向延伸的開口；

形(xing)成多條字(zi)線導體(ti)在對應所(suo)述(shu)(shu)(shu)開(kai)口的(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)襯(chen)底(di)中，在所(suo)述(shu)(shu)(shu)字(zi)線導體(ti)的(de)兩側分布有(you)多個沿所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一方向排(pai)布的(de)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)區域；

對準所述(shu)(shu)形成(cheng)一(yi)(yi)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔離(li)(li)線(xian)在所述(shu)(shu)襯底上，所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔離(li)(li)線(xian)填充所述(shu)(shu)開口以(yi)覆蓋(gai)所述(shu)(shu)字(zi)線(xian)導體(ti)，所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔離(li)(li)線(xian)沿著(zhu)所述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)方向延伸，用于構成(cheng)一(yi)(yi)在所述(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩膜中的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔離(li)(li)屏障(zhang)；

形成多個對(dui)應位線(xian)(xian)(xian)的位線(xian)(xian)(xian)溝(gou)槽(cao)在所述(shu)(shu)(shu)襯底(di)上的所述(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)(xian)(xian)掩膜中，所述(shu)(shu)(shu)位線(xian)(xian)(xian)溝(gou)槽(cao)交錯地穿(chuan)越所述(shu)(shu)(shu)第一隔離線(xian)(xian)(xian)；

形成多條位(wei)(wei)線(xian)(xian)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)溝槽中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)表(biao)面(mian)低于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)溝槽的(de)(de)(de)(de)頂表(biao)面(mian)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)與(yu)相應的(de)(de)(de)(de)有源(yuan)區相交，以使(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)相應的(de)(de)(de)(de)有源(yuan)區中的(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一接觸(chu)區連接至所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)上(shang)，其(qi)中，分布在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)(xian)導體的(de)(de)(de)(de)同一側的(de)(de)(de)(de)多個(ge)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第二區域(yu)(yu)中，兩個(ge)相鄰的(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第二區域(yu)(yu)分別(bie)位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)兩側；

對準(zhun)所(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)形成一第(di)二(er)隔(ge)離線(xian)在所(suo)述(shu)(shu)(shu)襯底上，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)隔(ge)離線(xian)填充所(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)溝(gou)槽以覆(fu)蓋所(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)隔(ge)離線(xian)沿(yan)著所(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)方向延(yan)伸(shen)，并與(yu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)共同用于構成一在所(suo)述(shu)(shu)(shu)字線(xian)掩膜中的(de)第(di)二(er)隔(ge)離屏障；

以所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)(er)隔離(li)(li)屏障(zhang)和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)隔離(li)(li)屏障(zhang)為二(er)(er)(er)次掩膜，局(ju)部去除所(suo)述(shu)(shu)(shu)字線(xian)掩膜以暴露(lu)出(chu)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)(er)接觸區，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第一(yi)隔離(li)(li)屏障(zhang)和(he)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)(er)隔離(li)(li)屏障(zhang)相交以共(gong)同(tong)界定出(chu)多個接觸窗，每一(yi)所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)(er)接觸區對應一(yi)個所(suo)述(shu)(shu)(shu)接觸窗；以及，

形(xing)成一(yi)導電層在所述襯(chen)底(di)上，所述導電層填充(chong)所述接觸窗用于構成存儲節點接觸。

可(ke)選的(de)，所(suo)述第(di)二隔離屏(ping)障的(de)表(biao)面不低于所(suo)述第(di)一隔離屏(ping)障的(de)表(biao)面，所(suo)述導電層對準地(di)填充在所(suo)述接(jie)觸(chu)窗中，以構成所(suo)述存儲節點接(jie)觸(chu)。

可選的(de)，所述導電層的(de)形成方(fang)法(fa)包括：

填充所(suo)述導電材料層(ceng)于所(suo)述接觸窗并(bing)覆蓋所(suo)述第(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)障和(he)所(suo)述第(di)二隔(ge)離(li)屏(ping)障；以及，

去除所述(shu)導電材(cai)料層中(zhong)位(wei)于所述(shu)第一隔離(li)屏(ping)(ping)障頂(ding)(ding)部(bu)(bu)和(he)位(wei)于所述(shu)第二隔離(li)屏(ping)(ping)障頂(ding)(ding)部(bu)(bu)的部(bu)(bu)分，使剩余的所述(shu)導電材(cai)料層僅填充在(zai)所述(shu)接(jie)觸(chu)窗中(zhong)以形(xing)成所述(shu)導電層，所述(shu)導電層構成所述(shu)存儲節點接(jie)觸(chu)；其中(zhong)，

在(zai)部(bu)分去除(chu)所(suo)(suo)(suo)述導電材料層(ceng)(ceng)時，利用所(suo)(suo)(suo)述第一隔離(li)屏障(zhang)(zhang)(zhang)和所(suo)(suo)(suo)述第二隔離(li)屏障(zhang)(zhang)(zhang)為刻(ke)蝕停止層(ceng)(ceng)執行回刻(ke)蝕工藝(yi)；或(huo)者，利用所(suo)(suo)(suo)述第一隔離(li)屏障(zhang)(zhang)(zhang)和所(suo)(suo)(suo)述第二隔離(li)屏障(zhang)(zhang)(zhang)為研(yan)磨停止層(ceng)(ceng)執行化學機械(xie)研(yan)磨工藝(yi)。

可(ke)選的，所(suo)述第二隔離(li)線的形成方法包括：

形成一第二(er)隔(ge)離材料層(ceng)在所(suo)述(shu)襯底上，所(suo)述(shu)第二(er)隔(ge)離材料層(ceng)填(tian)充所(suo)述(shu)位線(xian)溝槽并覆蓋所(suo)述(shu)字線(xian)掩(yan)膜(mo)；以及，

去除(chu)所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔離(li)材料層中位于(yu)所(suo)述(shu)字線掩(yan)膜頂部的部分，使剩余的所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔離(li)材料層僅填充在所(suo)述(shu)位線溝槽(cao)中，以構(gou)成覆蓋所(suo)述(shu)位線的所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔離(li)線；其(qi)中，

在部分去除所述(shu)(shu)第二隔離(li)材料層時，利(li)用所述(shu)(shu)字(zi)線掩(yan)膜(mo)為研磨停(ting)止層執行化(hua)學(xue)機械研磨工藝；或者(zhe)，利(li)用所述(shu)(shu)字(zi)線掩(yan)膜(mo)為刻蝕(shi)停(ting)止層執行回刻蝕(shi)工藝。

可選的(de)(de)(de)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)的(de)(de)(de)表(biao)面低于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)的(de)(de)(de)表(biao)面，兩條相鄰(lin)的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)之間的(de)(de)(de)間隔(ge)(ge)界定出(chu)一(yi)沿著所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)方向(xiang)延伸(shen)的(de)(de)(de)凹(ao)槽，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)導電(dian)層填充在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)凹(ao)槽中，并(bing)且所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)導電(dian)層覆蓋所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)，使位于同(tong)一(yi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)凹(ao)槽中的(de)(de)(de)多個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接觸窗中的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)導電(dian)層相互連接。

可選的(de)，所述導電層(ceng)的(de)形(xing)成方(fang)法包括：

填(tian)充所述(shu)導電材料(liao)層于所述(shu)凹槽并覆蓋(gai)所述(shu)第一隔離屏障和(he)所述(shu)第二隔離屏障；以及，

去(qu)除(chu)所述(shu)導(dao)(dao)電材料層中(zhong)位(wei)于(yu)(yu)所述(shu)第一(yi)隔(ge)離屏(ping)障頂部(bu)的部(bu)分，使剩余的所述(shu)導(dao)(dao)電材料層僅填充在所述(shu)凹槽中(zhong)以構成所述(shu)導(dao)(dao)電層，所述(shu)導(dao)(dao)電層覆蓋所述(shu)第二隔(ge)離屏(ping)障，使位(wei)于(yu)(yu)同一(yi)所述(shu)凹槽中(zhong)的多個(ge)所述(shu)接(jie)觸(chu)窗中(zhong)的所述(shu)導(dao)(dao)電層相互連(lian)接(jie)；其(qi)中(zhong)，

在部分去(qu)除所述導電材料層時，利用所述第一隔離屏(ping)障為刻蝕停止層執行回刻蝕工藝(yi)；或者，利用所述第一隔離屏(ping)障為研(yan)磨(mo)停止層執行化學機械研(yan)磨(mo)工藝(yi)。

可選(xuan)的(de)，所(suo)述第二隔離線(xian)的(de)形成(cheng)方法包(bao)括(kuo)：

形成一隔(ge)離層(ceng)在所述(shu)襯底上(shang)，所述(shu)隔(ge)離層(ceng)覆蓋(gai)所述(shu)位線(xian)溝槽的底部和(he)側壁以覆蓋(gai)所述(shu)位線(xian)；

形成一掩(yan)膜(mo)(mo)蓋層(ceng)(ceng)在所(suo)述隔(ge)離(li)層(ceng)(ceng)上并(bing)填充所(suo)述位線溝槽，所(suo)述掩(yan)膜(mo)(mo)蓋層(ceng)(ceng)的表面(mian)低(di)于所(suo)述第(di)一隔(ge)離(li)線的表面(mian)，位于所(suo)述位線溝槽中的所(suo)述掩(yan)膜(mo)(mo)蓋層(ceng)(ceng)和所(suo)述隔(ge)離(li)層(ceng)(ceng)構(gou)成所(suo)述第(di)二隔(ge)離(li)線。

可選的(de)(de)，在形成所(suo)述(shu)(shu)導電層之前(qian)，還包括(kuo)去除所(suo)述(shu)(shu)掩(yan)膜(mo)蓋(gai)層；以及(ji)，在形成所(suo)述(shu)(shu)導電層之后，所(suo)述(shu)(shu)導電層覆蓋(gai)所(suo)述(shu)(shu)第二隔離(li)線(xian)的(de)(de)所(suo)述(shu)(shu)隔離(li)層。

可選的，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)掩膜(mo)蓋層為(wei)一導電材料(liao)層，在形成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導電層之后，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導電層覆蓋所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第二隔離(li)線的所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)隔離(li)層和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)掩膜(mo)蓋層，其中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導電層和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)掩膜(mo)蓋層共(gong)同用于構成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)存儲節點接觸。

可選的(de)，所述第一隔離線對準(zhun)的(de)覆蓋所述字線導體，其形成方(fang)法包括(kuo)：：

利用所述(shu)字線(xian)掩膜為掩膜刻蝕所述(shu)襯(chen)(chen)底，以形成一對應所述(shu)開口的字線(xian)溝(gou)槽在所述(shu)襯(chen)(chen)底中；

形成(cheng)字(zi)線(xian)導(dao)體在所述字(zi)線(xian)溝(gou)(gou)槽(cao)中，且所述字(zi)線(xian)導(dao)體的表面不(bu)高(gao)于所述字(zi)線(xian)溝(gou)(gou)槽(cao)的頂表面；以及(ji)，

形成所(suo)述(shu)第一隔離(li)線在所(suo)述(shu)開口(kou)中并延伸至(zhi)所(suo)述(shu)字(zi)線溝槽(cao)中，以覆蓋所(suo)述(shu)字(zi)線導(dao)體(ti)。

可選的，所述第一(yi)隔離線的形成方法(fa)包括：

形(xing)成一(yi)第(di)一(yi)隔離材料層在所(suo)述襯底上，所(suo)述第(di)一(yi)隔離材料層填(tian)充所(suo)述開口并覆蓋(gai)所(suo)述字(zi)線掩膜(mo)；以及(ji)，

去除所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)材(cai)料(liao)層中(zhong)位于所(suo)(suo)述(shu)字線(xian)掩膜頂(ding)部的部分，使剩(sheng)余的所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)材(cai)料(liao)層僅填充(chong)在所(suo)(suo)述(shu)開口中(zhong)，以構(gou)成(cheng)所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)線(xian)；其(qi)中(zhong)，

在部分去除所述第一隔離(li)材料(liao)層(ceng)(ceng)時，利用所述字線掩膜為研(yan)(yan)磨停(ting)止層(ceng)(ceng)執(zhi)行(xing)化(hua)學(xue)機械研(yan)(yan)磨工藝；或者(zhe)，利用所述字線掩膜為刻蝕停(ting)止層(ceng)(ceng)執(zhi)行(xing)回刻蝕工藝。

可(ke)選的(de)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線掩(yan)(yan)膜(mo)包括一(yi)(yi)形成在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯底(di)(di)上的(de)掩(yan)(yan)膜(mo)底(di)(di)層和一(yi)(yi)形成在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)掩(yan)(yan)膜(mo)底(di)(di)層上的(de)掩(yan)(yan)膜(mo)犧牲層；在局(ju)部去除(chu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線掩(yan)(yan)膜(mo)之后，部分所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)掩(yan)(yan)膜(mo)底(di)(di)層被保留并覆(fu)蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)接觸窗(chuang)中(zhong)(zhong)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)區域中(zhong)(zhong)的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)接觸區，以及，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)掩(yan)(yan)膜(mo)犧牲層被去除(chu)，以預(yu)留出(chu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)存儲節點接觸的(de)形成空(kong)間(jian)。

可(ke)選(xuan)的(de)，所(suo)述(shu)(shu)掩膜底層、所(suo)述(shu)(shu)第一隔離線(xian)和所(suo)述(shu)(shu)第二隔離線(xian)的(de)刻蝕選(xuan)擇比小于1：3：3。

可選的，所(suo)(suo)(suo)述位(wei)線在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述第(di)二(er)(er)隔離屏障交(jiao)錯(cuo)所(suo)(suo)(suo)述第(di)一隔離屏障的第(di)一區(qu)段具有第(di)一厚度，所(suo)(suo)(suo)述位(wei)線在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述第(di)二(er)(er)隔離屏障未交(jiao)錯(cuo)所(suo)(suo)(suo)述第(di)一隔離屏障的第(di)二(er)(er)區(qu)段具有第(di)二(er)(er)厚度，所(suo)(suo)(suo)述第(di)一厚度小于所(suo)(suo)(suo)述第(di)二(er)(er)厚度。

可選的，在形成所述位線溝槽之后，還包括：

形(xing)成(cheng)一間隔(ge)絕(jue)緣(yuan)層在所(suo)述(shu)位(wei)線溝槽的側(ce)壁上，其(qi)中(zhong)，所(suo)述(shu)間隔(ge)絕(jue)緣(yuan)層、所(suo)述(shu)位(wei)線和所(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)(li)線共同構成(cheng)所(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)。

基于以(yi)上所(suo)述的存儲器的形成方(fang)法，本發明還(huan)提供了一種存儲器，包(bao)括：

一(yi)(yi)襯(chen)底(di)，所襯(chen)底(di)中(zhong)定義有(you)多(duo)個(ge)(ge)相對(dui)于(yu)第(di)一(yi)(yi)方向傾斜延伸(shen)的(de)有(you)源(yuan)區(qu)(qu)，所述有(you)源(yuan)區(qu)(qu)上形(xing)成有(you)一(yi)(yi)第(di)一(yi)(yi)接觸(chu)區(qu)(qu)和多(duo)個(ge)(ge)第(di)二(er)接觸(chu)區(qu)(qu)，多(duo)個(ge)(ge)所述第(di)二(er)接觸(chu)區(qu)(qu)延伸(shen)在所述有(you)源(yuan)區(qu)(qu)的(de)延伸(shen)方向上且位于(yu)所述第(di)一(yi)(yi)接觸(chu)區(qu)(qu)的(de)兩側；

多條字線導體，形成在(zai)所(suo)(suo)述襯底中并沿著所(suo)(suo)述第一方向(xiang)延(yan)伸，用(yong)以(yi)區隔所(suo)(suo)述第一接觸區與所(suo)(suo)述第二(er)接觸區；

多條第一隔離(li)線，形成(cheng)在所(suo)述襯底(di)上并對(dui)準地覆蓋所(suo)述字(zi)線導體以用于構成(cheng)一第一隔離(li)屏(ping)障(zhang)，且所(suo)述第一隔離(li)屏(ping)障(zhang)的表(biao)面(mian)高于所(suo)述襯底(di)的表(biao)面(mian)；

多條位線(xian)(xian)(xian)，形成在所述(shu)襯底(di)上并(bing)沿著第(di)二(er)(er)方向延(yan)伸，所述(shu)位線(xian)(xian)(xian)與(yu)相(xiang)應的(de)有(you)源(yuan)區相(xiang)交，以使所述(shu)相(xiang)應的(de)有(you)源(yuan)區中(zhong)的(de)所述(shu)第(di)一接(jie)(jie)觸區連接(jie)(jie)至所述(shu)位線(xian)(xian)(xian)上，其中(zhong)，分(fen)布在所述(shu)字線(xian)(xian)(xian)導體的(de)同一側的(de)多個所述(shu)第(di)二(er)(er)接(jie)(jie)觸區中(zhong)，兩個相(xiang)鄰的(de)所述(shu)第(di)二(er)(er)接(jie)(jie)觸區分(fen)別(bie)位于所述(shu)位線(xian)(xian)(xian)的(de)兩側；

多(duo)條第(di)(di)二(er)隔離(li)線，形成(cheng)在所(suo)述(shu)(shu)襯底上并對準地覆蓋所(suo)述(shu)(shu)位線，所(suo)述(shu)(shu)位線和所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔離(li)線共同(tong)用于構成(cheng)一(yi)第(di)(di)二(er)隔離(li)屏(ping)障(zhang)，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔離(li)屏(ping)障(zhang)和所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔離(li)屏(ping)障(zhang)相交(jiao)以(yi)共同(tong)界(jie)定出(chu)多(duo)個接觸窗(chuang)，每(mei)一(yi)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)接觸區(qu)對應(ying)一(yi)個所(suo)述(shu)(shu)接觸窗(chuang)；以(yi)及，

多個存儲節點接觸，由(you)一導電層形成在(zai)所述襯底上并填充(chong)所述接觸窗(chuang)構成。

可(ke)選(xuan)的，所(suo)述第(di)二隔(ge)離屏(ping)障(zhang)的表面(mian)不低于所(suo)述第(di)一(yi)隔(ge)離屏(ping)障(zhang)的表面(mian)，所(suo)述存儲(chu)節(jie)點接觸對準地填充在所(suo)述接觸窗中，所(suo)述存儲(chu)節(jie)點接觸在所(suo)述襯(chen)底上的邊界(jie)由所(suo)述第(di)一(yi)隔(ge)離屏(ping)障(zhang)與所(suo)述第(di)二隔(ge)離屏(ping)障(zhang)所(suo)界(jie)定。

可選的(de)(de)，所(suo)述(shu)存儲(chu)器(qi)還包括(kuo)一掩(yan)(yan)膜(mo)底層，所(suo)述(shu)掩(yan)(yan)膜(mo)底層形成在(zai)所(suo)述(shu)襯(chen)底上并連接所(suo)述(shu)第一隔離(li)線，用以遮蓋所(suo)述(shu)第一接觸(chu)區對(dui)應在(zai)所(suo)述(shu)接觸(chu)窗中的(de)(de)部位。

可選(xuan)的，所述(shu)掩膜底(di)層、所述(shu)第一(yi)隔(ge)離線和所述(shu)第二(er)隔(ge)離線的刻蝕(shi)選(xuan)擇比(bi)小(xiao)于1：3：3。

可(ke)選的(de)，所(suo)述(shu)(shu)位線(xian)在所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)交(jiao)錯(cuo)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)的(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)(qu)段具有第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)厚度(du)(du)，所(suo)述(shu)(shu)位線(xian)在所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)未(wei)交(jiao)錯(cuo)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)的(de)第(di)(di)(di)二(er)區(qu)(qu)段具有第(di)(di)(di)二(er)厚度(du)(du)，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)厚度(du)(du)小于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)厚度(du)(du)。

可選的，所述(shu)存儲器還(huan)包括：

一間隔(ge)絕緣層，至少(shao)覆(fu)蓋(gai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)位線(xian)(xian)的側壁，且所(suo)(suo)述(shu)(shu)間隔(ge)絕緣層、所(suo)(suo)述(shu)(shu)位線(xian)(xian)和所(suo)(suo)述(shu)(shu)隔(ge)離線(xian)(xian)共(gong)同構成所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二隔(ge)離屏障。

此外(wai)，本發明提供了一(yi)種半導體(ti)器件，包(bao)括：

一(yi)(yi)襯底(di)，所述襯底(di)上形(xing)成有(you)多個第一(yi)(yi)引出區(qu)；

多條第(di)一隔離(li)屏(ping)(ping)障，形(xing)成在所述(shu)襯底上，在所述(shu)第(di)一隔離(li)屏(ping)(ping)障的(de)兩側分布有多個沿著(zhu)所述(shu)第(di)一隔離(li)屏(ping)(ping)障的(de)延伸方向(xiang)排(pai)布的(de)所述(shu)第(di)一引出區；

多(duo)條(tiao)第(di)二(er)隔離(li)屏障，形(xing)成在(zai)所(suo)述(shu)襯底上，并與所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔離(li)屏障相交(jiao)以共同界定出多(duo)個接(jie)觸窗，每一所(suo)述(shu)第(di)一引(yin)出區對應一個所(suo)述(shu)接(jie)觸窗；以及，

多(duo)個導電接(jie)觸(chu)，由一(yi)導電層(ceng)形成在所述襯底上并填(tian)充所述接(jie)觸(chu)窗構成。

可(ke)選的(de)，所述(shu)(shu)(shu)第二隔(ge)離屏障(zhang)的(de)表(biao)面(mian)不低于(yu)所述(shu)(shu)(shu)第一隔(ge)離屏障(zhang)的(de)表(biao)面(mian)，所述(shu)(shu)(shu)導(dao)電層對準地(di)填充在所述(shu)(shu)(shu)接觸窗中，以構成所述(shu)(shu)(shu)導(dao)電接觸。

可(ke)選(xuan)的，所述(shu)(shu)襯底(di)上還形成有多(duo)個第(di)(di)二(er)引出區，所述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔離(li)屏(ping)障包(bao)括一導體(ti)(ti)層(ceng)和一覆蓋所述(shu)(shu)導體(ti)(ti)層(ceng)的頂部和側(ce)壁(bi)的絕緣層(ceng)，在所述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔離(li)屏(ping)障的延伸方(fang)向上，多(duo)個所述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)引出區連(lian)接至相應的所述(shu)(shu)導體(ti)(ti)層(ceng)上。

在本(ben)(ben)發(fa)明提供的(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)器的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)方法中(zhong)(zhong)，在利(li)用字線(xian)(xian)掩膜形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)字線(xian)(xian)導體之(zhi)(zhi)(zhi)后(hou)，保(bao)留字線(xian)(xian)掩膜并(bing)自(zi)對(dui)準地(di)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)，以構(gou)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)一(yi)對(dui)應字線(xian)(xian)導體的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)(zhang)(zhang)。以及，在形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)位(wei)(wei)線(xian)(xian)之(zhi)(zhi)(zhi)后(hou)，利(li)用位(wei)(wei)線(xian)(xian)溝槽自(zi)對(dui)準地(di)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)，從而可結合(he)位(wei)(wei)線(xian)(xian)用于構(gou)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)(zhang)(zhang)，進而在相交的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)(zhang)(zhang)和第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)(zhang)(zhang)的(de)(de)(de)(de)限定下，可自(zi)定義的(de)(de)(de)(de)界定出對(dui)應有第(di)(di)(di)(di)二(er)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗，如(ru)此，即可在該接(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗中(zhong)(zhong)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)與(yu)第(di)(di)(di)(di)二(er)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區電性連接(jie)(jie)(jie)的(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)點(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)。即，本(ben)(ben)發(fa)明提供的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)方法中(zhong)(zhong)，不需要(yao)利(li)用光刻工(gong)藝，即可定義出對(dui)應第(di)(di)(di)(di)二(er)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗，減少了光刻工(gong)藝的(de)(de)(de)(de)執行(xing)次數(shu)，有利(li)于簡化(hua)工(gong)藝并(bing)節(jie)省制備(bei)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)，并(bing)且還可改善多(duo)道光刻工(gong)藝之(zhi)(zhi)(zhi)間的(de)(de)(de)(de)對(dui)準偏差的(de)(de)(de)(de)問題，使后(hou)續所形(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)點(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)和存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)點(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區之(zhi)(zhi)(zhi)間具備(bei)較小的(de)(de)(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)電阻(zu)。

進(jin)一(yi)步的(de)(de)(de)(de)(de)，本發明提供的(de)(de)(de)(de)(de)形成方(fang)法中，還可調整第(di)一(yi)隔(ge)(ge)離屏(ping)障(zhang)和第(di)二隔(ge)(ge)離屏(ping)障(zhang)的(de)(de)(de)(de)(de)高度差，使(shi)第(di)二隔(ge)(ge)離屏(ping)障(zhang)表(biao)面低于第(di)一(yi)隔(ge)(ge)離屏(ping)障(zhang)的(de)(de)(de)(de)(de)表(biao)面，從而利(li)用兩個相鄰(lin)的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)一(yi)隔(ge)(ge)離屏(ping)障(zhang)所界定(ding)出的(de)(de)(de)(de)(de)凹(ao)槽(cao)，可自對(dui)準(zhun)地形成沿(yan)著(zhu)預定(ding)方(fang)向(xiang)(第(di)一(yi)隔(ge)(ge)離屏(ping)障(zhang)的(de)(de)(de)(de)(de)延(yan)(yan)伸(shen)方(fang)向(xiang))延(yan)(yan)伸(shen)并連續的(de)(de)(de)(de)(de)導(dao)電(dian)層。從而，在利(li)用所述導(dao)電(dian)層制(zhi)備存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)接(jie)(jie)觸時，可相應(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)使(shi)所形成的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)接(jie)(jie)觸沿(yan)著(zhu)預定(ding)方(fang)向(xiang)延(yan)(yan)伸(shen)。進(jin)一(yi)步的(de)(de)(de)(de)(de)，使(shi)形成在相鄰(lin)的(de)(de)(de)(de)(de)凹(ao)槽(cao)中的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)接(jie)(jie)觸沿(yan)著(zhu)相反的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)向(xiang)延(yan)(yan)伸(shen)，進(jin)而構成交錯排布(bu)的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)接(jie)(jie)觸。

附圖說明

圖1為本發明(ming)實施例(li)一中的存儲(chu)器的形(xing)成方法的流程示(shi)意圖；

圖2a為本發明實施(shi)例一(yi)中的存儲器的形成方法在(zai)其執行步(bu)驟s110時(shi)的俯(fu)視(shi)圖；

圖(tu)2b為圖(tu)2a所示的本發明實施(shi)例(li)一中的存儲(chu)器的形成方(fang)法(fa)在其執行步(bu)驟(zou)s110時沿aa’、bb’和cc方(fang)向的剖面圖(tu)；

圖3a為本發明實(shi)施例一中的存(cun)儲器的形成方法在其執行步驟(zou)s120時(shi)的俯(fu)視圖；

圖3b和圖3c為圖3a所(suo)示(shi)的(de)本發明實施例一中的(de)存儲(chu)器的(de)形成方法在其(qi)執行步驟s120過程中沿aa’、bb’和cc方向的(de)剖面圖；

圖(tu)(tu)4a為本發(fa)明實施例一中的存(cun)儲器的形(xing)成(cheng)方法(fa)在其執(zhi)行步驟s130時(shi)的俯視(shi)圖(tu)(tu)；

圖(tu)4b為圖(tu)4a所示的(de)(de)本發明實施例一中的(de)(de)存(cun)儲器的(de)(de)形成方法在其執行步驟s130時沿(yan)aa’、bb’和cc方向的(de)(de)剖面(mian)圖(tu)；

圖(tu)5a為本發明實施(shi)例一(yi)中的(de)存儲器(qi)的(de)形成方法在其執行步(bu)驟s140時(shi)的(de)俯視圖(tu)；

圖(tu)(tu)5b和圖(tu)(tu)5c為圖(tu)(tu)5a所示(shi)的(de)本發明實(shi)施例一(yi)中(zhong)(zhong)的(de)存(cun)儲(chu)器(qi)的(de)形成(cheng)方(fang)法在其執行步驟s140過程中(zhong)(zhong)沿aa’、bb’和cc方(fang)向的(de)剖面圖(tu)(tu)；

圖6a為(wei)本發明實施例(li)一中(zhong)的(de)存儲器的(de)形成方法在其(qi)執行步(bu)驟s150時的(de)俯視(shi)圖；

圖(tu)(tu)6b為圖(tu)(tu)6a所示的本發明(ming)實施例一中(zhong)的存儲器的形成方(fang)法在其執行步驟s150時沿aa’、bb’和(he)cc方(fang)向的剖面(mian)圖(tu)(tu)；

圖(tu)7a為本發明實施(shi)例一中的(de)存儲(chu)器(qi)的(de)形成方(fang)法在其執行步驟s160時的(de)俯(fu)視圖(tu)；

圖7b為圖7a所示的本發明實施例一(yi)中的存儲器(qi)的形成方(fang)法在(zai)其執(zhi)行步驟s160時(shi)沿(yan)aa’、bb’和(he)cc方(fang)向的剖面圖；

圖8a為(wei)本發明實施例(li)一中的存儲器的形成(cheng)方法在(zai)其執行(xing)步(bu)驟s170時的俯視圖；

圖(tu)8b為圖(tu)8a所示的本發明實施例一(yi)中的存儲器的形成方(fang)法在(zai)其執行步(bu)驟(zou)s180時沿aa’、bb’和cc方(fang)向的剖面圖(tu)；

圖9為本(ben)發明實施例二中的存儲器的形成方法(fa)的流程示意圖；

圖10a為本發明實(shi)施例二中的(de)存儲器的(de)形成方(fang)法(fa)在其執行步(bu)驟s150’時的(de)俯視圖；

圖(tu)10b為圖(tu)10a所示的本發明實施例二中(zhong)的存儲器的形成(cheng)方法(fa)在其執行步驟(zou)s150’時沿(yan)aa’、bb’和cc方向的剖(pou)面圖(tu)。

圖(tu)11a為(wei)本發明實施例二的存儲器的形成(cheng)方法中在(zai)其執行步驟s160’時的俯視圖(tu)；

圖11b為圖11a所示的本發明實施例二的存(cun)儲器的形成方法中在(zai)其執(zhi)行步驟s160’時沿aa’、bb’和cc方向的剖(pou)面圖；

圖(tu)12a為本發明實施例二中的(de)存儲器的(de)形成方(fang)法在其執行步驟s170’時的(de)俯視圖(tu)；

圖12b為(wei)圖12a所示的(de)(de)本發明實(shi)施例二中的(de)(de)存儲器的(de)(de)形成(cheng)方(fang)法(fa)在其執(zhi)行步驟(zou)s170’時(shi)沿(yan)aa’、bb’和cc方(fang)向(xiang)的(de)(de)剖面圖；

圖(tu)(tu)13a為本發明實施(shi)例三中的(de)存儲器的(de)俯視(shi)圖(tu)(tu)；

圖13b為圖13a所示的(de)本(ben)發明實(shi)施例三中的(de)存(cun)儲器沿aa’、bb’和cc方向的(de)剖面圖；

圖14a為本(ben)發明實施例四(si)中的存(cun)儲器的俯(fu)視圖；

圖(tu)14b為圖(tu)14a所示(shi)的(de)本發明實施例四(si)中的(de)存儲器沿aa’、bb’和cc方(fang)向(xiang)的(de)剖面圖(tu)；

圖15a為本發(fa)明(ming)實施例五中(zhong)的半導體(ti)器(qi)件的俯視(shi)圖；

圖15b為圖15a所示(shi)的本發明(ming)實施例(li)五中的半導體器件沿(yan)aa’、bb’和cc方向的剖面圖；

圖(tu)16為本(ben)發明實施例六中的半導體(ti)器件(jian)的俯(fu)視(shi)圖(tu)；

其中，附圖標(biao)記如下(xia)：

100/200-襯底(di)；

110/210-有(you)源(yuan)區；

111-第一區域；

111a/211a-位線接(jie)觸(chu)區；

112-第二區域；

112a/212a-存(cun)儲節點(dian)接(jie)觸區；

120/220-隔離(li)結構；

130-字線掩膜；

130a-開口；

140/240-字(zi)線導體；

140a-字線(xian)溝槽；

141-柵介質層；

142-柵極(ji)電極(ji)層；

150/250-第一隔(ge)離線；

151/251-第一隔(ge)離屏障；

152/252-凹槽；

160/260-位線；

160a-位(wei)線溝槽；

170/170’/270/270’-間隔絕緣層；

180/180’/280/280’-第二隔(ge)離(li)線；

180a’/280a’-隔(ge)離層；

180b’/280b’-掩膜蓋層；

181/181’/281/281’-第二(er)隔離屏(ping)障；

190/190’/290/290’-導(dao)電層；

190a/190a’/290a/290a’-接觸(chu)窗；

192/292-導電層分割線；

300-襯底；

310-第(di)一(yi)引出(chu)區；

320-第一隔離屏障；

321-凹槽；

330/330’-第二隔離屏障；

340/340’-接觸窗；

350/350’-導電層；

360-第二引出區。

具體實施方式

承上所述，在傳統的(de)存儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)的(de)形成(cheng)方法中(zhong)需利用(yong)多道光刻(ke)工藝(yi)，從而(er)在存儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)的(de)制(zhi)備(bei)中(zhong)需花(hua)費較高的(de)成(cheng)本，同時在多道光罩的(de)重疊和對準(zhun)偏(pian)差的(de)情況下，不僅容易導致器(qi)(qi)(qi)件(jian)中(zhong)部分(fen)組件(jian)之間的(de)接觸(chu)異常的(de)問題(ti)，并且也不利于實現存儲(chu)(chu)器(qi)(qi)(qi)尺寸的(de)縮減。

為此，發明提供一種存儲器的形成方法，包括：

提供(gong)一(yi)襯(chen)底，所(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底中定義有多(duo)個(ge)相(xiang)對于(yu)第(di)一(yi)方向傾(qing)斜延伸(shen)的(de)(de)有源(yuan)區(qu)(qu)，所(suo)(suo)述(shu)有源(yuan)區(qu)(qu)上定義有一(yi)用(yong)于(yu)形成第(di)一(yi)接觸區(qu)(qu)的(de)(de)第(di)一(yi)區(qu)(qu)域(yu)(yu)和多(duo)個(ge)用(yong)于(yu)形成第(di)二接觸區(qu)(qu)的(de)(de)第(di)二區(qu)(qu)域(yu)(yu)，多(duo)個(ge)所(suo)(suo)述(shu)第(di)二區(qu)(qu)域(yu)(yu)延伸(shen)在所(suo)(suo)述(shu)有源(yuan)區(qu)(qu)的(de)(de)延伸(shen)方向上且位于(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)區(qu)(qu)域(yu)(yu)的(de)(de)兩側；

形成一字(zi)線(xian)掩膜(mo)在所述(shu)(shu)襯底上(shang)，所述(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩膜(mo)中形成有多個對應字(zi)線(xian)導體且(qie)沿(yan)所述(shu)(shu)第一方向延伸的開(kai)口；

形成多條(tiao)字(zi)線(xian)導(dao)體在(zai)對應所述(shu)(shu)開口的(de)所述(shu)(shu)襯底中，在(zai)所述(shu)(shu)字(zi)線(xian)導(dao)體的(de)兩側分布有多個(ge)沿(yan)所述(shu)(shu)第一方(fang)向排(pai)布的(de)所述(shu)(shu)第二區域；

對準所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)導體(ti)(ti)形成一(yi)(yi)(yi)第一(yi)(yi)(yi)隔(ge)離線(xian)(xian)在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底上(shang)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)隔(ge)離線(xian)(xian)填充所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)開(kai)口以覆蓋(gai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)導體(ti)(ti)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)隔(ge)離線(xian)(xian)沿著所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)(yi)(yi)方向延伸，用(yong)于(yu)構成一(yi)(yi)(yi)在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)掩膜中的第一(yi)(yi)(yi)隔(ge)離屏障；

形(xing)成多(duo)個對應位(wei)(wei)線(xian)的(de)位(wei)(wei)線(xian)溝(gou)槽在所述(shu)襯(chen)底上(shang)的(de)所述(shu)字線(xian)掩膜中，所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)溝(gou)槽交(jiao)錯地(di)穿越所述(shu)第一(yi)隔(ge)離線(xian)；

形成多(duo)條位(wei)(wei)線在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)位(wei)(wei)線溝槽中，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)位(wei)(wei)線的(de)(de)(de)(de)(de)表面(mian)低于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)位(wei)(wei)線溝槽的(de)(de)(de)(de)(de)頂表面(mian)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)位(wei)(wei)線與(yu)相(xiang)應(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)有(you)源區相(xiang)交(jiao)，以使所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)相(xiang)應(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)有(you)源區中的(de)(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一(yi)接(jie)觸區連接(jie)至(zhi)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)位(wei)(wei)線上，其中，分(fen)布(bu)在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線導體的(de)(de)(de)(de)(de)同一(yi)側的(de)(de)(de)(de)(de)多(duo)個(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第二(er)區域中，兩(liang)個(ge)相(xiang)鄰(lin)的(de)(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第二(er)區域分(fen)別位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)位(wei)(wei)線的(de)(de)(de)(de)(de)兩(liang)側；

對準(zhun)所(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)(xian)形成一第二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)襯底(di)上(shang)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)填充所(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)(xian)溝(gou)槽以(yi)覆蓋所(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)(xian)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)沿著所(suo)述(shu)(shu)(shu)第二(er)(er)(er)方(fang)向延伸(shen)，并與所(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)(xian)共同用于構成一在(zai)所(suo)述(shu)(shu)(shu)字線(xian)(xian)掩膜中(zhong)的第二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)(li)(li)屏障；

以(yi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)為二(er)次掩膜(mo)，局部(bu)去除所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)字線掩膜(mo)以(yi)暴露出所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)接(jie)觸(chu)(chu)區，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)相交(jiao)以(yi)共同界定(ding)出多個接(jie)觸(chu)(chu)窗(chuang)，每一(yi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)接(jie)觸(chu)(chu)區對(dui)應(ying)一(yi)個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)窗(chuang)；以(yi)及，

形成一導(dao)電層(ceng)在所(suo)述襯底上，所(suo)述導(dao)電層(ceng)填充所(suo)述接觸窗用于構成存(cun)儲節點接觸。

本發明(ming)提供的(de)(de)(de)存儲器(qi)的(de)(de)(de)形(xing)成(cheng)(cheng)方法(fa)中，在(zai)(zai)形(xing)成(cheng)(cheng)字線(xian)(xian)導(dao)(dao)體后(hou)，可直接利用(yong)定(ding)(ding)義(yi)字線(xian)(xian)導(dao)(dao)體的(de)(de)(de)字線(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)自對(dui)準(zhun)地形(xing)成(cheng)(cheng)一(yi)覆蓋(gai)字線(xian)(xian)導(dao)(dao)體的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)隔離(li)線(xian)(xian)，所(suo)述第(di)(di)一(yi)隔離(li)線(xian)(xian)構成(cheng)(cheng)一(yi)第(di)(di)一(yi)隔離(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)；以及(ji)，在(zai)(zai)形(xing)成(cheng)(cheng)位(wei)線(xian)(xian)之后(hou)，利用(yong)位(wei)線(xian)(xian)與位(wei)線(xian)(xian)溝槽之間(jian)的(de)(de)(de)高度差，自對(dui)準(zhun)地形(xing)成(cheng)(cheng)覆蓋(gai)位(wei)線(xian)(xian)的(de)(de)(de)第(di)(di)二隔離(li)線(xian)(xian)，利用(yong)所(suo)述第(di)(di)二隔離(li)線(xian)(xian)和(he)位(wei)線(xian)(xian)構成(cheng)(cheng)一(yi)第(di)(di)二隔離(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)；從而在(zai)(zai)利用(yong)第(di)(di)一(yi)隔離(li)線(xian)(xian)和(he)第(di)(di)二隔離(li)線(xian)(xian)為掩(yan)膜(mo)(mo)去(qu)除所(suo)述字線(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)后(hou)，可形(xing)成(cheng)(cheng)由第(di)(di)一(yi)隔離(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)和(he)第(di)(di)二隔離(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)所(suo)界(jie)定(ding)(ding)出的(de)(de)(de)多(duo)個接觸窗，并且每一(yi)所(suo)述第(di)(di)二接觸區對(dui)應(ying)一(yi)個所(suo)述接觸窗。即，在(zai)(zai)自對(dui)準(zhun)形(xing)成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)隔離(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)和(he)第(di)(di)二隔離(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)的(de)(de)(de)界(jie)定(ding)(ding)下能夠直接定(ding)(ding)義(yi)出對(dui)應(ying)存儲節點(dian)接觸的(de)(de)(de)接觸窗。

與傳統(tong)的(de)(de)利(li)用(yong)(yong)光刻(ke)(ke)工藝(yi)定(ding)義出存(cun)儲(chu)節點接觸(chu)(chu)(chu)窗的(de)(de)方法相比，本(ben)發明提供(gong)的(de)(de)存(cun)儲(chu)器的(de)(de)形成(cheng)方法中在定(ding)義存(cun)儲(chu)節點接觸(chu)(chu)(chu)的(de)(de)接觸(chu)(chu)(chu)窗時(shi)，不需要再額(e)外(wai)利(li)用(yong)(yong)一(yi)道(dao)光刻(ke)(ke)工藝(yi)，減少了光刻(ke)(ke)工藝(yi)的(de)(de)執(zhi)行次數，有利(li)于簡化工藝(yi)并節省制備成(cheng)本(ben)，同時(shi)可改善多(duo)道(dao)光刻(ke)(ke)工藝(yi)而產生的(de)(de)位(wei)移偏差的(de)(de)問題。

以下結合附圖和(he)具體實施(shi)例對本發明提出的(de)(de)(de)存儲器及(ji)其形成方法、半導體器件作進一步詳細說(shuo)明。根(gen)據下面說(shuo)明和(he)權利要求書，本發明的(de)(de)(de)優點和(he)特征將更清楚。需說(shuo)明的(de)(de)(de)是，附圖均(jun)采(cai)用非常簡化(hua)的(de)(de)(de)形式且(qie)均(jun)使用非精(jing)準(zhun)的(de)(de)(de)比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuo)明本發明實施(shi)例的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)。

實施例一

圖1為本(ben)發明實(shi)施(shi)(shi)例(li)一(yi)中的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器的(de)(de)形(xing)(xing)成方(fang)(fang)(fang)法(fa)的(de)(de)流(liu)程示(shi)意圖，如圖1所(suo)示(shi)，本(ben)實(shi)施(shi)(shi)例(li)示(shi)出的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器的(de)(de)形(xing)(xing)成方(fang)(fang)(fang)法(fa)中，直接(jie)利用由第一(yi)隔(ge)(ge)離屏障(zhang)和第二隔(ge)(ge)離屏障(zhang)所(suo)界定出的(de)(de)接(jie)觸窗，并(bing)在第一(yi)隔(ge)(ge)離屏障(zhang)和第二隔(ge)(ge)離屏障(zhang)的(de)(de)限定下，可(ke)使導電層對(dui)準(zhun)地填充(chong)在所(suo)述(shu)接(jie)觸窗中，以(yi)(yi)構成存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)節點接(jie)觸。與(yu)傳統的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)相比，本(ben)實(shi)施(shi)(shi)例(li)中，在定義(yi)對(dui)應(ying)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)節點接(jie)觸的(de)(de)接(jie)觸窗時，不需要(yao)在額(e)外利用一(yi)道光刻工藝。以(yi)(yi)下結合附圖1對(dui)本(ben)實(shi)施(shi)(shi)例(li)中的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)器的(de)(de)形(xing)(xing)成方(fang)(fang)(fang)法(fa)進行詳細說明。

圖(tu)(tu)2a為(wei)本發(fa)明實施(shi)(shi)例(li)一中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)存儲(chu)器(qi)的(de)(de)(de)(de)形(xing)成方(fang)(fang)(fang)法在其(qi)(qi)執(zhi)行步(bu)驟s110時(shi)的(de)(de)(de)(de)俯視圖(tu)(tu)，圖(tu)(tu)2b為(wei)圖(tu)(tu)2a所示(shi)的(de)(de)(de)(de)本發(fa)明實施(shi)(shi)例(li)一中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)存儲(chu)器(qi)的(de)(de)(de)(de)形(xing)成方(fang)(fang)(fang)法在其(qi)(qi)執(zhi)行步(bu)驟s110時(shi)沿aa’、bb’和cc方(fang)(fang)(fang)向的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)(pou)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)圖(tu)(tu)。其(qi)(qi)中(zhong)(zhong)，圖(tu)(tu)2b中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)aa’方(fang)(fang)(fang)向上(shang)的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)(pou)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)圖(tu)(tu)即為(wei)在有(you)(you)源區(qu)的(de)(de)(de)(de)延(yan)伸方(fang)(fang)(fang)向上(shang)的(de)(de)(de)(de)有(you)(you)源區(qu)的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)(pou)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)圖(tu)(tu)；圖(tu)(tu)2b中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)bb’方(fang)(fang)(fang)向上(shang)的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)(pou)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)圖(tu)(tu)即為(wei)對(dui)應后續需形(xing)成的(de)(de)(de)(de)字線導(dao)體位置的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)(pou)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)圖(tu)(tu)；圖(tu)(tu)2b中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)cc’方(fang)(fang)(fang)向上(shang)的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)(pou)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)圖(tu)(tu)即為(wei)對(dui)應相鄰的(de)(de)(de)(de)字線導(dao)體之間的(de)(de)(de)(de)剖(pou)(pou)(pou)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)圖(tu)(tu)。

在步(bu)驟s110中(zhong)(zhong)，參考圖(tu)(tu)2a和(he)圖(tu)(tu)2b所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)示，提供(gong)一(yi)(yi)(yi)襯底100，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯底100上定(ding)義(yi)有(you)多(duo)個相對于(yu)(yu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)方(fang)向傾斜延伸的(de)(de)(de)(de)有(you)源(yuan)(yuan)區(qu)(qu)(qu)(qu)110，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)有(you)源(yuan)(yuan)區(qu)(qu)(qu)(qu)110上定(ding)義(yi)有(you)一(yi)(yi)(yi)用于(yu)(yu)形(xing)成第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)111和(he)多(duo)個用于(yu)(yu)形(xing)成第(di)(di)(di)二(er)(er)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)112；多(duo)個所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)112延伸在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)有(you)源(yuan)(yuan)區(qu)(qu)(qu)(qu)110的(de)(de)(de)(de)延伸方(fang)向上且位于(yu)(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)111的(de)(de)(de)(de)兩側。其中(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)的(de)(de)(de)(de)面(mian)積(ji)大(da)于(yu)(yu)等(deng)于(yu)(yu)后續所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)形(xing)成的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)面(mian)積(ji)；以及(ji)第(di)(di)(di)二(er)(er)區(qu)(qu)(qu)(qu)域(yu)的(de)(de)(de)(de)面(mian)積(ji)大(da)于(yu)(yu)等(deng)于(yu)(yu)后續所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)形(xing)成的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)的(de)(de)(de)(de)面(mian)積(ji)。本實施(shi)例中(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)為對應位線接觸(chu)的(de)(de)(de)(de)位線接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)111a，用于(yu)(yu)連接至位線，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)二(er)(er)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)為對應存儲(chu)(chu)接觸(chu)節(jie)點接觸(chu)的(de)(de)(de)(de)存儲(chu)(chu)節(jie)點接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)112a，用于(yu)(yu)連接至存儲(chu)(chu)電容(rong)器(qi)。

進一(yi)步的(de)，本實施例(li)中(zhong)(zhong)，一(yi)個有(you)(you)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)110中(zhong)(zhong)定義(yi)有(you)(you)一(yi)個第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)111和兩個第(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)112，所(suo)述第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)111位于所(suo)述有(you)(you)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)110的(de)在垂直于其延伸(shen)方向上的(de)中(zhong)(zhong)心(xin)線位置，兩個所(suo)述第(di)(di)二區(qu)(qu)(qu)域(yu)112位于所(suo)述第(di)(di)一(yi)區(qu)(qu)(qu)域(yu)111的(de)兩側(ce)。

具(ju)體的(de)參(can)考(kao)圖2a所示，所述(shu)(shu)有(you)源(yuan)區11沿著(zhu)z方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)延(yan)伸。具(ju)體的(de)，所述(shu)(shu)有(you)源(yuan)區的(de)延(yan)伸方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(z方(fang)(fang)向(xiang)(xiang))與第一(yi)方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)之間的(de)銳角夾角可以為(wei)50°～70°，例(li)如為(wei)60°。進一(yi)步(bu)的(de)，本實施例(li)中，多(duo)個所述(shu)(shu)有(you)源(yuan)區110呈多(duo)行排布，有(you)源(yuan)區110傾(qing)斜延(yan)伸，因此在同一(yi)行有(you)源(yuan)區110中可使相鄰的(de)有(you)源(yuan)區110在垂直于(yu)(yu)行方(fang)(fang)向(xiang)(xiang)的(de)投影具(ju)有(you)部分重合，如此一(yi)來(lai)，可有(you)利于(yu)(yu)提高有(you)源(yuan)區陣(zhen)列(lie)的(de)密集程度。

繼續參考圖(tu)2a和圖(tu)2b所(suo)示，所(suo)述襯底(di)100中(zhong)還形(xing)成(cheng)有多個隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)結(jie)(jie)構120，所(suo)述隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)結(jie)(jie)構120位于有源(yuan)區110的(de)外(wai)圍，用(yong)于對相鄰的(de)有源(yuan)區110進(jin)行隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)。也可以理解的(de)是，通(tong)過形(xing)成(cheng)所(suo)述隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)結(jie)(jie)構120進(jin)而定(ding)義出所(suo)述有源(yuan)區110。其中(zhong)，所(suo)述隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)結(jie)(jie)構120可以為溝槽隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)結(jie)(jie)構。

進(jin)一步的(de)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)110用于形(xing)成(cheng)(cheng)存儲(chu)(chu)單(dan)元，所(suo)(suo)(suo)述(shu)存儲(chu)(chu)單(dan)元例如為存儲(chu)(chu)晶體管。在后續(xu)的(de)工藝(yi)(yi)制(zhi)程中，可(ke)(ke)對所(suo)(suo)(suo)述(shu)第一區(qu)(qu)(qu)域111和第二(er)區(qu)(qu)(qu)域112的(de)襯底執(zhi)行離(li)子(zi)(zi)(zi)摻(chan)雜工藝(yi)(yi)，以分別形(xing)成(cheng)(cheng)離(li)子(zi)(zi)(zi)摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)，對應第一區(qu)(qu)(qu)域111的(de)離(li)子(zi)(zi)(zi)摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)可(ke)(ke)構成(cheng)(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)存儲(chu)(chu)晶體管的(de)源(yuan)區(qu)(qu)(qu)，進(jin)而可(ke)(ke)構成(cheng)(cheng)存儲(chu)(chu)器(qi)的(de)第一接觸區(qu)(qu)(qu)111a；對應第二(er)區(qu)(qu)(qu)域112的(de)離(li)子(zi)(zi)(zi)摻(chan)雜區(qu)(qu)(qu)可(ke)(ke)構成(cheng)(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)存儲(chu)(chu)晶體管的(de)漏區(qu)(qu)(qu)，進(jin)而可(ke)(ke)構成(cheng)(cheng)存儲(chu)(chu)器(qi)的(de)第二(er)接觸區(qu)(qu)(qu)112a。其中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)離(li)子(zi)(zi)(zi)摻(chan)雜工藝(yi)(yi)可(ke)(ke)以在形(xing)成(cheng)(cheng)字線導體之前執(zhi)行，也可(ke)(ke)以在形(xing)成(cheng)(cheng)字線導體之后執(zhi)行。

本實施例(li)中(zhong)(zhong)，在(zai)制備字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)之前，先在(zai)有源區(qu)(qu)110的(de)(de)襯(chen)底中(zhong)(zhong)形成(cheng)(cheng)位線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)111a和存(cun)(cun)儲節(jie)(jie)點接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)112a。如(ru)圖2b所示，可通過執(zhi)行(xing)(xing)離子摻雜(za)工(gong)藝(yi)，同(tong)時在(zai)第一區(qu)(qu)域(yu)111的(de)(de)襯(chen)底中(zhong)(zhong)形成(cheng)(cheng)位線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)111a，以(yi)及(ji)在(zai)第二區(qu)(qu)域(yu)的(de)(de)112的(de)(de)襯(chen)底中(zhong)(zhong)形成(cheng)(cheng)存(cun)(cun)儲節(jie)(jie)點接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)112a。當然，在(zai)其他實施例(li)中(zhong)(zhong)，在(zai)形成(cheng)(cheng)字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)之后的(de)(de)后續步(bu)驟中(zhong)(zhong)，當暴露出(chu)(chu)第一區(qu)(qu)域(yu)111的(de)(de)襯(chen)底時，即(ji)可執(zhi)行(xing)(xing)摻雜(za)工(gong)藝(yi)以(yi)形成(cheng)(cheng)位線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)111a，以(yi)及(ji)當暴露出(chu)(chu)第二區(qu)(qu)域(yu)112的(de)(de)襯(chen)底時，即(ji)可執(zhi)行(xing)(xing)摻雜(za)工(gong)藝(yi)以(yi)形成(cheng)(cheng)存(cun)(cun)儲節(jie)(jie)點接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)112a。

圖(tu)3a為(wei)本發明實(shi)(shi)施例一中的(de)存儲器(qi)的(de)形(xing)成方(fang)法在(zai)其執(zhi)行(xing)步(bu)驟s120時的(de)俯(fu)視圖(tu)，圖(tu)3b和圖(tu)3c為(wei)圖(tu)3a所(suo)示的(de)本發明實(shi)(shi)施例一中的(de)存儲器(qi)的(de)形(xing)成方(fang)法在(zai)其執(zhi)行(xing)步(bu)驟s120過程中沿aa’、bb’和cc方(fang)向的(de)剖面圖(tu)。

在(zai)步驟(zou)s120中(zhong)，具體參考圖(tu)3a-圖(tu)3c所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)示，形(xing)成(cheng)(cheng)一字線掩膜130在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底(di)100上，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線掩膜130中(zhong)形(xing)成(cheng)(cheng)有(you)多(duo)個對應字線導體且沿第一方(fang)向(y方(fang)向)延伸的(de)開(kai)口130a，并形(xing)成(cheng)(cheng)多(duo)條字線導體140在(zai)對應所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)開(kai)口130a的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底(di)100中(zhong)，在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線導體140的(de)兩側(ce)分布有(you)多(duo)個沿所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一方(fang)向排(pai)布的(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第二區(qu)域112。

其中(zhong)，所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)130不僅用(yong)于定義出字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140的(de)圖(tu)形(xing)，并且，在本發明提供的(de)形(xing)成方法中(zhong)，在形(xing)成字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140之(zhi)后(hou)(hou)仍保留所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)130，從而可(ke)利用(yong)所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)130的(de)開口130a自對準地形(xing)成第(di)一隔離(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)。具體(ti)參考圖(tu)3a所(suo)(suo)示，在形(xing)成所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140之(zhi)后(hou)(hou)，則可(ke)使多個第(di)二(er)區(qu)(qu)域(yu)112被布置在所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140的(de)兩側，從而在利用(yong)所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)130自對準地在字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140上(shang)形(xing)成所(suo)(suo)述第(di)一隔離(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)后(hou)(hou)，即可(ke)利用(yong)所(suo)(suo)述第(di)一隔離(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)使字(zi)(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140兩側的(de)第(di)二(er)區(qu)(qu)域(yu)112相(xiang)互隔離(li)。

以及(ji)，在(zai)(zai)后續(xu)制備位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)時，所(suo)(suo)(suo)(suo)述字線(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)130還可(ke)為位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)提供一(yi)形(xing)成(cheng)(cheng)基底，使對(dui)應位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)部(bu)分位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)溝(gou)(gou)槽(cao)形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述字線(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)130中，因此，所(suo)(suo)(suo)(suo)述字線(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)130的(de)(de)高度(du)將間(jian)接決定(ding)(ding)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)溝(gou)(gou)槽(cao)的(de)(de)深度(du)。基于(yu)此，本實施例中，可(ke)形(xing)成(cheng)(cheng)具有預(yu)定(ding)(ding)高度(du)的(de)(de)字線(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)130，從而(er)使后續(xu)形(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)(zai)字線(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)130中的(de)(de)部(bu)分位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)溝(gou)(gou)槽(cao)的(de)(de)深度(du)值大于(yu)后續(xu)所(suo)(suo)(suo)(suo)形(xing)成(cheng)(cheng)的(de)(de)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)高度(du)值，即，位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)不會(hui)完全填(tian)(tian)充整(zheng)個位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)溝(gou)(gou)槽(cao)，進(jin)而(er)可(ke)利用位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)上方的(de)(de)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)溝(gou)(gou)槽(cao)自對(dui)準地填(tian)(tian)充隔離材料。其(qi)中，所(suo)(suo)(suo)(suo)述字線(xian)(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)130的(de)(de)預(yu)定(ding)(ding)高度(du)可(ke)根(gen)據實際狀況(kuang)進(jin)行調(diao)整(zheng)，例如可(ke)根(gen)據位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)高度(du)的(de)(de)進(jin)行調(diao)整(zheng)等。

此外，本實施例(li)中，所述(shu)字線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜(mo)(mo)(mo)130還可進一步作為后續的刻(ke)蝕(shi)停止層(ceng)或研磨停止層(ceng)。即，后續在位(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)上沉積隔離(li)材(cai)(cai)(cai)料(liao)時(shi)，部(bu)(bu)分(fen)的隔離(li)材(cai)(cai)(cai)料(liao)會覆蓋所述(shu)字線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜(mo)(mo)(mo)130，此時(shi)，可在字線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜(mo)(mo)(mo)130的阻擋(dang)下(xia)，利(li)用回刻(ke)蝕(shi)工藝(yi)或化學(xue)機械(xie)研磨工藝(yi)去除字線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜(mo)(mo)(mo)130頂部(bu)(bu)的隔離(li)材(cai)(cai)(cai)料(liao)。在此過程中，由于字線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜(mo)(mo)(mo)130具備預定高(gao)(gao)度，所述(shu)預定高(gao)(gao)度界定出在研磨工藝(yi)(或回刻(ke)蝕(shi)工藝(yi))之后的位(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)和位(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)頂部(bu)(bu)的隔離(li)材(cai)(cai)(cai)料(liao)的總(zong)高(gao)(gao)度，因(yin)此，利(li)用具備預定高(gao)(gao)度的字線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜(mo)(mo)(mo)130作為研磨停止層(ceng)(或刻(ke)蝕(shi)停止層(ceng))，不(bu)僅可使字線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜(mo)(mo)(mo)130頂部(bu)(bu)的隔離(li)材(cai)(cai)(cai)料(liao)能夠(gou)被(bei)完全去除，同時(shi)還可確保(bao)位(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽的深度，確保(bao)位(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)上方仍然覆蓋有隔離(li)材(cai)(cai)(cai)料(liao)，避免了(le)位(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽中的隔離(li)材(cai)(cai)(cai)料(liao)被(bei)完全去除。

進(jin)一步(bu)的(de)(de)(de)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)掩(yan)(yan)膜130可利(li)(li)用(yong)光(guang)(guang)刻(ke)工(gong)藝(yi)和刻(ke)蝕(shi)工(gong)藝(yi)形(xing)(xing)成(cheng)，例如(ru)：首先，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)襯底100上(shang)形(xing)(xing)成(cheng)掩(yan)(yan)膜材(cai)料層(ceng)；接著(zhu)，利(li)(li)用(yong)光(guang)(guang)刻(ke)工(gong)藝(yi)，在所(suo)(suo)(suo)述(shu)掩(yan)(yan)膜材(cai)料層(ceng)上(shang)形(xing)(xing)成(cheng)一圖(tu)形(xing)(xing)化(hua)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)圖(tu)形(xing)(xing)化(hua)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)對應(ying)后(hou)續需形(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)字線(xian)(xian)導體(ti)的(de)(de)(de)圖(tu)形(xing)(xing)；再接著(zhu)，利(li)(li)用(yong)刻(ke)蝕(shi)工(gong)藝(yi)，以所(suo)(suo)(suo)述(shu)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)為掩(yan)(yan)膜刻(ke)蝕(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)掩(yan)(yan)膜材(cai)料層(ceng)以形(xing)(xing)成(cheng)字線(xian)(xian)掩(yan)(yan)膜130，使所(suo)(suo)(suo)形(xing)(xing)成(cheng)的(de)(de)(de)字線(xian)(xian)掩(yan)(yan)膜130中(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)有(you)對應(ying)字線(xian)(xian)導體(ti)的(de)(de)(de)開口130a。可選的(de)(de)(de)方案中(zhong)，在形(xing)(xing)成(cheng)所(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)掩(yan)(yan)膜130之后(hou)，可進(jin)一步(bu)執(zhi)行灰化(hua)工(gong)藝(yi)去除所(suo)(suo)(suo)述(shu)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)(jiao)。

此外，所(suo)述(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩膜(mo)130可(ke)以為多(duo)(duo)層(ceng)結構。本(ben)實施(shi)例中，所(suo)述(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩膜(mo)130分(fen)別包括一(yi)掩膜(mo)底(di)層(ceng)131和一(yi)掩膜(mo)犧(xi)牲層(ceng)132。所(suo)述(shu)(shu)掩膜(mo)底(di)層(ceng)131覆蓋所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)，不僅可(ke)用(yong)于(yu)(yu)構成(cheng)字(zi)線(xian)掩膜(mo)，并且(qie)在(zai)后(hou)續的工藝中還被局(ju)部(bu)保留，用(yong)于(yu)(yu)遮(zhe)蓋第一(yi)區域111中的第一(yi)接(jie)觸(chu)區111a顯露(lu)在(zai)接(jie)觸(chu)窗190a中的部(bu)分(fen)。所(suo)述(shu)(shu)掩膜(mo)犧(xi)牲層(ceng)132用(yong)于(yu)(yu)預留后(hou)續所(suo)形(xing)成(cheng)的存儲(chu)節點接(jie)觸(chu)的部(bu)分(fen)形(xing)成(cheng)空(kong)間。在(zai)制備(bei)多(duo)(duo)層(ceng)結構的字(zi)線(xian)掩膜(mo)130時，可(ke)相應(ying)的依次形(xing)成(cheng)多(duo)(duo)層(ceng)材料層(ceng)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)上，多(duo)(duo)層(ceng)材料層(ceng)構成(cheng)所(suo)述(shu)(shu)掩膜(mo)材料層(ceng)，從而可(ke)直接(jie)利用(yong)一(yi)道(dao)光刻(ke)工藝依次對多(duo)(duo)層(ceng)材料層(ceng)進行刻(ke)蝕。

本實施例中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)字線導(dao)(dao)體(ti)(ti)140為掩埋(mai)字線，即所(suo)(suo)述(shu)(shu)字線導(dao)(dao)體(ti)(ti)140的(de)表(biao)面(mian)不高于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯(chen)(chen)底(di)100的(de)表(biao)面(mian)。進一(yi)步的(de)，使所(suo)(suo)述(shu)(shu)字線導(dao)(dao)體(ti)(ti)140的(de)表(biao)面(mian)低于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯(chen)(chen)底(di)的(de)表(biao)面(mian)。具體(ti)(ti)的(de)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)字線導(dao)(dao)體(ti)(ti)140通過字線掩膜(mo)130所(suo)(suo)定義出的(de)字線導(dao)(dao)體(ti)(ti)的(de)圖形，并結合刻(ke)蝕工(gong)藝和沉積工(gong)藝形成(cheng)，包括：

第一(yi)步驟，具體(ti)參(can)考(kao)圖(tu)(tu)3a和圖(tu)(tu)3b所(suo)示，形成(cheng)字(zi)線掩(yan)膜(mo)130在所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底(di)(di)100上，所(suo)述(shu)(shu)字(zi)線掩(yan)膜(mo)130上形成(cheng)有多個開(kai)口130a以暴露出對應字(zi)線導(dao)體(ti)的(de)所(suo)述(shu)(shu)襯(chen)底(di)(di)100；本實(shi)施例中，需形成(cheng)的(de)字(zi)線導(dao)體(ti)140為沿著第一(yi)方(fang)向(y方(fang)向)延(yan)伸(shen)，因(yin)此，所(suo)述(shu)(shu)開(kai)口130a相(xiang)應的(de)也沿著第一(yi)方(fang)向延(yan)伸(shen)；

第(di)二步驟，繼續(xu)參考圖3b所示，以所述(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)膜130為掩(yan)膜刻蝕所述(shu)襯底(di)100，以形成一字(zi)線(xian)溝(gou)(gou)槽140a在所述(shu)襯底(di)100中，所述(shu)字(zi)線(xian)溝(gou)(gou)槽140a即對應所述(shu)開口130a；

第三步驟(zou)，具體參考(kao)圖(tu)3a和(he)圖(tu)3c所(suo)(suo)(suo)(suo)示，在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字(zi)線溝(gou)(gou)槽140a中填充(chong)(chong)字(zi)線材(cai)料(liao)，以形成(cheng)沿(yan)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第一方向(y方向)延(yan)伸的(de)字(zi)線導體140；具體的(de)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字(zi)線材(cai)料(liao)包括一柵(zha)(zha)(zha)介質(zhi)(zhi)層141和(he)一柵(zha)(zha)(zha)極(ji)電(dian)(dian)極(ji)層142，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)柵(zha)(zha)(zha)介質(zhi)(zhi)層141形成(cheng)在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字(zi)線溝(gou)(gou)槽140a的(de)側壁和(he)底(di)部，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)電(dian)(dian)極(ji)層142形成(cheng)在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)柵(zha)(zha)(zha)介質(zhi)(zhi)層141上并填充(chong)(chong)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字(zi)線溝(gou)(gou)槽140a；其中，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)柵(zha)(zha)(zha)介質(zhi)(zhi)層141例如為氧(yang)化層、氮(dan)化層或(huo)氮(dan)氧(yang)化層等，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)柵(zha)(zha)(zha)極(ji)電(dian)(dian)極(ji)層142例如可(ke)以為多晶硅層或(huo)者金(jin)屬層等；

第四步驟，為確保所(suo)形(xing)成的(de)(de)字線(xian)(xian)導體(ti)140的(de)(de)表面不(bu)高(gao)于所(suo)述襯(chen)底(di)100的(de)(de)表面，則在沉積有字線(xian)(xian)材(cai)料之后，還可(ke)進一(yi)步對所(suo)述字線(xian)(xian)材(cai)料執行(xing)回刻蝕工藝，以控(kong)制所(suo)形(xing)成的(de)(de)字線(xian)(xian)導體(ti)140的(de)(de)高(gao)度，即，使最終所(suo)形(xing)成的(de)(de)字線(xian)(xian)導體(ti)140的(de)(de)表面不(bu)高(gao)于所(suo)述字線(xian)(xian)溝槽140a的(de)(de)頂表面。

由于所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140的(de)表(biao)(biao)面不高于所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)溝槽140a的(de)頂表(biao)(biao)面，從而，在后(hou)續的(de)工(gong)藝中，可直接(jie)利用字(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)掩膜130的(de)開口130a和字(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)溝槽140a，自對(dui)準地在字(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140上形成第一隔(ge)離線(xian)(xian)(xian)，不僅可確保所(suo)(suo)形成的(de)第一隔(ge)離線(xian)(xian)(xian)能夠完全覆蓋所(suo)(suo)述字(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140，避免(mian)字(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140的(de)側壁被(bei)暴(bao)露出，以(yi)(yi)防止字(zi)(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)140與后(hou)續所(suo)(suo)形成的(de)位線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸以(yi)(yi)及存儲節點接(jie)觸電(dian)連(lian)接(jie)。

此外(wai)，如圖3a所(suo)(suo)(suo)示，所(suo)(suo)(suo)形成(cheng)(cheng)(cheng)的字(zi)(zi)線導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)140與(yu)有源(yuan)(yuan)區(qu)(qu)110相(xiang)交，從而可使有源(yuan)(yuan)區(qu)(qu)110上(shang)的存儲(chu)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)的柵(zha)極結(jie)(jie)構(gou)連接至相(xiang)應的字(zi)(zi)線導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)140上(shang)。本實施例中，存儲(chu)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)的柵(zha)極結(jie)(jie)構(gou)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)字(zi)(zi)線導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)同時形成(cheng)(cheng)(cheng)，即，位于(yu)有源(yuan)(yuan)區(qu)(qu)110中的字(zi)(zi)線材料同時構(gou)成(cheng)(cheng)(cheng)存儲(chu)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)(guan)的柵(zha)極結(jie)(jie)構(gou)和字(zi)(zi)線導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)。進(jin)一步的，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)柵(zha)極結(jie)(jie)構(gou)形成(cheng)(cheng)(cheng)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一區(qu)(qu)域111和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二區(qu)(qu)域112之(zhi)間。

圖(tu)4a為本(ben)發明實施例一中(zhong)的(de)(de)(de)存(cun)儲(chu)器的(de)(de)(de)形成方法在(zai)其執(zhi)行步驟s130時的(de)(de)(de)俯(fu)視圖(tu)，圖(tu)4b為圖(tu)4a所示(shi)的(de)(de)(de)本(ben)發明實施例一中(zhong)的(de)(de)(de)存(cun)儲(chu)器的(de)(de)(de)形成方法在(zai)其執(zhi)行步驟s130時沿aa’、bb’和cc方向的(de)(de)(de)剖面(mian)圖(tu)。

在步驟s130中(zhong)，具體(ti)參考圖4a和(he)圖4b所(suo)(suo)示，對(dui)準所(suo)(suo)述(shu)字(zi)線(xian)導(dao)體(ti)140形成一(yi)(yi)(yi)第(di)一(yi)(yi)(yi)隔離線(xian)150在所(suo)(suo)述(shu)襯底100上，所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)隔離線(xian)150填充(chong)所(suo)(suo)述(shu)開口130a以(yi)覆蓋所(suo)(suo)述(shu)字(zi)線(xian)導(dao)體(ti)140。具體(ti)的(de)，所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)(yi)隔離線(xian)150對(dui)準覆蓋所(suo)(suo)述(shu)字(zi)線(xian)導(dao)體(ti)140并沿著第(di)一(yi)(yi)(yi)方向(y方向)延伸，以(yi)構成一(yi)(yi)(yi)在所(suo)(suo)述(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)膜(mo)130中(zhong)的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)隔離屏障(zhang)。

具體參考圖4b所(suo)(suo)(suo)(suo)示，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)隔離線150填(tian)充(chong)(chong)開口130a并(bing)延伸至字線溝槽140a中，以覆蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)字線導(dao)體140，從而可(ke)對字線導(dao)體140進行更好的電性隔離。并(bing)且(qie)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)隔離線150填(tian)充(chong)(chong)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)開口130a，即，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)隔離線150的表面高(gao)于襯底100的表面。

此(ci)外，在后續所形成(cheng)的(de)(de)對應(ying)位線(xian)(xian)(xian)(xian)的(de)(de)位線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽中(zhong)，由于(yu)(yu)位線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽會交錯地穿(chuan)越所述(shu)第一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)150，從而會使所形成(cheng)的(de)(de)位線(xian)(xian)(xian)(xian)也相應(ying)的(de)(de)與第一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)150交錯相交，因此(ci)，為進(jin)一(yi)(yi)步(bu)確保后續所形成(cheng)的(de)(de)第二隔(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)能夠對準的(de)(de)覆蓋(gai)位線(xian)(xian)(xian)(xian)150，還可對第一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)150的(de)(de)高(gao)(gao)度(du)進(jin)行(xing)調整。具(ju)體的(de)(de)，可使第一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)150的(de)(de)高(gao)(gao)度(du)高(gao)(gao)于(yu)(yu)后續所形成(cheng)的(de)(de)位線(xian)(xian)(xian)(xian)的(de)(de)高(gao)(gao)度(du)，例如(ru)，可使所述(shu)第一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)150的(de)(de)表(biao)面不低(di)于(yu)(yu)所述(shu)字線(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜130的(de)(de)表(biao)面，本實施例中(zhong)，使所述(shu)第一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)150的(de)(de)表(biao)面和所述(shu)字線(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜130的(de)(de)表(biao)面齊平(ping)或接近齊平(ping)(例如(ru)，二者的(de)(de)高(gao)(gao)度(du)差小于(yu)(yu)字線(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜高(gao)(gao)度(du)的(de)(de)10％)。

本(ben)實施例(li)中(zhong)，可結合(he)化(hua)(hua)學(xue)(xue)機(ji)械(xie)(xie)研(yan)(yan)磨工(gong)藝(yi)形成與所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130等高的第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)線(xian)150，其形成方法(fa)例(li)如為：首先，沉積第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底100上，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)填充所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)溝(gou)槽140a和(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)開口130a，并覆(fu)蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130；接著(zhu)，去(qu)(qu)除(chu)位于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130頂(ding)(ding)(ding)部(bu)的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)，使剩余的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)僅填充在所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)開口中(zhong)，以(yi)構成所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)線(xian)150。其中(zhong)，在去(qu)(qu)除(chu)位于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130頂(ding)(ding)(ding)部(bu)的所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)時(shi)，可利用(yong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130作為研(yan)(yan)磨停(ting)止(zhi)層(ceng)執行(xing)化(hua)(hua)學(xue)(xue)機(ji)械(xie)(xie)研(yan)(yan)磨工(gong)藝(yi)；或者，也可以(yi)利用(yong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130為刻蝕(shi)停(ting)止(zhi)層(ceng)執行(xing)回刻蝕(shi)工(gong)藝(yi)。具體的，可根據所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)和(he)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130的材(cai)質(zhi)選擇相應的去(qu)(qu)除(chu)方式，例(li)如，當(dang)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)的材(cai)質(zhi)為氧化(hua)(hua)硅(gui)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130靠(kao)近(jin)頂(ding)(ding)(ding)部(bu)部(bu)分的材(cai)質(zhi)氮化(hua)(hua)硅(gui)時(shi)，則(ze)可利用(yong)化(hua)(hua)學(xue)(xue)機(ji)械(xie)(xie)研(yan)(yan)磨工(gong)藝(yi)去(qu)(qu)除(chu)部(bu)分所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)；當(dang)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)的材(cai)質(zhi)為氮化(hua)(hua)硅(gui)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩(yan)(yan)(yan)(yan)膜(mo)(mo)(mo)130靠(kao)近(jin)頂(ding)(ding)(ding)部(bu)部(bu)分的材(cai)質(zhi)為氧化(hua)(hua)硅(gui)時(shi)，則(ze)可利用(yong)回刻蝕(shi)工(gong)藝(yi)去(qu)(qu)除(chu)部(bu)分所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)材(cai)料(liao)(liao)(liao)層(ceng)。

圖(tu)(tu)(tu)5a為本(ben)發明(ming)實施例一(yi)中的(de)存(cun)儲器(qi)的(de)形成(cheng)方法在(zai)其(qi)執(zhi)行(xing)步(bu)驟(zou)s140時的(de)俯視(shi)圖(tu)(tu)(tu)，圖(tu)(tu)(tu)5b和(he)圖(tu)(tu)(tu)5c為圖(tu)(tu)(tu)5a所示的(de)本(ben)發明(ming)實施例一(yi)中的(de)存(cun)儲器(qi)的(de)形成(cheng)方法在(zai)其(qi)執(zhi)行(xing)步(bu)驟(zou)s140過(guo)程中沿aa’、bb’和(he)cc方向的(de)剖面圖(tu)(tu)(tu)。

在(zai)步驟s140中(zhong)(zhong)(zhong)，具體參考圖(tu)(tu)5a-圖(tu)(tu)5c所(suo)(suo)(suo)示(shi)，形成(cheng)多個對應(ying)(ying)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)且沿第(di)(di)二方向(x方向)延伸的(de)(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)襯底100上(shang)的(de)(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)字線(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜130中(zhong)(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a交(jiao)錯地(di)穿越所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一隔離線(xian)(xian)(xian)(xian)150，，并(bing)形成(cheng)多條位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)160在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a中(zhong)(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)(de)(de)(de)表面低于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a的(de)(de)(de)(de)(de)頂表面，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)160與相(xiang)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)有源(yuan)區(qu)(qu)110相(xiang)交(jiao)，以使所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)相(xiang)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)(de)(de)有源(yuan)區(qu)(qu)110中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)觸(chu)區(qu)(qu)111a連接(jie)至所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)160上(shang)，其中(zhong)(zhong)(zhong)，分布在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)字線(xian)(xian)(xian)(xian)導體140的(de)(de)(de)(de)(de)同(tong)一側的(de)(de)(de)(de)(de)多個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二區(qu)(qu)域(yu)112中(zhong)(zhong)(zhong)，兩(liang)個相(xiang)鄰的(de)(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二區(qu)(qu)域(yu)112分別位(wei)(wei)(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)(de)(de)(de)兩(liang)側。

即，字線掩膜130構成(cheng)(cheng)一用于制備位(wei)(wei)線160的(de)(de)基(ji)底，進而可(ke)在所(suo)(suo)述基(ji)底上(shang)形(xing)成(cheng)(cheng)位(wei)(wei)線溝槽160a，并在所(suo)(suo)述位(wei)(wei)線溝槽160a中(zhong)形(xing)成(cheng)(cheng)位(wei)(wei)線160，所(suo)(suo)述位(wei)(wei)線溝槽160a交(jiao)錯地穿(chuan)越所(suo)(suo)述第一隔(ge)離線150，相應的(de)(de)，可(ke)使所(suo)(suo)形(xing)成(cheng)(cheng)的(de)(de)位(wei)(wei)線160交(jiao)錯穿(chuan)越所(suo)(suo)述第一隔(ge)離線150。

如圖5a所(suo)(suo)(suo)示，在(zai)兩(liang)條(tiao)相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)的(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)(ti)140之間，相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)的(de)(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)區(qu)域(yu)112分(fen)別(bie)位于所(suo)(suo)(suo)述(shu)位線(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)(de)(de)兩(liang)側。具體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)說，所(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)(ti)140沿著(zhu)第(di)(di)(di)(di)一方向(xiang)(xiang)延伸，從(cong)而在(zai)垂直于第(di)(di)(di)(di)一方向(xiang)(xiang)上(shang)的(de)(de)(de)(de)兩(liang)個(ge)相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)區(qu)域(yu)112分(fen)別(bie)位于字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)(ti)140的(de)(de)(de)(de)兩(liang)側，以及，所(suo)(suo)(suo)述(shu)位線(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)(de)(de)延伸方向(xiang)(xiang)與(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)(ti)140的(de)(de)(de)(de)延伸方向(xiang)(xiang)相(xiang)(xiang)交(jiao)(第(di)(di)(di)(di)一方向(xiang)(xiang)和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)方向(xiang)(xiang)相(xiang)(xiang)交(jiao))，從(cong)而使(shi)沿著(zhu)第(di)(di)(di)(di)一方向(xiang)(xiang)排布(bu)的(de)(de)(de)(de)兩(liang)個(ge)相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)區(qu)域(yu)112分(fen)別(bie)位于所(suo)(suo)(suo)述(shu)位線(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)(de)(de)兩(liang)側。即，對(dui)應字線(xian)(xian)(xian)導體(ti)(ti)140的(de)(de)(de)(de)區(qu)域(yu)和(he)對(dui)應位線(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)(de)(de)區(qu)域(yu)相(xiang)(xiang)互交(jiao)錯(cuo)，以界定(ding)出(chu)多個(ge)對(dui)應存儲節點接觸區(qu)112a的(de)(de)(de)(de)空間。

如上(shang)(shang)所(suo)述，本實施例中，通過(guo)調整字線(xian)(xian)(xian)(xian)掩膜130和位線(xian)(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)高度，以使所(suo)形成(cheng)的(de)(de)位線(xian)(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)表面(mian)低于所(suo)述位線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a的(de)(de)頂表面(mian)，從而可利于預留出(chu)的(de)(de)位線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a自對(dui)準地在(zai)位線(xian)(xian)(xian)(xian)160頂部形成(cheng)一對(dui)應位線(xian)(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)第二隔離線(xian)(xian)(xian)(xian)，對(dui)準覆蓋在(zai)位線(xian)(xian)(xian)(xian)160上(shang)(shang)方的(de)(de)第二隔離線(xian)(xian)(xian)(xian)可用于對(dui)位線(xian)(xian)(xian)(xian)160進(jin)行電性隔離。

此外，參考圖5c所(suo)(suo)示，所(suo)(suo)形成的(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160交(jiao)(jiao)錯穿越所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)150，并且，位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160的(de)(de)(de)(de)底部高于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)150的(de)(de)(de)(de)底部，從而可(ke)(ke)利用所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)150對位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160和字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)140進(jin)行(xing)(xing)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)。優(you)選的(de)(de)(de)(de)方案(an)中，可(ke)(ke)進(jin)一(yi)(yi)步對位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160中的(de)(de)(de)(de)不同區(qu)(qu)(qu)段的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)進(jin)行(xing)(xing)調整，確保(bao)字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)140和位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160之(zhi)間保(bao)持一(yi)(yi)絕(jue)緣距離(li)(li)(li)，具(ju)體的(de)(de)(de)(de)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)181交(jiao)(jiao)錯所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)151的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)段具(ju)有(you)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚(hou)度(du)(du)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)181未交(jiao)(jiao)錯所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)151的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)區(qu)(qu)(qu)段具(ju)有(you)第(di)(di)(di)二(er)厚(hou)度(du)(du)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)厚(hou)度(du)(du)小于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)厚(hou)度(du)(du)。即，使所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160中對應(ying)(ying)字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)140位(wei)(wei)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)段的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)，小于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160中不對應(ying)(ying)字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)位(wei)(wei)置(zhi)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)區(qu)(qu)(qu)段的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)，從而在第(di)(di)(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)段和第(di)(di)(di)二(er)區(qu)(qu)(qu)段的(de)(de)(de)(de)表面高度(du)(du)齊(qi)平的(de)(de)(de)(de)基礎上，可(ke)(ke)使第(di)(di)(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)(qu)段的(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)與字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)之(zhi)間具(ju)備較大的(de)(de)(de)(de)絕(jue)緣距離(li)(li)(li)。

具體參考圖(tu)5a所示，可直接(jie)(jie)(jie)利用光刻工(gong)藝和蝕刻工(gong)藝以形成(cheng)所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a。與位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)圖(tu)形相(xiang)對應(ying)的，所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a與相(xiang)應(ying)的有源區110相(xiang)交，以使所述(shu)相(xiang)應(ying)的有源區110中的所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區111a能夠通過所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽160a暴露出(chu)，進而使位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區111a連接(jie)(jie)(jie)至位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160上。此外，在暴露出(chu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)111a之后，還包括(kuo)在位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區111a上形成(cheng)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)，所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)與所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區111a電性連接(jie)(jie)(jie)，進而所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)區111a通過所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)連接(jie)(jie)(jie)至所述(shu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)160。

繼續參考圖5b和圖5c所示，本實施例(li)(li)中，通過一(yi)(yi)次(ci)光刻工藝同(tong)時形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)對應位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸和位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)160的位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)溝槽160a，從而可(ke)(ke)進一(yi)(yi)步在形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)160的同(tong)時形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸。可(ke)(ke)以理解的是，本實施例(li)(li)中，部分位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)直接(jie)構成(cheng)(cheng)(cheng)所述(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸，即對應所述(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸區111a的位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)構成(cheng)(cheng)(cheng)所述(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)接(jie)觸。其中，所述(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)160可(ke)(ke)包括一(yi)(yi)擴散阻擋層(ceng)和一(yi)(yi)導電層(ceng)。

進一(yi)(yi)步的(de)(de)(de)(de)，在(zai)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)位(wei)線(xian)160之前，還包(bao)括形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)間隔絕(jue)(jue)緣(yuan)層170在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)位(wei)線(xian)溝(gou)槽(cao)160a的(de)(de)(de)(de)側壁(bi)上(shang)，利用所(suo)(suo)述(shu)(shu)間隔絕(jue)(jue)緣(yuan)層170使(shi)后續所(suo)(suo)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)存儲節點接觸和位(wei)線(xian)160電(dian)性隔離。其中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)間隔絕(jue)(jue)緣(yuan)層170可結合(he)沉(chen)積工藝(yi)和回刻蝕工藝(yi)形(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)，具體包(bao)括：首(shou)先(xian)，沉(chen)積一(yi)(yi)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料層在(zai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底(di)上(shang)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料層覆蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)字線(xian)掩膜(mo)(mo)130和第(di)一(yi)(yi)隔離線(xian)150的(de)(de)(de)(de)頂(ding)部(bu)，并(bing)(bing)覆蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)位(wei)線(xian)溝(gou)槽(cao)160a的(de)(de)(de)(de)底(di)部(bu)和側壁(bi)；接著(zhu)，利用回刻蝕工藝(yi)，去(qu)除位(wei)于字線(xian)掩膜(mo)(mo)130和第(di)一(yi)(yi)隔離線(xian)150頂(ding)部(bu)的(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料層，以(yi)及去(qu)除位(wei)于位(wei)線(xian)溝(gou)槽(cao)160a底(di)部(bu)的(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料層，并(bing)(bing)保留(liu)位(wei)于位(wei)線(xian)溝(gou)槽(cao)160a側壁(bi)上(shang)的(de)(de)(de)(de)絕(jue)(jue)緣(yuan)材料層，以(yi)構成(cheng)(cheng)(cheng)所(suo)(suo)述(shu)(shu)間隔絕(jue)(jue)緣(yuan)層170。

圖6a為(wei)本(ben)發明實施例一中的存(cun)儲(chu)器(qi)的形(xing)成方(fang)法在其(qi)執行(xing)步(bu)驟s150時的俯視圖，圖6b為(wei)圖6a所示(shi)的本(ben)發明實施例一中的存(cun)儲(chu)器(qi)的形(xing)成方(fang)法在其(qi)執行(xing)步(bu)驟s150時沿aa’、bb’和cc方(fang)向(xiang)的剖面圖。

在(zai)(zai)(zai)步驟s150中(zhong)(zhong)，具體參考圖(tu)6a和圖(tu)6b所(suo)示，對準所(suo)述(shu)位線(xian)(xian)(xian)140形成一第(di)(di)二隔離線(xian)(xian)(xian)180在(zai)(zai)(zai)所(suo)述(shu)襯底100上，所(suo)述(shu)第(di)(di)二隔離線(xian)(xian)(xian)180填充所(suo)述(shu)位線(xian)(xian)(xian)溝槽160a以覆蓋所(suo)述(shu)位線(xian)(xian)(xian)160，其中(zhong)(zhong)，所(suo)述(shu)第(di)(di)二隔離線(xian)(xian)(xian)180沿(yan)著所(suo)述(shu)第(di)(di)二方(fang)向(xiang)(x方(fang)向(xiang))延(yan)伸，并與(yu)所(suo)述(shu)位線(xian)(xian)(xian)共同(tong)用于構成一在(zai)(zai)(zai)所(suo)述(shu)字(zi)線(xian)(xian)(xian)掩膜130中(zhong)(zhong)的第(di)(di)二隔離屏(ping)障(zhang)181。本實施例中(zhong)(zhong)，所(suo)述(shu)第(di)(di)二隔離屏(ping)障(zhang)181的表面不(bu)低于第(di)(di)一隔離屏(ping)障(zhang)151的表面。

如上所述，對(dui)應(ying)字線導體(ti)的(de)(de)區域和(he)對(dui)應(ying)位線的(de)(de)區域相(xiang)互交錯，以界定出(chu)多個(ge)對(dui)應(ying)有存儲節點接觸(chu)區112a的(de)(de)空間，相(xiang)應(ying)的(de)(de)，所述第(di)一(yi)隔離屏障(zhang)151和(he)所述第(di)二隔離屏障(zhang)181相(xiang)交，以共同界定出(chu)多個(ge)對(dui)應(ying)有所述存儲節點接觸(chu)區112a的(de)(de)區域。

參考圖6a和圖6b所(suo)示(shi)，在位線(xian)溝(gou)槽160a的側壁上還形成有間隔(ge)絕(jue)緣(yuan)層170，因此，本實施(shi)例中(zhong)(zhong)，所(suo)述(shu)間隔(ge)絕(jue)緣(yuan)層170、位線(xian)160和所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔(ge)離線(xian)180共(gong)同組合以構成所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔(ge)離屏障181。其中(zhong)(zhong)，所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔(ge)離線(xian)180可(ke)采用一絕(jue)緣(yuan)材料形成，并可(ke)結合平坦(tan)化(hua)工藝自對準地(di)形成第(di)二(er)隔(ge)離線(xian)180在所(suo)述(shu)位線(xian)溝(gou)槽160a中(zhong)(zhong)。具體的：

首先，沉積一第(di)(di)二隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)襯(chen)底100上，所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)填充位線溝槽160a，并覆蓋字線掩膜130和(he)第(di)(di)一隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)線150的頂部；其中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)可采(cai)用與(yu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)相(xiang)同的材(cai)(cai)質形(xing)成(cheng)，例(li)如，所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)材(cai)(cai)料(liao)(liao)層(ceng)可均(jun)采(cai)用氮化硅構成(cheng)；

接著，結合圖6a和圖6b所(suo)(suo)示，去(qu)除(chu)位于所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩膜130頂(ding)(ding)部(bu)的(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)(ceng)，使(shi)剩余的(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)(ceng)僅填充(chong)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)位線(xian)溝(gou)槽160a中，以構(gou)成(cheng)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離線(xian)180。進一步的(de)(de)(de)，可利用回(hui)刻(ke)(ke)蝕工藝或化學機械研(yan)磨工藝去(qu)除(chu)部(bu)分第(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)(ceng)，在此(ci)過(guo)程中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩膜130可作(zuo)為刻(ke)(ke)蝕停(ting)止層(ceng)(ceng)(ceng)或研(yan)磨停(ting)止層(ceng)(ceng)(ceng)，使(shi)回(hui)刻(ke)(ke)蝕過(guo)程或研(yan)磨過(guo)程能夠自動(dong)的(de)(de)(de)停(ting)止在字(zi)線(xian)掩膜130的(de)(de)(de)頂(ding)(ding)部(bu)位置，此(ci)時，剩余的(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離材(cai)料(liao)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)表面(mian)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩膜130的(de)(de)(de)表面(mian)齊(qi)平(ping)，即(ji)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離線(xian)180的(de)(de)(de)表面(mian)與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)掩膜130的(de)(de)(de)表面(mian)齊(qi)平(ping)。

即(ji)，本實施例中，在(zai)形成第一隔(ge)(ge)離線(xian)(xian)150和第二(er)隔(ge)(ge)離線(xian)(xian)180時，可均利用字線(xian)(xian)掩膜130作為研磨(mo)停(ting)止層或刻蝕(shi)停(ting)止層，以執(zhi)行相應(ying)的(de)(de)研磨(mo)工藝或回刻蝕(shi)工藝，進(jin)而(er)使(shi)所形成的(de)(de)第一隔(ge)(ge)離線(xian)(xian)150和第二(er)隔(ge)(ge)離線(xian)(xian)180的(de)(de)表面齊平。

圖(tu)7a為本(ben)發(fa)明實施例一中的(de)存儲器的(de)形(xing)成(cheng)方(fang)(fang)法在其執行步驟s160時(shi)(shi)的(de)俯視圖(tu)，圖(tu)7b為圖(tu)7a所示(shi)的(de)本(ben)發(fa)明實施例一中的(de)存儲器的(de)形(xing)成(cheng)方(fang)(fang)法在其執行步驟s160時(shi)(shi)沿aa’、bb’和(he)cc方(fang)(fang)向的(de)剖面圖(tu)。

在(zai)步驟(zou)s160中，具體(ti)參考圖7a和圖7b所(suo)(suo)(suo)示，以所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二隔(ge)離屏障181和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)隔(ge)離屏障151為二次掩(yan)膜(mo)(mo)，局(ju)部(bu)去除(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)字線掩(yan)膜(mo)(mo)以暴(bao)露(lu)出(chu)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)存(cun)儲節點(dian)(dian)接(jie)觸(chu)(chu)區112a，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)隔(ge)離屏障151和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二隔(ge)離屏障181相(xiang)交以共同界定出(chu)多個接(jie)觸(chu)(chu)窗190a，每一(yi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二接(jie)觸(chu)(chu)區112a對應(ying)一(yi)個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)窗190a。。即，在(zai)局(ju)部(bu)去除(chu)字線掩(yan)膜(mo)(mo)后，存(cun)儲節點(dian)(dian)接(jie)觸(chu)(chu)區112a通過所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)(chu)窗190a暴(bao)露(lu)出(chu)。

其中(zhong)，所述(shu)第(di)二隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)181的(de)表(biao)面不(bu)低于所述(shu)第(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)151的(de)表(biao)面，本實施例中(zhong)，所述(shu)第(di)二隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)181的(de)表(biao)面和(he)所述(shu)第(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)151的(de)表(biao)面齊平。因此，由(you)所述(shu)第(di)二隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)181和(he)所述(shu)第(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)151所界定出的(de)接觸窗190a在各個方向上的(de)側壁(bi)高度均一致。

本實施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)字(zi)線掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)包括掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)底(di)層(ceng)和掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)犧牲(sheng)(sheng)層(ceng)，因此，在(zai)該步(bu)驟中(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)使掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)犧牲(sheng)(sheng)層(ceng)和部(bu)分(fen)(fen)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)底(di)層(ceng)被(bei)去除(chu)(chu)，從而界定出(chu)存(cun)儲節點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)的(de)形成區(qu)(qu)域(yu)。其(qi)中(zhong)(zhong)，未被(bei)去除(chu)(chu)的(de)部(bu)分(fen)(fen)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)底(di)層(ceng)，用(yong)(yong)于覆蓋所(suo)(suo)述(shu)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)窗190a中(zhong)(zhong)的(de)所(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)域(yu)111中(zhong)(zhong)的(de)第(di)一(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)區(qu)(qu)111a，即，在(zai)可(ke)(ke)能的(de)情況下，接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)窗190a會對應部(bu)分(fen)(fen)第(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)域(yu)111，以及會進一(yi)(yi)步(bu)對應第(di)一(yi)(yi)區(qu)(qu)域(yu)111中(zhong)(zhong)的(de)部(bu)分(fen)(fen)第(di)一(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)區(qu)(qu)111a，此時，可(ke)(ke)利用(yong)(yong)保留(liu)下的(de)掩(yan)膜(mo)(mo)(mo)底(di)層(ceng)覆蓋對應所(suo)(suo)述(shu)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)窗190a的(de)第(di)一(yi)(yi)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)區(qu)(qu)111a，避免后續所(suo)(suo)形成的(de)存(cun)儲節點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)與位線接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)(chu)區(qu)(qu)電性(xing)連接(jie)(jie)。

進一步(bu)的(de)，在執行刻(ke)蝕(shi)工藝以(yi)局部(bu)去除字線掩(yan)膜使，對所述掩(yan)膜底(di)層、第(di)(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)線和(he)第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)線的(de)刻(ke)蝕(shi)選(xuan)擇比相近(例如，所述掩(yan)膜底(di)層、所述第(di)(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)線和(he)所述第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)線的(de)刻(ke)蝕(shi)選(xuan)擇比小于(yu)1：3：3)，進一步(bu)的(de)，掩(yan)膜底(di)層可采用與第(di)(di)一隔(ge)(ge)離(li)(li)線和(he)第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)線相同的(de)材質形成，例如均為(wei)氮化硅。

圖8a為(wei)本發(fa)明(ming)實(shi)施例(li)一(yi)中的(de)存儲器(qi)的(de)形(xing)成方法在(zai)其(qi)執(zhi)行步(bu)驟s170時的(de)俯(fu)視圖，圖8b為(wei)圖8a所(suo)示的(de)本發(fa)明(ming)實(shi)施例(li)一(yi)中的(de)存儲器(qi)的(de)形(xing)成方法在(zai)其(qi)執(zhi)行步(bu)驟s180時沿aa’、bb’和cc方向的(de)剖(pou)面圖。

在(zai)步驟s170中，具體(ti)參(can)考圖(tu)8a和(he)圖(tu)8b所(suo)示，形成一(yi)導(dao)(dao)電層190在(zai)所(suo)述襯底100上，所(suo)述導(dao)(dao)電層190對準地填(tian)充在(zai)所(suo)述接觸(chu)窗190a中，以構成所(suo)述存儲節點接觸(chu)。

如上所(suo)(suo)述，每一(yi)(yi)所(suo)(suo)述第(di)二接(jie)觸(chu)(chu)區(qu)對應一(yi)(yi)個所(suo)(suo)述接(jie)觸(chu)(chu)窗190a，因此，每一(yi)(yi)所(suo)(suo)述存(cun)儲節(jie)點接(jie)觸(chu)(chu)區(qu)112a也與自對準地填充在所(suo)(suo)述接(jie)觸(chu)(chu)窗190a中(zhong)的導電(dian)層(ceng)190相(xiang)對應，進(jin)而可直接(jie)構成所(suo)(suo)述存(cun)儲節(jie)點接(jie)觸(chu)(chu)，并(bing)且相(xiang)鄰的存(cun)儲節(jie)點接(jie)觸(chu)(chu)之間通(tong)過所(suo)(suo)述第(di)一(yi)(yi)隔離(li)屏(ping)障151和所(suo)(suo)述第(di)二隔離(li)屏(ping)障181相(xiang)互隔離(li)。

其中，所述(shu)導電層190可利用沉(chen)積工(gong)藝和化學機(ji)械研(yan)磨工(gong)藝形(xing)成，或利用沉(chen)積工(gong)藝和回(hui)刻(ke)蝕工(gong)藝形(xing)成。具體可參考(kao)如下方法：

首先，形成一導電(dian)材(cai)料層(ceng)(ceng)在所述(shu)襯底100上，所述(shu)導電(dian)材(cai)料層(ceng)(ceng)填充所述(shu)接觸(chu)窗190a并覆(fu)蓋所述(shu)第一隔(ge)離(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)151和第二隔(ge)離(li)屏(ping)障(zhang)(zhang)181；

接(jie)(jie)(jie)著(zhu)，去(qu)除位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)151頂部的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)和位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)181頂部的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)，使剩余的(de)(de)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)僅(jin)填充(chong)在所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)(jie)觸窗(chuang)190a中以形(xing)成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)190，在形(xing)成有存(cun)儲(chu)節(jie)點接(jie)(jie)(jie)觸區112a的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸窗(chuang)中的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)190構成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)存(cun)儲(chu)節(jie)點接(jie)(jie)(jie)觸；其(qi)中，在去(qu)除部分(fen)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)材(cai)(cai)料(liao)層(ceng)時，可利用(yong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)151和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)181為刻蝕停止層(ceng)執(zhi)行(xing)回刻蝕工(gong)(gong)藝；此外，本實施例(li)(li)中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)151和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)181的(de)(de)表面(mian)齊平，因此，也可直接(jie)(jie)(jie)利用(yong)平坦化(hua)工(gong)(gong)藝形(xing)成所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)層(ceng)，例(li)(li)如，可利用(yong)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)151和所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)181為研(yan)磨停止層(ceng)執(zhi)行(xing)化(hua)學機械研(yan)磨工(gong)(gong)藝。

可見(jian)，通過(guo)(guo)自(zi)對(dui)準(zhun)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)的(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)窗(chuang)190a，并利(li)用第(di)(di)一(yi)隔離屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)151和第(di)(di)二(er)隔離屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)181作為刻(ke)(ke)蝕(shi)停(ting)止層(ceng)或研(yan)磨停(ting)止層(ceng)，能(neng)夠自(zi)對(dui)準(zhun)地在(zai)(zai)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)窗(chuang)190a中形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)導電(dian)層(ceng)190以(yi)構(gou)成(cheng)(cheng)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)(jie)(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)。與(yu)(yu)傳統的(de)制(zhi)(zhi)備(bei)工藝相(xiang)比，本發明提供的(de)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)方法中，不需要在(zai)(zai)額外(wai)的(de)利(li)用一(yi)道光(guang)(guang)刻(ke)(ke)工藝定(ding)義出對(dui)應存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)(jie)(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)的(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)窗(chuang)，節(jie)(jie)(jie)省(sheng)了一(yi)道光(guang)(guang)刻(ke)(ke)工藝，有利(li)于(yu)簡化工藝并節(jie)(jie)(jie)省(sheng)制(zhi)(zhi)備(bei)成(cheng)(cheng)本。并且，避免過(guo)(guo)多(duo)的(de)光(guang)(guang)罩在(zai)(zai)相(xiang)互疊加(jia)時出現的(de)多(duo)重偏(pian)移偏(pian)差(cha)的(de)疊加(jia)，有利(li)于(yu)提高所形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)的(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)(jie)(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)與(yu)(yu)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)(jie)(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)區之間的(de)對(dui)準(zhun)精度(du)，同(tong)時，與(yu)(yu)傳統的(de)利(li)用光(guang)(guang)刻(ke)(ke)工藝定(ding)義出的(de)孔狀接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)窗(chuang)相(xiang)比，本實施例中，在(zai)(zai)第(di)(di)一(yi)隔離屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)和第(di)(di)二(er)隔離屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)的(de)界定(ding)下，使存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)(jie)(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)的(de)邊(bian)界能(neng)夠延伸至(zhi)第(di)(di)一(yi)隔離屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)和第(di)(di)二(er)隔離屏(ping)(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)的(de)側壁位置(zhi)，大(da)大(da)增加(jia)了存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)(jie)(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)的(de)面積，有利(li)于(yu)減小存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)(jie)(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)和存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節(jie)(jie)(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)區之間的(de)接(jie)(jie)觸(chu)(chu)(chu)電(dian)阻。

實施例二

與(yu)實施(shi)例一(yi)的(de)區(qu)別在(zai)于，本(ben)(ben)實施(shi)例的(de)存儲(chu)(chu)器的(de)形成(cheng)(cheng)方(fang)(fang)法中，對(dui)(dui)應字線導(dao)體的(de)第(di)一(yi)隔離屏障的(de)表面高于對(dui)(dui)應位線的(de)第(di)二(er)隔離屏障的(de)表面，從而(er)可利用第(di)一(yi)隔離屏障自對(dui)(dui)準(zhun)地形成(cheng)(cheng)一(yi)連續的(de)導(dao)電層，所述導(dao)電層沿著第(di)一(yi)方(fang)(fang)向延伸，進而(er)在(zai)制(zhi)備存儲(chu)(chu)節點(dian)接觸時，有(you)利于調整(zheng)存儲(chu)(chu)節點(dian)接觸的(de)延伸方(fang)(fang)向。與(yu)傳統(tong)的(de)形成(cheng)(cheng)方(fang)(fang)法相(xiang)比，本(ben)(ben)實施(shi)例中，不需要利用光刻工藝(yi)額外形成(cheng)(cheng)一(yi)再分(fen)配(pei)層以(yi)對(dui)(dui)存儲(chu)(chu)節點(dian)接觸的(de)延伸方(fang)(fang)向進行調整(zheng)，有(you)利于簡化工藝(yi)。

圖9為本(ben)發明實(shi)施(shi)例(li)二(er)(er)(er)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)存儲器的(de)(de)形成(cheng)(cheng)方法的(de)(de)流程示意圖，如圖9所(suo)示，在(zai)(zai)本(ben)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)(zhong)，對(dui)應(ying)(ying)位線(xian)(xian)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)屏(ping)障的(de)(de)表面(mian)(mian)(mian)低(di)(di)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)障的(de)(de)表面(mian)(mian)(mian)，即(ji)(ji)，第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)的(de)(de)表面(mian)(mian)(mian)也(ye)相(xiang)應(ying)(ying)的(de)(de)低(di)(di)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)一隔(ge)離(li)線(xian)(xian)的(de)(de)表面(mian)(mian)(mian)。因此，在(zai)(zai)形成(cheng)(cheng)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)之(zhi)(zhi)(zhi)前的(de)(de)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(包括，步(bu)(bu)(bu)(bu)驟s110-步(bu)(bu)(bu)(bu)驟s140)與實(shi)施(shi)例(li)一類(lei)似(si)，可(ke)直接參考上述(shu)(shu)實(shi)施(shi)例(li)(參考圖2a-5c所(suo)示)，此處(chu)不(bu)做贅述(shu)(shu)。本(ben)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)(zhong)僅針對(dui)形成(cheng)(cheng)位線(xian)(xian)之(zhi)(zhi)(zhi)后(hou)(hou)的(de)(de)步(bu)(bu)(bu)(bu)驟(步(bu)(bu)(bu)(bu)驟s150’-步(bu)(bu)(bu)(bu)驟s170’)進(jin)行詳細說(shuo)明，其中(zhong)(zhong)(zhong)，形成(cheng)(cheng)位線(xian)(xian)之(zhi)(zhi)(zhi)后(hou)(hou)的(de)(de)襯底的(de)(de)結構可(ke)參考圖5a-圖5c所(suo)示。此外，在(zai)(zai)形成(cheng)(cheng)表面(mian)(mian)(mian)低(di)(di)于(yu)第(di)(di)(di)一隔(ge)離(li)線(xian)(xian)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)時，可(ke)以(yi)在(zai)(zai)去除字(zi)線(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)之(zhi)(zhi)(zhi)前(即(ji)(ji)，步(bu)(bu)(bu)(bu)驟s160’之(zhi)(zhi)(zhi)前)，直接形成(cheng)(cheng)具有較(jiao)低(di)(di)表面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)；也(ye)可(ke)以(yi)在(zai)(zai)去除字(zi)線(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)之(zhi)(zhi)(zhi)后(hou)(hou)(即(ji)(ji)，步(bu)(bu)(bu)(bu)驟s160’之(zhi)(zhi)(zhi)后(hou)(hou))，接著對(dui)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)進(jin)行刻(ke)蝕，以(yi)調(diao)整第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)的(de)(de)高度(du)。本(ben)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong)(zhong)(zhong)，以(yi)在(zai)(zai)去除字(zi)線(xian)(xian)掩(yan)膜(mo)(mo)之(zhi)(zhi)(zhi)前直接形成(cheng)(cheng)具有較(jiao)低(di)(di)表面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)(er)(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)為例(li)，進(jin)行解釋說(shuo)明。

圖10a為本(ben)(ben)發(fa)明實施例二(er)(er)中的(de)(de)(de)存(cun)儲(chu)器的(de)(de)(de)形成方法在(zai)其執行(xing)步驟s150’時(shi)的(de)(de)(de)俯視圖，圖10b為圖10a所示的(de)(de)(de)本(ben)(ben)發(fa)明實施例二(er)(er)中的(de)(de)(de)存(cun)儲(chu)器的(de)(de)(de)形成方法在(zai)其執行(xing)步驟s150’時(shi)沿aa’、bb’和cc方向的(de)(de)(de)剖面(mian)圖。需說明的(de)(de)(de)是，圖10a中僅(jin)示意性(xing)的(de)(de)(de)示出了(le)部分的(de)(de)(de)有源(yuan)區。

在步(bu)驟s150’中(zhong)，具體參考圖10a和圖10b所(suo)示(shi)，形成一(yi)第二(er)(er)(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)線180’在所(suo)述(shu)(shu)襯底(di)100上，所(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)線180’填充所(suo)述(shu)(shu)位(wei)線溝槽160a以覆蓋所(suo)述(shu)(shu)位(wei)線160，所(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)線180’沿著所(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)(er)(er)方(fang)向(x方(fang)向)延伸，并與所(suo)述(shu)(shu)位(wei)線160共同用(yong)于構(gou)成一(yi)第二(er)(er)(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)(zhang)181’，且所(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)(zhang)181’的(de)表(biao)面低于所(suo)述(shu)(shu)第一(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)(zhang)151的(de)表(biao)面。

其中，所述(shu)第一(yi)(yi)隔(ge)離(li)(li)線150沿(yan)著所述(shu)第一(yi)(yi)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang))延(yan)伸用于(yu)構成所述(shu)第一(yi)(yi)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)151，由于(yu)所述(shu)第二(er)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)181’的(de)表面(mian)低于(yu)所述(shu)第一(yi)(yi)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)151的(de)表面(mian)，因此(ci)，兩(liang)條(tiao)相(xiang)鄰的(de)第一(yi)(yi)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)151可界定出一(yi)(yi)沿(yan)著第一(yi)(yi)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang))延(yan)伸的(de)空(kong)間，在(zai)后續的(de)工藝中，可在(zai)所述(shu)空(kong)間中自對準地形成一(yi)(yi)沿(yan)著第一(yi)(yi)方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang)(y方(fang)(fang)(fang)向(xiang)(xiang)(xiang))延(yan)伸的(de)連續的(de)導電層。

此外，所(suo)述(shu)第二隔(ge)離(li)(li)線(xian)180’可以為(wei)(wei)單層結(jie)構(gou)也(ye)可以為(wei)(wei)疊(die)層結(jie)構(gou)，本實施例中采用(yong)疊(die)層結(jie)構(gou)的(de)第二隔(ge)離(li)(li)線(xian)180’。具體的(de)，所(suo)述(shu)第二隔(ge)離(li)(li)線(xian)180’的(de)形成方法(fa)可參考如下步驟：

第一步(bu)驟，形成一隔離層180a’在所(suo)(suo)述襯底100上，所(suo)(suo)述隔離層層180a’覆(fu)蓋(gai)(gai)所(suo)(suo)述位線溝槽160a的底部和側壁以覆(fu)蓋(gai)(gai)所(suo)(suo)述位線160；

第二步驟，填充(chong)一掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)蓋(gai)(gai)(gai)層(ceng)180b’在位線(xian)溝槽(cao)中(zhong)，所述(shu)(shu)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)蓋(gai)(gai)(gai)層(ceng)180b’的(de)(de)表面(mian)低于(yu)所述(shu)(shu)第一隔離(li)(li)線(xian)150的(de)(de)表面(mian)，具(ju)體可利用回(hui)刻(ke)蝕(shi)工藝調整所述(shu)(shu)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)蓋(gai)(gai)(gai)層(ceng)180b’的(de)(de)高度，位于(yu)所述(shu)(shu)位線(xian)溝槽(cao)160a中(zhong)的(de)(de)所述(shu)(shu)掩(yan)(yan)膜(mo)(mo)蓋(gai)(gai)(gai)層(ceng)180b’和所述(shu)(shu)隔離(li)(li)層(ceng)180a’構成所述(shu)(shu)第二隔離(li)(li)線(xian)180’。

其中(zhong)，還可在(zai)(zai)形(xing)成(cheng)掩(yan)(yan)(yan)膜蓋層(ceng)(ceng)180b’之后(hou)，進(jin)一(yi)步(bu)利用(yong)所述(shu)(shu)掩(yan)(yan)(yan)膜蓋層(ceng)(ceng)180b’定義出所述(shu)(shu)隔離(li)(li)層(ceng)(ceng)180a’的高(gao)(gao)度，即(ji)在(zai)(zai)形(xing)成(cheng)掩(yan)(yan)(yan)膜蓋層(ceng)(ceng)180b’之后(hou)，以所述(shu)(shu)掩(yan)(yan)(yan)膜蓋層(ceng)(ceng)180b’為(wei)刻蝕(shi)停(ting)止(zhi)層(ceng)(ceng)執行回刻蝕(shi)工藝去除(chu)部分(fen)隔離(li)(li)層(ceng)(ceng)180a’，使剩余(yu)的隔離(li)(li)層(ceng)(ceng)180a’僅形(xing)成(cheng)在(zai)(zai)位線溝槽(cao)160a中(zhong)，并不高(gao)(gao)于所述(shu)(shu)掩(yan)(yan)(yan)膜蓋層(ceng)(ceng)180b’。

繼續參考圖(tu)10a和(he)圖(tu)10b所(suo)示，與實施例(li)一(yi)類似的(de)(de)，本實施例(li)中(zhong)，所(suo)述(shu)間隔(ge)絕(jue)(jue)緣(yuan)層170’、第(di)二(er)隔(ge)離線180’和(he)所(suo)述(shu)位線160共同構成(cheng)所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔(ge)離屏(ping)障181’，因(yin)此，在該(gai)步(bu)驟中(zhong)，還可相應的(de)(de)對(dui)間隔(ge)絕(jue)(jue)緣(yuan)層170’進行(xing)刻蝕，并使間隔(ge)絕(jue)(jue)緣(yuan)層170’的(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)不高(gao)于(yu)所(suo)述(shu)掩(yan)膜蓋層180b’的(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)，進而確保所(suo)述(shu)第(di)二(er)隔(ge)離屏(ping)障181’的(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)低于(yu)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)隔(ge)離屏(ping)障151的(de)(de)表(biao)面(mian)(mian)。

圖(tu)11a為本(ben)發(fa)明(ming)實施例二的存(cun)儲(chu)器的形成方法(fa)中(zhong)在其執行步驟s160’過程中(zhong)的俯視圖(tu)，圖(tu)11b為圖(tu)11a所示的本(ben)發(fa)明(ming)實施例二的存(cun)儲(chu)器的形成方法(fa)中(zhong)在其執行步驟s160’過程中(zhong)沿(yan)aa’、bb’和cc方向(xiang)的剖面圖(tu)。

步驟s160’中(zhong)，具體(ti)參考圖(tu)11a和(he)(he)(he)圖(tu)11b所(suo)(suo)示，以所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二隔(ge)離(li)(li)線180a’和(he)(he)(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)線150為掩(yan)膜，去(qu)除所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字線掩(yan)膜以暴露出所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二接(jie)觸區112a，其(qi)中(zhong)，兩(liang)條相鄰(lin)的(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)151之間的(de)間隔(ge)界(jie)定出一(yi)沿著(zhu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)方(fang)向(xiang)(y方(fang)向(xiang))延伸的(de)凹槽(cao)152，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)凹槽(cao)152中(zhong)對應(ying)有(you)多個頂部相互(hu)連通的(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)觸窗190a’。所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)觸窗190a’由(you)第(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)151和(he)(he)(he)第(di)(di)二隔(ge)離(li)(li)屏障(zhang)181’相交(jiao)而界(jie)定出。

即(ji)，與實(shi)施例一的(de)(de)區別在于(yu)，本實(shi)施例中，由于(yu)第(di)一隔(ge)離屏障(zhang)151的(de)(de)表面(mian)高(gao)(gao)于(yu)所述(shu)第(di)二(er)隔(ge)離屏障(zhang)181’的(de)(de)表面(mian)，因(yin)此，由第(di)一隔(ge)離屏障(zhang)151和第(di)二(er)隔(ge)離屏障(zhang)181’所界定出的(de)(de)接觸(chu)(chu)窗190a’中，所述(shu)接觸(chu)(chu)窗190a’在第(di)一方(fang)向(xiang)(y方(fang)向(xiang))的(de)(de)側壁(bi)高(gao)(gao)度小(xiao)于(yu)其在第(di)二(er)方(fang)向(xiang)(x方(fang)向(xiang))上的(de)(de)側壁(bi)高(gao)(gao)度，即(ji)，在第(di)一方(fang)向(xiang)上相(xiang)鄰的(de)(de)接觸(chu)(chu)窗190a’的(de)(de)頂部相(xiang)互連通。

圖(tu)(tu)12a為本(ben)發明實(shi)施例二(er)中的(de)存(cun)儲器(qi)的(de)形成(cheng)方法在其執(zhi)行步驟s170’時(shi)的(de)俯視(shi)圖(tu)(tu)，圖(tu)(tu)12b為圖(tu)(tu)12a所示的(de)本(ben)發明實(shi)施例二(er)中的(de)存(cun)儲器(qi)的(de)形成(cheng)方法在其執(zhi)行步驟s170’時(shi)沿aa’、bb’和cc方向(xiang)的(de)剖面圖(tu)(tu)。

在(zai)步(bu)驟s170’中(zhong)，具體參考圖12a和圖12b所(suo)示，形(xing)成一導(dao)電(dian)(dian)層(ceng)190’在(zai)所(suo)述(shu)襯(chen)底(di)100上，所(suo)述(shu)導(dao)電(dian)(dian)層(ceng)190’填充(chong)在(zai)所(suo)述(shu)凹槽152中(zhong)，并(bing)且位于(yu)同一所(suo)述(shu)凹槽152中(zhong)的(de)(de)多(duo)個所(suo)述(shu)接觸窗(chuang)190’中(zhong)的(de)(de)所(suo)述(shu)導(dao)電(dian)(dian)層(ceng)190’相(xiang)互(hu)連接。即，在(zai)同一凹槽152中(zhong)，所(suo)述(shu)導(dao)電(dian)(dian)層(ceng)190’覆蓋所(suo)述(shu)第二隔離屏障181’，以使多(duo)個位于(yu)所(suo)述(shu)接觸窗(chuang)190’中(zhong)的(de)(de)所(suo)述(shu)導(dao)電(dian)(dian)層(ceng)190’相(xiang)互(hu)連接，所(suo)述(shu)導(dao)電(dian)(dian)層(ceng)190’用于(yu)后(hou)續(xu)形(xing)成存儲節點(dian)接觸。

如圖12a所(suo)示(shi)，在(zai)所(suo)述凹槽152中(zhong)，所(suo)述導電(dian)(dian)層(ceng)190’沿著第一方向連續(xu)延伸，此(ci)外，由(you)于第二(er)隔離(li)(li)(li)線(xian)180’的(de)(de)表(biao)面低(di)于所(suo)述第一隔離(li)(li)(li)線(xian)150的(de)(de)表(biao)面，因此(ci)，在(zai)第一隔離(li)(li)(li)線(xian)180’和第二(er)隔離(li)(li)(li)線(xian)150相交的(de)(de)區(qu)域上也覆(fu)蓋有所(suo)述導電(dian)(dian)層(ceng)190’。

本實施例中，所述(shu)(shu)導電層190’可利用沉積工(gong)藝(yi)(yi)(yi)和(he)平坦化工(gong)藝(yi)(yi)(yi)形成，所述(shu)(shu)平坦化工(gong)藝(yi)(yi)(yi)例如為(wei)化學(xue)機械(xie)研(yan)磨工(gong)藝(yi)(yi)(yi)或回刻(ke)蝕工(gong)藝(yi)(yi)(yi)。具體的，所述(shu)(shu)導電層190’的形成步驟包括：

步驟一，形成一導電材料層在所(suo)(suo)述(shu)襯底100上，所(suo)(suo)述(shu)導電材料層100填充(chong)所(suo)(suo)述(shu)凹槽(cao)152并覆蓋所(suo)(suo)述(shu)第(di)一隔離(li)屏(ping)障151和所(suo)(suo)述(shu)第(di)二隔離(li)屏(ping)障181’；

步驟二，可利(li)用(yong)平坦化工藝(yi)(yi)，去除位(wei)于所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)151頂部的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)導(dao)電(dian)材料層(ceng)(ceng)(ceng)，使(shi)剩(sheng)余(yu)的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)導(dao)電(dian)材料層(ceng)(ceng)(ceng)僅(jin)填充在所(suo)(suo)述(shu)凹(ao)槽152中以構(gou)成所(suo)(suo)述(shu)導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)190’，且(qie)所(suo)(suo)述(shu)導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)190’覆蓋所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)二隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)181’，使(shi)位(wei)于同(tong)一(yi)所(suo)(suo)述(shu)凹(ao)槽152中的(de)(de)多(duo)個所(suo)(suo)述(shu)接觸窗190a’中的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)190’相互連接；在該步驟中，可利(li)用(yong)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)151作為刻蝕(shi)停止(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)執行回(hui)刻蝕(shi)工藝(yi)(yi)，以使(shi)導(dao)電(dian)材料層(ceng)(ceng)(ceng)僅(jin)形(xing)成在凹(ao)槽152中，或者，也可利(li)用(yong)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)一(yi)隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)151為研(yan)磨停止(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)執行化學機械研(yan)磨工藝(yi)(yi)等(deng)。

可(ke)選的(de)(de)方案中，在(zai)形(xing)成(cheng)所(suo)述(shu)(shu)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’之(zhi)前，還(huan)可(ke)先(xian)去除所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)180’中的(de)(de)掩膜蓋(gai)層(ceng)(ceng)180b’，接著再形(xing)成(cheng)所(suo)述(shu)(shu)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’，此時，所(suo)述(shu)(shu)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’覆(fu)蓋(gai)所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)180’中的(de)(de)隔(ge)離(li)層(ceng)(ceng)180a’，從而可(ke)使凹槽152中兩個相鄰的(de)(de)接觸窗190a’之(zhi)間的(de)(de)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’具有較大的(de)(de)連(lian)(lian)接空(kong)間，確(que)保所(suo)述(shu)(shu)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’能夠(gou)在(zai)凹槽152中形(xing)成(cheng)一連(lian)(lian)續的(de)(de)膜層(ceng)(ceng)。當然，由(you)于(yu)(yu)第(di)二(er)隔(ge)離(li)線(xian)(xian)180’的(de)(de)表面低(di)于(yu)(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一隔(ge)離(li)線(xian)(xian)150，因此，也可(ke)以不去除所(suo)述(shu)(shu)掩膜蓋(gai)層(ceng)(ceng)180b’，只要所(suo)形(xing)成(cheng)的(de)(de)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’能夠(gou)在(zai)凹槽152中形(xing)成(cheng)一連(lian)(lian)續的(de)(de)膜層(ceng)(ceng)即可(ke)。

本實施例中(zhong)，保(bao)留掩(yan)膜蓋(gai)(gai)層(ceng)(ceng)180b’，從(cong)(cong)而使(shi)所(suo)(suo)(suo)形(xing)成的(de)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’覆蓋(gai)(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二隔離線180’中(zhong)的(de)掩(yan)膜蓋(gai)(gai)層(ceng)(ceng)180b’。進一(yi)步的(de)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)掩(yan)膜蓋(gai)(gai)層(ceng)(ceng)180b’可采用一(yi)導(dao)電材(cai)料(liao)形(xing)成，且所(suo)(suo)(suo)述(shu)掩(yan)膜蓋(gai)(gai)層(ceng)(ceng)180b’的(de)導(dao)電材(cai)料(liao)和所(suo)(suo)(suo)述(shu)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’的(de)導(dao)電材(cai)料(liao)相(xiang)同(tong)，從(cong)(cong)而在形(xing)成所(suo)(suo)(suo)述(shu)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’之后(hou)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)掩(yan)膜蓋(gai)(gai)層(ceng)(ceng)180b’與所(suo)(suo)(suo)述(shu)導(dao)電層(ceng)(ceng)190’可相(xiang)互連(lian)接(jie)以共同(tong)用于形(xing)成存儲節點接(jie)觸。

本實施例所提供的(de)存(cun)儲器的(de)形成方(fang)(fang)法(fa)中(zhong)(zhong)，可在(zai)界定出對(dui)(dui)應有第(di)二(er)接觸(chu)(chu)區(qu)的(de)接觸(chu)(chu)窗(chuang)的(de)基礎上，進(jin)一步(bu)利(li)用(yong)第(di)一隔離(li)屏(ping)障和第(di)二(er)隔離(li)屏(ping)障的(de)高度(du)差，使在(zai)第(di)一隔離(li)屏(ping)障所界定出的(de)凹槽中(zhong)(zhong)，對(dui)(dui)應有多個頂(ding)部相互連(lian)通的(de)接觸(chu)(chu)窗(chuang)，進(jin)而可在(zai)該凹槽中(zhong)(zhong)形成一沿第(di)一方(fang)(fang)向(xiang)延(yan)伸的(de)連(lian)續的(de)導(dao)電(dian)層。如此(ci)一來，在(zai)對(dui)(dui)所述導(dao)電(dian)層利(li)用(yong)相關的(de)分割技(ji)術制(zhi)備存(cun)儲節(jie)點接觸(chu)(chu)時，可直接對(dui)(dui)存(cun)儲節(jie)點接觸(chu)(chu)的(de)延(yan)伸方(fang)(fang)向(xiang)進(jin)行調(diao)整，以便(bian)于(yu)進(jin)一步(bu)對(dui)(dui)后(hou)續所形成的(de)電(dian)容器的(de)排布方(fang)(fang)式(shi)進(jin)行調(diao)整。

例(li)如，可參(can)考(kao)圖12a所(suo)示，其中(zhong)導(dao)電層(ceng)分(fen)(fen)割(ge)線192示意性的(de)(de)(de)示出一(yi)(yi)種對(dui)(dui)導(dao)電層(ceng)190’的(de)(de)(de)分(fen)(fen)割(ge)方法(fa)，即(ji)，通(tong)過(guo)相(xiang)(xiang)(xiang)應(ying)的(de)(de)(de)分(fen)(fen)割(ge)技術，使(shi)分(fen)(fen)割(ge)后的(de)(de)(de)各個導(dao)電層(ceng)190’之(zhi)間相(xiang)(xiang)(xiang)互斷開，并且與第二接觸區(qu)(存(cun)儲(chu)節(jie)點(dian)接觸區(qu)112a)對(dui)(dui)應(ying)連接的(de)(de)(de)導(dao)電層(ceng)190’構成(cheng)存(cun)儲(chu)節(jie)點(dian)接觸。此(ci)外，可使(shi)位于同一(yi)(yi)凹槽152中(zhong)的(de)(de)(de)對(dui)(dui)應(ying)不(bu)同接觸窗190a’的(de)(de)(de)存(cun)儲(chu)節(jie)點(dian)接觸在第一(yi)(yi)方向(xiang)(xiang)上沿著同一(yi)(yi)方向(xiang)(xiang)延(yan)伸，而(er)位于相(xiang)(xiang)(xiang)鄰(lin)的(de)(de)(de)凹槽152中(zhong)存(cun)儲(chu)節(jie)點(dian)接觸可在第一(yi)(yi)方向(xiang)(xiang)上沿著相(xiang)(xiang)(xiang)反方向(xiang)(xiang)延(yan)伸，進而(er)使(shi)所(suo)形成(cheng)的(de)(de)(de)存(cun)儲(chu)節(jie)點(dian)接觸相(xiang)(xiang)(xiang)互交錯排布。

在傳統的(de)(de)存(cun)儲(chu)器的(de)(de)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)方(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)中，為便于與后(hou)續(xu)所形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)的(de)(de)電容(rong)器的(de)(de)排布方(fang)(fang)(fang)式相契(qi)合，通常需(xu)結合光(guang)刻工藝在襯底上(shang)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)一再(zai)分(fen)配(pei)層，從而利(li)(li)用所述再(zai)分(fen)配(pei)層對存(cun)儲(chu)節點(dian)接觸的(de)(de)延伸(shen)方(fang)(fang)(fang)向進行(xing)(xing)調(diao)整(zheng)。由此可見，與傳統的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)相比，本實施例提供的(de)(de)形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)方(fang)(fang)(fang)法(fa)(fa)中，可利(li)(li)用導(dao)電層直接形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)存(cun)儲(chu)節點(dian)接觸并對存(cun)儲(chu)節點(dian)接觸的(de)(de)延伸(shen)方(fang)(fang)(fang)向進行(xing)(xing)調(diao)整(zheng)，而不需(xu)要再(zai)額(e)外形(xing)(xing)(xing)(xing)成(cheng)(cheng)一再(zai)分(fen)配(pei)層，可減少光(guang)刻工藝的(de)(de)執行(xing)(xing)次數，有利(li)(li)于簡化工藝。

實施例三

本發明還提供了(le)一種(zhong)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)器，所(suo)述(shu)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)器中(zhong)的(de)(de)對(dui)應存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節點(dian)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗(chuang)(chuang)直接(jie)(jie)(jie)(jie)由(you)對(dui)應字線導體的(de)(de)第(di)一隔離屏障(zhang)和對(dui)應位(wei)線的(de)(de)第(di)二(er)(er)隔離屏障(zhang)界(jie)定出，從而使所(suo)界(jie)定出的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗(chuang)(chuang)的(de)(de)邊界(jie)分(fen)別延伸至靠近(jin)位(wei)線和靠近(jin)字線導體的(de)(de)側壁位(wei)置，因此，所(suo)述(shu)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗(chuang)(chuang)在高(gao)度方(fang)向上(shang)的(de)(de)投影不僅能夠覆蓋第(di)二(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)區(qu)，并且所(suo)述(shu)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗(chuang)(chuang)的(de)(de)投影面積大(da)于(yu)第(di)二(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)區(qu)在高(gao)度方(fang)向上(shang)的(de)(de)投影面積。如(ru)此，一方(fang)面，可使所(suo)形成的(de)(de)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節點(dian)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)能夠完全(quan)與(yu)(yu)第(di)二(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)區(qu)電(dian)性連接(jie)(jie)(jie)(jie)；另一方(fang)面，存(cun)(cun)(cun)儲(chu)節點(dian)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)與(yu)(yu)第(di)二(er)(er)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)區(qu)之間還具(ju)有較大(da)的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)面積，有利(li)于(yu)減小兩者之間的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸(chu)電(dian)阻，提高(gao)存(cun)(cun)(cun)儲(chu)器的(de)(de)性能。

本實施(shi)例(li)中，不僅利用第一隔離(li)(li)屏障(zhang)和第二隔離(li)(li)屏障(zhang)界(jie)定出對應存儲節(jie)點接觸(chu)(chu)的(de)接觸(chu)(chu)窗，同時還(huan)可在所述接觸(chu)(chu)窗的(de)限定下，自對準地形(xing)成存儲節(jie)點接觸(chu)(chu)。以下結合附圖對本實施(shi)例(li)中的(de)存儲器進行詳細說明。

圖(tu)13a為本發(fa)明實施例三(san)中的(de)存(cun)(cun)(cun)儲器的(de)俯視圖(tu)，圖(tu)13b為圖(tu)13a所(suo)(suo)示的(de)本發(fa)明實施例三(san)中的(de)存(cun)(cun)(cun)儲器沿(yan)aa’、bb’和(he)cc方向的(de)剖面(mian)圖(tu)。如圖(tu)13a和(he)圖(tu)13b所(suo)(suo)示，所(suo)(suo)述存(cun)(cun)(cun)儲器包括：

一襯(chen)底200，所(suo)(suo)襯(chen)底200上(shang)定義有多(duo)個相對于(yu)第(di)一方向(xiang)傾斜(xie)延伸的有源區(qu)(qu)(qu)(qu)210，所(suo)(suo)述(shu)(shu)有源區(qu)(qu)(qu)(qu)210上(shang)形(xing)成有一第(di)一接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)和多(duo)個第(di)二(er)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)，多(duo)個所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)延伸在所(suo)(suo)述(shu)(shu)有源區(qu)(qu)(qu)(qu)的延伸方向(xiang)上(shang)且位于(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)的兩側；本實施例(li)中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)為(wei)位線接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)211a，第(di)二(er)接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)為(wei)存(cun)儲節點接觸(chu)區(qu)(qu)(qu)(qu)212a；

多(duo)條字線導體240，形(xing)成在(zai)所述(shu)襯(chen)底200中并沿(yan)著第一方(fang)向(y方(fang)向)延伸，在(zai)所述(shu)字線導體240的(de)兩(liang)側分布有多(duo)個沿(yan)所述(shu)第一方(fang)向排布的(de)所述(shu)第二接(jie)(jie)觸(chu)區(qu)(存儲節(jie)點接(jie)(jie)觸(chu)區(qu)212a)，并用以區(qu)隔(ge)所述(shu)第一接(jie)(jie)觸(chu)區(qu)211a與所述(shu)第二接(jie)(jie)觸(chu)區(qu)212a；

多(duo)條(tiao)第(di)一隔(ge)離(li)線250，形成在所述(shu)(shu)襯底200上并(bing)對準地覆蓋所述(shu)(shu)字線導體240以用(yong)于構(gou)成一第(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)障251，且所述(shu)(shu)第(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)障251的表面(mian)高于所述(shu)(shu)襯底200的表面(mian)；

多條位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)260，形成(cheng)在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯底200上(shang)并沿(yan)著第二方向(x方向)延伸，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)260與相(xiang)應的有源(yuan)區(qu)210相(xiang)交，以使所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)相(xiang)應的有源(yuan)區(qu)中的所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第一接(jie)(jie)(jie)(jie)觸區(qu)(位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)接(jie)(jie)(jie)(jie)觸區(qu)211a)連接(jie)(jie)(jie)(jie)至所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)260上(shang)，其中，分布在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導體(ti)240的同(tong)一側的多個所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第二接(jie)(jie)(jie)(jie)觸區(qu)(存(cun)儲節(jie)點接(jie)(jie)(jie)(jie)觸區(qu)212a)中，兩(liang)個相(xiang)鄰的所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第二接(jie)(jie)(jie)(jie)觸區(qu)(存(cun)儲節(jie)點接(jie)(jie)(jie)(jie)觸區(qu)212a)分別位(wei)(wei)(wei)于所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)260的兩(liang)側；

多條第(di)二(er)隔離線280，形(xing)成在所(suo)(suo)(suo)述(shu)襯底200上并對(dui)準地(di)覆蓋(gai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)位線260，所(suo)(suo)(suo)述(shu)位線260和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)隔離線280共同(tong)用于構成一(yi)(yi)第(di)二(er)隔離屏(ping)障281，所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)隔離屏(ping)障251和(he)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)隔離屏(ping)障281相交以共同(tong)界(jie)定出多個(ge)接(jie)觸(chu)(chu)290a，多個(ge)所(suo)(suo)(suo)述(shu)接(jie)觸(chu)(chu)窗290a與多個(ge)所(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二(er)接(jie)觸(chu)(chu)區(存儲節點接(jie)觸(chu)(chu)區212a)一(yi)(yi)一(yi)(yi)對(dui)應(ying)；

本實施(shi)例(li)中，所述(shu)第(di)二隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)障(zhang)281的(de)表面(mian)不低于所述(shu)第(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)障(zhang)251的(de)表面(mian)，進(jin)一步的(de)，可使第(di)二隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)障(zhang)281的(de)表面(mian)和(he)第(di)一隔(ge)離(li)屏(ping)(ping)障(zhang)的(de)表面(mian)齊平；可以理(li)解的(de)是，在本實施(shi)例(li)中，接觸(chu)窗290a在各個方向上的(de)側壁高度均一致；以及，

多個存儲(chu)節(jie)點接觸(chu)，由(you)一導電層290形成(cheng)(cheng)在(zai)所述襯底100上并填充所述接觸(chu)窗290a構成(cheng)(cheng)。

本(ben)實施例中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)存(cun)儲節點接(jie)觸(chu)對(dui)(dui)準地填充(chong)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)窗(chuang)290a中。可以理解(jie)的(de)(de)是，在接(jie)觸(chu)窗(chuang)290a的(de)(de)限(xian)定下，所(suo)(suo)述(shu)(shu)導(dao)電(dian)層(ceng)290沿著第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障251的(de)(de)和第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障281的(de)(de)側壁(bi)對(dui)(dui)準地填充(chong)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)接(jie)觸(chu)窗(chuang)290a中，并且相(xiang)鄰的(de)(de)導(dao)電(dian)層(ceng)290利用(yong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障和第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障相(xiang)互(hu)隔(ge)(ge)離(li)(li)，即，所(suo)(suo)述(shu)(shu)存(cun)儲節點接(jie)觸(chu)在所(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底上的(de)(de)邊(bian)界(jie)(jie)是由所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障與所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)(ping)障所(suo)(suo)界(jie)(jie)定的(de)(de)。

進(jin)一(yi)(yi)步的(de)(de)(de)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)存儲器還(huan)可(ke)進(jin)一(yi)(yi)步包括(kuo)一(yi)(yi)掩膜(mo)(mo)底(di)層(ceng)(ceng)(圖中未示出)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)掩膜(mo)(mo)底(di)層(ceng)(ceng)形成在襯底(di)200上(shang)并連接(jie)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)隔(ge)離(li)線(xian)250，用(yong)以遮蓋(gai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)接(jie)觸區(qu)211a對應在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)接(jie)觸窗290a中的(de)(de)(de)部位。可(ke)選的(de)(de)(de)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)掩膜(mo)(mo)底(di)層(ceng)(ceng)、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)隔(ge)離(li)線(xian)250與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二隔(ge)離(li)線(xian)280包含相近刻蝕選擇(ze)比(bi)的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)，進(jin)一(yi)(yi)步的(de)(de)(de)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)掩膜(mo)(mo)底(di)層(ceng)(ceng)、所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)(yi)隔(ge)離(li)線(xian)250與(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)第(di)二隔(ge)離(li)線(xian)280可(ke)采用(yong)同一(yi)(yi)種材(cai)料(liao)形成，例如可(ke)均采用(yong)氮化(hua)硅形成。

此外，在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)260中的(de)(de)(de)(de)不同區(qu)段(duan)(duan)(duan)的(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)上可相應的(de)(de)(de)(de)設置(zhi)(zhi)不同的(de)(de)(de)(de)厚度，確保(bao)字線(xian)240和位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)260之間(jian)保(bao)持一(yi)(yi)(yi)絕緣距(ju)離(li)，具體的(de)(de)(de)(de)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)260在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)隔離(li)屏(ping)障281交(jiao)錯所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)隔離(li)屏(ping)障251的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)段(duan)(duan)(duan)具有第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)厚度，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)260在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)隔離(li)屏(ping)障281未交(jiao)錯所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)隔離(li)屏(ping)障251的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)區(qu)段(duan)(duan)(duan)具有第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)厚度，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)厚度小于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)厚度。即，使(shi)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)260中對(dui)應字線(xian)240位(wei)(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)段(duan)(duan)(duan)的(de)(de)(de)(de)厚度，小于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)260中不對(dui)應字線(xian)位(wei)(wei)(wei)(wei)置(zhi)(zhi)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)區(qu)段(duan)(duan)(duan)的(de)(de)(de)(de)厚度，從而在(zai)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)段(duan)(duan)(duan)和第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)區(qu)段(duan)(duan)(duan)的(de)(de)(de)(de)表面高度齊(qi)平(ping)的(de)(de)(de)(de)基礎上，可使(shi)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)區(qu)段(duan)(duan)(duan)的(de)(de)(de)(de)位(wei)(wei)(wei)(wei)線(xian)與字線(xian)之間(jian)具備較大的(de)(de)(de)(de)絕緣距(ju)離(li)。

繼續參考圖(tu)(tu)13a和(he)圖(tu)(tu)13b所示，所述襯底200中(zhong)還形成有(you)多個隔(ge)離結構(gou)220，所述隔(ge)離結構(gou)220位于(yu)有(you)源(yuan)區210的(de)外圍，用于(yu)對相(xiang)鄰的(de)有(you)源(yuan)區210進行隔(ge)離。

接著參考(kao)圖13a所示，本實施例中(zhong)，一個有源區210中(zhong)形成(cheng)有一個位(wei)(wei)線接觸(chu)(chu)區211a和兩個存儲節(jie)點接觸(chu)(chu)區212a。其中(zhong)，所述(shu)位(wei)(wei)線接觸(chu)(chu)區211a位(wei)(wei)于(yu)所述(shu)有源區210的(de)(de)在(zai)垂(chui)直于(yu)其延伸方(fang)向(xiang)上的(de)(de)中(zhong)心線位(wei)(wei)置(zhi)，兩個所述(shu)存儲節(jie)點接觸(chu)(chu)區212a位(wei)(wei)于(yu)所述(shu)位(wei)(wei)線接觸(chu)(chu)區211a的(de)(de)兩側(ce)。

具體的(de)(de)，所述(shu)有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)210沿著z方(fang)向(xiang)延(yan)伸。所述(shu)有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)的(de)(de)延(yan)伸方(fang)向(xiang)(z方(fang)向(xiang))與第一方(fang)向(xiang)之間的(de)(de)銳角夾(jia)角可(ke)以為50°～70°，例如為60°。進一步的(de)(de)，多(duo)個所述(shu)有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)210呈多(duo)行(xing)(xing)排(pai)布，有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)210傾斜延(yan)伸，因此在(zai)(zai)同一行(xing)(xing)有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)210中可(ke)使相鄰的(de)(de)有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)110在(zai)(zai)垂直(zhi)于(yu)(yu)行(xing)(xing)方(fang)向(xiang)的(de)(de)投影具有部分重合，如此一來，可(ke)有利(li)于(yu)(yu)提(ti)高有源(yuan)區(qu)(qu)(qu)陣(zhen)列(lie)的(de)(de)密集程度。

本(ben)實(shi)(shi)施例中(zhong)，所述(shu)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)(ti)240為掩埋字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)，即，在襯底(di)200中(zhong)形(xing)成有(you)(you)一(yi)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽240a，所述(shu)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)(ti)240形(xing)成在所述(shu)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽240中(zhong)。其中(zhong)，所述(shu)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)(ti)240與相(xiang)應(ying)的(de)有(you)(you)源區(qu)210相(xiang)交，以(yi)使有(you)(you)所述(shu)相(xiang)應(ying)的(de)源區(qu)210中(zhong)的(de)柵極(ji)結(jie)構(gou)連(lian)接至所述(shu)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)(ti)240上，本(ben)實(shi)(shi)施例中(zhong)，位于有(you)(you)源區(qu)中(zhong)210中(zhong)的(de)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)(ti)240同時構(gou)成存儲晶(jing)體(ti)(ti)管的(de)柵極(ji)結(jie)構(gou)。此外，所述(shu)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)(ti)240的(de)表面可低于所述(shu)字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽240a的(de)頂表面，從而使對準覆(fu)蓋(gai)在字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)(ti)240上方的(de)第一(yi)隔(ge)離線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)250能夠(gou)更好實(shi)(shi)現其隔(ge)離效果，避免字(zi)(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體(ti)(ti)240的(de)側壁(bi)暴露出。

繼續參(can)考圖(tu)13a和圖(tu)13b所示，第(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)250填充字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)溝槽240a并(bing)延伸出襯底至預定高度，以對(dui)準的(de)覆蓋所述字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體240。一(yi)(yi)方(fang)面，可(ke)(ke)對(dui)字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體240進(jin)行電(dian)性(xing)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)；另一(yi)(yi)方(fang)面，所述第(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)250還可(ke)(ke)構成一(yi)(yi)第(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)251，進(jin)而可(ke)(ke)與(yu)可(ke)(ke)第(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)屏障(zhang)281共同界定出存儲節點接觸(chu)的(de)形成區域(yu)，也可(ke)(ke)以認為，利(li)用所述第(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)250使相(xiang)鄰的(de)存儲節點接觸(chu)相(xiang)互隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)。此(ci)外，所述第(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)250還部分形成在(zai)(zai)所述位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)260的(de)下方(fang)，例如，在(zai)(zai)對(dui)應(ying)字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體240的(de)位(wei)(wei)置上，位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)260即形成在(zai)(zai)所述第(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)線(xian)(xian)(xian)(xian)250上，以支撐(cheng)所述位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)260并(bing)使位(wei)(wei)線(xian)(xian)(xian)(xian)260和字(zi)線(xian)(xian)(xian)(xian)導(dao)體240相(xiang)互隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)(li)。

進一(yi)步(bu)的(de)，所(suo)(suo)述存(cun)儲(chu)器(qi)還包(bao)括一(yi)間隔(ge)(ge)(ge)(ge)絕緣層(ceng)270，所(suo)(suo)述間隔(ge)(ge)(ge)(ge)絕緣層(ceng)270覆蓋所(suo)(suo)述位(wei)(wei)線(xian)(xian)240的(de)側壁，從而可對(dui)位(wei)(wei)線(xian)(xian)260和鄰(lin)近的(de)存(cun)儲(chu)節(jie)點接觸電性(xing)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)。與(yu)位(wei)(wei)線(xian)(xian)260相對(dui)應的(de)，所(suo)(suo)述間隔(ge)(ge)(ge)(ge)絕緣層(ceng)270也沿(yan)著第二(er)方向(x方向)延伸。進而，可結(jie)合所(suo)(suo)述間隔(ge)(ge)(ge)(ge)絕緣層(ceng)270、所(suo)(suo)述位(wei)(wei)線(xian)(xian)260和所(suo)(suo)述第二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)280共(gong)同構成(cheng)所(suo)(suo)述第二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏障280。本實(shi)施例中(zhong)，所(suo)(suo)述第二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)280可以為一(yi)單層(ceng)結(jie)構，以及可采用(yong)一(yi)絕緣材料形成(cheng)，以用(yong)于對(dui)位(wei)(wei)線(xian)(xian)260進行電性(xing)隔(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)。

實施例四

與實施例三的(de)(de)(de)區別在(zai)于(yu)(yu)，本實施例中，用于(yu)(yu)形成存儲器(qi)節點(dian)(dian)(dian)接觸的(de)(de)(de)導電(dian)層在(zai)第一方(fang)(fang)向(xiang)上連(lian)續延伸，即，在(zai)第一方(fang)(fang)向(xiang)上，位于(yu)(yu)相應(ying)的(de)(de)(de)接觸窗中的(de)(de)(de)導電(dian)層相互連(lian)接。從而，在(zai)形成存儲節點(dian)(dian)(dian)接觸時，不僅可(ke)直接形成對應(ying)第二接觸區的(de)(de)(de)存儲節點(dian)(dian)(dian)接觸，并(bing)且還可(ke)同(tong)時對存儲節點(dian)(dian)(dian)接觸的(de)(de)(de)延伸方(fang)(fang)向(xiang)進行(xing)調整，以(yi)利于(yu)(yu)與后(hou)續所形成的(de)(de)(de)電(dian)容器(qi)的(de)(de)(de)排(pai)布方(fang)(fang)式(shi)相契合。

圖(tu)(tu)14a為(wei)本(ben)發(fa)明實(shi)施(shi)例(li)(li)四中(zhong)(zhong)的(de)存儲(chu)器的(de)俯視圖(tu)(tu)，圖(tu)(tu)14b為(wei)圖(tu)(tu)14a所(suo)(suo)(suo)(suo)示的(de)本(ben)發(fa)明實(shi)施(shi)例(li)(li)四中(zhong)(zhong)的(de)存儲(chu)器沿aa’、bb’和(he)cc方向(xiang)的(de)剖面(mian)圖(tu)(tu)。如圖(tu)(tu)14a和(he)圖(tu)(tu)14b所(suo)(suo)(suo)(suo)示，本(ben)實(shi)施(shi)例(li)(li)中(zhong)(zhong)的(de)存儲(chu)器包(bao)括：一(yi)形成有多個有源區210的(de)襯底200、多條(tiao)字線(xian)(xian)導(dao)(dao)體(ti)240、多條(tiao)對(dui)準覆(fu)蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)導(dao)(dao)體(ti)240的(de)第(di)(di)一(yi)隔離(li)線(xian)(xian)250、多條(tiao)位(wei)線(xian)(xian)260、多條(tiao)對(dui)準覆(fu)蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)位(wei)線(xian)(xian)260的(de)第(di)(di)二隔離(li)線(xian)(xian)280’和(he)一(yi)用于形成存儲(chu)節(jie)點接觸的(de)導(dao)(dao)電(dian)層290’。其中(zhong)(zhong)，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)襯底200、所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)字線(xian)(xian)導(dao)(dao)體(ti)240以(yi)及所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)位(wei)線(xian)(xian)260的(de)結構(gou)和(he)實(shi)施(shi)例(li)(li)三中(zhong)(zhong)的(de)類似，此處不做贅述(shu)，以(yi)下(xia)主要(yao)針對(dui)本(ben)實(shi)施(shi)例(li)(li)中(zhong)(zhong)的(de)第(di)(di)一(yi)隔離(li)線(xian)(xian)250、第(di)(di)二隔離(li)線(xian)(xian)280’以(yi)及導(dao)(dao)電(dian)層290’進行詳細(xi)說明。

本(ben)實施例中(zhong)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)線250沿著第(di)(di)(di)(di)一(yi)方(fang)(fang)(fang)向(y方(fang)(fang)(fang)向)延(yan)伸(shen)(shen)以構(gou)成第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)屏(ping)(ping)障251，第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)線280’和位線260用于(yu)(yu)共同(tong)構(gou)成一(yi)沿著第(di)(di)(di)(di)二(er)方(fang)(fang)(fang)向(x方(fang)(fang)(fang)向)延(yan)伸(shen)(shen)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)屏(ping)(ping)障281’。其(qi)中(zhong)，第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)屏(ping)(ping)障281’的(de)(de)(de)表面低于(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)屏(ping)(ping)障251的(de)(de)(de)表面，進而，兩條(tiao)相(xiang)鄰(lin)的(de)(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)屏(ping)(ping)障251即可(ke)界(jie)定出一(yi)沿著所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)方(fang)(fang)(fang)向延(yan)伸(shen)(shen)的(de)(de)(de)凹(ao)槽252，并且所(suo)(suo)述(shu)凹(ao)槽252中(zhong)對應有(you)多個頂部(bu)相(xiang)互(hu)連(lian)通(tong)的(de)(de)(de)接觸(chu)窗(chuang)290a’，所(suo)(suo)述(shu)接觸(chu)窗(chuang)290a’通(tong)過第(di)(di)(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)屏(ping)(ping)障251和第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)屏(ping)(ping)障281’相(xiang)交以界(jie)定出。所(suo)(suo)述(shu)導(dao)電(dian)層290’對準地填(tian)充(chong)在(zai)所(suo)(suo)述(shu)凹(ao)252中(zhong)，并覆蓋所(suo)(suo)述(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)屏(ping)(ping)障281’，使位于(yu)(yu)同(tong)一(yi)所(suo)(suo)述(shu)凹(ao)槽252中(zhong)的(de)(de)(de)多個所(suo)(suo)述(shu)接觸(chu)窗(chuang)290a’中(zhong)的(de)(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)導(dao)電(dian)層290’相(xiang)互(hu)連(lian)接，即，所(suo)(suo)述(shu)導(dao)電(dian)層290’沿著第(di)(di)(di)(di)一(yi)方(fang)(fang)(fang)向連(lian)續延(yan)伸(shen)(shen)。

繼續參考圖14b所(suo)示，第(di)(di)二隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)281’的表(biao)(biao)(biao)面(mian)低(di)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔離(li)(li)屏(ping)障(zhang)251的表(biao)(biao)(biao)面(mian)，因此，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二隔離(li)(li)線280’的表(biao)(biao)(biao)面(mian)也相應的低(di)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔離(li)(li)線250的表(biao)(biao)(biao)面(mian)。其中，所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二隔離(li)(li)線280’包括(kuo)一(yi)隔離(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280a’和(he)一(yi)掩(yan)膜(mo)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280b’。所(suo)述(shu)(shu)隔離(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280a’形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)襯底200上且覆蓋(gai)所(suo)述(shu)(shu)位線240；所(suo)述(shu)(shu)掩(yan)膜(mo)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280b’形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)在(zai)所(suo)述(shu)(shu)襯底200的所(suo)述(shu)(shu)隔離(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280a’上，且所(suo)述(shu)(shu)掩(yan)膜(mo)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280b’的表(biao)(biao)(biao)面(mian)低(di)于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔離(li)(li)線250的表(biao)(biao)(biao)面(mian)。進一(yi)步的，所(suo)述(shu)(shu)掩(yan)膜(mo)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280b’可采用(yong)導電(dian)材料形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)，從而(er)當導電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)290’覆蓋(gai)第(di)(di)二隔離(li)(li)線280’的隔離(li)(li)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280a’和(he)掩(yan)膜(mo)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280b’時，所(suo)述(shu)(shu)掩(yan)膜(mo)蓋(gai)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)280b’可以與所(suo)述(shu)(shu)導電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)290’相互連接，以共同用(yong)于(yu)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)存(cun)儲節點接觸。

此(ci)外，本實施例中(zhong)，在(zai)所(suo)述(shu)(shu)位(wei)線(xian)(xian)(xian)260的側壁上也(ye)形成(cheng)有(you)一(yi)間隔(ge)絕(jue)緣層(ceng)270’，所(suo)述(shu)(shu)間隔(ge)絕(jue)緣層(ceng)270’可用于(yu)對位(wei)線(xian)(xian)(xian)260和(he)(he)存(cun)儲(chu)節點接觸進行隔(ge)離(li)(li)。以及(ji)，所(suo)述(shu)(shu)間隔(ge)絕(jue)緣層(ceng)270’、所(suo)述(shu)(shu)位(wei)線(xian)(xian)(xian)260和(he)(he)所(suo)述(shu)(shu)第(di)二隔(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)280’共同構成(cheng)所(suo)述(shu)(shu)第(di)二隔(ge)離(li)(li)屏(ping)障(zhang)281’。因此(ci)，所(suo)述(shu)(shu)間隔(ge)絕(jue)緣層(ceng)270’的表(biao)面也(ye)相應的低于(yu)所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)隔(ge)離(li)(li)線(xian)(xian)(xian)250的表(biao)面。

進一(yi)(yi)步(bu)的(de)(de)，本實施(shi)例(li)中，利(li)用(yong)第一(yi)(yi)隔(ge)離屏(ping)障(zhang)251和第二(er)(er)隔(ge)離屏(ping)障(zhang)281’的(de)(de)高(gao)度(du)差，可(ke)使(shi)導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)290’能夠自對(dui)準地填充在(zai)由(you)相(xiang)(xiang)鄰的(de)(de)第一(yi)(yi)隔(ge)離屏(ping)障(zhang)251所(suo)(suo)(suo)(suo)界定出的(de)(de)凹(ao)(ao)槽252中，并且位于同(tong)一(yi)(yi)所(suo)(suo)(suo)(suo)述凹(ao)(ao)槽252中的(de)(de)多(duo)個(ge)所(suo)(suo)(suo)(suo)述接(jie)觸窗290a’中的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)述導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)290’相(xiang)(xiang)互連接(jie)。由(you)于所(suo)(suo)(suo)(suo)述導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)290’在(zai)第一(yi)(yi)方(fang)(fang)向上為一(yi)(yi)連續(xu)的(de)(de)膜層(ceng)(ceng)，從(cong)而在(zai)利(li)用(yong)所(suo)(suo)(suo)(suo)述導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)290’形(xing)成存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)(dian)(dian)接(jie)觸時，還(huan)可(ke)同(tong)時對(dui)所(suo)(suo)(suo)(suo)形(xing)成的(de)(de)存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)(dian)(dian)接(jie)觸的(de)(de)延伸方(fang)(fang)向進行調整。例(li)如，參考圖14a示出的(de)(de)一(yi)(yi)種導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)分隔(ge)線292，在(zai)利(li)用(yong)相(xiang)(xiang)應(ying)的(de)(de)分割技術(shu)對(dui)導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)290’進行分割時，可(ke)使(shi)分割后(hou)的(de)(de)各個(ge)導(dao)(dao)電層(ceng)(ceng)290’之間(jian)相(xiang)(xiang)互斷開，并對(dui)應(ying)第二(er)(er)接(jie)觸區以構成存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)(dian)(dian)接(jie)觸；同(tong)時，分割后(hou)所(suo)(suo)(suo)(suo)形(xing)成的(de)(de)存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)(dian)(dian)接(jie)觸中，其沿著第一(yi)(yi)方(fang)(fang)向延伸，并且位于相(xiang)(xiang)鄰凹(ao)(ao)槽252儲節(jie)(jie)點(dian)(dian)(dian)接(jie)觸的(de)(de)延伸方(fang)(fang)向相(xiang)(xiang)反，進而構成交錯排布(bu)的(de)(de)存(cun)儲節(jie)(jie)點(dian)(dian)(dian)接(jie)觸。

實施例五

本發明還提供了一(yi)種半(ban)導體(ti)(ti)器(qi)(qi)件(jian)，所述(shu)半(ban)導體(ti)(ti)器(qi)(qi)件(jian)中(zhong)包括多個(ge)第一(yi)引出(chu)區(qu)，以及多個(ge)對應所述(shu)第一(yi)引出(chu)區(qu)的接(jie)(jie)觸窗(chuang)，本發明中(zhong)的半(ban)導體(ti)(ti)器(qi)(qi)件(jian)中(zhong)，其(qi)接(jie)(jie)觸窗(chuang)是由相(xiang)交的隔離屏障界(jie)定出(chu)。以下結(jie)合(he)附圖對本實施(shi)例(li)中(zhong)的半(ban)導體(ti)(ti)器(qi)(qi)件(jian)進(jin)行詳細說明。

圖(tu)(tu)(tu)15a為(wei)本(ben)發(fa)明(ming)實施例五(wu)中的(de)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)器件(jian)的(de)俯(fu)視圖(tu)(tu)(tu)，圖(tu)(tu)(tu)15b為(wei)圖(tu)(tu)(tu)15a所示(shi)的(de)本(ben)發(fa)明(ming)實施例五(wu)中的(de)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)器件(jian)沿aa’、bb’和cc方(fang)向的(de)剖面圖(tu)(tu)(tu)。如(ru)圖(tu)(tu)(tu)15a和圖(tu)(tu)(tu)15b所示(shi)，所述(shu)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)器件(jian)包括：

一(yi)襯底300，所述襯底300上形成有多個第一(yi)引出(chu)區310；

多條第(di)一隔離(li)屏(ping)(ping)障320，形成在所述(shu)襯底300上，且在所述(shu)第(di)一隔離(li)屏(ping)(ping)障320的(de)(de)兩側分(fen)布(bu)有多個(ge)所述(shu)第(di)一引(yin)出(chu)區310，位于所述(shu)第(di)一隔離(li)屏(ping)(ping)障320同一側的(de)(de)多個(ge)所述(shu)第(di)一引(yin)出(chu)區310沿(yan)著所述(shu)第(di)一隔離(li)屏(ping)(ping)障320的(de)(de)延伸方向順序排布(bu)；

多條第二(er)隔離(li)屏(ping)障330，形成(cheng)在所(suo)(suo)述(shu)襯底300上(shang)并(bing)與所(suo)(suo)述(shu)第二(er)隔離(li)屏(ping)障330相(xiang)交(jiao)，以共同界定出多個接觸窗(chuang)340，每一所(suo)(suo)述(shu)第一引出區310對應(ying)一個所(suo)(suo)述(shu)接觸窗(chuang)340；以及，

一導(dao)電(dian)層(ceng)350，形成(cheng)在所(suo)述襯底300上并填充所(suo)述接觸(chu)窗(chuang)340用(yong)于構成(cheng)與所(suo)述第一引出區310電(dian)性連接的(de)導(dao)電(dian)接觸(chu)。

其中(zhong)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)320用于對(dui)多個第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)引(yin)出(chu)區(qu)(qu)310進(jin)(jin)行(xing)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)次分隔(ge)(ge)(ge)，并使(shi)分隔(ge)(ge)(ge)后(hou)的(de)(de)(de)(de)位(wei)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)320同一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)側的(de)(de)(de)(de)多個所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)引(yin)出(chu)區(qu)(qu)310能夠沿(yan)(yan)著所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)320的(de)(de)(de)(de)延(yan)伸(shen)方(fang)(fang)向順(shun)序排布(bu)。相應(ying)的(de)(de)(de)(de)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)320的(de)(de)(de)(de)延(yan)伸(shen)方(fang)(fang)向和形(xing)(xing)貌可(ke)(ke)根據(ju)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)引(yin)出(chu)區(qu)(qu)310的(de)(de)(de)(de)排布(bu)狀(zhuang)(zhuang)況(kuang)進(jin)(jin)行(xing)調整，例(li)如(ru)，當所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)引(yin)出(chu)區(qu)(qu)310呈陣列式排布(bu)時，則可(ke)(ke)相應(ying)的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)成沿(yan)(yan)著列方(fang)(fang)向/行(xing)方(fang)(fang)向延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)，從而可(ke)(ke)利用所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)將各個列/各個行(xing)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)引(yin)出(chu)區(qu)(qu)310進(jin)(jin)行(xing)分隔(ge)(ge)(ge)。以及(ji)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)320的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)貌也可(ke)(ke)根據(ju)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)引(yin)出(chu)區(qu)(qu)310的(de)(de)(de)(de)排布(bu)狀(zhuang)(zhuang)況(kuang)進(jin)(jin)行(xing)調整，例(li)如(ru)，當在第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)320的(de)(de)(de)(de)延(yan)伸(shen)方(fang)(fang)向上，第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)引(yin)出(chu)區(qu)(qu)310之間交錯(cuo)排布(bu)，此時即可(ke)(ke)相應(ying)的(de)(de)(de)(de)形(xing)(xing)成波浪(lang)形(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)離(li)屏障(zhang)(zhang)。

具體(ti)參考圖15a和圖15b所示(shi)，本(ben)實施例中(zhong)的(de)(de)(de)多(duo)個(ge)第(di)(di)一(yi)(yi)引(yin)出區(qu)310呈陣列式排(pai)布，所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)隔離屏(ping)障(zhang)(zhang)320沿(yan)著列方(fang)(fang)向(xiang)延伸，從(cong)而(er)使(shi)不(bu)同(tong)列之間的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)引(yin)出區(qu)310相互分隔，并且在兩條相鄰的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)隔離屏(ping)障(zhang)(zhang)320之間的(de)(de)(de)多(duo)個(ge)第(di)(di)一(yi)(yi)引(yin)出區(qu)310沿(yan)著列方(fang)(fang)向(xiang)順序排(pai)布，其中(zhong)列方(fang)(fang)向(xiang)即為(wei)圖15a所示(shi)的(de)(de)(de)y方(fang)(fang)向(xiang)，行方(fang)(fang)向(xiang)即為(wei)圖15a所示(shi)的(de)(de)(de)x方(fang)(fang)向(xiang)。進一(yi)(yi)步(bu)的(de)(de)(de)，在列方(fang)(fang)向(xiang)上，多(duo)個(ge)所述(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)引(yin)出區(qu)310對(dui)齊排(pai)布，此(ci)時，可相應的(de)(de)(de)采用沿(yan)著列方(fang)(fang)向(xiang)延伸的(de)(de)(de)直線型(xing)的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)隔離屏(ping)障(zhang)(zhang)320。

繼續參考圖15a和(he)圖15b所示，所述第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障330用于對(dui)多(duo)個第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)引出(chu)(chu)區(qu)(qu)310進行第(di)(di)(di)(di)二(er)次(ci)分隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)，使(shi)分別在第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障320同一(yi)(yi)側的(de)多(duo)個第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)引出(chu)(chu)區(qu)(qu)310相(xiang)(xiang)互分隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(即(ji)，位于兩條(tiao)相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障320之間的(de)相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)引出(chu)(chu)區(qu)(qu)310分別位于第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障330的(de)兩側)，從(cong)而可通過第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障320和(he)第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障330相(xiang)(xiang)交，以界定出(chu)(chu)對(dui)應(ying)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)引出(chu)(chu)區(qu)(qu)310的(de)接觸(chu)窗(chuang)340。其中，與(yu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障320類似的(de)，所述第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障330的(de)延(yan)伸方向和(he)形貌也可根據第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)引出(chu)(chu)區(qu)(qu)310的(de)排布狀況進行調整(zheng)，只要通過形成第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障330之后，可使(shi)兩條(tiao)相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障320之間的(de)相(xiang)(xiang)鄰(lin)(lin)的(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)引出(chu)(chu)區(qu)(qu)310分別位于第(di)(di)(di)(di)二(er)隔(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)(ge)離(li)(li)屏(ping)障330的(de)兩側即(ji)可。

重點參考圖15a所(suo)(suo)(suo)示(shi)，本實施(shi)例中，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二隔(ge)離(li)屏(ping)障(zhang)330的(de)(de)表面不低(di)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)屏(ping)障(zhang)320的(de)(de)表面，從而，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導電(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)對(dui)(dui)準地填(tian)充(chong)在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗(chuang)中，并(bing)(bing)且，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導電(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底上(shang)(shang)的(de)(de)邊界由所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)離(li)屏(ping)障(zhang)320與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二隔(ge)離(li)屏(ping)障(zhang)330所(suo)(suo)(suo)界定。即，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導電(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)的(de)(de)形貌與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗(chuang)340的(de)(de)形貌相對(dui)(dui)應(ying)，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導電(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)350的(de)(de)邊界延伸至所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗(chuang)340的(de)(de)側壁位置，并(bing)(bing)依附在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)窗(chuang)340的(de)(de)側壁上(shang)(shang)，從而使(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導電(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)350能(neng)夠與第(di)(di)一(yi)引(yin)出(chu)區310完全接(jie)(jie)(jie)觸(chu)，確保第(di)(di)一(yi)引(yin)出(chu)區310和導電(dian)(dian)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)350之(zhi)間具有較(jiao)大的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)面積，減小兩(liang)者之(zhi)間的(de)(de)接(jie)(jie)(jie)觸(chu)電(dian)(dian)阻。

進一(yi)步的，所(suo)述第二(er)隔(ge)離屏障(zhang)(zhang)330的表面和(he)所(suo)述第一(yi)隔(ge)離屏障(zhang)(zhang)320的表面齊平(ping)，從而(er)由所(suo)述第一(yi)隔(ge)離屏障(zhang)(zhang)320和(he)第二(er)隔(ge)離屏障(zhang)(zhang)330相交(jiao)而(er)界定出的接觸窗340中，其(qi)在各個(ge)方向上的側壁高度均一(yi)致。

此外(wai)，當所述(shu)襯底300還形成有其他(ta)引出(chu)區時(shi)(shi)，例如圖15b所示(shi)的第(di)(di)(di)(di)二(er)引出(chu)區360，此時(shi)(shi)可將(jiang)(jiang)第(di)(di)(di)(di)二(er)引出(chu)區360和第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔離(li)屏(ping)障320相結(jie)(jie)合，即，利用第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)隔離(li)屏(ping)障320引出(chu)所述(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)引出(chu)區360；或(huo)者(zhe)將(jiang)(jiang)第(di)(di)(di)(di)二(er)引出(chu)區360與第(di)(di)(di)(di)二(er)隔離(li)屏(ping)障330相結(jie)(jie)合，即，利用第(di)(di)(di)(di)二(er)隔離(li)屏(ping)障330引出(chu)所述(shu)第(di)(di)(di)(di)二(er)引出(chu)區360。如此，即能夠在確保引出(chu)第(di)(di)(di)(di)二(er)引出(chu)區360的基礎上，界定出(chu)對應第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)引出(chu)區310的接觸(chu)窗340。

具體(ti)(ti)(ti)的(de)，當利用第二(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)屏(ping)障330將(jiang)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)引(yin)出區(qu)360引(yin)出時，則可使(shi)第二(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)屏(ping)障330進一(yi)(yi)步包(bao)括一(yi)(yi)導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)和一(yi)(yi)絕緣(yuan)(yuan)層(ceng)(圖中未示出，其結構可參考實(shi)施(shi)例三中的(de)位線)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)絕緣(yuan)(yuan)層(ceng)覆蓋所(suo)(suo)述(shu)(shu)導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)，以使(shi)導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)與其他的(de)導(dao)電結構隔(ge)(ge)離(li)。其中，對應同一(yi)(yi)第二(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)屏(ping)障330排布的(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)引(yin)出區(qu)360與同一(yi)(yi)導(dao)體(ti)(ti)(ti)層(ceng)電性連接。相應的(de)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二(er)(er)隔(ge)(ge)離(li)屏(ping)障330可根據第一(yi)(yi)引(yin)出310和第二(er)(er)引(yin)出區(qu)370的(de)排布方式進行調整。

實施例六

結合(he)圖(tu)(tu)15a和(he)圖(tu)(tu)16所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)示，其中，圖(tu)(tu)16示出(chu)了本(ben)發明(ming)實施例六中的(de)(de)(de)半(ban)導體器件的(de)(de)(de)俯視(shi)圖(tu)(tu)。即，與實施例五的(de)(de)(de)區別在(zai)于，本(ben)實施例中，第二隔離屏(ping)障(zhang)330’的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面低于所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一隔離屏(ping)障(zhang)320的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面，從而可(ke)利用兩(liang)條相鄰的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一隔離屏(ping)障(zhang)320界定出(chu)一凹(ao)槽(cao)(cao)321，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)凹(ao)槽(cao)(cao)321中對(dui)應有多(duo)個頂部(bu)相互連通的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)觸窗340’，以及(ji)，導電層350’可(ke)對(dui)準地(di)填充在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)凹(ao)槽(cao)(cao)321中，并(bing)且(qie)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導電層350’覆蓋所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第二隔離屏(ping)障(zhang)330’，使位(wei)于同一所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)凹(ao)槽(cao)(cao)321中的(de)(de)(de)多(duo)個所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)接(jie)觸窗340’中的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)導電層350’相互連接(jie)。

本實施例(li)(li)中，由第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)離屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)320和第(di)(di)二隔(ge)(ge)(ge)離屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)330’相交(jiao)而(er)界定出(chu)的(de)(de)(de)接觸窗340’中，其(qi)對(dui)應(ying)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)離屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)320的(de)(de)(de)側(ce)(ce)壁(bi)高于(yu)(yu)對(dui)應(ying)第(di)(di)二隔(ge)(ge)(ge)離屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)330’的(de)(de)(de)側(ce)(ce)壁(bi)。以及(ji)，利(li)用第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)離屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)320界定出(chu)導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)350’的(de)(de)(de)位置(zhi)以及(ji)延(yan)(yan)伸(shen)方(fang)向(xiang)，即，導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)350’沿著(zhu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)離屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)320的(de)(de)(de)延(yan)(yan)伸(shen)方(fang)向(xiang)延(yan)(yan)伸(shen)，以形(xing)成一(yi)連續的(de)(de)(de)導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)350’。從而(er)在(zai)后續利(li)用所述導(dao)電(dian)層(ceng)(ceng)(ceng)350’形(xing)成對(dui)應(ying)于(yu)(yu)第(di)(di)一(yi)引(yin)出(chu)區310的(de)(de)(de)導(dao)電(dian)接觸時，可同時對(dui)所形(xing)成的(de)(de)(de)導(dao)電(dian)接觸的(de)(de)(de)延(yan)(yan)伸(shen)方(fang)向(xiang)進行(xing)調整，例(li)(li)如，可使后續所形(xing)成的(de)(de)(de)導(dao)電(dian)接觸沿著(zhu)第(di)(di)一(yi)隔(ge)(ge)(ge)離屏(ping)(ping)障(zhang)(zhang)(zhang)320的(de)(de)(de)延(yan)(yan)伸(shen)方(fang)向(xiang)延(yan)(yan)伸(shen)。

綜上所述，本發(fa)明提供(gong)的(de)存(cun)儲器的(de)形(xing)成(cheng)(cheng)方法(fa)中，利(li)用(yong)(yong)(yong)定(ding)義(yi)(yi)字(zi)線(xian)導體的(de)字(zi)線(xian)掩膜自(zi)對準(zhun)(zhun)地形(xing)成(cheng)(cheng)第(di)一(yi)隔(ge)離屏障，以及利(li)用(yong)(yong)(yong)位線(xian)溝槽自(zi)對準(zhun)(zhun)地形(xing)成(cheng)(cheng)第(di)二(er)(er)隔(ge)離線(xian)，從而可(ke)結合第(di)二(er)(er)隔(ge)離線(xian)和(he)位線(xian)構成(cheng)(cheng)第(di)二(er)(er)隔(ge)離屏障，界定(ding)出(chu)(chu)(chu)對應第(di)二(er)(er)接(jie)觸(chu)(chu)區(qu)的(de)接(jie)觸(chu)(chu)窗(chuang)。可(ke)見，在定(ding)義(yi)(yi)對應第(di)二(er)(er)接(jie)觸(chu)(chu)區(qu)的(de)接(jie)觸(chu)(chu)窗(chuang)時，并不需(xu)要再(zai)額(e)外(wai)執行一(yi)道(dao)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)工藝(yi)即(ji)能夠自(zi)對準(zhun)(zhun)地定(ding)義(yi)(yi)出(chu)(chu)(chu)，與傳統的(de)利(li)用(yong)(yong)(yong)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)工藝(yi)直(zhi)接(jie)定(ding)義(yi)(yi)出(chu)(chu)(chu)接(jie)觸(chu)(chu)窗(chuang)相(xiang)比，本發(fa)明提供(gong)的(de)方法(fa)中，減少了(le)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)工藝(yi)的(de)執行次數(shu)，不僅有利(li)于節省制備成(cheng)(cheng)本，并且還可(ke)減少多(duo)道(dao)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)工藝(yi)之間的(de)對準(zhun)(zhun)偏差，可(ke)進一(yi)步改善第(di)二(er)(er)接(jie)觸(chu)(chu)區(qu)和(he)存(cun)儲節點接(jie)觸(chu)(chu)之間的(de)接(jie)觸(chu)(chu)電阻。

本說明(ming)書中各(ge)個(ge)實(shi)施例(li)(li)采用遞進的方(fang)式描述，每(mei)個(ge)實(shi)施例(li)(li)重點說明(ming)的都是與(yu)其他(ta)實(shi)施例(li)(li)的不同之(zhi)處，各(ge)個(ge)實(shi)施例(li)(li)之(zhi)間相(xiang)(xiang)同相(xiang)(xiang)似部分互相(xiang)(xiang)參見即可。

上述(shu)描(miao)述(shu)僅是(shi)對本(ben)發(fa)明較佳(jia)實施例的(de)(de)描(miao)述(shu)，并非對本(ben)發(fa)明范(fan)(fan)圍(wei)的(de)(de)任何(he)限定，本(ben)發(fa)明領域的(de)(de)普通技術(shu)人員(yuan)根(gen)據上述(shu)揭示內容做的(de)(de)任何(he)變更、修飾，均屬于權利要求書的(de)(de)保(bao)護范(fan)(fan)圍(wei)。