一種虛擬圖案多層堆棧單元的自我雙圖型分解方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體領域，具體地，本發明涉及一種虛擬圖案多層堆棧單元的自我雙圖型分解方法以及由此形成的版圖雙圖型分解流程。
【背景技術】
[0002]對于高容量的半導體存儲裝置需求的日益增加，這些半導體存儲裝置的集成密度受到人們的關注，為了增加半導體存儲裝置的集成密度，現有技術中采用了許多不同的方法，例如通過減小晶片尺寸和/或改變內結構單元而在單一晶片上形成多個存儲單元，對于通過改變單元結構增加集成密度的方法來說，已經進行嘗試溝通過改變有源區的平面布置或改變單元布局來減小單元面積。
[0003]在半導體器件的制備工藝中，隨著器件尺寸的不斷縮小，以及采用更加先進的光刻系統(遠紫外線，extreme ultra v1let, EUV)的延遲，導致在器件制備過程中不可避免的要用到雙圖型(double patterning, DP)技術,在所述雙圖型技術中,其中的一個版圖設置需要分解(decomposed)為兩個多層堆棧單元,例如根據兩個不同的特征(features)進行拆分。
[0004]隨著半導體技術器件尺寸的不斷縮小，當所述半導體器件尺寸縮小至納米級別，可制造性設計(Design for Manufacturing, DFM)在半導體工業納米設計流程方法學中已變得越來越重要。所述DFM是指以快速提升芯片良率的生產效率以及降低生產成本為目的，統一描述芯片設計中的規則、工具和方法，從而更好地控制集成電路向物理晶圓的復制，是一種可預測制造過程中工藝可變性的設計，使得從設計到晶圓制造的整個過程達最優化。
[0005]在所述DFM過程中自動加入虛擬圖案(dummy)變得越來越重要,所述虛擬圖案可以幫助改善目標圖案的密度分布，使所述器件性能更加均一，增加平坦化、光亥IJ、蝕刻等工藝的制程能力。
[0006]由于雙圖型(double patterning, DP)技術需要將圖層中的所有圖型分解在兩張掩膜上，因此數據處理時，自動插入虛擬圖案和原始圖樣圖案一樣也需要分解到兩個不同的子數據類型上。特別是針對多層堆棧的虛擬圖案，所述多層堆棧的虛擬圖案包含有一層或者多層需要雙圖型分解的圖層，所述分解就更加復雜和花費資源。所述分解的流程圖如圖1所示，在該方法中首先得到圖樣版圖，然后根據自動虛擬圖案程式插入虛擬圖案，如圖2a所示。在插入所述虛擬圖案的過程中，首先定義原始虛擬圖案多層堆棧單元為堆棧單元A，然后一次性對整個圖樣版圖插入A堆棧單元形成所需完整的虛擬圖案。填充虛擬圖案后，需要對所述虛擬圖案以及原始圖樣版圖一起進行雙圖型分解，如圖2b所示，由于在該過程中所述雙分解是同時針對所述原始圖樣版圖以及新加的自動虛擬圖案，造成該分解過程需要占用許多的CPU運行時間、DP分解許可以及硬件資源，給整個過程帶來很大的麻煩。
[0007]因此，如何對現有技術中的雙圖型的分解進行改進，以便消除和減輕上述運行時間過長、占用許多DP分解許可以及硬件資源等的問題成為目前亟需解決的問題。

【發明內容】

[0008]在
【發明內容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實施方式】部分中進一步詳細說明。本發明的
【發明內容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。
[0009]本發明為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種虛擬圖案多層堆棧單元的自我雙圖型分解方法，所述方法通過轉移填充起始點填充四次虛擬圖案堆棧單元來實現多層堆棧單元中雙圖型分解要求層的雙圖型(double pattern)自我拆分,包括:
[0010]步驟(a)分解定義原始虛擬圖案多層堆棧單元為兩個新的多層堆棧單元A和B ;
[0011]步驟(b)執行第一填充步驟，首先定義所述填充起始點，從所述填充起始點開始填充A堆棧單元虛擬圖案，得到占全部虛擬圖案1/4的第一堆棧虛擬圖案；
[0012]步驟(C)執行第二填充步驟，向右轉移所述填充起始點，以步驟(b)的填充間隔在所述第一虛擬圖案的一側填充B堆棧單元，得到占全部虛擬圖案1/4的第二堆棧虛擬圖案；
[0013]步驟(d)執行第三填充步驟，向上轉移所述填充起始點，以相同填充間隔在所述第一虛擬圖案的上方填充B堆棧單元，得到占全部虛擬圖案1/4的第三堆棧虛擬圖案；
[0014]步驟(e)執行第四填充步驟，向右上方對角線方向轉移所述填充起始點，以步驟(b)的填充間隔在剩余的空間內填充A堆棧單元，得到第四堆棧虛擬圖案。
[0015]作為優選，在所述步驟(a)中，A堆棧單元包括所述某一雙圖型分解要求層的A子數據類型(Data Type) ;B堆棧單元包括所述某一雙圖型分解要求層(同A相同的主⑶SN0.)的B子數據類型；堆棧單元的其他設計完全相同。
[0016]作為優選，所述步驟(b)中，填充堆棧單元之間的填充間隔為為X和Y，填充起始點其中，X=X1+2X2,Y=Y1+2Y2,所述X1為所述原始虛擬圖案多層堆棧單元在X軸方向上邊長的大小，所述X2為所述原始虛擬圖案多層堆棧單元X軸方向上的填充間隔；所述Y1為所述原始虛擬圖案多層堆棧單元在Y軸方向上邊長的大小，所述Y2為所述原始虛擬圖案多層堆棧單元Y軸方向上的填充間隔。
[0017]作為優選，在所述步驟(C)和所述步驟(d)中，所述B堆棧單元的填充間距為X、Y;
[0018]在所述步驟(e)所述A堆棧單元的填充間距為X、Y。
[0019]作為優選，在所述步驟(C)中，在X軸方向上將所述步驟(b)的填充起始點向右移動Xi+X2的距離，得到第二填充起始點，從所述第二填充起始點的位置開始以和步驟(b)相同的填充間隔X、Y插入B堆棧單元，得到占全部虛擬圖案1/4的所述第二堆棧虛擬圖案。
[0020]作為優選，在所述步驟(d)中，在Y軸方向上將所述步驟(b)的填充起始點向上移動YJY2的距離，得到第三填充起始點，從所述第三填充起始點的位置開始以步驟(b)相同的填充間隔X、Y插入B堆棧單元，得到占全部虛擬圖案1/4的所述第三堆棧虛擬圖案。
[0021]作為優選，在所述步驟(e)中，首先將所述步驟(b)的填充起始點沿X軸方向向右移動XJX2的距離，然后沿Y軸方向向上移動YJY2的距離，得到第四填充起始點，從所述第四填充起始點的位置開始以步驟(b)相同的填充間隔X、Y插入A堆棧單元，得到剩余的占全部虛擬圖案1/4的所述第四堆棧虛擬圖案。
[0022]本發明通過以上所述的虛擬圖案多層堆棧單元的自我雙圖型分解方法形成了一種新的版圖雙圖型分解流程，所述流程包括:
[0023]步驟(I)提供圖樣版圖；
[0024]步驟(I I)使用自動虛擬圖案填充程式插入虛擬圖案，在該步驟中選用上述虛擬圖案多層堆棧單元的自我雙圖型分解方法，以實現所述多層堆棧虛擬圖案中雙圖型分解要求層的雙圖型(double pattern)自我分解；
[0025]步驟(III)只需針對所述圖樣版圖中的主圖案(drawing layout)進行傳統的使用電子設計自動化廠商軟件許可(EDA vendor license)的雙圖型分解；
[0026]步驟(IV)輸出分解后的版圖。
[0027]在本發明中提供了一種虛擬圖案多層堆棧單元的自我雙圖型分解方法，所述方法通過轉移填充起始點填充四次虛擬圖案堆棧單元來實現多層堆棧單元中雙圖型分解要求層的雙圖型(double pattern)自我拆分。
[0028]本發明提供了一種獨立的針對所述虛擬圖案堆棧的雙圖型分解方法，在所述方法中通過4個填充步驟，在每個填充步驟中填充1/4的虛擬圖案，實現和現有技術中同樣的雙圖型分解結果。所述方法直接并且簡化的對一個虛擬圖案堆棧中雙圖型分解要求層自動填充兩個新的多層堆棧單元A和B，并不需要其他特殊的分解，節省了時間和資源。
【附圖說明】
[0029]本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的裝置及原理。在附圖中，
[0030]圖1為現有技術中對版圖(包括主圖案和虛擬圖案堆棧單