一種安全設備及破壞檢測方法
【專利摘要】本發明提供一種安全設備及破壞檢測方法，包括外殼、電介質層、導電層、電容檢測電路、響應電路，所述電介質層、導電層、電容檢測電路位于外殼的內部，所述導電層包括第一導電層、第二導電層，所述第一導電層與外殼相對固定，第一導電層與第二導電層中間設置電介質層，所述電容檢測電路與第二導電層連接，所述響應電路與電容檢測電路連接，所述電容檢測電路用于在檢測第一導電層、第二導電層間電容的變化時使能響應電路。解決安全設備容易被破解的問題。
【專利說明】
_種安全設備及破壞檢測方法
技術領域
[0001]本發明涉及安全設計領域，尤其涉及一種安全設備。
【背景技術】
[0002]安全設備需要在安全應用中抵抗各種類型的攻擊，保證重要數據不被竊取。目前，越來越多領域需要提供高安全性，例如移動支付，傳統銀行業務中銷售終端機(POS)，智能讀卡器，ATM，密碼鍵盤，智能卡，以及數字版權管理(DRM)領域中機頂盒，移動電視等。
[0003]目前，POS機防拆技術主要采用Switch(開關，保護觸點，斑馬條等)和Mesh(金屬網格)，當有人企圖拆開POS機機殼，按鍵，主板，蓋板時，開關會斷開，內部檢測電路輸出觸發信號，清除受保護的數據。這種物理機械開關的缺點是不夠穩定可靠，容易誤觸發，而且Switch和Mesh檢測電路是一個環路，可能會被找到突破口，進而攻破設備。

【發明內容】

[0004]本發明要解決的技術問題，在于提供一種安全設備，解決安全設備容易被破解的問題。
[0005]本發明是這樣實現的:一種安全設備，包括外殼、電介質層、導電層、電容檢測電路、響應電路，所述電介質層、導電層、電容檢測電路位于外殼的內部，所述導電層包括第一導電層、第二導電層，所述第一導電層與外殼相對固定，第一導電層與第二導電層中間設置電介質層，所述電容檢測電路與第二導電層連接，所述響應電路與電容檢測電路連接，所述電容檢測電路用于在檢測第一導電層、第二導電層間電容的變化時使能響應電路。
[0006]進一步地，所述檢測電路包括電流源I c、電流源I d、PMOS管、匪OS管、比較器、參考電壓;所述電流源IC的輸出端與PMOS管的源極連接，所述PMOS管的漏極與匪OS管的漏極連接，匪OS管的源極與電流源Id的輸入端連接，所述PMOS管的漏極還與第二導電層連接，所述電流源Id的輸出端接地，所述第二導電層還與比較器的正輸入端連接，所述比較器的負輸入端接參考電壓，所述比較器的輸出端與PMOS管和NMOS管的柵極連接。
[0007]具體地，所述響應電路包括報警器，所述電容檢測電路與報警器連接，所述電容檢測電路用于在檢測到電容變化后觸發報警器。
[0008]進一步地，還包括第三導電層，所述第三導電層設置于第一導電層、第二導電層之間。
[0009]進一步地，還包括第三導電層，所述第三導電層設置于第二導電層的內側，第三導電層接地。
[0010]具體地，所述導電層為鍍銅層。
[0011]—種安全設備破壞檢測方法，包括如下步驟，在安全設備的外殼內，與外殼相對固定第一導電層并接地，再向內依次設置電介質層、第二導電層，通過檢測第一導電層與第二導電層之間的電容，判斷安全設備是否被破壞。
[0012]進一步地，還包括步驟，在第一導電層與第二導電層間設置第三導電層。
[0013]進一步地，還包括步驟，在第二導電層的內側設置第三導電層，所述第三導電層接地。
[0014]本發明具有如下優點:比現有的技術會更加的安全可靠，不易誤觸發，穩定性好。用PCB的中間層形成電容，沒有裸露在PCB表面的接觸點，大大提高了攻擊的難度。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發明【具體實施方式】所述的安全設備結構圖；
[0016]圖2為本發明【具體實施方式】所述的電容檢測電路示意圖；
[0017]圖3為本發明【具體實施方式】所述的第三導電層結構圖；
[0018]圖4為本發明【具體實施方式】所述的破壞檢測方法流程圖。
【具體實施方式】
[0019]為詳細說明本發明的技術內容、構造特征、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖詳予說明。
[0020]請參閱圖1，為本發明一種安全設備的一種結構示意圖，包括外殼、電介質層、導電層、電容檢測電路、響應電路，所述電介質層、導電層、電容檢測電路位于外殼的內部，所述導電層包括第一導電層、第二導電層，所述第一導電層與外殼相對固定，第一導電層與第二導電層中間設置電介質層，所述電容檢測電路與第二導電層連接，所述響應電路與電容檢測電路連接，所述電容檢測電路用于在檢測第一導電層、第二導電層間電容的變化時使能響應電路。在具體的應用中，外殼將其他上述部件包覆在內，為了防止別人突破這個外殼，并對外殼的脫離進行監測，可以將第一導電層與外殼相對固定，再設置第二導電層與第一導電層形成電容，中間用電介質填充，這樣一來，當外殼被人為破壞或是剝離的時候，會導致電容的變化，電容檢測電路能夠檢測到上述變化，達到監測外殼脫離的效果，在本實施例中，外殼不僅可以是安全設備的最外層面板，也可以是內部某些核心區域的外層包覆殼，比如可以是第二層安全保護殼、第三層安全保護殼等。所述安全設備可以是存有機密信息、機密部件的設備，如POS機、ATM機、鍵盤、掃碼器等等，所述的第一導電層及第二導電層可以僅設置在外殼容易被攻破的地點，如螺絲接口、外殼的邊角、按鍵下方等等，當電容檢測電路檢測到電容的變化后，使能響應電路，響應電路執行包括刪除敏感數據、報警等操作，通過上述設備，在安全設備中整合電容，使得在檢測外殼是否被攻破的構造上無需采用閉環式的檢測電路，只需外殼與導電層之間的距離等物理性質發生變化，就能夠探測出來。
[0021 ]在具體的實施例中，導電層可以是PCB層，現有的一些安全設備就包括一些PCB板，可以在其上制作一定形狀的敷銅，形成導電層，一些電介質層可以直接選用絕緣材料制作。例如在圖1所示的實施例中，深灰色的部分是夾在導電層中的絕緣層，達到隔絕電荷，形成電容的效果。
[0022]在某些進一步的實施例中，如圖2所示，所述檢測電路包括電流源Ic、電流源Id、PMOS管、NMOS管、比較器、參考電壓;所述電流源I c的輸出端與PMOS管的源極連接，所述PMOS管的漏極與NMOS管的漏極連接，NMOS管的源極與電流源Id的輸入端連接，所述PMOS管的漏極還與第二導電層連接，所述電流源Id的輸出端接地，所述第二導電層還與比較器的正輸入端連接，所述比較器的負輸入端接參考電壓，所述比較器的輸出端與PMOS管和匪OS管的柵極連接。剛上電的時候，比較器輸出低電平，PMOS管導通，通過電流源Ic對電容Cext充電，Cext端電壓慢慢升高，當升高到超過比較器負端的參考電壓Vrefl時，比較器輸出高電平，PMOS管斷開，NMOS管導通，通過電流源Id對電容Cext開始放電，Cext端的電壓慢慢降低，當電壓低于比較器的參考電平Vref2時，比較器輸出低電平，如此循環往復。
[0023]在具體的實施例中，所述響應電路包括報警器，所述電容檢測電路與報警器連接，所述電容檢測電路用于在檢測到電容變化后觸發報警器。
[0024]安全設備僅需要第二導電層及第一導電層形成的電容Cl即可工作，為了提高電容檢測電路的精度，如圖1所示，所述安全設備至少還包括第三導電層，所述第三導電層設置于第一導電層、第二導電層之間。同樣導電層可以是內部的金屬層，例如鍍銅層等。如圖1所示在第一、第二導電層間再行設計一個或多個導電層，能夠增加總的電容量，這樣能夠提升安全設備的電容檢測精度，更好地達到了防破壞的效果。
[0025]另一些如圖3所示的實施例中，第三導電層還可以設置在第二導電層的內側，第三導電層接地。這樣第二導電層與外殼形成電容C2，與第三導電層形成電容Cl，首先是電容增加，也能夠達到上述提高電容檢測精度的效果，另一方面，當外殼被破壞或者剝離后，C2電容消失，電路中仍有電容Cl繼續工作，不僅能夠使電容檢測電路繼續工作，還進一步地起到保護電路的作用。
[0026]在圖4所示的實施例中，介紹了一種安全設備破壞檢測方法，包括如下步驟，S401在安全設備的外殼內，與外殼相對固定第一導電層并接地，再向內依次設置電介質層、第二導電層，S403通過檢測第一導電層與第二導電層之間的電容，判斷安全設備是否被破壞。通過上述方法，達到了設計電容式安全設備的效果，當外殼被剝離或破壞時，能夠使電容的變化被電容檢測電路探測到，再通過響應電路做出破壞響應，達到安全設備防止外力破壞的效果。
[0027]在某些進一步的實施例中，還包括步驟S405，在第一導電層與第二導電層間設置第三導電層。通過設計多個導電層，達到提高電容檢測精度的效果，更好地解決安全設備防止外力破壞的問題。
[0028]進一步地，還可以在第二導電層的內側設置第三導電層，所述第三導電層接地。上述方法更好地解決了安全設備防止外力破壞的問題。
[0029]以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利保護范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種安全設備，其特征在于，包括外殼、電介質層、導電層、電容檢測電路、響應電路，所述電介質層、導電層、電容檢測電路位于外殼的內部，所述導電層包括第一導電層、第二導電層，所述第一導電層與外殼相對固定，第一導電層與第二導電層中間設置電介質層，所述電容檢測電路與第二導電層連接，所述響應電路與電容檢測電路連接，所述電容檢測電路用于在檢測第一導電層、第二導電層間電容的變化時使能響應電路。2.根據權利要求1所述的安全設備，其特征在于，所述檢測電路包括電流源Ic、電流源I d、PMOS管、NMOS管、比較器、參考電壓;所述電流源I c的輸出端與PMOS管的源極連接，所述PMOS管的漏極與WOS管的漏極連接，匪OS管的源極與電流源I d的輸入端連接，所述PMOS管的漏極還與第二導電層連接，所述電流源Id的輸出端接地，所述第二導電層還與比較器的正輸入端連接，所述比較器的負輸入端接參考電壓，所述比較器的輸出端與PMOS管和NMOS管的柵極連接。3.根據權利要求1所述的安全設備，其特征在于，所述響應電路包括報警器，所述電容檢測電路與報警器連接，所述電容檢測電路用于在檢測到電容變化后觸發報警器。4.根據權利要求1所述的安全設備，其特征在于，還包括第三導電層，所述第三導電層設置于第一導電層、第二導電層之間。5.根據權利要求1所述的安全設備，其特征在于，還包括第三導電層，所述第三導電層設置于第二導電層的內側，第三導電層接地。6.根據權利要求1所述的安全設備，其特征在于，所述導電層為鍍銅層。7.—種安全設備破壞檢測方法，其特征在于，包括如下步驟，在安全設備的外殼內，與外殼相對固定第一導電層并接地，再向內依次設置電介質層、第二導電層，通過檢測第一導電層與第二導電層之間的電容，判斷安全設備是否被破壞。8.根據權利要求7所述的安全設備破壞檢測方法，其特征在于，還包括步驟，在第一導電層與第二導電層間設置第三導電層。9.根據權利要求7所述的安全設備破壞檢測方法，其特征在于，還包括步驟，在第二導電層的內側設置第三導電層，所述第三導電層接地。
【文檔編號】G06F21/87GK106022174SQ201610475161
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月24日
【發明人】周媛媛, 葉松, 林峰
【申請人】福建睿矽微電子科技有限公司