專利名稱：用于磁記錄系統中軌道間干擾消減的基于硬件的方法和裝置的制作方法
技術領域：
本發明通常涉及磁記錄系統，更具體地，涉及用于消減在磁記錄系統中軌道間干擾的影響的改進技術。
背景技術：
在磁記錄(MR)系統中，數據通常被作為小磁域的序列記錄在磁介質上的同心環形軌道上。寫入在給定軌道的相鄰軌道上的數據會影響信號從該給定軌道的介質讀回的信號。在讀取給定軌道期間由于一個或多個相鄰軌道所引發的信號被稱為串擾(crosstalk)或軌道間干擾(inter-track interference, ITI)。給定軌道的讀回信號中相鄰軌道所引起的ITI噪聲的消減通常依賴于提供給ITI消減電路或處理過程的關于來自于相鄰軌道的數據模式(data pattern)的信息。在相對于頭(head)的大小，數據的同心的或螺旋形的軌道彼此緊密接近地記錄在介質上的硬盤驅動器(HDD)中，ITI尤其值得關注。通過將這些軌道更近地靠在一起來增加盤驅動器的容量。但是已知ITI隨著技術發展而增加，并且隨著軌道分隔距離變得更小而成為重要的噪聲源。隨著軌道布置越來越靠近，相鄰軌道也就越可能影響到給定軌道的從介質讀回時的信號，從而降低了整體信噪比。因此，ITI限制了能夠可靠地存儲在磁介質的給定區域中的軌道數目。瓦式磁記錄(Shingled Magnetic Rcroding, SMR)系統中，軌道布置得非常近以至于在某些情況下軌道彼此接觸，在另外的某些情況下甚至彼此重疊，ITI成為更加重要的問題。已經提出了許多用于消減磁記錄系統中ITI的影響的技術。在現有的SMR實施方式中，例如，一般通過硬盤控制器(HDC)中的軟件來進行消減處理。然而已經發現，當啟用ITI消減時，針對磁盤的每3-6次旋轉，HDC不能足夠快地處理數據以恢復超過若干扇區(典型地，僅一個扇區)。但是，磁盤的每次旋轉可能包含，例如，500或更多扇區(這取決于，例如，所采用的特定的盤驅動器、盤片的大小、以及盤上每個軌道的徑向位置)。因此，存在對改進的消減ITI影響的技術的需要。還存在對消減ITI影響的基于硬件的技術的需要。還存在對消減ITI影響且無需硬盤控制器來執行ITI計算的基于硬件的技術的需要。

發明內容
總的來說，本發明公開了用于磁記錄系統中軌道間干擾消減的基于硬件的方法和裝置。根據本發明的一個方面，在磁記錄系統中，通過以下步驟消減軌道間干擾(ITI):獲取ITI消除數據；和在讀取操作期間，利用所述磁記錄系統中的寫數數通路將所述ITI消除數據提供給ITI消減電路。所述寫數據通路可選地與執行讀取操作的讀數據通路基本上同時地進行操作。例如，可以從所述寫數據通路外部的存儲器獲取所述ITI消除數據。所述ITI消除數據包括，例如，用戶數據和/或介質數據。在一個實施例中，所述寫數據通路將用戶數據轉換為介質數據以用于ITI消減。能夠選擇性地對于給定的扇區數據啟動所述ITI消減。另外，可以選擇性地對一個或多個相鄰軌道的給定的讀取操作執行所述ITI消減。所述ITI消減可以可選地與后處理過程相結合地進行，以對ITI校正的數據進行后處理，和/或對后處理過的數據進行ITI消減。參照下面詳細描述和附圖，可以獲得本發明的更加完整的理解以及本發明的其它的特征和優點。


圖1示出了瓦式磁記錄(SMR)系統的磁介質上的多個示例軌道的一部分；圖2是包含依據本發明的ITI消減的磁記錄系統的示意框圖；圖3和4分別是如圖2部分所示的讀取通道的另一種實施方式的示意框圖；圖5至10示出了如圖2-4中在不同結構下的讀取通道實現多種示例操作模式，以及針對每種模式的相應的接口信號。
具體實施例方式本發明公開了用于磁記錄系統中軌道間干擾消減的基于硬件的方法和裝置。為了提高正確的數據恢復的概率，ITI消減將從介質讀取的數據與附加數據(以下稱為“消除數據”)組合。所述消除數據須提供給ITI消減電路或處理過程。如本領域技術人員將理解的，所述消減數據可以從盤介質讀取，或者從其它源獲取。根據本發明的一個方面，所公開的用于軌道間干擾消減的基于硬件的方法從HDC中獲取消除數據，但是不需要HDC中的處理單元來執行ITI計算。根據本發明的另一方面，公開了一種系統，其用于存儲、提供和操作所述消除數據以呈現給所述讀數據通路以用于后續的數字信號處理(DSP)，由此提高了正確地恢復所寫入的數據的概率。通常，在給定的時間，讀取通道是處于讀模式或者寫模式中的從設備。在每種模式下，數據一般僅在一個方向上流動。例如，在寫模式下，數據從硬盤控制器(HDC)流動到讀取通道(RC)到介質，而在讀模式下，從介質到RC再到HDC。本發明認識到，當讀取通道在讀模式下執行讀取操作時，寫數據通路(WDP)的至少一部分通常是空閑的。因此，根據本發明的另一方面，采用該寫數據通路(通常在讀取操作期間是空閑或者休眠的)來傳送消除數據給讀數據通路中的ITI消減電路。從而，在讀取操作期間運用寫數據通路傳輸消除數據給讀取通道。消除數據與經由讀數據通路從磁介質獲取的介質數據基本上同時地被提供給ITI消減電路。除其它的優點之外，寫數據通路通常包括對數據進行編碼、擾碼、緩存以及計算糾錯數據(其隨后被寫入介質)的功能，根據本發明能夠促使這些功能用于ITI消減。由此，本發明公開的ITI消減系統以很小的設計投入、面積開銷和功耗，利用寫數據通路中的空閑的硬件和現有的緩存能力執行ITI消減。圖1示出了一種示例性瓦式磁記錄(SMR)系統的磁介質100上的多個示例性軌道110-1到110-3的一部分。通常以序號遞增的方式來對軌道110-1至110-3進行寫入(例如，如圖1所示的從下到上)。在此描述的多個實例涉及左、右軌道，其表示分別相對于給定軌道的左、右相鄰軌道。如圖1所示，以軌道110-1和110-2間有第一重疊區域120-1，軌道110-2和110-3間有第二重疊區域120-2的方式，對示例軌道110-1、110-2和110-3進行寫入。例如，從軌道110-2讀出的信號會嚴重地受到從軌道110-3讀出信號的影響，因為軌道110-3被與之前寫入的軌道110-2重疊地進行寫入。從軌道110-2讀出的信號還會受到之前寫入在軌道110-1上的數據的影響，因為軌道110-2的左邊緣被寫入在軌道110-1的右邊緣之上。軌道110-2的讀出信號很大程度上取決于定位于軌道之上來讀取所記錄的數據的讀取頭的位置和大小。如果與其他軌道110-3的邊緣(例如，邊緣140)相比，讀取頭位置更靠近軌道110-2的一個邊緣(例如，邊緣130)，那么相比于與邊緣140相鄰的軌道110-3，與邊緣130相鄰的相應軌道110-1將更多的影響軌道110-2的讀出信號。如果讀取頭與軌道110-2的非重疊區域一樣大或者大于該非重疊區域，則軌道110-1和110-3很可能都會引發ITI噪聲。注意，一個相鄰軌道可以相比于其它相鄰軌道具有更加顯著的ITI影響。例如，讀取頭在中間軌道110-2上的位置相對于相鄰軌道的位置會影響到每個相鄰軌道對中間軌道貢獻的ITI量。因此，可選地，ITI消減可以首先針對具有顯著的ITI貢獻的相鄰軌道來執行。如下面要討論的，本文所描述的示例性實施例對于利用一側軌道或者另一側軌道，或者如果執行雙側ITI消減的話對于側邊軌道的順序，均不存在任何限制。所公開的ITI消減機制允許首先進行最重要的消除(如果已知先驗結果)，以便于允許一旦實現成功恢復就終止ITI消減過程。圖2為根據本發明的包含ITI消減的磁記錄系統200的示意框圖。圖2示出了在讀取操作期間用于ITI消減的磁記錄系統200的結構。如圖2所示,磁記錄系統200包括硬盤控制器(HDC) 210和讀取通道(RC) 250。讀取通道250包括讀數據通路(RDP) 260-R和寫數據通路(WDP) 260-W。如前面所指出的，本發明利用寫數據通路260-W來傳遞用于一個或多個相鄰軌道(比如，與給定軌道N相鄰的軌道N-1和N+1)的消除數據給讀數據通路260-R中的ITI消減電路280。與通過讀數據通路260-R從磁介質獲取的介質數據基本上同時地將消除數據提供給ITI消減電路280。通常地，RDP-模擬模塊290包括若干模擬元件，比如，ac耦合的衰減器(ACC)；具有自適應控制、基線補償、磁阻非對稱(MRA)補償、熱粗糙度(TA)檢測的可變增益放大器(VGA);用于數字信號處理的具有自適應控制的連續時間濾波器(CTF);以及模數轉換器(ADC)。通常，熱粗糙度發生在讀取頭遇到高于磁性材料所駐留的磁盤片的平面上方的所述磁性材料的一部分時，，從而引起信號幅度顯著增加。熱粗糙度檢測模塊以已知的方式識別這樣的磁性材料部分，并嘗試為之進行補償。然后，通過數字有限脈沖響應(DFIR)濾波器285對數字化后的信號進行濾波，從而對信號進行均衡。DFIR 285提供濾波輸出給ITI消減電路280。然后，ITI消減電路280產生的ITI消除后的信號被提供給包含Viterbi檢測器和解碼器(例如，低密度奇偶校驗解碼器)的迭代解碼塊270。讀數據通路260-R把給定軌道N的解碼數據提供給硬盤控制器 210。如前面所指出的，寫數據通路260-W通常包含對將被寫入到介質上的數據進行編碼的功能，由此可以對數據的后續讀取執行糾錯。此外，寫數據通路260-W還對數據進行擾碼和緩存，根據本發明可以促使上述功能用于ITI消減。
對于示例性的ITI消減電路280的更加詳細的討論，參見例如2011年 7 月 19 日提交的發明名稱為 “Systems and Methods for Inter-TrackInterferenceCompensation” (律師案卷號為 N0.AGERE-022110) > 申請序列號為N0.13/186，174的美國專利申請，，并通過引用將其結合于此。下面將結合圖5-10來闡述根據本發明的用于ITI消減的若干示例性技術。例如，本發明的多個不同實施例支持磁介質295的直接讀取，使用或不用ITI消減。此外，本發明的另一個實施例支持具有至少一側的ITI消減的即時(on-the-fly，0TF)或實時讀取。本發明又一個實施例支持達雙側的ITI消減的離線(offline)讀取。本發明還支持處理后的DFIR數據(例如，Y-平均的數據)的ITI消減和/或ITI消減后的DFIR數據的后處理，例如ITI消減后的數據的Y-平均。例如，Y-平均的數據的ITI消減包括獲取多次讀取的Y-平均，然后執行ITI消減以及利用Y-平均的采樣進行解碼。類似地，ITI消減后的數據的Y-平均包括讀取扇區、執行ITI消減和可選地利用當前的讀取的扇區進行解碼，以及利用ITI消減后的多次讀取的采樣獲取Y-平均，之后讀取下一個扇區，以此類推。如圖2所示，硬盤控制器210包括示例性的長延遲接口(longlatencyinterfaces, LLI) 240-R，240-ff,其分別用于與位于讀數據通路(RDP) 260-R和寫數據通路(WDP) 260-W中的相應的長延遲接口(LLI) 255-R，255-W進行通信。硬盤控制器210還包括雙倍數據速率(DDR) PHY接口 230，其用于與外部DDR設備(例如，動態隨機訪問存儲器(DRAM) 220)進行通信。消除數據可被存儲在例如外部DRAM220或者其它非易失性存儲器(例如，靜態隨機訪問存儲器(SRAM)或者閃存)中。該示例性的DRAM 220可以存儲用于磁介質100 (圖1)或磁介質295 (圖2)的一個或多個軌道消除數據。例如，所存儲的消除數據的量可以根據當前正被讀取的軌道的軌道間隔。示例性的DRAM 220還可以存儲只用于一個或多個扇區(例如，在前面的讀取操作期間不能成功恢復的扇區)消除數據，以降低需要存儲在DRAM 220中的數據的量。消除數據(也被稱為側軌數據)可以具有許多示例格式，如本領域的普通技術人員將理解的。一般地，示例性的取消數據可以包括與寫入的介質波形對應的編碼的介質數據，或者一般由硬盤控制器210提供的未編碼的用戶數據。通常，示例性的介質數據格式包括包含低密度奇偶校驗(LDPC)開銷、有限游程(run-length limited, RLL)編碼開銷和誤差檢測碼(EDC)開銷的編碼數據。圖3和4分別示出了讀取通道250的替代的實施方式250’和250”，其包括處理介質數據的不同實施方式。在圖3和4中，有限游程和誤差檢測碼的編碼器和解碼器功能以及擾碼器功能均被標記為“ESR” (即，誤差檢測碼、擾碼器和RLL)。注意，在示例的實施例中，ITI消減電路280處理均衡后的模數轉換器(ADC)采樣(被稱為“Y-數據”)。在另一替代實施例中，ITI消減電路280可以處理原始(未均衡化的)ADC采樣(這里，被稱為“ADC數據”)。例如，對于介質上的每個寫入的介質比特，Y-數據或ADC數據可以是6位的數據。ADC-數據或Y-數據從磁介質295讀出，并且分別別在ADC或DFIR均衡器的輸出處可得到。迭代解碼塊270將每個Y-數據采樣轉換為檢測的介質數據的單個位(并且在奇偶校驗位和其它開銷位的去除之后)轉換為檢測的用戶數據的單個位。迭代解碼塊270可利用例如周知的LDPC解碼器來實施。
在示例的實施例中，寫數據通路260-W以用戶或介質數據格式來表示消除數據。在另一替代實施例中，寫數據通路260-W以ADC或Y-數據格式來表示消除數據，在此情形下，每個介質位多個比特被存儲在DRAM中并從HDC提供給寫數據通路260-W。ITI消減電路280根據寫數據通路260-W所提供的來基于介質數據、ADC數據、或Y-數據來消減ITI。如果HDC以用戶數據格式提供ITI消除數據給讀取通道，那么寫數據通路可將該用戶數據轉換為介質數據，如圖3和4所示。注意，如果DDR PHY230沒有足夠的帶寬，以不增加開銷和系統設計修改來支持Y-數據或ADC數據格式(例如，每個存儲的介質位6比特)，仍能支持單個位格式，即，本發明的用戶或介質數據格式實施方式。利用單個位格式，僅僅需要增加帶寬的一位單元。還注意到，在現有的非ITI驅動器中，讀出數據被寫入到存儲器。因此，僅僅增加一個帶寬位單元用于從DDR讀出數據和發送消除數據給讀取通道，以用于所公開的ITI消除過程。通過利用上述單個位格式，DRAM中用于ITI消除數據所需的的存儲量也將大大降低。在一個實施例中，磁記錄系統200包括ITI控制信號或寄存器，例如稱作為METACMD[1]或ITI_GATE，用來指示ITI消除數據是否應當用于給定的讀取操作。如果ITI控制信號指示ITI消除數據不應用于給定的讀取操作，則可選地，可以將ITI消減電路280旁路(就好像沒有數據要被用于ITI消減)，如圖3-4中所示。此外，在該示例性實施例中，示例性的磁記錄系統200包括模式控制信號或寄存器，例如稱作為ITI_SIDES，用來指示ITI消除是對于僅僅一個相領軌道(例如，ITI_SIDES被設置為ITI_SIDES = O)還是兩個相鄰軌道(例如，ITI_SIDES被設置為ITI_SIDES = I)進行。總體而言，任何數目N的軌道都能對中心軌道產生ITI影響，另外，如本領域普通技術人員將理解的，根據本發明可以以N個步驟進行N邊的ITI消減。圖3是圖2的讀取通道250的替代實施方式250’的示意框圖，其中寫數據通路產生介質數據，用于傳送給ITI消減電路280。與圖2類似地，如圖3所示，示例性的讀取通道250’包括讀數據通路360-R和寫數據通路360-W。可以以與圖2的讀數據通路260-R類似的方式來實現讀數據通路360-R。如前面所指出的，本發明利用寫數據通路360-W來傳遞消除數據給讀數據通路360-R中的ITI消減電路280。與從磁介質經由讀數據通路360-R獲取介質數據基本上同時地，將消除數據提供給ITI消除電路280。在另一個示例性實施例中，由讀數據通路360-R從磁介質獲取的相應介質數據之前或之后，將消除數據提供給ITI消減電路280。分別位于讀數據通路(RDP) 360-R和寫數據通路(WDP) 360-W中的長延遲接口(LLI)255-R，255-W可以以類似于圖2的方式實施。另外，迭代解碼塊270和ITI消減單元280也可以以類似于圖2的方式實施。在圖3的實施例中，由寫數據通路360-W產生編碼的介質數據。HDC以用戶數據格式將ITI消除數據提供給寫數據通路。如圖3所示，示例性的寫數據通路360-W包括ESR編碼器320-W和LDPC編碼器330，其將用戶數據編碼為編碼的介質數據，該編碼的介質數據被作為ITI消除數據提供給ITI消減電路。寫數據通路以與對介質進行寫操作期間類似的方式編碼上述用戶數據。如圖3所示，當對于給定的讀取操作不啟動ITI消除時，可選地，可以將讀數據通路360-R中的ITI消減電路280旁路。另外，當要恢復介質數據格式時，可選地，可以將讀數據通路360-R中的ESR編碼器320-R旁路。圖4是圖2的讀取通道250的替代實施方式250”的示意框圖，其中寫數據通路提供用戶數據給ITI消減電路280，并且ITI消減電路280由該用戶數據產生介質數據。與圖2類似地，如圖4所示，示例性的讀取通道250”包括讀數據通路460-R和一個寫數據通路460-W。讀數據通路460-R可以以與圖2的讀數據通路260-R類似的方式來實現。如前面所指出的，本發明利用寫數據通路460-W來傳遞消除數據給讀數據通路460-R中的ITI消減電路280。與由讀數據通路460-R從磁介質獲取的介質數據基本上同時地，將消除數據提供給ITI消除電路280。在另一個實施例或操作模式中，在由讀數據通路460-R從磁介質獲取的相應的介質數據之前或之后，將消除數據提供給ITI消減電路280。分別位于讀數據通路(RDP) 460-R和寫數據通路(WDP) 460-W中的長延遲接口(LLI)255-R、255-W可以以類似于圖2的方式實施。另外，迭代解碼塊270和ITI消減單元280可以以類似于圖2的方式實施。在圖4的實施例中，由ITI消減電路280從寫數據通路460-W所提供的用戶數據產生編碼的介質數據。于是，如圖4所示，因提供給ITI消減電路280的用戶數據將示例性寫數據通路460-W中的ESR編碼器420-W和LDPC編碼器430旁路。當用戶數據在被寫入介質前被編碼為介質數據時，在寫操作期間，寫數據通路460-W中的ESR編碼器420-W和LDPC編碼器430不因用戶數據而被旁路。如圖4所示，當對于給定的讀取操作不啟動ITI消除時，可選地，可以將讀數據通路460-R中的ITI消減電路280旁路。另外，在要恢復介質數據格式時，可選地，可以將讀數據通路460-R中的ESR編碼器420-R旁路。圖5-10示出了用以實現若干示例性操作模式不同結構的讀取通道250。在圖5-10中，用黑體的虛線箭頭來顯示活動(active)信號路徑。如圖5-10所示，以及上文闡述過的，讀取通道250包括數字有限脈沖響應濾波器285、ITI消減電路280和迭狀解碼塊270。此外，如下面結合附圖5-10闡述的，讀取通道250還包括用于處理Y-數據的多路復用器505、515，Y-AVG后處理塊510，Y-MEM存儲塊520，以及Y-MEM地址塊530。圖5A示出了在示例性的非ITI操作模式中的讀取通道250。通常，非ITI模式允許在不需要時(例如，當軌道的分隔足夠時)選擇性地關閉ITI消減，并且還允許讀取通道250被用于可能不支持ITI消減的傳統系統。如圖5A所示，利用多路復用器505來旁路ITI消減電路280，以及利用多路復用器515來旁路Y-AVG塊510。因此，用于非ITI模式的活動信號路徑包括DFIR濾波器285、Y-MEM塊520和迭代解碼塊270。通常，Y-數據被存儲在Y-MEM塊520中，然后被應用到迭代解碼塊270以用于解碼。圖5B不出了對于圖5A所不的不例性非ITI操作模式隨時間的若干接口信號。一般地說，在以下的附圖中，MEDIA信號示出什么記錄在介質上(伺服、片段或整個扇區)。圖中的術語“FRG”表示扇區的片段，術語“FULL”表示完整的扇區，而術語“SERVO”(伺服)表示分裂扇區(例如，FRG5.1是左扇區片段，FRG5.2是右扇區片段，它們被分割開，如標號“SERVO”所指示的)。因此，FRG5.1和FRG5.2 一起構成FULL5 (整個扇區被分割為兩部)。此外，兩個RDGATE脈沖用于讀取每個部分，且信道(通道)組合并恢復FULL5扇區。在某些圖中，術語“MEDIA(rev I) ”和“MEDIA(rev 2) ”表示相同的扇區被讀取了兩次(磁盤必須重復以再次使讀取頭在該扇區上)。
SVGATE信號指示伺服選通(僅用于參考，且在介質上的任何SERVO上為高)。DATA_W信號指示寫通路數據(ITI消除數據將在何處進入信道)。LEFT#指示用于具有相同編號的扇區的左消除數據，也即，其對應于相鄰的寫入在左邊軌道中的數據。RIGHT#指示用于具有相同編號的扇區的右消除數據，也即，其對應于相鄰的寫入在右邊軌道中的數據。參照圖1，如果軌道2是從其恢復數據的當前軌道，那么軌道I和3分別是相鄰的左邊軌道和右邊軌道。RDGATE信號對應于讀選通，并發起從介質的讀取。在每個扇區和扇區片段的開始，RDGATE信號激活。RETRYGATE信號指示根據存儲的采樣的重試(從y_存儲器)。注意，盡管RETRYGATE信號在本文中被示出在ITI消減的上下文背景下，但是，如本領域的普通技術人員將理解的，RETRYGATE信號也能用在其它應用中。如這里所描述的，在讀取或重試(對齊RDGATE或RETRYGATE)的情況下，信號METACMD[1]觸發ITI消減。由于圖5B對應于沒有消減的正常讀操作，所以METACMD[1]不是激活的。DATA R信號指示恢復的扇區數據(FULL#表示對相同名稱的介質扇區的恢復的數據)。此外，SECTER GOOD(扇區良好)信號指示已經被恢復的好扇區(當扇區不好時，需執行另外的工作來恢復該扇區)。此外，在下面的一個或多個附圖中，使用以下符號:avg(數據1，樹據2)指示來自相同數據的兩次讀操作的數據的位平均，其中對存儲在介質上的每個位，對應的Y-采樣數據I和數據2求平均。在替代實施例中，對ADC采樣進行Y-均。decode (數據)指示LDPC解碼操作(數據恢復，從Y-數據轉換為介質或用戶比特)，其中例如采用6位來指示Y-數據。iti (左，數據)指示從“數據”中的主軌道信號移除左相鄰軌道引起的ITI ;以及iti (左，右，數據)指示從“數據”中的主軌道信號移除左和右相鄰軌道兩者引起的 ITI。圖6A示出了示例性的后處理(非ITI)操作模式中的讀取通道250。如圖6A所示，利用多路復用器505來旁路ITI消減電路280。因此，非ITI模式的活動信號路徑包括DFIR濾波器285、Y-AVG塊510 (利用多路復用器515來選擇),Y-MEM塊520、和迭代解碼塊270。Y-MEM地址塊530以已知的方式控制Y-MEM塊520的選擇。通常，對于來自給定扇區的存儲數據的第一次讀取的Y-數據被存儲在Y-MEM塊520中，隨后對于來自該扇區的數據的后續再次讀取的全部采樣被合并，并利用反饋通路540，通過Y-AVG塊510將其與Y-MEM塊520的內容求平均。給定的扇區可被多次讀取，Y-MEM塊520的內容在每次迭代時被更新，直至如成功解碼操作所指示的來自該給定扇區的存儲的數據被成功讀取。Y-MEM塊520的輸出也被應用于迭代解碼塊270用于解碼。圖6B示出了對于圖6A所示的示例性后處理(非ITI)操作模式的若干根據時間的接口信號。本示例性實施例中執行的后處理包括沒有ITI消減的平均讀取(AverageRead)，例如圖6B所示的通過讀取存儲的數據兩次并執行兩次讀操作中所讀出的數據的位平均。如本領域的普通技術人員將理解的，可對任何數量的讀操作進行平均。應注意，ITI消減是不需要的，因為第二次讀取和平均充分降低了噪聲，從而使得數據能夠被恢復。如圖6B所示，在第一次經過第三扇區時沒有呈現SECTER_GOOD信號，但是在隨后的第二次經過第三扇區時呈現出了。注意，扇區FULL3在第一次讀時被讀取，然后傳到迭代解碼器，并解碼后的扇區被傳到DATA_R總線。由于扇區沒有被無誤差地成功解碼，因此SECTER_GOOD信號不被斷言(asert)。在第二次旋轉時，在第二次讀取之后，兩次讀的Y-數據被平均，且Y-平均的數據被傳至迭代解碼塊，該迭代解碼塊成功解碼該扇區。圖7A示出了示例型的實時ITI操作模式中的讀取通道250。通常，以數據速率執行ITI消減，且可選地，可以對每個扇區執行。圖7A的實施例中，僅對一個相鄰軌道執行ITI消減以降低對吞吐量的影響(例如，如示例的模式控制信號或寄存器ITI_SIDES所指示的)。如上面結合圖2所描述的，ITI消除數據從寫數據通路260-W(圖2)獲得。如圖7A所示，通過多路復用器505將ITI消減電路280置于活動信號路徑中，且通過多路復用器515將Y-AVG塊510旁路。因此，實時ITI模式的活動信號路徑包括DFIR濾波器285、ITI消減電路280、Y-MEM塊520、和選代解碼塊270。通常，ITI消減電路280的ITI校正后的輸出被存儲在Y-MEM塊520中，然后被提供給迭狀解碼塊270用于解碼。圖7B示出了對于圖7A所示的示例性實時ITI操作模式的根據時間的接口信號。如在此所討論的，示例型的實時ITI操作模式允許通過與RDGATE信號同時地斷言METACMD[I]信號來選擇性地使能ITI消減。(對于OTF或重試操作，ITI_SIDES = 0)。RDGATE信號指示從介質讀取扇區1，2，3，4，5，6，7。DATA W信號指示對扇區3，4和6，將利用左邊軌道來執行ITI消減。METACMD[1]信號觸發讀或重試(與RDGATE或RETRYGATE對齊)的ITI消減。注意，扇區1，2，5和7被正常處理，因為對于相關的RDGATE，METACMD [I]信號未被斷言。注意，下面將結合圖10A-10C來描述雙邊ITI操作模式。圖8A示出了示例的具有ITI消減操作模式的后處理中的讀取通道250。通常，具有ITI消減模式的后處理對后處理過的Y-數據執行ITI消減。如圖8A所示，通過多路復用器505將ITI消減電路280選擇性地置于活動信號路徑中，并且通過多路復用器515將Y-AVG塊510置于活動信號路徑中。因此，具有ITI消減模式的后處理的活動信號路徑包括DFIR濾波器285、ITI消減電路280、Y_AVG塊510、Y_MEM塊520、和迭代解碼塊270。Y-MEM地址塊530以已知的方式控制Y-MEM塊520的選擇。通常，對于給定扇區的第一次讀取，ITI消減電路280和Y-AVG塊510被旁路，且Y-數據被存儲在Y-MEM塊520中。對于扇區的隨后M次重讀，利用反饋通路540，使用Y-AVG塊510合并(即求平均)來自各次讀取的新的Y采樣和Y-MEM塊520的內容。給定的扇區可被讀取多次，Y-MEM塊520的內容在每次迭代時被更新，直到給定的扇區被成功讀出。在第M+1次讀操作和Y-平均操作完成之后，Y-MEM塊520包含了來自相同扇區的M+1次讀操作的Y-數據的平均值。Y-MEM塊520的輸出也被應用到迭代解碼塊270用于解碼。如果在預定數目(M+1)的讀操作之后，利用后處理過的Y-數據，扇區不能彼成功地讀出，那么可啟動ITI消減，以對后處理過的數據執行ITI消減。執行ITI消減的指示由RETRYGATE和METACMD [I]的組合信號(或者，由RETRYGATE和ITI_GATE的組合信號)發起。在該模式下，在多路復用器502的控制下，利用反饋通路545把Y-數據從Y-MEM塊520送到ITI消減電路280。RETRYGATE信號指示Y-數據不是通過從介質讀取扇區獲得的，而是通過讀取包含來自于之前讀操作的Y采樣的Y-MEM塊獲得的。如上面結合圖2所描述的，ITI消除數據(一邊或雙邊的，基于示例的ITI_SIDES控制信號的值)從寫數據通路260-W(圖2)獲得。此外，現在利用多路復用器515將Y-AVG塊510旁路，從而使得后處理過(然后消除后的數據)可在由迭代解碼塊270解碼之前存儲在Y-MEM塊520中。在進一步的變型中，可以動態地確定平均讀操作的次數(或者終止于預定條件的發生)。在每次平均操作時，隨著平均后的數據推送到解碼器，數據被解碼并產生一個或多個關于解碼質量的度量。例如，一個示例性的質量度量可以包括若干位誤差。在一個示例的實施例中，平均過程可以持續直到位誤差的數量減少。如果位誤差的數目穩定了(即，進一步的平均可能不再起作用)，則可以執行ITI消減。類似地，ITI消減的后續使用也可動態地確定。當執行ITI消減操作時，數據和度量被計算并被送至控制器，一旦實現恢復，其可以立即終止(潛在地可以使用上述的關于位誤差的相同實例)。在此情形下，信號ITI_SIDES被調整來執行僅一邊的消除，每次每邊執行一次，在每一步之后進行度量/數據的分析，直到成功恢復。圖8B示出了對于圖8A所示的具有單邊ITI消減操作的示例性后處理(ITI_SIDES = 0)的根據時間的若干接口信號。示例的實施例中的執行的后處理包括具有單邊ITI消減的平均讀取(Average Read),例如，如圖8B所示的兩次讀的平均。本領域的普通技術人員來將理解，可以對任何次數的讀操作進行平均。注意，如果第一次或第二次讀操作有SECTER_G00D信號，則可以停止讀取。關于DATA_R信號，還應注意，圖8B中的第一個“FULL3” 包括“decode (avg(readl, read2)) ” (解碼(avg(讀取 I,讀取 2))),以及第二個“FULL3”包括“decode (iti (left, avg(readl,read2))) ” (解碼(iti (左，avg(讀取 1，讀取2))))。注意，在第一次讀取期間讀出扇區FULL3，然后將其傳送給迭代解碼器，且解碼后的扇區被傳送至DATA_R總線。由于扇區沒有被無誤差地成功解碼，因此SECTER_G00D信號未被斷言。在第二次旋轉時，在第二次讀取之后，兩次讀取的Y-數據被平均，且Y-平均的數據被傳至迭代解碼塊，并且解碼后的扇區被傳至DATAY_R總線。由于扇區沒有被無誤差地成功解碼，因此SECTER_G00D信號未被斷言。于是，根據本發明，RETRYGATE和METACMD [I]信號發起ITI消除，來處理Y-平均的數據并利用與主軌道中的扇區3相鄰的左軌道(LEFT3)的消除數據來消減ITI。利用DATA_R總線將該消除數據LEFT3在早先時候提供在寫數據通路上。所得到的結果被傳送至迭代解碼塊，其產生解碼的扇區。解碼的扇區被傳送至DATA_R總線。由于扇區被無誤差地成功解碼，SECTER_G00D信號被斷言。圖8C示出了對于圖8A所示的具有自動雙邊ITI消減操作模式(ITI_SIDES = I)的示例性后處理的根據時間的若干接口信號。該示例實施例中執行的后處理包括具有自動雙邊ITI消減的平均讀取(Average Read),比如,如圖8C所示的兩次讀的平均。本領域的普通技術人員將理解，可以對任何次數的讀操作進行平均。注意，如果第一次或第二次讀操作有SECTER_G00D信號，或者當第一個ITI_RETRY有SECTER_G00D信號時，可以停止讀操作。關于DATA_R信號，還注意，圖8C中的第一個“FULL3”包括decode (avg(readl,read2))以及第二個 “FULL3” 包括 decode (iti (eft, right, avg (readl, read2)))(解碼(iti (左,右，avg(讀取1，讀取2))))。注意，在第一次讀期間讀出扇區FULL3，然后其被傳送給迭代解碼器。解碼后的扇區被傳送至DATA_R總線。由于扇區沒有被無誤差地成功解碼，因此SECTER_G00D信號未被斷言。在第二次旋轉時，在第二次讀取之后，兩次讀的Y-被平均，且Y-平均的數據被傳至迭代解碼塊。解碼后的扇區被傳至DATA_R總線。由于扇區沒有被無誤差地成功解碼，SECTER_GOOD信號未被斷言。于是，RETRYGATE和METACMD [I]信號(ITI_SIDES = I)發起自動雙邊ITI消減操作模式，來處理Y-平均的數據，并利用與主軌道中的扇區3相鄰的左軌道(LEFI3)和右軌道(RIGHT3)兩者的消除數據來消減ITI。消除數據LEFT3和RIGHT3被利用DATA_R總線事先提供在寫數據通路上。組合的結果被傳送至迭代解碼塊，其產生解碼的扇區。解碼后的扇區被傳送至DATA_R總線。由于扇區被無誤差地成功解碼，因此SECTER_GOOD信號被斷言。圖8D示出了對于圖8A所示的具有雙邊ITI消減操作模式的示例性后處理的根據時間的若干接口信號，其中一次執行一邊的ITI消減(ITI_SIDES = 0)。該示例實施例中執行的后處理包括具有雙邊ITI消減(一次一邊)的平均讀取(Average Read)，例如，如圖8D所示的兩次讀取的平均。本領域的普通技術人員將理解，可以對任何次數的讀操作進行平均。注意，每當檢測到SECTER_G00D信號時，讀操作都將停止。關于DATA_R信號，還注意，圖8D的下半部分中的第一個“FULL3”包括decode (readl))(解碼(讀取1)))，第二個 “FULL3” 包括 decode (avg(readl, read2)),第三個“FULL3” 包括 decode (iti (left,avg (readl, read2)))(解碼(iti (左，avg(讀取 I,讀取 2)))),以及第四個 “FULL3” 包括decode (iti (left, right, avg (readl, read2)))。注意,在第一次讀取期間讀出扇區 FULL3,然后其被傳送給迭狀解碼器。解碼后的扇區被傳送至DATA_R總線。由于扇區沒有被無誤差地成功解碼，因此SECTER_G00D信號未被斷言。在第二次旋轉時，在第二次讀取之后，兩次讀的Y-數據被平均，且Y-平均的數據被傳至迭代解碼塊。解碼后的扇區被傳至DATA_R總線。由于扇區沒有被無誤差地成功解碼，因此SECTER_G00D信號未被斷言。于是，第一個RETRYGATE和METACMD [I]信號(ITI_SIDES = 0)發起雙邊ITI消減操作模式(一次一邊)，來處理Y-平均的數據，并利用與主軌道中的扇區3相鄰的左軌道(LEFT3)的消除數據來消減ITI。消除數據LEFT3被利用DATA_R總線事先提供在寫數據通路上。ITI消除的結果被傳送至迭代解碼塊，其產生解碼的扇區。解碼后的扇區被傳送至DATA_R總線。由于扇區沒有被無誤差地成功解碼，SECTER_G00D信號未被斷言。利用與主軌道中的扇區3相鄰的右軌道(RIGHT3)的消除數據，第二組RETRYGATE和METACMD[1]信號(ITI_SIDES = 0)發起ITI消減。消除數據RIGHT3被利用DATA_R總線被事先提供在寫數據通路上。組合的結果被傳送至迭代解碼塊，其產生解碼的扇區。解碼后的扇區被傳送至DATA_R總線。由于扇區無誤差地成功解碼，SECTER_G00D信號被斷言。圖9A示出了示例的具有后處理操作模式的ITI消減中的讀取通道250。在此結構中，具有后處理模式的ITI消減首先執行ITI消減，然后執行Y-數據的后處理。如圖9A所示，通過多路復用器505選擇性地將ITI消減電路280置于活動信號路徑中，并通過多路復用器515將Y-AVG塊510置于活動信號路徑中。因此，具有后處理模式的ITI消減的活動信號路徑包括DFIR濾波器285、ITI消減電路280、Y-AVG塊510、Y-MEM塊520和迭代解碼塊270。Y-MEM地址塊530以已知的方式控制Y-MEM塊520的選擇。在圖9A的實施例中，對給定的讀操作，針對任一相鄰軌道或相鄰軌道兩者，或根本不用，來執行ITI消減，如示例型的模式控制信號或寄存器ITI_SIDES和METACMD[1]所指示的(用于旁路ITI消減，即“根本不用”)。如上面結合圖2所描述的，ITI消除數據獲得自寫數據通路260-W(圖2)。如圖9A所示，對于第一組采樣，通過多路復用器505將ITI消減電路280置于活動信號路徑中，并通過多路復用器515將Y-AVG塊510旁路，并且ITI校正后的數據被送至Y-MEM塊520和迭代解碼塊270。此外，利用反饋通路540，通過Y-AVG塊510把所有剩下的ITI校正后的采樣和Y-MEM塊520的內容合并(即，求平均)。給定扇區可被多次讀取，Y-MEM塊520的內容在每次迭代中被更新，直到給定扇區被成功讀出。Y-MEM塊520的輸出還被應用到迭代解碼塊270用于解碼。圖9B示出了對于圖9A所示具有后處理操作模式的ITI消減的根據時間的若干接口信號。該示例實施例中執行的后處理包括對ITI消減后數據的平均(Average)。本領域的普通技術人員將理解，可以對任何次數的讀操作進行平均。一般性地，該處理包括讀取介質兩次。對于每次的介質讀取，執行ITI消減，其結果與之前計算/存儲的結果求平均。例如，對于對兩次讀取操作的平均，該過程包括從介質讀取目標扇區，對讀出數據進行ITI消減(例如，消減來自相鄰左軌道的ITI)，存儲結果(即，存儲一組采樣的平均值)，從介質295再次讀取相同的目標扇區，對讀出的數據進行ITI消減(例如，消減來自相鄰右軌道的ITI)，以及把第二 ITI消減數據與已存儲的數據進行平均(導致ITI消減后的數據的平均)。這可以被表不為 “avg(iti (first_read), iti (second_read)) = (iti (readl) +iti (read2))/2.0) ”(avg(iti (第一讀取)，iti (第二讀取))=(iti (讀取 I)+iti (讀取2))/2.0))來表示。注意，在兩次讀取期間，在替代的操作模式中，來自相同相鄰軌道的ITI可能已經被消減。注意，盡管示例的圖9A和9B的具有后處理操作模式的ITI消減被示出為用于一邊的ITI消減，但是如這里所描述的以及如本領域的普通技術人員將理解的，N邊的ITI消減也是可以的。圖1OA示出了示例性的雙邊ITI操作模式中的讀取通道250。如上面結合圖2所描述的，ITI消除數據獲得自寫數據通路260-W(圖2)。首先，以類似于圖7A的方式執行一邊的ITI消減(即，對于一個相鄰軌道的ITI消減)。如圖1OA所示，通過多路復用器505選擇性地將ITI消減電路280置于活動信號路徑中，并通過多路復用器515將Y-AVG塊510旁路。因此，實時ITI模式的活動信號路徑包括DFIR濾波器285、ITI消減電路280、Y_MEM塊520、和迭代解碼塊270。通常，ITI消減電路280的ITI校正的輸出被存儲在Y-MEM塊520中，然后被提供給迭代解碼塊270用于解碼。為了執行對第二相鄰軌道的ITI消減，利用反饋通路545，以及通過多路復用器502的適當選擇,在重試選通(retrygate)信號的控制下或者自動地,將Y-數據從Y-MEM塊520施加到ITI消減電路280。以這樣的方式，數據被傳送至解碼器僅一次，因為介質的一次讀取產生一個扇區的數據(不管邊的數目)。因此，當由重試選通信號控制時，兩次事件(一次介質讀取和一次重試)產生兩個扇區的數據，或者一次事件(介質讀取)產生一個扇區的數據(在自動模式下)。如上面結合圖2所描述的，從寫數據通路260-W(圖2)獲得用于另一相鄰軌道的ITI消除數據。ITI消減電路280通過多路復用器505保持在活動信號路徑中，且Y-AVG塊510再次被多路復用器515旁路。因此，實時ITI模式的活動信號路徑包括DFIR濾波器285、ITI消減電路280、Y-MEM塊520和迭代解碼塊270。通常，ITI消減電路280的ITI校正的輸出被存儲在Y-MEM塊520中，然后被提供給迭代解碼塊270用于解碼。以這樣的方式，雙邊的ITI操作模式允許對兩個相鄰軌道的ITI消減而僅對磁介質讀取一次。
圖1OB示出了圖1OA所示的示例性雙邊ITI操作模式的根據時間的若干接口信號，其中兩個單邊ITI的消除被順序觸發。該示例性的雙邊ITI操作模式允許對兩個相鄰軌道執行ITI消減(ITI_SIDES = 0，僅RETRY操作)。在圖1OB中，對于示例性的雙邊ITI模式，一次對一邊執行ITI消減，因此，ITI_SIDES = O。示例性的DATA_W信號指示將利用左邊和右邊的旁邊軌道為扇區4執行ITI消減。METACMD [I]信號觸發重試操作的ITI消減(與RDGATE信號和RETRYGATE信號對齊)。由于圖1OB對應于具有ITI消減的讀取操作，因此當與對于扇區4的RDGATE信號和RETRY信號對齊時，METACMD[1]為激活的。注意，DATA_R上的第一個FULI4為“不好”，因此嘗試第二次邊消減，獲得SECTER_G00D信號。注意，圖1OB 中的第一個“FULL4” 包括 decode (iti (left, readl))(解碼(iti (左，讀取 I)))以及第二個“FULL4” 包括 decode (iti (left, right, readl))(解碼(iti (左,右，讀取 I)))[ITI_SIDES = 0]。圖1OC示出了圖1OA所示的示例性自動雙邊ITI操作模式的根據時間的若干接口信號。該示例性的自動雙邊ITI操作模式允許對兩個相鄰軌道執行ITI消減。在圖1OC中，對于示例性的自動雙邊ITI模式，一次對兩個相鄰軌道執行ITI消減。因此，ITI_SIDES =1，僅為RETRY模式。示例性的DATA_W信號指示將利用左邊和右邊的軌道執行用于扇區4的ITI消減。METACMD [I]信號觸發與讀操作的ITI消減(與RDGATE對齊)。由于圖1OC對應于具有ITI消減的讀操作，因此當與用于扇區4的RDGATE信號對齊時，METACMD [I]是激活的。注意，圖1OC 中的 “FULL4” 包括 decode (iti (left, right, readl))(解碼(iti (左，右，讀取 I))) [ITI_SIDES = I]。消減架構和實現方式DFIR濾波器285 (如，圖2_4)的輸出處信號包括符號間(intersymbol)干擾和軌道間(inter-track)干擾。根據本發明，使用硬判決對存儲在相鄰軌道中的數據執行ITI消減。對于單邊ITI消減，使用任一相鄰軌道的數據，而對于雙邊的ITI消減，使用兩相鄰軌道的數據。通過在之前的讀操作中讀取相鄰軌道110-1和110-3(圖1)獲取用于該相鄰軌道110-1和110-3的數據，并將其存儲在例如DRAM220(圖2)中。相鄰軌道數據被用于估計和消減包括在DFIR285的輸出處的信號中的ITI。然后，可選地，ITI消除后的信號被傳遞通過噪聲預測最大似然(NPML)檢測器(未示出)和解碼器270以恢復軌道N中的數據。為了促進ITI消減，期望SMR硬盤驅動器(HDD)使用對齊的扇區數據格式，其中相鄰軌道中的扇區相對軌道內的位置對齊。傳統的非瓦式HDD通常使用非對齊的扇區數據格式，其中相鄰軌道中的扇區一般不對齊。對齊的扇區數據格式的好處在于為軌道N中的扇區消減ITI時，僅僅需要考慮用于軌道N-1和N+1中的一個相鄰扇區的數據。在非對齊的扇區數據格式的情況下，則需要考慮軌道N-1和N+1中的每個軌道的兩個相鄰扇區的數據。即使利用對齊的的扇區數據格式，由于寫處理中的非理想特性，相鄰軌道中的扇區也可以偏移乃至幾個位周期。另外，在不同的軌道中寫入數據的同時盤頻率的變化也會引起在寫入到相鄰軌道的數據之間的輕微頻率偏移。該頻率偏移能夠引起在從軌道N中讀出的信號中的N-1和N+1ITI響應的相位漂移(phase drift)。為了獲得較好的誤比特率(BER)性能，ITI消減算法應當考慮由于非理想的寫入過程導致的相鄰扇區間的相位差異和由于相鄰軌道間的頻率偏移導致的ITI響應的相位漂移兩者。SMR硬盤驅動器將可能采用ITI消減以用于離線(offline)誤差恢復。每當在正常的讀操作期間在沒有ITI消減的情況下軌道N中的目標扇區的解碼失敗時，HDD將讀取相軌道中的扇區(或者，在重試操作期間，重讀軌道N中失敗的扇區)，并重新啟動該扇區的帶有ITI消減的解碼。因此，為了恢復如這里所描述的用于ITI消減的對于相鄰軌道的硬判決，單邊ITI消減將導致一次額外的旋轉，而雙邊ITI消減將導致兩次額外的旋轉。對于旁邊軌道N-1和N+1的硬判決可以存儲在例如DRAM 220 (圖2)中。對于離線單扇區ITI消減，對于軌道N-1和N+1僅有一個扇區(總體來說，對于單邊ITI消減來說，一個扇區；對于雙邊ITI消減來說，兩個扇區)需要被存儲在DRAM 220中。相比于傳統的HDD,需要HDD控制器210和讀取通道250之間的另外數據通路來傳輸用于ITI消減的與軌道N-1和N+1對應的數據。在公開的實施例中，寫數據通路被用于傳送用于ITI消減的與軌道N-1和N+1對應的消除數據。在正常的讀操作期間的即時(OTF)ITI消減需要順序讀取軌道，這是因為隨機讀取軌道將需要額外的旋轉來讀取相鄰軌道數據。在具備順序讀取的單邊OTF ITI消減中，軌道1，2，3等被順序讀取以用于ITI消減，其中利用根據先前讀取的軌道的存儲的硬判決從軌道N消減ITI。對于單邊OTF ITI消減，以相反的次序順序讀取軌道，其中利用根據先前讀取的軌道的存儲的硬判決從軌道N消減ITI。因此，單邊OTF ITI消減需要在DRAM220中存儲值得硬判決的整個軌道。OTF ITI消減還需要HDD的DRAM存儲器中的額外帶寬，因為需要支持兩個同時從讀取通道250到控制器210的數據流:從讀取通道250到控制器210的解碼后的扇區的傳輸，以及用于相鄰軌道中的扇區的數據從控制器210到讀取通道250的傳輸。注意，如本領域普通技術人員將理解的，根據本發明，能夠執行利用另外的軌道的ITI消減，例如三邊的ITI消減。如之前指出的，本文所述的磁記錄系統和讀取通道的布置相對于傳統的結構具有許多優點。應當再一次強調的是，本發明的上述實施例僅用于示例說明的目的。通常，如本領域的普通技術人員將理解的，這些磁記錄系統可被修改來包括利用寫數據通路提供ITI消減數據的ITI消減方案。此外，所公開的用于ITI消減的技術可在任何磁記錄系統中采用，例如虛擬存儲系統/存儲虛擬化系統，如獨立磁盤冗余陣列(RAID)系統。如本領域的普通技術人員將理解的，本文描述的接口和數據流機制支持另外的操作模式和結構而無需修改。例如，所公開的ITI消減技術可以實現在:如圖所示的具有多個發生干擾的側邊軌道的傳統驅動器中(潛在的應用用于N邊消減)；具有對齊或錯位的扇區的瓦式的或傳統的驅動器(已知數據的潛在使用)；以及具有無意的擠壓(使得盡管不是瓦式驅動器，該驅動器仍需要ITI恢復)的傳統驅動器中。一般地，當相鄰扇區的數據沒有對齊時會出現錯位的扇區。例如，參照圖1，如果中心軌道110-2沒有與相鄰軌道110-1、110-3中一個或多個對齊，則這些軌道被稱為是錯位的。在錯位的軌道的情形下，本發明利用相鄰軌道的與給定軌道的扇區對齊的部分對給定軌道的扇區執行ITI消減，而不管相鄰軌道的對齊部分所屬的扇區。盡管已經參考數字邏輯塊描述了本發明的示例性實施方式，但是本領域的技術人員將理解，可以在數字領域中將各種不同的功能實現為軟件程序中的處理步驟，通過電路元件或狀態機以硬件實現，或者以軟件和硬件的結合實現。例如，可在數字信號處理器、專用集成電路、微處理器或者通用計算機中應用上述軟件。這些硬件和軟件可以在集成電路內實現的電路內實施。在本發明的集成電路實現方式中，典型地在晶片的表面上以重復的圖案形成多個集成電路管芯(die)。每個這樣的管芯可以包括如在此所描述的裝置，并且可以包括其它的結構或電路。管芯被從晶片切下或切片，然后被封裝成集成電路。本領域的普通技術人員將知道如何對晶片進行切片和封裝管芯來生產封裝的集成電路。這樣制造的集成電路被認為是本發明的一部分。因此，本發明的功能可以實施為方法和踐行這些方法的裝置的形式。本發明的一個或多個方面能夠實施為程序代碼，例如，不管存儲在存儲介質中、加載到機器中和/或由機器執行、或經過某些傳輸介質發送，其中，當程序代碼被加載到機器并由機器(例如，計算機)來執行時，該機器變成用于實際本發明的裝置。當在通用處理器上實現時，程序代碼段與處理器結合以提供類似于專用邏輯電路操作的設備。本發明還可以以集成電路、數字信號處理器、微處理器以及微控制器中一個或多個來實現。應當理解，在此所示出和描述的實施例及其變型僅僅是對本發明的主旨的示意性說明，本領域的技術人員能夠實現各種變型而不脫離本發明的范圍和精神。
權利要求
1.一種消減磁記錄系統中軌道間干擾的方法，包括: 獲取軌道間干擾消除數據；以及 利用所述磁記錄系統中的寫數據通路的至少一部分將所述的軌道間干擾消除數據提供給軌道進間干擾消減電路。
2.按權利要求1所述的方法，其中所述軌道間干擾消除數據包括用戶數據、介質數據、ADC數據和Y-數據中的一個或多個。
3.按權利要求1所述的方法，其中所述寫數據通路與讀數據通路執行讀取操作基本同時地操作。
4.按權利要求1所述的方法，其中針對給定的讀取操作，對一個或多個相鄰扇區選擇性地執行所述軌道間干擾消減。
5.按權利要求1所述的方法，其中在讀取操作期間執行所述提供步驟。
6.一種消減磁記錄系統中軌道間干擾(ITI)的裝置，包括: 讀數據通路；以及 寫數據通路，用于將軌道間干擾消除數據提供給所述磁記錄系統中的軌道間干擾消減電路
7.按權利要求6所述的裝置，其中所述寫數據通路與所述讀數據通路執行讀取操作基本上同時地操作。
8.按權利要求6所述的裝置，還包括用于產生第一控制信號的裝置，該第一控制信號與讀選通信號基本上同時地被斷言，以啟動所述軌道間干擾消減。
9.按權利要求6所述的裝置，還包括用于產生第二控制信號的裝置，該第二控制信號指示使用來自先前的讀取操作的一個或多個數據和后處理的數據以用于所述軌道間干擾消減。
10.一種磁記錄系統，包括: 讀數據通路；以及 用于產生重試控制信號的裝置，該重試控制信號指示來自所述讀數據通路的先前讀取操作的一個或多個存儲的數據和存儲的后處理的數據的使用。
全文摘要
提供了用于在磁記錄系統中軌道間干擾消減的基于硬件的方法和裝置。在磁記錄系統中，通過以下步驟消減軌道間干擾(ITI)獲取ITI消除數據；和利用所述磁記錄系統中的寫數據通路將所述ITI消除數據提供給ITI消減電路。可選地，所述寫數據通路可以與讀數據通路執行讀取操作基本上同時地進行操作。所述ITI消除數據包括例如用戶數據和/或介質數據。
文檔編號G11B20/10GK103093781SQ20121054396
公開日2013年5月8日 申請日期2012年9月28日 優先權日2011年9月30日
發明者K·J·沃雷爾, E·F·哈拉特什, 徐長友, J·E·辛格萊頓, K·溫卡塔查拉姆, D·G·斯普林博格 申請人:Lsi公司