專利名稱：磁帶頭和磁帶驅動器的制作方法
技術領域：
本發明涉及磁帶驅動器數據存儲系統。具體來說，本發明涉及用 于讀取記錄磁帶上的數據并向記錄磁帶上寫入數據的薄膜磁帶頭。
背景技術：
使用與磁盤驅動器制造商所使用的相同制造技術來構建磁性信 息存儲系統(例如，磁帶驅動器)的薄膜磁帶頭。這樣的結構的特征 是，包括讀取和寫入轉換器元件的薄膜層垂直地面向磁頭的磁帶支撐面(TBS)。這樣的磁頭可以簡稱為"垂直"磁頭，因為讀取和寫入間隙 部分位于TBS上，而元件分層結構遠離TBS垂直地延伸。在具有 多磁道記錄功能的垂直磁頭中，通常多個轉換器元件并排排列，以形 成橫切磁帶移動的方向的線性轉換器陣列。陣列中的每一個轉換器元 件都被定位，以寫入或讀取磁帶上的分離的縱向磁道。此方案如圖1 所示，該圖描述了具有薄膜轉換器元件"E，，(其間隙"G"在磁帶移動 "D"的方向沿著磁道"TR"嚙合磁帶"T，，)陣列的垂直磁頭"H"。 圖2 顯示了垂直磁頭"H"的示范性內部結構，其中，轉換器包括交替的讀 取和寫入元件"R"和"W"。 如圖3所示，圖2的垂直磁頭"H"可以 固定到與互補垂直磁頭"H"，(其讀取和寫入元件是相反的順序)相關 聯的安裝架"MB"。所產生的磁頭組件將具有在磁帶"T"的順著磁道的 方向對準的讀取/寫入元件對。此方案提供了常規的寫后讀功能，其 中，立即讀回被寫入到磁帶"T，，中的數據，并檢查其中有無錯誤。寫 后讀功能還可以利用單個垂直磁頭(具有磁道對準的讀取和寫入元件 的對，它們是根據在磁盤驅動器中使用的已知的"背馱"方案構建的) 取得。其他常規垂直磁頭設計包括其中所有轉換器元件"E，，要么是讀 取元件要么是寫入元件的磁頭。然后，可以通過將只讀磁頭粘接到只 寫磁頭以提供磁道對準的讀取和寫入元件對，取得寫后讀功能。
如上文所描述的垂直磁頭結構的缺點是，TBS中的轉換器元件 間隙彼此之間必須有足夠的間隔，以為凹進到TBS后面的轉換器元 件結構的主要部分提供空間。對于寫入元件，凹進的結構包括磁極片 和線團繞組(從圖2可以看出)，與TBS中的寫入間隙結構相比， 相當笨重。對于讀取元件，凹進結構包括電導線和磁性硬偏壓元件(如 果存在的話)。與TBS中的讀取間隙結構相比，這些也相對來說比 較笨重，雖然與寫入元件相比程度輕一些。前面的間隔要求使垂直磁 頭的轉換器陣列比對于在任何給定時刻讀取或寫入的磁道數量必須 的間隔要求寬得多。問題是，轉換器陣列內得間隙間距比間隙寬度大 得多，以致于對于被陣列讀取或寫入的每個磁道，在沒有發生轉換的 磁道之間將會間隔。從圖2可以看出此"梳子，，影響，該圖顯示了， 對于與相鄰的讀取和寫入元件"R，，和"W，，對準的每對磁道"TR，，，在未 轉換的磁帶"T，，上在磁道之間存在空白。可以通過在多次轉換操作過程中在跨順著磁道的方向步進磁頭 來解決梳子影響，以便在進行了一些操作之后最終向磁道之間的空白 處記錄數據。也可以使用被稱為"瓦片般重迭"的過程以小于寫入轉換 器的間隙寬度向磁帶磁道中寫入。根據此技術，對于每一個連續的 轉換操作，使磁頭步進小于寫入元件間隙寬度的值，以便前面被寫入 的磁道的邊緣在下一次操作過程被改寫，就向屋頂上的木瓦那樣。雖然前面的磁道寫入技術可使數據密集地壓縮到磁帶上，但是， 一個持續的懸而未決的問題是寫入和讀取操作之間的磁帶尺寸變化 所導致的磁道對準不良。例如，可以在一組溫度和濕度條件下向磁帶 中寫入數據，然后，又在不同的環境條件下讀取數據。對于常規的磁 帶材料，尺寸變化可以達到.12%。這些磁帶尺寸變化將會使磁帶磁 道間距的幾何尺寸變寬或變窄，導致與磁帶頭發生磁道對準不良，而 磁帶頭的間隙間隔的幾何尺寸基本上不變。雖然可以使用磁帶頭的旋 轉來通過改變轉換器陣列的有效磁道間距來解決配準不良的問題，但 是，此解決方案需要復雜的機械和歪斜補償電路。為說明配準不良問題，假設轉換器陣列在最外面的元件之間橫跨xnm，磁帶尺寸的百分比變化是.12%。在最外面的元件下磁帶磁道 的間隔的產生的變化將是.0012xnm。另一方面，如果轉換器陣列橫 跨.5x fim，那么，磁帶尺寸的.12%變化將在最外面的元件之下只 將磁帶磁道間距改變.0006x jim。如此，.5x轉換器陣列跨度將只體 驗到x轉換器跨度體驗到的磁帶尺寸變化的一半，以致于磁道對準 不良的可能性稍小。相應地，需要改進用于讀取記錄磁帶上的數據并向記錄磁帶上寫 入數據的薄膜磁帶頭的設計。特別需要的是，具有降低讀取和寫入元 件的間隙間距的能力的磁頭設計。發明內容通過具有用于讀取記錄磁帶上的數據并向記錄磁帶上寫入數據 的平面讀取和寫入元件的平面雙向磁帶頭，解決了前面的問題，并改進了現有技術。該磁帶頭包括襯底，用于嚙合磁帶的磁帶支撐面，在 襯底上形成的一個或多個寫入元件陣列，以及在襯底上形成的一個或 多個讀取元件陣列。 一個或多個寫入元件陣列和一個或多個讀取元件 陣列包括與磁帶支撐面以大致平行的平面關系定向的多個薄膜層。在這里所說明的一個示范性實施例中， 一個或多個寫入元件陣 列包括具有扁平線圏結構的寫入元件。在這里所說明的另一個示范性 實施例中， 一個或多個寫入元件陣列包括具有螺旋形線圏結構的寫入 元件。在這兩個實施例中，相鄰的寫入元件的轉換間隙可以在橫切于 記錄磁帶的流向的方向大略地對準。寫入元件可以包括一對極端(它 們在磁帶支撐面提供寫入間隙)和一對磁極片，該對磁極片從極端延 伸到連接了磁極片的后間隙區域，后間隙區域在順著磁道的方向與寫 入間隙間隔開來。一個或多個讀取元件陣列可以包括讀取元件(具有與磁帶支撐面 間隔開來的薄膜傳感器層)，以及從傳感器層延伸到磁帶支撐面的磁 導。讀取元件之間可以有間隔的讀取間隙或接近連續的讀取間隙，以 便支持磁記錄介質的相鄰磁道上的束寫入。


如附圖所說明的，根據下列對本發明的示范性實施例的比較特定的說明，本發明的前面的及其他特點和優點將變得顯而易見，其中 圖1是顯示了現有技術的薄膜垂直磁帶頭的透視圖； 圖2是顯示了圖1的現有技術的磁帶頭的示范性結構的透視圖；圖3是顯示了固定到安裝架的圖1的一對垂直磁帶頭的側面圖；圖4是顯示了示范性磁帶頭的磁帶支撐面的部分平面圖，有一 段記錄磁帶重疊在磁帶頭上；圖4A是顯示了圖4的磁帶頭的備選的結構的部分平面圖； 圖4B是顯示了圖4的磁帶頭的另一個備選的結構的部分平面圖；圖5是顯示了圖4的磁帶頭的寫入模塊的一部分的放大的平面圖；圖6是沿著圖5中的直線6-6截取的寫入元件剖面圖；圖7是沿著圖4中的直線7-7截取的磁頭剖面圖；圖8是顯示了示范性寫入模塊伺服讀取器的平面圖；圖9是沿著圖8中的直線9-9截取的剖面圖；圖10是在圖9中的箭頭10-10的方向截取的側視圖；圖11是顯示了另一個示范性磁帶頭的磁帶支撐面的部分平面圖，有一段記錄磁帶重疊在磁帶頭上；圖11A是顯示了圖11的磁帶頭的備選的結構的部分平面圖； 圖11B是顯示了圖11的磁帶頭的另一個備選的結構的部分平面圖；圖11C是顯示了圖11的磁帶頭的另一個備選的結構的部分 平面圖；圖12是顯示了圖11的磁帶頭的寫入模塊的一部分的放大的平面圖；圖13是沿著圖12中的直線13-13截取的寫入元件剖面圖14是沿著圖11中的直線14-14截取的磁頭剖面圖；圖15是顯示了另一個示范性磁帶頭的磁帶支撐面的部分平面圖，有一段記錄磁帶重疊在磁帶頭上；圖16是顯示了磁帶驅動器數據存儲設備的功能方框圖；以及 圖17是顯示了與基于磁帶盒的磁帶介質一起使用的圖16的磁帶驅動器存儲設備的示范性結構的透視圖。
具體實施方式
現在將通過示范性實施例描述本發明，示范性實施例是通過圖形 (不一定按比例)顯示的，其中，在所有圖形中，類似的參考編號表 示類似的元件。現在請參看圖4，磁帶頭2是根據示范性三陣列配置構建的， 其中，在一對讀取元件陣列6和8之間放置了寫入元件陣列4。磁 帶頭2具有磁帶支撐面10，用于嚙合記錄磁帶"T"，其一個邊緣如 圖4所示。如圖5-7另外所示，寫入元件陣列4具有平面磁頭結 構，其中，寫入元件陣列中的多個寫入元件12中的每一個都包括與 磁帶支撐面10以大致平行的平面關系定向的多個薄膜層"L"。可以 看出，寫入元件12如此排列，以^t相鄰的寫入元件的轉換間隙14 可以在橫切于記錄磁帶的流向的方向大略地對準(如圖4中的箭頭 "D"所顯示)。從圖8-10可以看出，讀取元件陣列6和8也具有平面磁 頭結構，其中，寫入元件陣列中的多個讀取元件16中的每一個都包 括與磁帶支撐面10以大致平行的平面關系定向的多個薄膜層"L"。 可以看出，讀取元件16如此排列，以便相鄰的讀取元件的讀取間隙 18可以在橫切于記錄磁帶的流向的方向大略地對準。在由圖4-7代表的示范性實施例中，寫入元件12包括扁平線 圏結構。根據此結構，寫入線圏20在單一一層薄膜層"L，，中具有多 個線團繞組，從圖6可以看出。提供了一對接觸墊22和24，用于 將寫入線團20連接到信息調制電流源(未顯示)。寫入元件12進 一步包括一對極端26和28，它們在磁帶支撐面10上提供寫入間
隙14。 一對磁極片30和32分別從極端26和28延伸到連接了 磁極片的后間隙區域34。可以用通常用于制造感應的寫入磁頭(用 于信息存儲)的那種類型的任何合適的導磁材料來制造極端26/28和 磁極片30和32。從圖6可以看出，磁極片30和32最初在一般 垂直于磁帶支撐面10的方向從極端26和28延伸。然后，每一個 磁極片30和32在寫入模塊4的單獨的一層"L，，上進行大約90。 的彎曲，此后，大略平行于磁帶支撐面10延伸到后間隙區域34。 從而，后間隙區域34在順著磁道的方向與寫入間隙14分開。從圖5和6可以看出，寫入線圏20巻繞后間隙區域34，后 間隙區域的一側的線團繞組位于磁極片30和33之間。當寫入線團 20被通電時，它將在磁極片30和32中產生磁通量，以便在極端 26和28中產生跨寫入間隙14擴散的磁場。應該理解，寫入間隙 14中的磁場的強度部分地取決于寫入線圍20的線圍的數量。雖然 未顯示，增大線圏繞組的數量而不會增大寫入元件的總的大小的一種 方式(當在圖5的平面圖方向查看時)將是在寫入模塊4的一個或 多個單獨的層"L，，上形成另外的線圏。如圖4A所示，可以以一個或多個陣列排列寫入元件12。如圖 4B所進一步顯示的，寫入元件12可以排列為兩個陣列，以便相鄰 的寫入元件具有相鄰的極端26/28，但是可以相反地延伸磁極片 30/32和后間隙34。在圖4A和4B中，可以比利用寫入模塊4形 成更多磁道，縮小了磁道間距。例如，取決于寫入線團20的大小， 寫入元件12可以有間隔的寫入間隙，它們之間具有所需要的間隔距 離(優選情況下，不超過大致一個間隙寬度)，或者可以有接近連續 的寫入間隙，它們之間具有標稱間隔(基本上小于一個間隙寬度)， 以便在磁記錄介質的連續的磁道上進行束寫入。在第一種情況下，間 隙間距(即，相鄰的寫入間隙的中心線之間的距離)大致為2個間 隙寬度。在第二種情況下，間隙間距約等于間隙寬度。作為示例，可 以使用對應于寫入元件可擦帶的寬度的間隙間隔。該情況下的間隙間 距將是間隙寬度和可擦帶寬度的總和。通常，可擦帶寬度大致為間隙
尺寸(即，在磁帶運動的方向，磁極片30/32之間的間隔)的3-5倍。 假設大致5微米的典型的間隙尺寸，間隙間隔(如果等于可擦帶寬 度)大致為15-25微米。注意，寫入線圏20的大小將在很大程度 上取決于在寫入模塊4的任何給定層"L"中形成的線團繞組的數量， 該數量可以通過使用如上文所討論的多個層來控制。如圖4所示，磁帶頭2包括用于讀取磁帶"T"上的常規的基于 時間的伺服磁道"ST"的伺服讀取元件。可以通過讀取元件陣列6和 8中的另外的讀取元件16來提供伺服讀取元件，也可以通過作為寫 入元件陣列4的一部分形成的伺服讀取元件36來提供。如圖8 -10所示，各種讀取元件16和36可以各自包括在寫入模塊4的多 個薄膜層"L"(它們與寫入模塊磁帶支撐面10成平行平面關系)中 形成的傳感器結構38。如那些精通本技術的人員將理解，傳感器結 構層可以包括磁性針腳層40、墊團層42和無磁性層44。可以在傳 感器結構的每一側提供一對電極/硬偏壓結構46,以提供CIP (Current-In-Plane)傳感器。雖然未顯示，也可以使用 CPP (Current-Perpendicular to-Plane)傳感器。4吏用常規的磁導47將來 自磁帶支撐面10中的讀取間隙18的磁通量傳送到無磁性層44。 為了縮小讀取元件陣列6和8中的讀取間隙間隔，相鄰的讀取元件 的傳感器結構38可以安排為從讀取間隙18在相反的方向延伸，如 圖4B所示。圖7顯示了當從圖4的磁帶"T"的邊緣查看時的磁帶頭2。可 以看出，從在磁帶頭2 (與磁帶支撐面10相對)的表面上形成的電 接觸板48分別與寫入元件14和讀取元件18進行電連接。可以使 用傳統技術將電纜(未顯示)連接到接觸墊48。雖然未顯示，可以 在寫入和讀取元件陣列4, 6和8的接觸墊48上方制造驅動器組 件，如FET (場效應晶體管)。或者，可以在單獨的芯片上制造驅 動器，然后，將芯片安裝于磁帶頭2的附近。如圖7所進一步顯示 的，磁帶頭2的磁帶支撐面10可以重疊起來，以在磁帶"T，，經過磁 頭時定義優選的磁帶纏繞角度。
現在請參看圖11-14，顯示了備選的寫入元件陣列4，，用于其 中寫入元件12，包括螺旋形線圍結構的磁帶頭2中。根據此結構， 寫入線團20'在多個薄膜層"L"具有多個線圍繞組，從圖13可以看 出。具體來說，在第一層"L"中形成第一組線圏繞組元件20A，，在第 二層"L"中形成笫二組線圍繞組元件20B',在位于線團繞組元件 20A，和20B'之間的中間層中形成了第三和第四組線圍繞組元件 20C，和20D'(參見圖12)。提供了一對接觸墊22'和24'，用于將 寫入線團20'連接到信息調制電流源(未顯示)。寫入元件12，進 一步包括一對極端26'和28，，它們在磁帶支撐面10'上提供寫入 間隙14'。 一對磁極片30，和32，分別從極端26，和28，延伸到連 接了磁極片的后間隙區域34，。可以用通常用于制造感應的寫入磁頭 (用于信息存儲)的那種類型的任何合適的導磁材料來制造極端 26'/28'和磁極片30'和32'。從圖13可以看出，磁極片30，和32' 最初在一般垂直于磁帶支撐面10'的方向從極端26'和28'延伸。 然后，每一個磁極片30'和32'在寫入模塊4，的單獨的一層"L"上 進行大約90。的彎曲，此后，大略平行于磁帶支撐面10，延伸到后 間隙區域34'。從而，后間隙區域34，在順著磁道的方向與寫入間隙 14，分開。從圖13可以看出，寫入線團20，巻繞磁極片32'。當寫入線 圍20，被通電時，它將在磁極片30'和32'中產生磁通量，以便在 極端26'和28，中產生跨寫入間隙14'擴散的磁場。應該理解，寫 入間隙14'中的磁場的強度部分地取決于寫入線團20'的線圏的數 量。可以通過延長磁極片30'和32'的長度來增大寫入線圏20，的 線團的數量。注意，寫入線團20'的螺旋配置可使寫入元件12，具有相對來 說比較窄的輪廓(與上文所描述的扁平線團配置相比)，有助于磁道 間距縮小。如圖11A所示，可以以一個或多個陣列排列寫入元件 12'。如圖11B所進一步顯示的，寫入元件12，可以排列為兩個陣列， 以便相鄰的寫入元件具有相鄰的極端26，/28，，但是可以相反地延伸磁
極片30V32'和后間隙34，。如圖11C另外所示，處理的方^f更性可 以決定相鄰的寫入元件12，的轉換間隙14'稍微交錯。然而，寫入 間隙14，仍然圍繞橫切磁帶運動的方向的公共軸線的每一側對稱地 對準。在圖IIA、 11B和11C中，在對寫入模塊4'的單一操作中， 可以寫入更多磁道，縮小了磁道間距。取決于寫入線圍20'的大小， 寫入元件12'可以有間隔的寫入間隙，它們之間具有所需要的間隔距 離(優選情況下，不超過大致一個間隙寬度)，或者可以有接近連續 的寫入間隙，它們之間具有標稱間隔(基本上小于一個間隙寬度)， 以便在磁記錄介質的連續的磁道上進行束寫入。例如，如上文涉及圖 4A和4B的寫入元件12所描述的，可以^:用對應于寫入元件12， 的可擦帶寬度的間隙間隔。間隙間距是間隙寬度和可擦帶寬度的總 和。假設大致5微米的典型的間隙尺寸，間隙間隔(如果等于可擦 帶寬度)大致為15-25微米(假設典型的可擦帶寬度大致為間隙尺 寸的3-5倍)。現在請參看圖15，顯示了類似于圖4的磁頭配置的磁帶頭2 的另一個三陣列配置，只是在讀取元件陣列6的任一側有兩個寫入 元件陣列4。使用圖4-10的寫入元件12形成寫入元件陣列4，而 使用圖4-10的讀取元件16形成讀取元件陣列6。圖15的剩余的 參考編號對應于圖4-10的類似的標識的元件，在這里將不再進行贅 述。在備選的結構(未顯示)中，可以使用圖11-14的寫入元件12' 來提供寫入元件陣列4。請參看圖16，這里所描述的發明構思可以以磁帶驅動器數據存 儲設備(磁帶驅動器)100來實現，該設備用于存儲數據，并由主機 數據處理設備102來檢索數據，而主機數據處理設備102可以是用 于與磁帶驅動器100進行數據交換的其他處理設備的通用計算機。 磁帶驅動器100包括多個組件，提供了用于讀取磁帶介質上的數據 并向磁帶介質寫入主機數據的控制和數據傳輸系統。只作為示例，這 些組件通常可以包括通道適配器104、微處理器控制器106、數據緩 沖器108、讀取/寫入數據流電路110、運動控制系統112，以及磁帶
接口系統114，該磁帶接口系統114包括馬達驅動器電路116和讀 /寫磁頭單元118。微處理器控制器106為磁帶驅動器100的操作提供開銷控制 功能。如常規的情況那樣，由微處理器控制器106執行的功能可以程。在數據寫入操作過程中(所有數據流與數據讀取操作相反)，微 處理器控制器106激活通道適配器104，以執行所需的主機接口協 議，以便接收信息數據塊。通道適配器104將數據塊傳遞到數據緩 沖器108，該數據緩沖器108存儲了用于隨后的讀取/寫入過程的數 據。而數據緩沖器108又將從通道適配器104接收到的數據塊傳遞 到讀取/寫入數據流電路110，而該電路又將設備數據格式化為可以記 錄在磁帶介質上的在物理上格式化的數據。讀取/寫入數據流電路110 在微處理器控制器106的控制下負責執行讀取/寫入數據傳輸操作。 來自讀取/寫入數據流電路110的格式化的物理數據被傳遞到磁帶接 口系統114。后者包括讀/寫磁頭單元118中的一個或多個讀/寫磁 頭，以及驅動馬達組件(未顯示)，用于執行安裝在供帶盤122和 巻帶盤124上的磁帶介質120的正反向移動。磁帶接口系統114 的驅動器組件被運動控制系統112和馬達驅動器電路116控制，以 執行諸如正反向記錄和播放、倒帶之類的磁帶運動，及其他磁帶運動 功能。此外，在多道磁帶驅動系統中，運動控制系統112相對于縱 向磁帶運動的方向橫向地定位讀/寫磁頭，以便將數據記錄在多個磁道中。在大多數情況下，如圖17所示，磁帶介質120將安裝在磁帶 盒126上，而磁帶盒126通過插槽128插入到磁帶驅動器100 中。磁帶盒126包括包含磁帶120的外殼130。所顯示的供帶盤 122安裝在外殼130上。相應地，說明了用于磁帶記錄系統中的具有平面讀取和寫入元件 的平面雙向磁帶頭。盡管顯示和描述了本發明的各種實施例，但是， 顯然，根據這里的原理，也可以實現許多修改和替代實施例。因此， 可以理解，不對本發明進行任何形式的限制，除非符合所附權利要求 和它們的等效物的精神。
權利要求
1.在磁帶驅動器中，用于讀取記錄磁帶上的數據并向記錄磁帶上寫入數據的磁帶頭，所述磁帶頭包括襯底；用于嚙合所述磁帶的磁帶支撐面；在所述襯底上形成的一個或多個寫入元件陣列；在所述襯底上形成的一個或多個讀取元件陣列；以及所述寫入元件陣列和所述一個或多個讀取元件陣列包括與所述磁帶支撐面以大致平行的平面關系定向的多個薄膜層。
2. 根據權利要求1所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個寫入元件陣列在相對于所述記錄磁帶的順著磁道的方向插入在兩 個讀取元件陣列之間。
3. 根據權利要求1所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個讀取元件陣列在相對于所述記錄磁帶的順著磁道的方向插入在兩 個寫入元件陣列之間。
4. 根據權利要求1所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個寫入元件陣列包括具有扁平線團結構的寫入元件。
5. 根據權利要求1所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個寫入元件陣列包括具有螺旋狀結構的寫入元件。
6. 根據權利要求1所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個寫入元件陣列包括寫入元件，所述寫入元件具有一對極端和一對磁 極片，所述極端在所述磁帶支撐面提供寫入間隙，所述磁極片對從所 述極端延伸到連接了所述磁極片的后間隙區域，所述后間隙區域在順 著磁道的方向與所述寫入間隙間隔開來，其中，所述寫入元件這樣排 列，以便相鄰的寫入元件具有相鄰的極端，但是相反地延伸磁極片和 后間隙。
7. 根據權利要求1所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個寫入元件陣列包括為連續的磁道束寫入提供的相鄰的寫入元件。
8. 根據權利要求7所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個寫入元件陣列包括有接近連續的寫入間隙的相鄰的寫入元件，以便 在所述磁記錄介質的連續的磁道上進行束寫入。
9. 根據權利要求1所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個讀取元件陣列包括讀取元件和磁導，所述讀取元件具有與所述磁帶 支撐面間隔開來的薄膜傳感器結構，所述磁導從所述傳感器結構延伸 到所述磁帶支撐面上的讀取間隙。
10. 根據權利要求1所述的磁帶驅動器，其中，所述一個或多 個讀取元件陣列如此排列，以便相鄰的讀取元件的轉換間隙可以在大 致橫切于所述記錄磁帶的流向的方向對準。
11. 用于讀取記錄磁帶上的數據并向記錄磁帶上寫入數據的磁 帶頭，包括襯底；用于嚙合所述磁帶的磁帶支撐面； 在所述襯底上形成的一個或多個寫入元件陣列； 在所述襯底上形成的一個或多個讀取元件陣列； 所述一個或多個寫入元件陣列和所述一個或多個讀取元件陣列 包括與所述磁帶支撐面以平行的平面關系定向的多個薄膜層；以及所述一個或多個寫入元件陣列包括具有扁平線團結構的寫入元 件，所述寫入元件具有一對極端和一對磁極片，所述極端在所述磁帶 支撐面提供寫入間隙，所述磁極片對從所述極端延伸到連接了所述磁 極片的后間隙區域，所述后間隙區域在順著磁道的方向與所述寫入間 隙間隔開來。
12. 根據權利要求11所述的磁帶頭，其中，相鄰的寫入元件設 有接近連續的寫入間隙。
13. 根據權利要求11所述的磁帶頭，其中，所述一個或多個 寫入元件陣列在相對于所述記錄磁帶的順著磁道的方向插入在兩個 所述讀取元件陣列之間。
14. 根據權利要求11所述的磁帶頭，其中，所述一個或多個讀取元件陣列包括讀取元件和磁導，所述讀取元件具有與所述磁帶支 撐面間隔開來的薄膜傳感器結構，所述磁導從所述傳感器結構延伸到 所述磁帶支撐面上的讀取間隙。
15. 根據權利要求11所述的磁帶頭，其中，所述一個或多個 讀取元件陣列如此排列，以便相鄰的讀取元件的轉換間隙可以在大致 橫切于所述記錄磁帶的流向的方向對準。
16. 用于讀取記錄磁帶上的數據并向記錄磁帶上寫入數據的磁 帶頭，包括襯底；用于嚙合所述磁帶的磁帶支撐面； 在所述襯底上形成的一個或多個寫入元件陣列； 在所述村底上形成的一個或多個讀取元件陣列； 所述一個或多個寫入元件陣列和所述一個或多個讀取元件陣列 包括與所述磁帶支撐面以平行的平面關系定向的多個薄膜層；以及所述一個或多個寫入元件陣列包括具有螺旋形線團結構的寫入 元件，所述寫入元件具有一對極端和一對磁極片，所述極端在所述磁 帶支撐面提供寫入間隙，所述磁極片對從所述極端延伸到連接了所述 磁極片的后間隙區域，所述后間隙區域在順著磁道的方向與所述寫入 間隙間隔開來。
17. 根據權利要求16所述的磁帶頭，其中，相鄰的寫入元件 設有接近連續的寫入間隙。
18. 根據權利要求16所述的磁帶頭，其中，所述一個或多個 寫入元件陣列在相對于所述記錄磁帶的順著磁道的方向插入在兩個 所述讀取元件陣列之間。
19. 根據權利要求16所述的磁帶頭，其中，所述一個或多個 讀取元件陣列包括讀取元件和磁導，所述讀取元件具有與所述磁帶支 撐面間隔開來的薄膜傳感器結構，所述磁導從所述傳感器結構延伸到 所述磁帶支撐面上的讀取間隙。
20. 根據權利要求19所述的磁帶頭，其中，所述一個或多個 讀取元件陣列如此排列，以便相鄰的讀取元件的轉換間隙可以在大致 橫切于所述記錄磁帶的流向的方向對準。
全文摘要
具有用于讀取記錄磁帶上的數據并向記錄磁帶上寫入數據的平面讀取和寫入元件的平面雙向磁帶頭，包括襯底，用于嚙合磁帶的磁帶支撐面，在襯底上形成的一個或多個寫入元件陣列，以及在襯底上形成的一個或多個讀取元件陣列。一個或多個寫入元件陣列和一個或多個讀取元件陣列包括與磁帶支撐面以大致平行的平面關系定向的多個薄膜層。
文檔編號G11B5/265GK101149929SQ20071012876
公開日2008年3月26日 申請日期2007年7月12日 優先權日2006年9月19日
發明者羅伯特·G·比斯克伯恩 申請人:國際商業機器公司