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一種在同一襯底上集成紅綠藍晶片的制備方法與流程

文(wen)檔序號:11102564閱讀(du):495來源:國知局(ju)
一種在同一襯底上集成紅綠藍晶片的制備方法與制造工藝

本發(fa)明涉及到LED發(fa)光晶(jing)片技術領域,特別是(shi)一(yi)種在同一(yi)襯底上集成(cheng)紅綠藍(lan)晶(jing)片的制(zhi)備方法。



背景技術:

在LED行業最實現(xian)RGB最為(wei)為(wei)常見的方式(shi)(shi)是將獨立的紅、綠(lv)、藍三色晶片放(fang)在同一(yi)(yi)LED支架中或(huo)將紅、綠(lv)、藍燈珠按一(yi)(yi)定的排布方式(shi)(shi)排列在一(yi)(yi)起來實現(xian)。

現有(you)的(de)(de)RGB實(shi)現方式(shi)(shi)(shi)是將(jiang)獨立(li)的(de)(de)紅、綠、藍三色晶片(pian)放在同一LED支(zhi)架中或將(jiang)紅、綠、藍燈珠按(an)一定的(de)(de)排(pai)布方式(shi)(shi)(shi)排(pai)列在一起(qi)來實(shi)現。但是以上(shang)兩種方式(shi)(shi)(shi)都無法(fa)(fa)實(shi)現RGB的(de)(de)微型(xing)化,無法(fa)(fa)適(shi)應未來VR、AR對高解(jie)析(xi)度畫(hua)面的(de)(de)需(xu)求。



技術實現要素:

為解決上述(shu)技術問(wen)題,本發明(ming)提供了一(yi)種在同(tong)一(yi)襯底上集成紅綠藍(lan)晶片的制備方法,其包(bao)括以下步驟:

S1:首先(xian)將襯底(di)粗化,在(zai)襯底(di)上涂上一層(ceng)大于(yu)10um耐高溫的蝕刻膠(jiao),將事先(xian)做好的藍(lan)光(guang)(guang)鏤空光(guang)(guang)罩板放置在(zai)蝕刻膠(jiao)上,通過曝(pu)光(guang)(guang)、顯影、蝕刻將曝(pu)光(guang)(guang)部分去除掉;

S2:再(zai)將蝕(shi)刻后的(de)(de)襯(chen)底放到藍(lan)光(guang)(guang)外延爐(lu)里磊晶生長(chang),藍(lan)光(guang)(guang)磊晶完成后,再(zai)二(er)次涂布一(yi)層(ceng)光(guang)(guang)刻膠,將事先做好(hao)的(de)(de)綠(lv)光(guang)(guang)鏤空光(guang)(guang)罩板放置在蝕(shi)刻膠上,通過曝光(guang)(guang)、顯影、蝕(shi)刻將曝光(guang)(guang)部分去(qu)除掉(diao);

S3:然(ran)后將(jiang)蝕(shi)(shi)刻后的襯底放到(dao)綠光(guang)(guang)外延爐里磊晶生長,綠光(guang)(guang)磊晶完成后再第三次涂覆(fu)蝕(shi)(shi)刻膠,將(jiang)事(shi)先做好的紅光(guang)(guang)鏤空光(guang)(guang)罩板(ban)放置在蝕(shi)(shi)刻膠上,通過曝光(guang)(guang)、顯影(ying)、蝕(shi)(shi)刻將(jiang)曝光(guang)(guang)部(bu)分去除掉;

S4:最(zui)(zui)后再將蝕刻后的襯底放到綠(lv)光(guang)外(wai)延爐(lu)里磊晶生長(chang),最(zui)(zui)后通過蒸鍍、電(dian)極制作(zuo)、測試工藝(yi)將藍綠(lv)晶片(pian)(pian)作(zuo)為(wei)一體進行裂片(pian)(pian),得到統一襯底的RGB晶片(pian)(pian)。

本發明(ming)具有以下(xia)有益效(xiao)果:

本(ben)發明(ming)通過在同一襯底上(shang)通過涂覆蝕(shi)刻(ke)膠(jiao)鏤(lou)空分別實(shi)現紅、綠(lv)、藍晶片磊晶實(shi)現,可以實(shi)現RGB微型化。

當然(ran),實施本發明的(de)(de)任一產品并(bing)不(bu)一定需要(yao)同時達到以(yi)上所述的(de)(de)所有優點。

附圖說明

為了更(geng)清楚地說明(ming)本發明(ming)實施例的(de)技術方(fang)案(an),下(xia)面將對實施例描述(shu)所需要(yao)使用的(de)附(fu)圖作簡單地介(jie)紹,顯而(er)易見地,下(xia)面描述(shu)中的(de)附(fu)圖僅僅是本發明(ming)的(de)一些(xie)實施例,對于(yu)本領域普(pu)通技術人員來(lai)講,在不付(fu)出創造性勞(lao)動的(de)前提(ti)下(xia),還可以根據這些(xie)附(fu)圖獲得(de)其他(ta)的(de)附(fu)圖。

圖(tu)1為本(ben)發明提供(gong)的在(zai)同一襯底(di)上集(ji)成紅(hong)綠藍晶片的制備方法流程示(shi)意圖(tu)。

具體實施方式

下面將結合本(ben)(ben)發(fa)明(ming)實(shi)(shi)施(shi)例(li)中的(de)(de)附圖,對(dui)本(ben)(ben)發(fa)明(ming)實(shi)(shi)施(shi)例(li)中的(de)(de)技(ji)(ji)術方(fang)案進行清楚、完(wan)整地描述,顯然,所(suo)(suo)描述的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)例(li)僅僅是本(ben)(ben)發(fa)明(ming)一(yi)部分實(shi)(shi)施(shi)例(li),而不是全部的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)例(li)。基于(yu)本(ben)(ben)發(fa)明(ming)中的(de)(de)實(shi)(shi)施(shi)例(li),本(ben)(ben)領域普通(tong)技(ji)(ji)術人員在沒有作出創造(zao)性勞動前提下所(suo)(suo)獲得的(de)(de)所(suo)(suo)有其它實(shi)(shi)施(shi)例(li),都(dou)屬于(yu)本(ben)(ben)發(fa)明(ming)保(bao)護的(de)(de)范圍(wei)。

如圖(tu)1所示,本發(fa)明實施例提供了一(yi)種在同(tong)一(yi)襯底(di)上(shang)集成紅綠藍晶片的(de)制(zhi)備方法,其包括以下步(bu)驟:

S1:首先將襯底粗化,在襯底上(shang)涂(tu)上(shang)一層大(da)于10um耐高溫(wen)的蝕(shi)刻膠(光(guang)刻膠),將事先做好的藍光(guang)鏤空(kong)光(guang)罩板放置(zhi)在蝕(shi)刻膠(光(guang)刻膠)上(shang),通(tong)過曝光(guang)、顯(xian)影、蝕(shi)刻(光(guang)刻)將曝光(guang)部(bu)分去除掉(diao);

S2:再將蝕刻(ke)(ke)(ke)(光(guang)刻(ke)(ke)(ke))后的襯底(di)放到藍(lan)光(guang)外延爐里磊晶(jing)生(sheng)長,藍(lan)光(guang)磊晶(jing)完(wan)成(cheng)后,再二(er)次涂(tu)布一(yi)層(ceng)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠,將事先做好(hao)的綠光(guang)鏤空光(guang)罩(zhao)板放置在(zai)蝕刻(ke)(ke)(ke)膠(光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠)上,通(tong)過(guo)曝(pu)光(guang)、顯影、蝕刻(ke)(ke)(ke)(光(guang)刻(ke)(ke)(ke))將曝(pu)光(guang)部分(fen)去除掉;

S3:然后(hou)(hou)將蝕刻(ke)(光(guang)刻(ke))后(hou)(hou)的襯底放(fang)到綠光(guang)外延爐里(li)磊(lei)晶生長,綠光(guang)磊(lei)晶完成后(hou)(hou)再第三次(ci)涂覆蝕刻(ke)膠(jiao)(光(guang)刻(ke)膠(jiao)),將事先(xian)做好的紅光(guang)鏤(lou)空光(guang)罩(zhao)板放(fang)置在蝕刻(ke)膠(jiao)(光(guang)刻(ke)膠(jiao))上,通過曝光(guang)、顯影、蝕刻(ke)(光(guang)刻(ke))將曝光(guang)部分去除掉;

S4:最后再將(jiang)蝕刻(ke)(ke)(光刻(ke)(ke))后的襯底放到(dao)綠(lv)光外(wai)延爐里(li)磊(lei)晶生長,最后通過蒸鍍(du)、電極制作、測試工藝將(jiang)藍綠(lv)晶片(pian)作為一(yi)體進行裂片(pian),得到(dao)統一(yi)襯底的RGB晶片(pian)。

本發明(ming)通過(guo)在同一(yi)襯底上(shang)通過(guo)涂(tu)覆蝕刻膠(光刻膠)鏤空分別(bie)實現紅、綠、藍(lan)晶片磊晶實現,可以實現RGB微型化。

以上公開的(de)(de)本(ben)(ben)(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)優(you)選(xuan)實(shi)施(shi)例(li)只是用(yong)于幫助闡(chan)述本(ben)(ben)(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)。優(you)選(xuan)實(shi)施(shi)例(li)并(bing)沒有(you)詳盡敘述所(suo)(suo)有(you)的(de)(de)細節,也不限(xian)制該發(fa)明(ming)(ming)僅為(wei)所(suo)(suo)述的(de)(de)具體(ti)實(shi)施(shi)方式。顯然,根據本(ben)(ben)(ben)(ben)說(shuo)明(ming)(ming)書的(de)(de)內容,可作很多的(de)(de)修改和變化。本(ben)(ben)(ben)(ben)說(shuo)明(ming)(ming)書選(xuan)取并(bing)具體(ti)描述這些實(shi)施(shi)例(li),是為(wei)了更好(hao)地(di)解釋本(ben)(ben)(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)原理和實(shi)際應用(yong),從而使所(suo)(suo)屬技術領域技術人員(yuan)能很好(hao)地(di)理解和利(li)用(yong)本(ben)(ben)(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)。本(ben)(ben)(ben)(ben)發(fa)明(ming)(ming)僅受(shou)權利(li)要求書及其(qi)全部范圍(wei)和等效(xiao)物的(de)(de)限(xian)制。

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