一種光伏多晶硅片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種光伏多晶硅片，包括多晶硅片，所述多晶硅片的四端通過弧角連接，所述多晶硅片的外側設有安裝套片，所述多晶硅片表面設有第一柵線，所述多晶硅片表面均勻設有第二柵線，所述多晶硅片內部均勻設有硼雜質，所述多晶硅片的上表面設有氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜上端設有減反射層，所述減反射層上側與多晶硅片的下側均設有保護膜，所述多晶硅片下端固定連接有電極。該提高了硅片的硬度，減反射層減少了光的反射，從而提升了光能的利用率，防止了多晶硅片被腐蝕，增加了使用壽命。
【專利說明】
一種光伏多晶硅片
技術領域
[0001]本實用新型涉及光伏發電技術領域，具體為一種光伏多晶硅片。
【背景技術】
[0002]隨著全世界環境保護意識的高漲，地球升溫所造成的自然災害日益嚴重，和全世界十億以上住在無電或缺電地區的人口用電量需求日益迫切，太陽能電池市場將會繼續快速地成長，目前全世界太陽能電池的發電量還不到傳統能源發電量的萬分之一，主要因為太陽能電池發電的成本是傳統能源發電成本的2-3倍，從太陽能電池光電轉換效率來看，近幾年來，隨著工藝技術水平的不斷提高，也有重大的突破，目前，單晶硅太陽能電池轉換效率已從3年前的14%提高到17%，多晶硅太陽能電池轉換效率也從3年前的10%提高到15%，超高效率的太陽能電池轉換效率已超過50%，世界光伏組件產量上世紀末最后10年的平均增長率為20%，從1991年的55兆瓦增長到2000年的287兆瓦，而進入2000年后，全球光伏組件的年均增長率更是高達30%以上，2003年全球的產量達到了744兆瓦，光伏產業成為全球發展最快的新興行業之一，太陽能電池需求年均增長率高達30%，可預見的高速增長將持續40年以上，但反射率仍然較高，從而導致光能的利用率較低，且多晶硅片容易被腐蝕，因此，提出了一種光伏多晶硅片。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種光伏多晶硅片，以解決上述【背景技術】中提出的問題。
[0004]為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案:一種光伏多晶硅片，包括多晶硅片，所述多晶硅片的四端通過弧角連接，所述多晶硅片的外側設有安裝套片，所述多晶硅片表面設有第一柵線，所述多晶硅片表面均勻設有第二柵線，所述多晶硅片內部均勻設有硼雜質，所述多晶硅片的上表面設有氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜上端設有減反射層，所述減反射層上側與多晶硅片的下側均設有保護膜，所述多晶硅片下端固定連接有電極。
[0005]優選的，所述第一柵線的數量不少于4個，且第一柵線之間相互平行。
[0006]優選的，所述第二柵線之間相互平行。
[0007]優選的，所述第一柵線與第二柵線之間相互垂直。
[0008]優選的，所述電極的數量為2個，且電極分別設在多晶硅片下表面的兩側。
[0009]與現有技術相比，本實用新型的有益效果是:該光伏多晶硅片通過摻雜在多晶硅片中的硼雜質，從而提高了硅片的硬度，且提升了導電效率，通過安裝套片實現了對多晶硅片的固定，而不影響光照率，減反射層減少了光的反射，從而提升了光能的利用率，防止了多晶硅片被腐蝕，增加了使用壽命。
【附圖說明】
[00?0]圖1為本實用新型結構不意圖；
[0011]圖2為本實用新型多晶娃片結構不意圖。
[0012]圖中:I多晶硅片、11硼雜質、2安裝套片、3第一柵線、4第二柵線、5弧角、6電極、7保護膜、8氮化硅薄膜、9減反射層。
【具體實施方式】
[0013]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0014]請參閱圖1-2，本實用新型提供一種技術方案:一種光伏多晶硅片，包括多晶硅片I，所述多晶硅片I的四端通過弧角5連接，所述多晶硅片I的外側設有安裝套片2，所述多晶硅片I表面設有第一柵線3，所述多晶硅片I表面均勻設有第二柵線4，所述多晶硅片I內部均勻設有硼雜質11，所述多晶硅片I的上表面設有氮化硅薄膜8，所述氮化硅薄膜8上端設有減反射層9，所述減反射層9上側與多晶硅片I的下側均設有保護膜7，所述多晶硅片I下端固定連接有電極6，所述第一柵線3的數量不少于4個，且第一柵線3之間相互平行，所述第二柵線4之間相互平行，所述第一柵線3與第二柵線4之間相互垂直，所述電極6的數量為2個，且電極6分別設在多晶硅片I下表面的兩側。
[0015]工作原理:工作時，通過多晶硅片I外側的安裝套片2使得與相鄰多晶硅片I實現連接，將電極6接到相近多晶硅片I的電極上6，通過第一柵線3與第二柵線4對多晶硅片I進行隔離，摻雜在多晶硅片I中的硼雜質U，從而提高了硅片的硬度，減反射層9與氮化硅薄膜8減少了光的反射，從而提升了光能的利用率，在多晶硅片的外側設有保護膜7，防止了多晶硅片I被腐蝕。
[0016]盡管已經示出和描述了本實用新型的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本實用新型的范圍由所附權利要求及其等同物限定。
【主權項】
1.一種光伏多晶硅片，包括多晶硅片(1)，其特征在于:所述多晶硅片(I)的四端通過弧角(5)連接，所述多晶硅片(I)的外側設有安裝套片(2)，所述多晶硅片(I)表面設有第一柵線(3)，所述多晶硅片(I)表面均勻設有第二柵線(4)，所述多晶硅片(I)內部均勻設有硼雜質(11)，所述多晶硅片(I)的上表面設有氮化硅薄膜(8)，所述氮化硅薄膜(8)上端設有減反射層(9)，所述減反射層(9)上側與多晶硅片(I)的下側均設有保護膜(7)，所述多晶硅片(I)下端固定連接有電極(6)。2.根據權利要求1所述的一種光伏多晶硅片，其特征在于:所述第一柵線(3)的數量不少于4個，且第一柵線(3 )之間相互平行。3.根據權利要求1所述的一種光伏多晶硅片，其特征在于:所述第二柵線(4)之間相互平行。4.根據權利要求1所述的一種光伏多晶硅片，其特征在于:所述第一柵線(3)與第二柵線(4)之間相互垂直。5.根據權利要求1所述的一種光伏多晶硅片，其特征在于:所述電極(6)的數量為2個，且電極(6)分別設在多晶硅片(I)下表面的兩側。
【文檔編號】H01L31/0288GK205542813SQ201620333021
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月19日
【發明人】蔡倫
【申請人】溫州巨亮光伏科技有限公司