一種ntc熱敏電阻器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種NTC熱敏電阻器的制造方法，包括如下步驟：NTC熱敏電阻器的納米級陶瓷芯片的制作，采用稀有金屬元素摻雜技術，多元配方體系相對應環保銀電極的制備技術，玻璃封裝工藝。采用本發明技術方案，提高了電阻的可靠性和信賴性，提高了阻值一致性，提升了良品率，提高了產品的穩定性和使用壽命。
【專利說明】—種NTC熱敏電阻器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種電阻器，具體涉及一種NTC熱敏電阻器的制造方法。
【背景技術】
[0002]NTC熱敏電阻器廣泛應用于家用電器、醫療器械、汽車等行業，能夠起到溫度測量、溫度補償、抑制浪涌電流等作用，將傳統產業與信息技術、自動化技術、現代管理技術相結合，實現產品設計制造和企業管理的信息化、生產過程控制的智能化、制造裝備的數控化，對于提升傳統產業的國際競爭力，扭轉我國經濟發展高投入低產出的局面，實現經濟增長由資源、資金等要素驅動型向科技驅動型轉變具有重要意義。
[0003]NTC熱敏電阻在國內的大量應用始于上世紀八十年代初期。近年來，隨著家用電器、汽車、通訊設備，醫療儀器等產品的更新換代和技術進步，國內外市場對溫度傳感器的需求量日益增大，NTC熱敏電阻因其良好的性能，成為溫度傳感器市場的主導產品之一。自2006年起，我國電子工業將敏感元件和傳感器作為行業重點發展領域之一，是國家確定的電子信息產業的三大支柱之一，被認為是最具發展前途的電子技術產品。市場銷售額連續三年保持兩位數的增長。
[0004]現階段，我國NTC熱敏電阻正處于成長期階段，產品品種規格少，種類不全，產品結構水平相對較低，生產技術不完善，產品的性能穩定性較差，存在著一致性，互換性不足現象。隨著電子產品的快速發展，未來NTC熱敏電阻將向體積更小、阻值精度更高、響應時間更快的趨勢發展。

【發明內容】

[0005]本發明的目的在于提供一種NTC熱敏電阻器，解決了產品性能不穩定、阻值精度不夠高、產品功率損耗大的問題。
[0006]為實現上述技術目的，達到上述技術效果，本發明通過以下技術方案實現:
[0007]一種NTC熱敏電阻器的制造方法，其特征在于:包括如下步驟:
[0008]I)、NTC熱敏電阻器的納米級陶瓷芯片的制作:流程為配料，一次球磨，烘干，二次球磨，烘干，粉碎，預壓，等靜壓，預燒，燒結，采用納米級金屬氧化物作為主要配方原料，獲得結構穩定的AB204尖晶石晶界相體，同時，使每一批次的耗能降低48Kw/h，采用ALO埋燒技術后，在高溫Al氣氛中燒結，在相對短的時間和降低峰值溫度的情況下，四元系配方的燒結峰值溫度從1250度調低到1185度，峰值溫度保持燒結從8小時降低到6小時，能夠節省18Kw/h的電量。
[0009]2)、采用稀有金屬元素摻雜技術:將二氧化鋯、氧化釔二氧化硅和碳酸鋇等稀有金屬元素適量摻雜，能夠在等同于常規的工藝條件下，生產出電阻值，熱敏指數基本不變的熱敏電阻陶瓷芯片，而信賴性卻從原來的2.7%降低到0.5%。
[0010]3)、多元配方體系相對應環保銀電極的制備技術:根據配方體系中各元素含量的區別，使用恰當比例含銀量的無鉛環保純銀漿，結合燒銀過程中無機物揮發的控制，能夠使熱敏電阻瓷片的一致性提高到95%，信賴性指標中的漂移一項下降至0.8%。
[0011]4)、玻璃封裝工藝:封裝曲線由常規的抽真空，充氮氣，加熱升溫，峰值溫度，自然降溫變成抽真空，充氮氣，加熱升溫，充氮氣，保溫，充氮加熱至峰值溫度，冷卻水輔助控制勻速降溫，這樣既防止了陶瓷芯片銀電極的氧化又使引線杜美頭和銀電極良好的接觸，玻封管緊密地對杜美頭的包裹有效杜絕了電阻使用過程中電鍍酸和焊錫膏對芯片的滲透，根據玻封管特性中玻殼的軟化點溫度、融化點溫度，結合公司真空焊接爐的特性，二極管玻封與MELF封裝采用多套焊接曲線，最大限度的保證了電阻在焊接石墨模具上經受相同的加熱電流和封裝溫度，采用大功率大電流加熱，4分鐘即可快速升溫至封裝溫度，能夠保護陶瓷芯片的銀電極在300-500度溫度區間免受沖擊，保證熱敏電阻阻值的一致性。
[0012]進一步的，一次球磨時間為8小時，二次球磨時間為4小時，采用控制燒結氣氛技術進行低溫燒結。
[0013]本發明的有益效果:
[0014]采用本發明技術方案，提高了電阻的可靠性和信賴性，提高了阻值一致性，提升了良品率，提聞了廣品的穩定性和使用壽命。
[0015]上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例詳細說明如后。本發明的【具體實施方式】由以下實施例詳細給出。
【具體實施方式】
[0016]下面將結合實施例，來詳細說明本發明。
[0017]一種NTC熱敏電阻器的制造方法，其特征在于:包括如下步驟:
[0018]I)、NTC熱敏電阻器的納米級陶瓷芯片的制作:流程為配料，一次球磨，烘干，二次球磨，烘干，粉碎，預壓，等靜壓，預燒，燒結，采用納米級金屬氧化物作為主要配方原料，獲得結構穩定的AB204尖晶石晶界相體，同時，使每一批次的耗能降低48Kw/h，采用ALO埋燒技術后，在高溫Al氣氛中燒結，在相對短的時間和降低峰值溫度的情況下，四元系配方的燒結峰值溫度從1250度調低到1185度，峰值溫度保持燒結從8小時降低到6小時，能夠節省18Kw/h的電量。
[0019]2)、采用稀有金屬元素摻雜技術:將二氧化鋯、氧化釔二氧化硅和碳酸鋇等稀有金屬元素適量摻雜，能夠在等同于常規的工藝條件下，生產出電阻值，熱敏指數基本不變的熱敏電阻陶瓷芯片，而信賴性卻從原來的2.7%降低到0.5%。
[0020]3)、多元配方體系相對應環保銀電極的制備技術:根據配方體系中各元素含量的區別，使用恰當比例含銀量的無鉛環保純銀漿，結合燒銀過程中無機物揮發的控制，能夠使熱敏電阻瓷片的一致性提高到95%，信賴性指標中的漂移一項下降至0.8%。
[0021]4)、玻璃封裝工藝:封裝曲線由常規的抽真空，充氮氣，加熱升溫，峰值溫度，自然降溫變成抽真空，充氮氣，加熱升溫，充氮氣，保溫，充氮加熱至峰值溫度，冷卻水輔助控制勻速降溫，這樣即防止了陶瓷芯片銀電極的氧化又使引線杜美頭和銀電極良好的接觸，玻封管緊密地對杜美頭的包裹有效杜絕了電阻使用過程中電鍍酸和焊錫膏對芯片的滲透，根據玻封管特性中玻殼的軟化點溫度、融化點溫度，結合公司真空焊接爐的特性，二極管玻封與MELF封裝采用多套焊接曲線，最大限度的保證了電阻在焊接石墨模具上經受相同的加熱電流和封裝溫度，采用大功率大電流加熱，4分鐘即可快速升溫至封裝溫度，能夠保護陶瓷芯片的銀電極在300-500度溫度區間免受沖擊，保證熱敏電阻阻值的一致性。
[0022]進一步的，使一次球磨時間為8小時，二次球磨時間為4小時，采用控制燒結氣氛技術進行低溫燒結。
[0023]以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種NTC熱敏電阻器的制造方法，其特征在于:包括如下步驟: 1)、NTC熱敏電阻器的納米級陶瓷芯片的制作:流程為配料，一次球磨，烘干，二次球磨，烘干，粉碎，預壓，等靜壓，預燒，燒結，采用納米級金屬氧化物作為主要配方原料，獲得結構穩定的AB204尖晶石晶界相體，同時，使每一批次的耗能降低48Kw/h，采用ALO埋燒技術后，在高溫Al氣氛中燒結，在相對短的時間和降低峰值溫度的情況下，四元系配方的燒結峰值溫度從1250度調低到1185度，峰值溫度保持燒結從8小時降低到6小時。 2)、采用稀有金屬元素摻雜技術:將二氧化鋯、氧化釔二氧化硅或碳酸鋇稀有金屬元素適量摻雜，能夠在等同于常規的工藝條件下，生產出電阻值，熱敏指數基本不變的熱敏電阻陶瓷芯片，而信賴性卻從原來的2.7%降低到0.5%。 3)、多元配方體系相對應環保銀電極的制備技術:根據配方體系中各元素含量的區別，使用恰當比例含銀量的無鉛環保純銀漿，結合燒銀過程中無機物揮發的控制，能夠使熱敏電阻瓷片的一致性提高到95%，信賴性指標中的漂移一項下降至0.8%。 4)、玻璃封裝工藝:封裝曲線由常規的抽真空，充氮氣，加熱升溫，峰值溫度，自然降溫變成抽真空，充氮氣，加熱升溫，充氮氣，保溫，充氮加熱至峰值溫度，冷卻水輔助控制勻速降溫，玻封管緊密地對杜美頭的包裹有效杜絕了電阻使用過程中電鍍酸和焊錫膏對芯片的滲透，玻封管特性中玻殼的軟化點溫度、融化點溫度，結合公司真空焊接爐的特性，二極管玻封與MELF封裝采用多套焊接曲線，最大限度的保證了電阻在焊接石墨模具上經受相同的加熱電流和封裝溫度，采用大功率大電流加熱，4分鐘即可快速升溫至封裝溫度，能夠保護陶瓷芯片的銀電極在300-500度溫度區間免受沖擊，保證熱敏電阻阻值的一致性。
2.根據權利要求1所述的NTC熱敏電阻器的制造方法，其特征在于:所述步驟(I)中，一次球磨時間為8小時，二次球磨時間為4小時，采用控制燒結氣氛技術進行低溫燒結。
【文檔編號】H01C7/04GK103578675SQ201210263942
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月27日 優先權日:2012年7月27日
【發明者】金建方, 楊睿智, 嚴惠民 申請人:蘇州星火電子科技有限公司