本發(fa)明涉(she)及顯示技術(shu)領域，尤其涉(she)及一種(zhong)微(wei)轉印方法。

背景技術：

微發光二(er)極管(microled)是一(yi)種(zhong)尺寸(cun)在幾微米到幾百(bai)微米之間的(de)(de)器(qi)(qi)(qi)(qi)件，由于(yu)其較普通led的(de)(de)尺寸(cun)要小很多(duo)，從而使得單一(yi)的(de)(de)led作為像(xiang)(xiang)素(su)(pixel)用于(yu)顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)成(cheng)為可能，microled顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)便是一(yi)種(zhong)以高密(mi)度的(de)(de)microled陣列作為顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)像(xiang)(xiang)素(su)陣列來實現(xian)圖(tu)像(xiang)(xiang)顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)的(de)(de)顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)，同大尺寸(cun)的(de)(de)戶外led顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)屏一(yi)樣，每一(yi)個像(xiang)(xiang)素(su)可定(ding)址、單獨驅動點亮(liang)，可以看成(cheng)是戶外led顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)屏的(de)(de)縮小版，將像(xiang)(xiang)素(su)點距離從毫米級降低(di)至(zhi)微米級，microled顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)和有機(ji)發光二(er)極管(organiclight-emittingdiode，oled)顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)一(yi)樣屬于(yu)自發光顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)，但microled顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)相比于(yu)oled顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)還具有材(cai)料(liao)穩定(ding)性更(geng)好、壽命更(geng)長(chang)、無影像(xiang)(xiang)烙印等優(you)點，被認(ren)為是oled顯(xian)(xian)(xian)(xian)示(shi)(shi)器(qi)(qi)(qi)(qi)的(de)(de)最大競爭(zheng)對(dui)手。

由于晶格匹配的(de)(de)(de)(de)(de)原(yuan)因，microled器件必須先在(zai)藍寶石類的(de)(de)(de)(de)(de)供(gong)給(gei)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上通過(guo)分子束外延(yan)的(de)(de)(de)(de)(de)方法生長出來，隨(sui)后(hou)通過(guo)激光剝離(laserlift-off，llo)技(ji)術(shu)將(jiang)微(wei)發光二(er)(er)極管(guan)裸芯片(barechip)從供(gong)給(gei)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上分離開，然后(hou)通過(guo)微(wei)轉(zhuan)印(yin)(microtransferprint)技(ji)術(shu)將(jiang)其轉(zhuan)移到(dao)已經預(yu)先制備完(wan)成(cheng)電(dian)路圖(tu)(tu)案的(de)(de)(de)(de)(de)接(jie)受(shou)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上，形成(cheng)microled陣列，進而做成(cheng)microled顯示面板(ban)(ban)。其中，微(wei)轉(zhuan)印(yin)microled陣列的(de)(de)(de)(de)(de)基(ji)(ji)本原(yuan)理大致為：使(shi)用具(ju)有圖(tu)(tu)案化的(de)(de)(de)(de)(de)傳送(song)(song)(song)頭(tou)(transfer)，例如具(ju)有凸(tu)起(qi)結構的(de)(de)(de)(de)(de)聚(ju)二(er)(er)甲基(ji)(ji)硅氧烷(polydimethylsiloxane，pdms)類傳送(song)(song)(song)頭(tou)，通過(guo)具(ju)有粘性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)pdms傳送(song)(song)(song)層(transferlayer)將(jiang)microledbarechip從供(gong)給(gei)基(ji)(ji)板(ban)(ban)吸(xi)附起(qi)來，然后(hou)將(jiang)pdms傳送(song)(song)(song)頭(tou)與接(jie)受(shou)基(ji)(ji)板(ban)(ban)進行(xing)對位，隨(sui)后(hou)將(jiang)pdms傳送(song)(song)(song)頭(tou)所吸(xi)附的(de)(de)(de)(de)(de)microledbarechip貼附到(dao)接(jie)受(shou)基(ji)(ji)板(ban)(ban)預(yu)設的(de)(de)(de)(de)(de)位置上，再將(jiang)pdms傳送(song)(song)(song)頭(tou)從接(jie)受(shou)基(ji)(ji)板(ban)(ban)上剝離，即可完(wan)成(cheng)microledbarechip的(de)(de)(de)(de)(de)轉(zhuan)移，形成(cheng)microled陣列。

目前，來自愛爾蘭的(de)(de)x-celeprint、美國德(de)州大(da)學(xue)等(deng)都曾(ceng)發表過(guo)有關microled顯(xian)示(shi)器的(de)(de)研究成果(guo)。蘋果(guo)公司(si)于2014年正式收(shou)購(gou)具有microled技(ji)術(shu)的(de)(de)luxvue后(hou)，引發業界開始(shi)關注于microled的(de)(de)技(ji)術(shu)優勢，luxvue與x-celeprint所使用的(de)(de)微(wei)轉移技(ji)術(shu)差別較大(da)，x-celeprint主要利(li)用pdms等(deng)膜層結構的(de)(de)吸(xi)附(fu)(fu)力進行轉移動作，而luxvue通(tong)過(guo)在傳送頭的(de)(de)凸起上通(tong)電(dian)，利(li)用靜(jing)電(dian)力來吸(xi)附(fu)(fu)microled等(deng)器件。

不論采用何(he)種方式(shi)進(jin)行吸附的(de)(de)transfer，transfer的(de)(de)轉(zhuan)移(yi)良(liang)率(lv)和(he)(he)速度(du)都(dou)是技術的(de)(de)關鍵點，在現(xian)有(you)微(wei)轉(zhuan)印方法的(de)(de)transfer移(yi)動過(guo)程(cheng)中(zhong)，transfer從提供零部(bu)件的(de)(de)襯底(di)上(shang)吸附起(qi)例如led、集成電路芯片(ic)等微(wei)米尺寸(cun)的(de)(de)零部(bu)件時，其實際是克服地(di)球重(zhong)(zhong)力(li)和(he)(he)襯底(di)的(de)(de)吸附力(li)，而在移(yi)動和(he)(he)轉(zhuan)移(yi)的(de)(de)過(guo)程(cheng)中(zhong)，也時刻受到地(di)球重(zhong)(zhong)力(li)影響；假設transfer移(yi)動速度(du)較快，則可(ke)(ke)能(neng)導致(zhi)在移(yi)動過(guo)程(cheng)中(zhong)microled等器件從transfer上(shang)脫落，而為了提高transfer過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)(de)穩定(ding)性，則又可(ke)(ke)能(neng)犧牲transfer的(de)(de)速度(du)繼(ji)而影響產(chan)能(neng)。

技術實現要素：

本發明(ming)的(de)目的(de)在于提(ti)供一種微轉印方法，可(ke)有效提(ti)高傳送頭的(de)轉移良(liang)率和速率。

為實現上述目的，本(ben)發明提供了一種微轉印(yin)方法，包括如(ru)下步驟：

步驟s1、提供傳送頭、及載體基(ji)板(ban)，所(suo)(suo)述傳送頭具(ju)有數個(ge)拾(shi)(shi)(shi)取(qu)凸(tu)起，每一拾(shi)(shi)(shi)取(qu)凸(tu)起均具(ju)有吸附(fu)面，所(suo)(suo)述載體基(ji)板(ban)上(shang)設(she)有數個(ge)微部件(jian)，將所(suo)(suo)述傳送頭放置于(yu)所(suo)(suo)述載體基(ji)板(ban)上(shang)，此時所(suo)(suo)述拾(shi)(shi)(shi)取(qu)凸(tu)起的吸附(fu)面朝向下方，使(shi)得所(suo)(suo)述拾(shi)(shi)(shi)取(qu)凸(tu)起的吸附(fu)面與載體基(ji)板(ban)上(shang)的微部件(jian)相接觸，即利用所(suo)(suo)述傳送頭的拾(shi)(shi)(shi)取(qu)凸(tu)起吸附(fu)載體基(ji)板(ban)上(shang)的微部件(jian)；

步驟s2、將傳(chuan)送頭與載(zai)體基板上下(xia)翻轉(zhuan)，此時所(suo)述(shu)傳(chuan)送頭位(wei)于(yu)所(suo)述(shu)載(zai)體基板的(de)(de)下(xia)方(fang)(fang)，所(suo)述(shu)拾取凸起的(de)(de)吸附(fu)面朝向(xiang)上方(fang)(fang)，然后將傳(chuan)送頭與載(zai)體基板分離，此時所(suo)述(shu)傳(chuan)送頭承載(zai)著(zhu)所(suo)述(shu)步驟s1中被拾取凸起吸附(fu)的(de)(de)微(wei)部件；

步驟s3、提供接(jie)受(shou)基板(ban)，將(jiang)承載有微部(bu)件(jian)的(de)傳(chuan)(chuan)送頭轉移到所(suo)述(shu)接(jie)受(shou)基板(ban)的(de)上(shang)(shang)方(fang)，然后將(jiang)傳(chuan)(chuan)送頭上(shang)(shang)下翻轉，此時所(suo)述(shu)傳(chuan)(chuan)送頭位于(yu)(yu)所(suo)述(shu)接(jie)受(shou)基板(ban)的(de)上(shang)(shang)方(fang)，所(suo)述(shu)拾取(qu)凸(tu)起(qi)的(de)吸(xi)附(fu)(fu)面朝向下方(fang)，將(jiang)拾取(qu)凸(tu)起(qi)吸(xi)附(fu)(fu)的(de)微部(bu)件(jian)置于(yu)(yu)接(jie)受(shou)基板(ban)上(shang)(shang)。

所述步驟(zou)s1中(zhong)(zhong)提供(gong)的傳送(song)頭中(zhong)(zhong)，每一拾(shi)取凸起(qi)的吸(xi)附面上均設有擋墻。

每(mei)一(yi)拾取凸起(qi)上的(de)(de)擋墻均(jun)設(she)于相應吸附面的(de)(de)至(zhi)少(shao)一(yi)側邊(bian)上。

所(suo)述步驟s2中，每(mei)一拾取凸起(qi)上吸(xi)附的微(wei)部件的高度均大于該拾取凸起(qi)上擋墻(qiang)的高度。

所述傳送頭上的擋墻(qiang)通過光(guang)刻(ke)制程(cheng)制作形成。

所述微部件為微發光二極管。

所述微部件具有金屬電極，所述步驟s3中提供的(de)接受(shou)基(ji)(ji)板(ban)為(wei)tft陣(zhen)列(lie)基(ji)(ji)板(ban)。

所(suo)(suo)述步驟(zou)s3還包括將微(wei)部(bu)件(jian)的(de)金(jin)屬電極與接受(shou)基(ji)板(ban)(ban)導通，并使得(de)所(suo)(suo)述微(wei)部(bu)件(jian)固定(ding)于所(suo)(suo)述接受(shou)基(ji)板(ban)(ban)上(shang)。

所述微部件為微集(ji)成電路(lu)芯(xin)片。

所(suo)述傳送(song)頭為pdms傳送(song)頭，所(suo)述拾(shi)取(qu)凸起為pdms材料，所(suo)述步驟(zou)s1中通過拾(shi)取(qu)凸起的粘性吸附微部件。

本發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)有益(yi)效(xiao)果：本發(fa)明(ming)(ming)提供(gong)了一種微(wei)(wei)(wei)轉(zhuan)(zhuan)印(yin)方(fang)法，利(li)用(yong)傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)的(de)(de)拾(shi)取凸(tu)起(qi)吸(xi)附(fu)載(zai)(zai)體基(ji)板(ban)上(shang)的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)部(bu)(bu)件(jian)(jian)后，將(jiang)傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)與(yu)載(zai)(zai)體基(ji)板(ban)上(shang)下翻轉(zhuan)(zhuan)，使所(suo)述傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)位于(yu)載(zai)(zai)體基(ji)板(ban)的(de)(de)下方(fang)；然后將(jiang)傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)與(yu)載(zai)(zai)體基(ji)板(ban)分離，使傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)承(cheng)載(zai)(zai)著被拾(shi)取凸(tu)起(qi)吸(xi)附(fu)的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)部(bu)(bu)件(jian)(jian)；然后將(jiang)承(cheng)載(zai)(zai)有微(wei)(wei)(wei)部(bu)(bu)件(jian)(jian)的(de)(de)傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)轉(zhuan)(zhuan)移到接受基(ji)板(ban)的(de)(de)上(shang)方(fang)，再將(jiang)傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)上(shang)下翻轉(zhuan)(zhuan)，將(jiang)拾(shi)取凸(tu)起(qi)吸(xi)附(fu)的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)部(bu)(bu)件(jian)(jian)置于(yu)接受基(ji)板(ban)上(shang)；本發(fa)明(ming)(ming)的(de)(de)微(wei)(wei)(wei)轉(zhuan)(zhuan)印(yin)方(fang)法，在傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)轉(zhuan)(zhuan)移微(wei)(wei)(wei)部(bu)(bu)件(jian)(jian)的(de)(de)過程中，微(wei)(wei)(wei)部(bu)(bu)件(jian)(jian)承(cheng)載(zai)(zai)于(yu)傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)上(shang)，相對(dui)于(yu)現有技術，傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)對(dui)微(wei)(wei)(wei)部(bu)(bu)件(jian)(jian)的(de)(de)吸(xi)附(fu)不再需(xu)要克(ke)服重力的(de)(de)影響，繼(ji)而在保證傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)對(dui)微(wei)(wei)(wei)部(bu)(bu)件(jian)(jian)穩(wen)定轉(zhuan)(zhuan)移的(de)(de)情況(kuang)下，可以對(dui)傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)進行快速(su)移動(dong)，有效(xiao)提高了傳(chuan)(chuan)送(song)(song)頭(tou)的(de)(de)轉(zhuan)(zhuan)移良率(lv)和(he)速(su)率(lv)。

附圖說明

為了(le)能更進一步了(le)解本發(fa)明(ming)(ming)的特征以(yi)及(ji)技術內容，請參(can)閱(yue)以(yi)下有關本發(fa)明(ming)(ming)的詳細說明(ming)(ming)與附圖(tu)，然而附圖(tu)僅提供(gong)參(can)考(kao)與說明(ming)(ming)用，并非用來對本發(fa)明(ming)(ming)加以(yi)限制(zhi)。

附圖中，

圖1為本發明的微(wei)轉印方法的流程示意圖；

圖2-3為本發明的微(wei)轉印(yin)方法的步驟s1的示(shi)意(yi)圖；

圖(tu)4-6為(wei)本發明的(de)微轉(zhuan)印方法(fa)的(de)步驟(zou)s2的(de)示(shi)意(yi)圖(tu)；

圖7-9為本(ben)發明的(de)微(wei)轉印方(fang)法的(de)步驟s3的(de)示意圖；

圖10為本發明的微轉印方法中傳送(song)頭上一(yi)拾取凸起的放大(da)示意(yi)圖；

圖11為本發明(ming)的微轉(zhuan)印方法的步(bu)驟s3中傳送頭轉(zhuan)移微器(qi)件時對應(ying)一拾(shi)取凸起處的示意圖；

圖12為本發明的微轉(zhuan)印方(fang)法(fa)中一(yi)拾取凸(tu)起上(shang)擋墻設于(yu)相應(ying)吸(xi)附面的相對兩側邊(bian)上(shang)的示意圖；

圖13為本發明的(de)微轉(zhuan)印方法中一拾取(qu)凸起上擋墻設于相應吸附面的(de)四周側(ce)邊上的(de)示(shi)意圖。

具體實施方式

為(wei)更(geng)進一步闡述(shu)本發明(ming)所(suo)采取的技(ji)術手(shou)段及其效果，以下結合本發明(ming)的優選(xuan)實施例及其附(fu)圖(tu)進行(xing)詳細描述(shu)。

請參閱圖(tu)1，本發明提供一種微轉印方法，包括(kuo)如(ru)下步驟：

步(bu)驟s1、如圖2-3所(suo)(suo)(suo)示，提供傳(chuan)送(song)頭50、及載(zai)(zai)(zai)體(ti)基(ji)板(ban)10，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)傳(chuan)送(song)頭50具有(you)(you)數個(ge)(ge)拾(shi)取凸(tu)起(qi)51，每一拾(shi)取凸(tu)起(qi)51均具有(you)(you)吸附(fu)面511，所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)載(zai)(zai)(zai)體(ti)基(ji)板(ban)10上設有(you)(you)數個(ge)(ge)微部件40，將所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)傳(chuan)送(song)頭50放(fang)置于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)載(zai)(zai)(zai)體(ti)基(ji)板(ban)10上，此時(shi)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)拾(shi)取凸(tu)起(qi)51的吸附(fu)面511朝(chao)向下(xia)方，使得(de)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)拾(shi)取凸(tu)起(qi)51的吸附(fu)面511與載(zai)(zai)(zai)體(ti)基(ji)板(ban)10上的微部件40相接觸(chu)，即利用所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)傳(chuan)送(song)頭50的拾(shi)取凸(tu)起(qi)51吸附(fu)載(zai)(zai)(zai)體(ti)基(ji)板(ban)10上的微部件40。

步(bu)驟s2、如圖4-6所(suo)(suo)示(shi)，將傳送(song)(song)頭50與載體(ti)(ti)基板(ban)10上(shang)下翻轉，此時所(suo)(suo)述(shu)(shu)傳送(song)(song)頭50位于所(suo)(suo)述(shu)(shu)載體(ti)(ti)基板(ban)10的下方，所(suo)(suo)述(shu)(shu)拾(shi)取凸(tu)起51的吸附面(mian)511朝向上(shang)方，然后(hou)將傳送(song)(song)頭50與載體(ti)(ti)基板(ban)10分離(li)，此時所(suo)(suo)述(shu)(shu)傳送(song)(song)頭50承載著所(suo)(suo)述(shu)(shu)步(bu)驟s1中被拾(shi)取凸(tu)起51吸附的微部件40。

步驟s3、如圖7-9所(suo)(suo)示，提供(gong)接受(shou)基板20，將承載有微部(bu)件(jian)40的傳(chuan)送(song)頭50轉(zhuan)移到所(suo)(suo)述(shu)接受(shou)基板20的上(shang)方，然(ran)后(hou)將傳(chuan)送(song)頭50上(shang)下翻轉(zhuan)，此時所(suo)(suo)述(shu)傳(chuan)送(song)頭50位于(yu)所(suo)(suo)述(shu)接受(shou)基板20的上(shang)方，所(suo)(suo)述(shu)拾取凸(tu)起(qi)51的吸(xi)附(fu)面511朝向下方，將拾取凸(tu)起(qi)51吸(xi)附(fu)的微部(bu)件(jian)40置于(yu)接受(shou)基板20上(shang)。

本發(fa)明(ming)的(de)微轉印方法，在傳(chuan)(chuan)送頭50轉移(yi)微部件40的(de)過(guo)程中(zhong)，微部件40承載于傳(chuan)(chuan)送頭50上，相對于現(xian)有技術，傳(chuan)(chuan)送頭50對微部件40的(de)吸附不再需要克服重力的(de)影(ying)響，繼(ji)而在步驟(zou)s3中(zhong)，在保證傳(chuan)(chuan)送頭50對微部件40穩(wen)定轉移(yi)的(de)情況下，可(ke)以對傳(chuan)(chuan)送頭50進行快速移(yi)動，有效(xiao)提高(gao)了傳(chuan)(chuan)送頭50的(de)轉移(yi)良率(lv)和速率(lv)。

具體地，每一拾取凸起(qi)51的(de)(de)吸附面511的(de)(de)尺寸(cun)均大(da)于其所吸附的(de)(de)微部件(jian)(jian)40的(de)(de)尺寸(cun)，如圖10所示，所述步驟s1中(zhong)(zhong)提供(gong)的(de)(de)傳送(song)頭50中(zhong)(zhong)，每一拾取凸起(qi)51的(de)(de)吸附面511的(de)(de)邊(bian)緣上(shang)(shang)均設有擋墻512，從而在傳送(song)頭50對微部件(jian)(jian)40轉移過(guo)程中(zhong)(zhong)，即使微部件(jian)(jian)40發生偶爾的(de)(de)晃動(dong)，由于擋墻512的(de)(de)阻(zu)擋作用，微部件(jian)(jian)40也不會從拾取凸起(qi)51上(shang)(shang)脫落。

進一(yi)步地，每一(yi)拾(shi)取(qu)凸(tu)起51上的(de)擋墻512可設(she)(she)于(yu)相(xiang)(xiang)應(ying)吸(xi)附(fu)面511四(si)側(ce)邊中的(de)某(mou)一(yi)邊上、某(mou)兩(liang)邊上、某(mou)三(san)邊上、或是四(si)周側(ce)邊上；例如(ru)，如(ru)圖(tu)12所示，每一(yi)拾(shi)取(qu)凸(tu)起51上的(de)擋墻512設(she)(she)于(yu)相(xiang)(xiang)應(ying)吸(xi)附(fu)面511的(de)相(xiang)(xiang)對兩(liang)側(ce)邊上；又(you)例如(ru)，如(ru)圖(tu)13所示，每一(yi)拾(shi)取(qu)凸(tu)起51上的(de)擋墻512設(she)(she)于(yu)相(xiang)(xiang)應(ying)吸(xi)附(fu)面511的(de)四(si)周側(ce)邊上，從而形(xing)成(cheng)可包圍微(wei)部件40的(de)結構(gou)。

具(ju)體(ti)地(di)，所(suo)述傳送(song)頭(tou)50上的擋墻512通(tong)過光刻制(zhi)程在傳送(song)頭(tou)50成型過程中制(zhi)作形成。

具體地，如圖11所示，所述步(bu)驟s2中(zhong)，每一拾取(qu)(qu)凸起(qi)51上(shang)(shang)吸附的微部(bu)(bu)件40的高(gao)(gao)度(du)均大于該拾取(qu)(qu)凸起(qi)51上(shang)(shang)擋(dang)墻512的高(gao)(gao)度(du)；從而(er)在(zai)所述步(bu)驟s3中(zhong)，將(jiang)傳(chuan)送頭50上(shang)(shang)下翻轉后(hou)，擋(dang)墻512不會阻礙(ai)微部(bu)(bu)件40放置在(zai)接受(shou)基(ji)(ji)板(ban)20上(shang)(shang)，進而(er)避免(mian)影響微部(bu)(bu)件40與接受(shou)基(ji)(ji)板(ban)20的綁定(bonding)。

具體地，所(suo)(suo)述微部(bu)(bu)件(jian)40為微發光(guang)二極管，具有金屬電(dian)極41，所(suo)(suo)述步驟(zou)s3中提供(gong)的接(jie)受基(ji)板20為tft陣列基(ji)板。進一(yi)步地，所(suo)(suo)述步驟(zou)s3還包(bao)括將微部(bu)(bu)件(jian)40的金屬電(dian)極41與接(jie)受基(ji)板20導(dao)通(tong)，并(bing)使得所(suo)(suo)述微部(bu)(bu)件(jian)40固定(ding)于所(suo)(suo)述接(jie)受基(ji)板20上，即(ji)將微部(bu)(bu)件(jian)40也即(ji)微發光(guang)二極管與接(jie)受基(ji)板20進行綁定(ding)。

除此(ci)之外，所(suo)述微(wei)部件40也可以為(wei)其(qi)他微(wei)米尺寸或更小尺寸的器件，例如微(wei)集成電路(lu)芯片。

具(ju)體地(di)，所述傳送頭50為pdms傳送頭，所述拾(shi)取凸起51為pdms材料，所述步驟s1中(zhong)通(tong)過拾(shi)取凸起51的(de)粘性吸(xi)附微部件(jian)40。除此(ci)之外(wai)，所述傳送頭50還可以為其他類型(xing)的(de)傳送頭，比如(ru)通(tong)過靜電力來進(jin)行拾(shi)取的(de)傳送頭。

綜上(shang)(shang)所(suo)(suo)述，本(ben)發明(ming)提供了(le)一種微(wei)(wei)(wei)轉(zhuan)(zhuan)印方(fang)法(fa)，利用傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)的(de)(de)(de)拾取(qu)凸起(qi)吸(xi)(xi)附(fu)載(zai)體(ti)基(ji)板(ban)(ban)(ban)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)微(wei)(wei)(wei)部(bu)件(jian)后，將(jiang)(jiang)傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)與載(zai)體(ti)基(ji)板(ban)(ban)(ban)上(shang)(shang)下(xia)翻轉(zhuan)(zhuan)，使所(suo)(suo)述傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)位于(yu)載(zai)體(ti)基(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)下(xia)方(fang)；然后將(jiang)(jiang)傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)與載(zai)體(ti)基(ji)板(ban)(ban)(ban)分(fen)離，使傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)承載(zai)著被(bei)拾取(qu)凸起(qi)吸(xi)(xi)附(fu)的(de)(de)(de)微(wei)(wei)(wei)部(bu)件(jian)；然后將(jiang)(jiang)承載(zai)有微(wei)(wei)(wei)部(bu)件(jian)的(de)(de)(de)傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)轉(zhuan)(zhuan)移到接(jie)受(shou)基(ji)板(ban)(ban)(ban)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)方(fang)，再將(jiang)(jiang)傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)上(shang)(shang)下(xia)翻轉(zhuan)(zhuan)，將(jiang)(jiang)拾取(qu)凸起(qi)吸(xi)(xi)附(fu)的(de)(de)(de)微(wei)(wei)(wei)部(bu)件(jian)置于(yu)接(jie)受(shou)基(ji)板(ban)(ban)(ban)上(shang)(shang)；本(ben)發明(ming)的(de)(de)(de)微(wei)(wei)(wei)轉(zhuan)(zhuan)印方(fang)法(fa)，在(zai)傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)轉(zhuan)(zhuan)移微(wei)(wei)(wei)部(bu)件(jian)的(de)(de)(de)過程中，微(wei)(wei)(wei)部(bu)件(jian)承載(zai)于(yu)傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)上(shang)(shang)，相(xiang)對(dui)于(yu)現(xian)有技術，傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)對(dui)微(wei)(wei)(wei)部(bu)件(jian)的(de)(de)(de)吸(xi)(xi)附(fu)不再需要克服(fu)重力的(de)(de)(de)影響，繼而在(zai)保證傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)對(dui)微(wei)(wei)(wei)部(bu)件(jian)穩定轉(zhuan)(zhuan)移的(de)(de)(de)情況下(xia)，可以對(dui)傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)進行快速(su)移動(dong)，有效提高了(le)傳(chuan)送(song)(song)(song)(song)頭(tou)(tou)(tou)(tou)(tou)的(de)(de)(de)轉(zhuan)(zhuan)移良率和速(su)率。

以上所述，對(dui)于本(ben)領域(yu)的(de)普通(tong)技術人員來說，可以根據本(ben)發明(ming)的(de)技術方案和技術構思作出其(qi)他各種相應的(de)改變(bian)和變(bian)形，而所有這(zhe)些改變(bian)和變(bian)形都應屬于本(ben)發明(ming)權利要求的(de)保護(hu)范圍。