專利名稱：：光能電池及其紅光轉換層的制作方法光能電池及其紅光轉換層發明所屬
技術領域：
本發明系關于一種能源
技術領域：
。具體而言，是指一種硅基光能電池及其紅光轉換層，其不同于石油、天然氣和煤炭等資源，其可通過轉換層提升太陽能電池的光轉換效率。先前技術光能電池，更確切地說是硅基光能電池作為自備能源廣泛應用于移動通信器材、微機、照明光源等現代技術中。對于宇宙航行目標，專業硅基太陽能電池是唯一的供給能源，這是與創造太陽能電池的研究領域相關聯的一個特殊方向。硅基太陽能電池的設計開始于20世紀中期，更確切地說是20世紀60年代，當時人們正在積極地開發近地宇宙空間。硅基太陽能電池的積極倡導者是美國、蘇俄以及日本的科學家和工程師。這些最初的研究成果編錄于專題論文集(請參照"半導體輻射能量轉換"408頁，莫斯科，外國文獻出版社，1959年)。按照最初的分類人們迸行了如下劃分l.光電輻射能量轉換器；2.熱電輻射能量轉換器；以及3.半導體電磁輻射轉換器。請參照圖1,其繪示了一般硅基光能電池的結構示意圖。如圖所示，可以將硅基光陽能電池理解為一種裝置，在這個裝置中具有殼體10,其可容置硅基光能電池，在殼體10中安置有硅基片20,在該硅基片20的表面為p-n接面薄層30。上述結構的硅基光能電池在光線40照射的情況下可產生能量，此外，其還具有一電極系統50、一轉換層60，且于該轉換層60上面覆蓋了一層玻璃70。對于硅基光能電池而言，可應用一些參數來說明其特征。這些參數首先是電池電壓V,單位為伏特，電池電流J,單位為安培，電池最大供給電功率W,單位為瓦特，以及電池的最重要參數-實際效率4,其單位為％。正如大家所熟知的，當地球表面受到太陽照射時，太陽照射到地球表面能量功率為0.1W/cm2或1000W/m2。關于硅基光能電池的實際效率，人們理解為電池所達到的功率與作用于電池表面的太陽光功率的比值。硅基光能電池這個最重要的參數在大量的科學和專利文獻中得以研究。依據大量的計算，譬如E.S.Rittner.所提出(請參照PhysRev.V96N6，1708，1954)，對于具有寬禁區Eg=l.leV的材料，其效率為25%。這一理論值被認為是非常準確的，以致在最近50年中沒有變化。按照這些值，照明時當硅基光能電池面積為lm2,太陽光功率為1000W/ii^時，能獲得250W的電功率。因為這個理論值(請參照PhysRev.V96N6，1708,1954)的準確性，在50年的時間里，使用硅基作為主要構件的最好的太陽能電池的效率為2022%(請參照www.comp.krit.ru/index.DhD網站的資料)。全世界許多公司生產的工業太陽能電池，譬如〃SunTech〃、〃Motech〃等，其效率為14.518%。有關這種實際效率和最大計算值具有不適應性的詳細原因是本專利申請的目標和對象。為了指出這一最重要的原因，本發明比較了兩種曲線，它們在圖5及圖6中引用。圖5中揭示了北緯38度八月正午時分的太陽光譜輻射。對于這一曲線我們進行了專業的測量，因為在這些寬度和白晝條件下能夠很好地再現太陽常數值0.1W/cm2。對于太陽輻射光譜曲線的特征，其為極值類型，光譜最大值位于波長入-473土5nm,并且這一最大值不會因為太陽的位置和角度而有所改變，只有大氣現象能改變極值位置，譬如濃霧、多云以及強降雨天氣。圖6中引用了硅基光能電池光敏光譜曲線值-沿坐標橫軸被吸收輻射的納米級波長，坐標軸具有查定定額uA/mW。曲線最大值為A=960980nm,光敏值為600uA/mW，這時當位于A=400nm的區域光敏值總計為230"A/mW。在太陽輻射光譜最大值區域光敏值有些高，然而這個值320uA/mW低于硅光敏最大值將近2倍。圖5與圖6的曲線是不相似的，針對此一不相似性的研究并不多。本發明的申請人已于中國臺灣096105011申請案中指出其中之一。在這一申請案中提出了源于兩種熒光粉的復合轉換層。這種轉換層首先被入max=470nm的太陽光激發，此后在A=580590nm的區域發光。第一種熒光粉被這一發光的波長激發，熒光粉激發最大值正好位于入-588nm的光譜輻射。第二種熒光粉的發光具有A=l0001020nm區域的光譜最大值，也就是說接近于硅基光能電池光敏度的光譜最大值。適合于計算值并依據這一模型-原型將光能電池的效率提升到2530%。這些硅基光能電池所達到的極高效率為1619.5%,無疑超過效率的現實值。然而，盡管上述技術的硅基光能電池及其轉換層具有高絕對效率值，但它們仍具有一些缺陷l.在一種轉換層中必須使用兩種熒光粉，這影響到硅基光能電池表面照明度的均勻性；以及2.所使用的輻射波長為入=9901000nm的第二種熒光粉對于單晶硅片產生熱作用。
發明內容為解決上述已知技術的缺點，本發明的主要目的系提供一種硅基光能電池及其紅光轉換層，其可實現創造高效率硅基光能電池的可能性。為解決上述已知技術的缺點，本發明的另一目的系提供一種硅基光能電池及其紅光轉換層，其可提升硅基光能電池所產生電壓的范圍。為解決上述已知技術的缺點，本發明的另一目的系提供一種硅基光能電池及其紅光轉換層，其可增大硅基光能電池的短路電流。為達到上述目的，本發明提供一種硅基光能電池，其系由一硅片構件組，覆蓋一玻璃，以及于兩者之間的一轉換層組成，其特征在于該轉換層可吸收太陽輻射的紫外線、藍-紫或黃-綠光部分，同時將其光變換為光致發光，該轉換層可吸收太陽輻射的最大值，使該轉換層的光致發光光譜最大值位于單晶硅光敏性光譜區域。其中，該玻璃可為脫色鋒面玻璃。其中，該光致發光位于電磁波譜的橙色、紅色、近紅外線以及中紅外線次能帶。其中，該轉換層所吸收太陽輻射的最大值為入:470490nm。其中，該轉換層的光致發光光譜最大值位于該硅基光能電池的光敏性光譜區域，其為A=700900nm區域。其中，該轉換層系由納米尺寸的含氧無機熒光粉粉末所組成，該熒光粉系由周期系統IEA及IVA族元素所制備，并具有立方結晶構造，在此情況下，該熒光粉粉末的幾何尺寸小于輻射于它的光波波長，即cLp突<入光o其中，該轉換層中填充有乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯類型的透光聚合物，該聚合物中填充a-Al203-Ti203組成的熒光粉，且該熒光粉均勻分布于透光聚合物中，其體積濃度為0.05%5%。其中，該轉換層中進一步添加激活劑鈦離子，其中鈦離子的氧化度為Ti+3。其中，它的鋒面部分具有藍-淡綠色澤，對于第一級太陽輻射的吸收效率^6075%。其中，該轉換層對于太陽輻射的有效利用可增加1528%。為達到上述目的，本發明提供一種紅光轉換層，其可吸收太陽輻射的紫外線、藍-紫或黃-綠光部分，同時將其光變換為光致發光，該轉換層可吸收太陽輻射的最大值，使該轉換層的光致發光光譜最大值位于單晶硅光敏性光譜區域。其中，該光致發光位于電磁波譜的橙色、紅色、近紅外線以及中紅外線次能帶。其中，該轉換層所吸收太陽輻射的最大值為入:470490nm。其中，該轉換層系由納米尺寸的含氧無機熒光粉粉末所組成，該熒光粉系由周期系統IIIA及IVA族元素所制備，并具有立方結晶構造，在此情況下，該熒光粉粉末的幾何尺寸小于輻射于它的光波波長，即(Lp炎<入光o其中，該轉換層中填充有乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯類型的透光聚合物，該聚合物中填充a-Al203-Ti203組成的熒光粉，且該熒光粉均勻分布于透光聚合物中，其體積濃度為0.05%5%。其中，該轉換層進一步添加激活劑鈦離子，其中鈦離子的氧化度為Ti+3。其中，該轉換層對于太陽輻射的有效利用可增加1528%。實施方式首先，本發明的目的在于消除上述硅基光能電池的缺點。請參照圖2，為了達到這個目標，本發明的硅基光能電池1系由一硅片構件組2，覆蓋一玻璃4，以及于兩者之間的一轉換層3組成，其特征在于，，該轉換層3可吸收太陽輻射的紫外線、藍-紫或黃-綠光部分，同時將其光變換為光致發光，該轉換層3可吸收太陽輻射的最大值，使該轉換層3的光致發光光譜最大值位于單晶硅光敏性光譜區域。其中，該玻璃4可為脫色鋒面玻璃。其中，該光致發光位于電磁波譜的橙色、紅色、近紅外線以及中紅外線次能帶。其中，該轉換層3所吸收太陽輻射的最大值為入=470490nm。其中，該轉換層3的光致發光光譜最大值位于該單晶硅的光敏性光譜區域，其為入=700900nm區域。其中，該轉換層3系由納米尺寸的含氧無機熒光粉粉末所組成，該熒光粉系由周期系統mA及IVA族元素所制備，并具有立方結晶構造，在此情況下，該熒光粉粉末的幾何尺寸小于輻射于它的光波波長，即dw熒<入光o其中，該轉換層3中填充有乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯類型的透光聚合物31，該聚合物31中填充a-八1203-1^03組成的熒光粉32，且該熒光粉32均勻分布于透光聚合物31中，其體積濃度為0.05%~5%。其中，該轉換層3中進一步添加激活劑鈦離子，其中鈦離子的氧化度為Ti+3。其中，它的鋒面部分具有藍-淡綠色澤，對于第一級太陽輻射的吸收效率^6075%。其中，該轉換層3對于太陽輻射的有效利用可增加1528%。本發明以圖5及圖6的曲線為基礎計算了這兩個參數的乘積求得一新曲線的光譜類型，其定義為圖3。圖3中這種新曲線指出了最容易被單晶硅太陽能電池1所承受的太陽光譜部分。該新曲線光譜最大值的特點是在入=780860nm的區域變化。這種計算的結果指出了創造用于單晶硅太陽能電池的新型轉換層的最佳方案。根據本發明所提出的構造，硅基光能電池1由以下構件組成，安置在殼體5中的硅基片2,覆蓋的抗反射玻璃4以及安置于其中并進行直接接觸的轉換層3，該轉換層3具有不同尋常的光學性質。首先，該轉換層3強烈吸收太陽可見光譜紫外線、紫色、藍色、淺藍色、綠色和黃綠色區域的輻射。其次，該轉換層3中的材料在吸收激發的輻射光后發射光線，此發光光譜最大值位于A-760780nm的區域。最后，全部輻射區域位于光譜次能帶從入=640920nm，也就是說實際上與本發明所計算的太陽能電池板最佳效率的曲線相符合(請參照圖3)。以下接著說明，該轉換層3吸收光譜最大值與太陽輻射光譜最大值符合，也就是說位于A=470490nm的區域。本發明所提出的新型轉換層3的光學-物理性質可顯示在圖4中，其中左曲線適合于轉換層對于第一級太陽輻射的吸收，這時右曲線適合于在紅色、暗紅色和近紅外線電磁波譜區域轉換層材料的寬頻帶發光。具有該轉換層3的硅基光能電池1的優點是可提升光能電池的效率，這取決于硅基光能電池裝置的最重要的特點，其特征在于該轉換層系由納米尺寸的含酸無機熒光粉32所組成，該熒光粉32由周期系統IIIA和IVA族元素制作而成，具有六邊形結晶構造，在這種情況下，粉末幾何尺寸小于輻射于它的光波波長，(1。^<入*，并均勻分布在轉換層3的透光熱塑性聚合物31中，該熒光粉32的體積濃度為0.05%5%。以下將詳細指出本發明的轉換層3的新性質。首先，為了減少轉換層3的光學飽和度，則隨后填充超細散熒光粉32粉末，其中熒光粉32分布于聚合物31的容積中。于本發明的工作過程中發現，使用納米尺寸熒光粉32代替已知微米尺寸(或更大尺寸)的熒光粉可實質性提升轉換層3的光學透光度，其物理解釋包括第一，具有超細散粉末的介質，其的尺寸小于激發波長或輻射于它的波長并遵循散射規律。按照瑞利定律，大分散粉末與光相互作用適應于這一定律，它的散射值與分散微粒面積成比例。第二，熒光粉32粉末源于含氧無機熒光粉，由HIA和IVA族元素制作而成。第三，納米尺寸熒光粉32粉末具有a-Al203架構，也就是說具有六邊形結晶構造。必須指出，無機熒光粉32粉末的幾何尺寸小于輻射于它的光波長，也就是iftd5o熒<入光W&dcp熒<入光。第四，熒光粉32粉末均勻地分布于聚合物31容積中，彼此間距很大。這一間距大于粉末的幾何尺寸的150100倍，也就是說約為2550nm。可以確定，間距為50nm(或更小)以內，一個熒光粉32輻射微粒不與其它微粒相鄰。第五，熒光粉32分布非常均勻，為轉換層3容積的0.055%。當熒光粉32粉末體積濃度小于0.05%時，輻射于它的發光的亮度低。發光亮度值低不能實質性提升太陽能電池效率。如果熒光粉32粉末容量變得更高，為大于5%,那么光致發光強度從所達到的最大值開始下降。當熒光粉32粉末體積濃度為最佳時，其光致發光值最大，這個值正如在本發明中發現的，為容積的0.21.5%。依此，我們能確定硅基光能電池的轉換層3的主要光學-物理參數。必須指出，與標準太陽能轉換裝置相比較，本發明所提出的電池具有實質性增大的參數。于本發明所提出的硅基光能電池中，其電壓值范圍增至5.6V,也就是說提升了2025%，同時短路電流值增大，其單位面積的硅基光能電池具有更高的功率，這是本發明所提出裝置的非常重要的特點。本發明的硅基光能電池的這些特點源于其自身所具有的本質特性，其轉換層3系由a41203基質熒光粉32組成，并添加激活離子-鈦離子，且鈦離子氧化度為Ti+3。以下將闡釋本發明所提出的技術處理的實質，包括使用a-型氧化鋁，被氧化度為+3的鈦激活。首先關于鋁的氧化物，已知有這樣一些晶體類型5-Al203、S-Al203及a-A1203。最初的兩種類型(艮卩S-Al2〇3、S-Al2Ch)具有斜方形和單斜構造且密度太低=3.5g/cm3。對于S-Al203,晶格參數很高，因而能設想S-Al2〇3內部的靜電場不是很強。對于a-Al2Ch，這種材料密度增大了1215%,這也決定了材料晶格內部具有很高的靜電場。Ti+3的激活伴隨著+4價(TiCb)的還原，如圖所示(l-x)Al203+xTi02—(H2)—(l-x)Al203+xTi203+H20—Al2-xTix03+H20。根據等價機構，Al2Ch晶格中Ti"位置的發生替換，并形成按照一定濃度配置的Th03和a41203無機固溶體。本發明發現，當濃度[Th03]〉5呢時，隨后固溶體在a-八1203分布為兩種形式Th03溶解于AK)3以及AM)3溶解于ThO"因而，在A1203中加入更高濃度的Th03并不適合。以下將指出，當a-Al203中Ti203濃度發生變化時，光致發光亮度變化形式并不單一起初亮度的增長實際上按照加入Ti2Cb的濃度呈比例變化，然后隨著濃度飽和，亮度開始減少。根據熒光粉32發光亮度最大值可以確定最佳濃度值，這時a-Al203-Ti203濃度范圍為0.52.5%的質量分率。作為這種過程的最簡單的變化類型，本發明采用混合物固相燒結法進行實驗，Al2〇3+Ti2〇3—(H2-N2)—Al2〇3-Ti203，混合物為原來的納米尺寸Al203及Ti203的粉末。還能采用更復雜的合成方案，譬如Al2(S04)3+TiOS04+4NH4OH—Al(OH)3+Ti(OH)4+4(NH4)2S〇4，隨后在還原介質中對已沉淀的氫氧化物混合物進行灼燒。本發明還指出，與A1+3(ta1=0.58A)相比較，Ti+3具有更大的離子半徑。由于這個原因，當《-Al203及ThCh混合物進行熱處理時，發生在已合成的a-A1203粉末碎化。如果傳統的a-A1203粉末的合成源于S-Al2〇3,這種粉末平均尺寸為d5Q—m，那么隨著平均粉末尺寸減小到d5Q—0.48~0.50"m，這種Th03發生了激活作用。這樣，從本發明所提出的熒光粉32粉末的分散度增大的觀點來看，鈦離子是Al203被激活的直接原因。這時粉末形狀絕大部分為片狀或針狀，并形成尖銳的棱角和缺口。d-d內部躍遷決定了Ti+3強烈的光致發光。在d-d-躍遷作用下，Ti+3的輻射和吸收對于a-八1203晶格的靜電場產生作用。因而根據圖4得出結論，Ti"的吸收具有寬鐘形式。a-八1203-1^03熒光粉32輻射曲線具有很大的半波寬。同時本發明指出，這種輻射余輝持續時間短，為te—20us。在溫度范圍320450K下，這種短余輝持續時間實際上不發生變化。這是本發明所提出的熒光粉32非常重要的特點，因為硅基光能電池和作為其內層的轉換層3能直接加熱到高溫，即T>060。C。如果將本發明的含有轉換層3的硅基光能電池與一般已知電池類型進行比較，即可以得出以下表格表1<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>從表1中可以得出結論，本發明所提出的單晶硅太陽能電池具有高的電學參數，為標準工業生產模件值的1.21.25倍。根據這些高的參數值可以指出，在致力于本發明的工作過程中我們制作的硅片-組件與標準樣品相比，其效率高出2628%。如果制作源于高電阻硅組件的硅基光能電池，那么效率增長量降低到1516%，然而硅基光能電池中將補償更高的輸出電壓。此外本發明還提供一種紅光轉換層3,其可吸收太陽輻射的紫外線、藍-紫或黃-綠光部分，同時將其光變換為光致發光，該轉換層3可吸收太陽輻射的最大值，使該轉換層3的光致發光光譜最大值位于硅基光能電池光敏性光譜區域。其中，該光致發光位于電磁波譜的橙色、紅色、近紅外線以及中紅外線次能帶。其中，該轉換層3所吸收太陽輻射的最大值為A=470490nm。其中，該轉換層3系由納米尺寸的含氧無機熒光粉32粉末所組成，該熒光粉32系由周期系統IIIA及IVA族元素所制備，并具有立方結晶構造，在此情況下，該熒光粉粉末的幾何尺寸小于輻射于它的光波波長，艮卩dcP熒<入光。其中，該轉換層3中填充有乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯類型的透光聚合物31，該聚合物31中則填充a-八1203-1^03組成的熒光粉32，且該熒光粉32均勻分布于透光聚合物31中，其體積濃度為0.05%5%。其中，該轉換層3進一步添加激活劑鈦離子，其中鈦離子的氧化度為Ti+3。其中，該轉換層3對于太陽輻射的有效利用可增加1528%。其詳細技術特征請參照上述的說明，在此不擬重復贅述。綜上所述，本發明的硅基光能電池及紅光轉換層具有可實現創造高效率硅基光能電池的可能性；可提升硅基光能電池所產生電壓的范圍；以及可增大硅基光能電池的短路電流等優點，因此，確可改善已知硅基光能電池的缺點。雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發明，任何熟習此技藝者在不脫離本發明的精神和范圍內當可作少許的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視后附的權利要求書所界定的為準。圖式簡單說明圖1為一示意圖，其繪示一般硅基光能電池的結構示意圖殼體10、硅基片20、p-n接面薄層30、光線40、電極系統50、轉換層60、玻璃70。圖2為一示意圖，其繪示本發明一較佳實施例的硅基光能電池的結構示意圖硅基光能電池1、硅片構件組2、轉換層3、聚合物31、熒光粉32、玻璃4、殼體5。圖3為一示意圖，其繪示以圖5及圖6曲線為基礎計算這兩個參數的乘積求得一新曲線的光譜類型定義的示意圖。圖4為一示意圖，其繪示本發明的轉換層3的光學-物理性質。圖5中揭示了北緯38度八月正午時分的太陽光譜輻射的示意圖，其是在2004年11月15日15點在隧道中通過風光輻射計(LI-1800，EKO)測量的太陽輻射。圖6中引用了硅基光能電池光敏光譜曲線值-沿坐標橫軸被吸收輻射的納米級波長，其坐標軸具有査定定額pA/mW。權利要求1.一種硅基光能電池，其系由一硅片構件組，覆蓋一玻璃，以及于兩者之間的一轉換層組成，其特征在于該轉換層可吸收太陽輻射的紫外線、藍-紫或黃-綠光部分，同時將其光變換為光致發光，該轉換層可吸收太陽輻射的最大值，使該轉換層的光致發光光譜最大值位于單晶硅光敏性光譜區域。2.如權利要求1所述的硅基光能電池，其中該玻璃可為脫色鋒面玻璃。3.如權利要求1所述的硅基光能電池，其中該光致發光位于電磁波譜的橙色、紅色、近紅外線以及中紅外線次能帶。4.如權利要求3所述的硅基光能電池，其中該轉換層所吸收太陽輻射的最大值為入=470490nm。5.如權利要求1所述的硅基光能電池，其中該轉換層的光致發光光譜最大值位于該單晶硅的光敏性光譜區域，其為入=700900nm區域。6.如權利要求1所述的硅基光能電池，其中該轉換層系由納米尺寸的含氧無機熒光粉粉末所組成，該熒光粉系由周期系統niA及IVA族元素所制備，并具有立方結晶構造，在此情況下，該熒光粉粉末的幾何尺寸小于輻射于它的光波波長，即dcp熒〈A光。7.如權利要求1所述的硅基光能電池，其中該轉換層中填充有乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯類型的透光聚合物，該聚合物中填充a-八1203-^203組成的熒光粉，且該熒光粉均勻分布于透光聚合物中，其體積濃度為0.05%5%。8.如權利要求7所述的硅基光能電池，其中該轉換層中進一步添加激活劑鈦離子，其中鈦離子的氧化度為Ti"。9.如權利要求1所述的硅基光能電池，其中它的鋒面部分具有藍-淡綠色澤，對于第一級太陽輻射的吸收效率^6075%。10.如權利要求1所述的硅基光能電池，其中該轉換層對于太陽輻射的有效利用可增加1528%。11.一種紅光轉換層，其可吸收太陽輻射的紫外線、藍-紫或黃-綠光部分，同時將其光變換為光致發光，該轉換層可吸收太陽輻射的最大值，使該轉換層的光致發光光譜最大值位于硅基光能電池光敏性光譜區域。12.如權利要求11所述的紅光轉換層，其中該光致發光位于電磁波譜的橙色、紅色、近紅外線以及中紅外線次能帶。13.如權利要求11所述的紅光轉換層，其中該轉換層所吸收太陽輻射的最大值為入=470490nm。14.如權利要求11所述的紅光轉換層，其中該轉換層的光致發光光譜最大值位于該單晶硅的光敏性光譜區域，其為入=700900nm區域。15.如權利要求11所述的紅光轉換層，其系由納米尺寸的含氧無機熒光粉粉末所組成，該熒光粉系由周期系統IIIA及IVA族元素所制備，并具有立方結晶構造，在此情況下，該熒光粉粉末的幾何尺寸小于輻射于它的光波波長，即dcp熒〈入光。16.如權利要求11所述的紅光轉換層，其中該轉換層中填充有乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯類型的透光聚合物，該聚合物中填充a-八1203-1^03組成的熒光粉，且該熒光粉均勻分布于透光聚合物中，其體積濃度為0.05%5%。17.如權利要求16所述的紅光轉換層，其中該轉換層進一步添加激活劑鈦離子，其中鈦離子的氧化度為Ti+3。18.如權利要求11所述的紅光轉換層，其中該轉換層對于太陽輻射的有效利用可增加1528%。全文摘要本發明系關于一種光能電池及其紅光轉換層，該轉換層的特征在于可吸收太陽光譜紫外線、紫、藍、淺藍、黃-綠部分，并變換為紅光、暗紅光以及近紅外線的次能帶輻射。該轉換層的吸收光譜最大值位于λ＝470～490nm的區域，再輻射光譜最大值位于700～900nm的區域，與硅基太陽能電池最佳靈敏度區域相符合。在本發明的硅基太陽能電池中，該轉換層填充乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯類型的透光聚合物，聚合物中填充α-Al₂O₃-Ti₂O₃組成的熒光粉，其輻射量子效率達到90％。文檔編號H01L31/055GK101188255SQ20071015231公開日2008年5月28日申請日期2007年9月26日優先權日2007年9月26日發明者索辛納姆,羅維鴻,蔡綺睿申請人:羅維鴻