線框觸控傳感器計及空間線性化觸控傳感器設計的制作方法
【專利摘要】本發明揭示一種觸控傳感器，其可包含細導線作為傳感器電極中的至少一些電極。所述導線的部分或全部可為金屬線。傳感器電極可不易被人類觀察者看見。在一些此類實施方案中，傳感器電極可布局成一模式及/或經分組以產生空間梯度。一些此類實施方案涉及傳感器電極的空間交織、空間插入及/或長度調制。此類實施方案可產生空間梯度，使得需要較少的行及列來提供具有給定精度的觸控傳感器面板。
【專利說明】線框觸控傳感器計及空間線性化觸控傳感器設計
[0001]優先權主張
[0002]本申請案主張2012年5月3日申請且標題為“線框觸控傳感器計及空間線性化觸控傳感器設計(WIREFRAME TOUCH SENSOR DESIGN AND SPATIALLY LINEARIZED TOUCHSENSOR DESIGN)，，的第13/463, 602號美國專利申請案(代理檔案號QUALPl 11/113185)的優先權，所述美國專利申請案主張2011年11月22日申請且標題為“線框觸控傳感器計及空間線性化觸控傳感器設計(WIREFRAME TOUCH SENSOR DESIGN AND SPATIALLYLINEARIZED TOUCH SENSOR DESIGN) ”的第61/562，671號美國臨時專利申請案(代理檔案號QUALP111P/113185P1)的權益，所述兩個專利申請案的全文以引用方式并入本文中以用于全部目的。
【技術領域】
[0003]本發明涉及顯示裝置，其包含(但不限于)并入觸控屏幕的顯示裝置。
【背景技術】
[0004]機電系統(EMS)包含具有以下每一者的裝置:電及機械元件、致動器、變換器、傳感器、光學組件(例如鏡子)及電子器件。可制造各種尺度(其包含(但不限于)微尺度及納米尺度)的機電系統。例如，微機電系統(MEMS)裝置可包含具有在約I微米到數百微米或更大的范圍內的尺寸的結構。納米機電系統(NEMS)裝置可包含具有小于I微米的尺寸(其例如包含小于數百納米的尺寸)的結構。可使用沉積、蝕刻、光刻及/或其它微機械加工工藝(其蝕除襯底及/或經沉積材料層的部分或添加層以形成電及機電裝置)來產生機電元件。
[0005]一種類型的EMS裝置被稱為干涉式調制器(MOD)。如本文中所使用，術語“干涉式調制器”或“干涉式光調制器”是指使用光學干涉原理來選擇性吸收及/或反射光的裝置。在一些實施方案中，干涉式調制器可包含一對導電板，其中一者或兩者可完全或部分透明及/或反射且能夠在施加適當電信號之后相對運動。在實施方案中，一板可包含沉積于襯底上的穩定層且另一板可包含與所述穩定層間隔達一氣隙的反射膜。一板相對于另一板的位置可改變入射到干涉式調制器上的光的光學干涉。干涉式調制器裝置具有廣泛應用，且預期用于改進既有產品及產生新產品，尤其是具有顯示能力的產品。
[0006]當前，經制造以覆蓋在顯示裝置上的觸控傳感器一般具有由氧化銦錫(ITO)制成的傳感器電極，這是因為ITO實質上透明。雖然透明性為非常合意屬性，但ITO具有非最佳的其它性質。

【發明內容】

[0007]本發明的系統、方法及裝置各自具有若干創新方面，所述創新方面的單一者不單獨負責本文中所揭示的所要屬性。
[0008]本發明中所描述標的物的一個創新方面可實施為包含觸控傳感器的設備。所述觸控傳感器可包含細導線作為傳感器電極。所述導線的部分或全部可為金屬線。傳感器電極可不易被人類觀察者看見。在一些此類實施方案中，傳感器電極可布局成一模式及/或經分組以產生空間梯度。一些此類實施方案涉及傳感器電極的空間交織、空間插入及/或長度調制。此類實施方案可產生空間梯度，使得需要相對較少的行及列來提供具有給定精度的觸控傳感器面板。
[0009]本發明中所描述標的物的另一創新方面可實施為包含觸控傳感器裝置的設備。所述觸控傳感器裝置可包含實質上形成于一平面中的多個行電極。所述多個行電極中的每一行電極可具有從所述行電極側向延伸的多個行分支。所述行分支可與相鄰行電極的相鄰行分支空間交織。
[0010]所述設備還可包含實質上形成于平面中的多個列電極。所述多個列電極的第一群組可結合在一起且與所述多個列電極的第二群組空間插入。所述列電極中的至少一些可包含從第一列電極側向延伸且介于相鄰行分支之間的列分支。
[0011]列分支可將第一列電極連接到第二列電極。多個第一行分支可具有第一長度且多個第二行分支可具有第二長度。在一些實施方案中，第一及第二群組的列電極可分組成1-2-1 模式、2-4-2 模式、1-2-3-2-1 模式或 1-2-3-4-3-2-1 模式。
[0012]在一些實施方案中，多個行電極及/或多個列電極可至少部分由金屬線形成。然而，在一些實施方案中，多個行電極及/或多個列電極可至少部分由氧化銦錫形成。
[0013]所述設備還可包含顯示器及處理器，所述處理器經配置以與所述顯示器通信。所述處理器可經配置以處理圖像數據。所述設備還可包含存儲器裝置，其經配置以與所述處理器通信。所述設備可包含:驅動器電路，其經配置以將至少一個信號發送到所述顯示器；及控制器，其經配置以將所述圖像數據的至少一個部分發送到所述驅動器電路。此設備可包含圖像源模塊，其經配置以將所述圖像數據發送到所述處理器。所述圖像源模塊可包含接收器、收發器及發射器中的至少一者。所述設備可包含輸入裝置，其經配置以接收輸入數據且將所述輸入數據傳送到所述處理器。所述設備可包含:觸控控制器，其經配置以與所述處理器通信；及路由線，其經配置以將行電極及列電極與所述觸控控制器連接。
[0014]本發明中所描述標的物的另一創新方面可實施為包含觸控傳感器裝置的設備。所述設備可包含實質上形成于一平面中的多個第一行電極。所述多個第一行電極中的每一第一行電極可具有從所述第一行電極側向延伸的多個第一行分支。
[0015]所述設備可包含實質上形成于平面中的多個第二行電極。所述多個第二行電極中的每一第二行電極可具有從所述第二行電極側向延伸的多個第二行分支。所述第二行分支可與相鄰第一行電極的相鄰第一行分支空間交織。所述第一行分支可具有多個第一行分支長度。所述第一行分支長度中的至少一些可與相鄰第二行分支的第二行分支長度成比例地變動。
[0016]多個第一行電極與多個第二行電極之間可存在一可變距離。多個第一行電極可包含實質上平行的線段。多個第二行電極可包含實質上平行的第一線段及實質上平行的第二線段。所述實質上平行的第一線段可布置成與所述實質上平行的第二線段成一角度。所述設備可具有包含所述實質上平行的第一線段的第一區及與所述第一區相鄰的第二區。所述第二區可包含所述實質上平行的第二線段。
[0017]第一行分支可在第一側及第二側上從多個第一行電極延伸。所述第一側上的第一行分支可具有與所述第二側上的第一行分支的第二長度成比例的第一長度。
[0018]在一些實施方案中，第二行分支可在第一側及第二側上從多個第二行電極延伸。所述第一側上的第二行分支可具有與所述第二側上的第二行分支的第二長度成反比的第
一長度。
[0019]所述設備可包含多個列電極。在一些實施方案中，多個第一行電極中的至少一些可連接到所述列電極。多個第一行電極、多個第二行電極及/或多個列電極可至少部分由金屬線形成。所述多個列電極可包含環路。所述環路可圍封第二行分支中的至少一者。
[0020]以下附圖及“【具體實施方式】”中闡述本說明書中所描述標的物的一或多個實施方案的細節。雖然“
【發明內容】
”中所提供的實例主要描述基于MEMS的顯示器，但本文中所提供的概念可適用于其它類型的顯示器，例如液晶顯示器、有機發光二極管(“0LED”)顯示器及場發射顯示器。將自“【具體實施方式】”、圖式及權利要求書明白其它特征、方面及優點。應注意，下圖的相對尺寸可不按比例繪制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1展示描繪干涉式調制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖的實例。
[0022]圖2展示說明并入3X3干涉式調制器顯示器的電子裝置的系統框圖的實例。
[0023]圖3展示說明圖1的干涉式調制器的可移動反射層位置對施加電壓的簡圖的實例。
[0024]圖4展示說明干涉式調制器在施加各種共同及分段電壓時的各種狀態的表的實例。
[0025]圖5A展示說明圖2的3X3干涉式調制器顯示器中的顯示數據幀的簡圖的實例。
[0026]圖5B展示可用于寫入圖5A中所說明的顯示數據幀的共同及分段信號的時序圖的實例。
[0027]圖6A展示圖1的干涉式調制器顯示器的部分橫截面的實例。
[0028]圖6B到6E展示干涉式調制器的不同實施方案的橫截面的實例。
[0029]圖7展示說明干涉式調制器的制造工藝的流程圖的實例。
[0030]圖8A到SE展示制造干涉式調制器的方法中的各種階段的橫截面示意圖的實例。
[0031]圖9展示具有空間插入的行電極與列電極的觸控傳感器的實例。
[0032]圖1OA展示具有空間交織行電極及空間插入列電極的觸控傳感器的實例。
[0033]圖1OB展示圖1OA的觸控傳感器實例的放大部分。
[0034]圖11展示具有空間交織的行電極與列電極的觸控傳感器的實例。
[0035]圖12A展示具有行電極與列電極的席墊馬賽克設計的觸控傳感器的實例。
[0036]圖12B展示圖12A的觸控傳感器實例的放大部分。
[0037]圖13展示具有兩組空間交織行電極的觸控傳感器的實例。
[0038]圖14A及14B展示說明包含如本文中所描述的觸控傳感器的顯示裝置的系統框圖的實例。
[0039]各種圖式中的相同參考數字及標示指示相同元件。【具體實施方式】
[0040]以下描述針對用于描述本發明的創新方面的目的的某些實施方案。然而，所屬領域的一般技術人員將易于認識到:可以許多不同方式應用本文中的教示。可在可經配置以顯示圖像(無論動態(例如視頻)或靜態(例如靜止圖像)及無論文字、圖形或圖片)的任何裝置或系統中實施所描述的實施方案。更特定來說，可預期所描述的實施方案可包含于各種電子裝置中或與各種電子裝置相關聯，例如(但不限于):移動電話、多媒體具有因特網能力的蜂窩式電話、移動電視接收器、無線裝置、智能電話、Bluctomh?裝置、個人數據助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持或便攜式計算機、上網本、筆記本計算機、智能本、平板計算機、打印機、復印機、掃描儀、傳真裝置、GPS接收器/導航器、攝像機、MP3播放器、攝錄像機、游戲機、腕表、時鐘、計算器、電視監控器、平板顯示器、電子閱讀裝置(即，電子閱讀器)、計算機監控器、汽車顯示器(其包含里程表及速度計顯示器等等)、駕駛艙控制及/或顯示器、攝像機景觀顯示器(例如車輛中的后視攝像機的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標志牌、投影儀、建筑結構、微波爐、冰箱、立體聲系統、卡式記錄器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、收音機、便攜式存儲器芯片、洗衣機、干衣機、洗衣機/干衣機、停車定時器、封裝(例如位于機電系統(EMS)、微機電系統(MEMS)及非MEMS應用中)、悅目結構(例如一件珠寶上的圖像顯示器)及各種EMS裝置。本文中的教示還可用于非顯示應用，例如(但不限于)電子切換裝置、射頻濾波器、傳感器、加速度計、陀螺儀、運動感測裝置、磁力計、消費型電子器件的慣性組件、消費型電子產品的部件、可變容抗器、液晶裝置、電泳裝置、驅動方案、制造工藝及電子測試設備。因此，教示不希望限于僅在圖中描繪的實施方案，而是具有如所屬領域的一般技術人員易于明白的廣泛適用性。
[0041]根據本文中所提供的一些實施方案，觸控傳感器的金屬傳感器電極可由小的緊密間隔導線形成。所述導線的部分或全部可為金屬線。在一些實施方案中，傳感器電極不易被人類觀察者看見。在一些此類實施方案中，傳感器電極可布局成一模式及/或經分組以產生空間梯度。
[0042]一些此類實施方案涉及空間交織，其中來自相鄰傳感器電極行及/或電極列的分支延伸到彼此中。當手指或導電觸控筆橫跨觸控傳感器而移動時，此類實施方案可導致互電容信號的逐漸變化。替代地或另外，一些實施方案涉及傳感器電極的空間插入，其中所述行及/或列可結合于周邊上以產生與相鄰傳感器電極群組重疊的傳感器電極群組。
[0043]一些實施方案涉及傳感器電極的長度調制。第一行電極可在第一側上具有行分支，所述行分支具有與第二側上的行分支的長度成反比的長度。第二行電極可在第一側上具有行分支，所述行分支具有與第二側上的行分支的長度成比例的長度。根據一些此類實施方案，可通過使所述第一行電極的行分支與所述第二行電極的相鄰行分支交錯而產生空間梯度。
[0044]本發明中所描述標的物的特定實施方案可經實施以實現以下潛在優點中的一或多者。一些實施方案可產生空間梯度，使得需要相對較少的傳感器電極行及列來提供具有給定精度的觸控傳感器面板。因為信號插入中的一些是歸因于由傳感器設計導致的固有梯度，所以需要處理來自更少節點的信號。此類實施方案可降低計算復雜性、存儲器要求及功率消耗。
[0045]可應用所描述實施方案的適合機電系統(EMS)或MEMS裝置的實例為反射顯示裝置。反射顯示裝置可并入干涉式調制器(IMOD)以使用光學干涉原理來選擇性吸收及/或反射入射到IMOD上的光。IMOD可包含吸收體、可相對于所述吸收體移動的反射體及界定于所述吸收體與所述反射體之間的光學諧振腔。所述反射體可移動到兩個或兩個以上不同位置，這可改變所述光學諧振腔的尺寸且借此影響干涉式調制器的反射率。IMOD的反射光譜可產生可橫跨可見波長而位移以產生不同色彩的相當寬的光譜帶。可通過改變所述光學諧振腔的厚度(即，通過改變所述反射體的位置)而調整光譜帶的位置。
[0046]圖1展示描繪干涉式調制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖的實例。所述IMOD顯示裝置包含一或多個干涉式MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于亮狀態或暗狀態中。在亮(“松弛”、“打開”或“開啟”)狀態中，顯示元件將入射可見光的大部分反射到(例如)用戶。相反，在暗(“激活”、“閉合”或“關閉”)狀態中，顯示元件反射很少的入射可見光。在一些實施方案中，可顛倒開啟狀態及關閉狀態的光反射性質。MEMS像素可經配置以主要在特定波長下反射，從而允許除黑色及白色以外還進行彩色顯示。
[0047]IMOD顯示裝置可包含MOD的行/列陣列。每一 IMOD可包含一對反射層(即，可移動反射層及固定部分反射層)，所述對反射層定位于彼此相距可變且可控制距離處以形成氣隙(也稱為光學間隙或腔)。所述可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在第一位置(即，松弛位置)中，所述可移動反射層可定位于距所述固定部分反射層相對較大距離處。在第二位置(即，激活位置)中，所述可移動反射層可定位成更接近所述部分反射層。從所述兩個層反射的入射光可取決于所述可移動反射層的位置而相長或相消干涉，從而針對每一像素產生總體反射或非反射狀態。在一些實施方案中，IMOD在未激活時可處于反射狀態中，反射可見光譜內的光，且在未激活時可處于暗狀態中，反射可見范圍外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實施方案中，IMOD可在未激活時處于暗狀態中，且在激活時處于反射狀態中。在一些實施方案中，引入施加電壓可驅動像素以改變狀態。在一些其它實施方案中，施加電荷可驅動像素以改變狀態。
[0048]圖1中的像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰干涉式調制器12。在左側的IM0D12(如說明)中，可移動反射層14說明為處于距光學堆疊16(其包含部分反射層)預定距離的松弛位置中。跨左側的IM0D12施加的電壓Vtl不足以引起可移動反射層14的激活。在右側的IM0D12中，可移動反射層14說明為處于接近或相鄰于光學堆疊16的激活位置中。跨右側的M0D12施加的電壓Vbias足以將可移動反射層14維持在激活位置中。
[0049]在圖1中，像素12的反射性質整體用箭頭13說明，箭頭13指示入射在像素12上的光及從左側的IM0D12反射的光15。雖然未詳細說明，但是所屬領域的一般技術人員應了解入射在像素12上的光13的大部分將朝向光學堆疊16而透射穿過透明襯底20。入射在光學堆疊16上的光的一部分將透射穿過光學堆疊16的部分反射層且一部分將被反射回來穿過透明襯底20。透射穿過光學堆疊16的光13的部分將在可移動反射層14處朝向透明襯底20被反射回來(并穿過透明襯底20)。從光學堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長或相消)將確定從IM0D12反射的光15的(若干)波長°
[0050]光學堆疊16可包含單一層或若干層。所述(若干)層可包含電極層、部分反射及部分透射層及透明電介質層中的一或多者。在一些實施方案中，光學堆疊16是導電、部分透明及部分反射的，且可(例如)通過將上述層中的一或多者沉積在透明襯底20上而制造。電極層可由多種材料(例如各種金屬，例如銦錫氧化物(ITO))形成。部分反射層可由是部分反射的多種材料(例如各種金屬(例如鉻(Cr))、半導體及電介質)形成。部分反射層可由一或多個材料層形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料組合形成。在一些實施方案中，光學堆疊16可包含單一半透明金屬或半導體厚度，其用作光學吸收體及導體兩者，而(例如，光學堆疊16或IMOD的其它結構的)不同、導電性更強的層或部分可用以在IMOD像素之間載送信號。光學堆疊16還可包含覆蓋一或多個導電層或導電/吸收層的一或多個絕緣或電介質層。
[0051]在一些實施方案中，如下文進一步描述，光學堆疊16的(若干)層可經圖案化為平行條狀物，且可形成顯示裝置中的行電極。如所屬領域的一般技術人員所了解，本文中使用術語“圖案化”以指代遮蔽以及蝕刻工藝。在一些實施方案中，例如鋁(Al)等高度導電及反射材料可用于可移動反射層14，且這些條狀物可形成顯示裝置中的列電極。可移動反射層14可形成為一沉積金屬層或若干沉積金屬層的一系列平行條狀物(正交于光學堆疊16的行電極)以形成沉積在柱18的頂部上的列及沉積在柱18之間的介入犧牲材料。當蝕除犧牲材料時，可在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成界定間隙19或光學腔。在一些實施方案中，柱18之間的間距可為約Iym到1000 μ m，而間隙19可小于丨0.000.吹(A)。
[0052]在一些實施方案中，IMOD的每一像素(無論處于激活狀態中或松弛狀態中)本質上是通過固定反射層及移動反射層形成的電容器。如通過圖1左側的M0D12所說明，當未施加電壓時，可移動反射層14保持在機械松弛狀態中，可移動反射層14與光學堆疊16之間具有間隙19。然而，當將電勢差(例如，電壓)施加于選定行及列中的至少一者時，形成于對應像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器開始充電，且靜電力將電極牽拉在一起。如果所述施加電壓超過閾值，那么可移動反射層14可變形且移動接近光學堆疊16或背對光學堆疊16而移動。如通過圖1右側的激活IM0D12所說明，光學堆疊16內的電介質層(未展示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離。不管所施加的電勢差的極性如何，行為均相同。雖然在一些例子中可將一陣列中的一系列像素稱為“行”或“列”，但是所屬領域的一般技術人員將容易了解將一個方向稱為“行”且將另一方向稱為“列”為任意的。換句話說，在一些定向上，行可視為列，且列可視為行。而且，顯示元件可均勻地布置為正交行及列(“陣列”)或布置為(例如)相對于彼此具有特定位置偏移的非線性配置(“馬賽克”)。術語“陣列”及“馬賽克”可指代任意配置。因此，雖然顯示器稱為包含“陣列”或“馬賽克”，但是在任何例子中，元件本身無需布置成彼此正交或安置成均勻分布，而是可包含具有不對稱形狀及不均勻分布元件的布置。
[0053]圖2展示說明并入有3 X 3干涉式調制器顯示器的電子裝置的系統框圖的實例。所述電子裝置包含可經配置以執行一或多個軟件模塊的處理器21。除執行操作系統外，處理器21還可經配置以執行一或多個軟件應用程序，包含網頁瀏覽器、電話應用程序、電子郵件程序或其它軟件應用程序。
[0054]處理器21可經配置以與陣列驅動器22通信。陣列驅動器22可包含提供信號給(例如)顯示陣列或面板30的行驅動器電路24及列驅動器電路26。圖1中說明的MOD顯示裝置的橫截面通過圖2中的線1-1加以展示。雖然圖2為清楚起見而說明IMOD的3X3陣列,但是顯示陣列30可含有極大量的M0D，且行中的MOD數目可不同于列中的MOD數目，且反之亦然。
[0055]圖3展示說明圖1的干涉式調制器的可移動反射層位置對施加電壓的圖的實例。對于MEMS干涉式調制器，行/列(即，共同/分段)寫入程序可利用如圖3中說明的這些裝置的磁滯性質。干涉式調制器可需要(例如)約10伏特電勢差來致使可移動反射層或鏡從松弛狀態改變為激活狀態。當電壓從所述值減小時，可移動反射層維持其狀態，這是因為電壓下降回到(例如)10伏特以下。然而，所述可移動反射層直到電壓下降到2伏特以下才完全松弛。因此，如圖3中所示，存在大約3伏特到7伏特的電壓范圍，在所述范圍中存在其中裝置在松弛狀態中或激活狀態中均為穩定的施加電壓窗。在本文中，將所述窗稱為“磁滯窗”或“穩定窗”。對于具有圖3的磁滯特性的顯示陣列30，行/列寫入程序可經設計以一次尋址一或多個行，使得在尋址給定行期間，所尋址行中待激活的像素暴露于約10伏特的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏特的電壓差。在尋址之后，將所述像素暴露于穩定狀態或大約5伏特的偏壓電壓差，使得所述像素保持在先前選通狀態中。在此實例中，在經尋址之后，每一像素經歷約3伏特到7伏特的“穩定窗”內的電勢差。此磁滯性質特征使像素設計(例如，圖1中說明)能夠在相同施加電壓條件下在激活或松弛預先存在狀態中保持穩定。因為每一頂OD像素(無論處于激活狀態中還是松弛狀態中)本質上是通過固定反射層及移動反射層形成的電容器，所以在磁滯窗內的穩定電壓下可保持此穩定狀態而實質上不消耗或損耗電力。而且，如果所述施加電壓電勢保持實質上固定，那么基本上很少電流或無電流流入IMOD像素中。
[0056]在一些實施方案中，可根據給定行中的像素狀態的所要變化(如果存在)，通過沿列電極集合以“分段”電壓的形式施加數據信號來產生圖像的幀。可輪流尋址陣列的每一行，使得一次一行地寫入幀。為將所要數據寫入到第一行中的像素，可將與所述第一行中的像素的所要狀態對應的分段電壓施加于列電極上，且可將呈特定“共同”電壓或信號形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著，可改變分段電壓集合以對應于第二行中的像素的狀態的所要變化(如果存在)，且可將第二共同電壓施加到第二行電極。在一些實施方案中，第一行中的像素未受沿列電極施加的分段電壓的變化影響，且保持在其在第一共同電壓行脈沖期間所設定到的狀態。可針對整個系列的行或列以連續方式重復此過程以產生圖像幀。可使用新圖像數據通過以每秒某一所要數目的幀持續重復此過程來刷新及/或更新所述幀。
[0057]跨每一像素施加的分段及共同信號的組合(即，跨每一像素的電勢差)確定每一像素的所得狀態。圖4展示說明在施加各種共同電壓及分段電壓時干涉式調制器的各種狀態的表的實例。如所屬領域的一般技術人員容易了解，“分段”電壓可施加于列電極或行電極，且“共同”電壓可施加于列電極或行電極的另一者。
[0058]如圖4中(以及圖5B中所示的時序圖中)所說明，當沿共同線施加釋放電壓VC.時，不管沿分段線施加的電壓(即，高分段電壓VSh及低分段電壓VSJ如何，沿所述共同線的全部干涉式調制器元件均將被置于松弛狀態(或者稱為釋放狀態或未激活狀態)中。特定來說，當沿共同線施加釋放電壓VC.時，跨調制器的電勢電壓(或者稱為像素電壓)在沿所述像素的對應分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&時均處于松弛窗(參見圖3，也稱為釋放窗)內。
[0059]當在共同線上施加保持電壓(例如高保持電壓VChquui或低保持電壓VChquu)時，干涉式調制器的狀態將保持恒定。例如，松弛IMOD將保持在松弛位置中，且激活IMOD將保持在激活位置中。保持電壓可經選擇使得在沿對應分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓￥&時，像素電壓將保持在穩定窗內。因此，分段電壓擺動(即，高VSh與低分段電壓V&之間的差)小于正穩定窗或負穩定窗的寬度。
[0060]當在共同線上施加尋址或激活電壓(例如高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCaddL)時，可沿所述線通過沿相應分段線施加分段電壓而將數據選擇性地寫入到調制器。分段電壓可經選擇使得激活取決于所施加的分段電壓。當沿共同線施加尋址電壓時，施加一個分段電壓將導致穩定窗內的像素電壓，從而致使像素保持未激活。相比之下，施加另一分段電壓將導致超出穩定窗的像素電壓，進而導致像素的激活。引起激活的特定分段電壓可取決于所使用的尋址電壓而改變。在一些實施方案中，當沿共同線施加高尋址電壓VCadd h時，施加高分段電壓VSh可致使調制器保持于其當前位置中，而施加低分段電壓V&可致使所述調制器激活。作為推論，當施加低尋址電壓VC-1時，分段電壓的影響可相反，其中高分段電壓VSh致使所述調制器激活，且低分段電對所述調制器的狀態不具有影響(即，保持穩定)。
[0061]在一些實施方案中，可使用跨調制器始終產生相同極性電勢差的保持電壓、尋址電壓及分段電壓。在一些其它實施方案中，可使用使調制器的電勢差的極性交替的信號。跨調制器的極性的交替(即，寫入程序的極性的交替)可減小或抑制在單一極性的重復寫入操作之后可發生的電荷積累。
[0062]圖5A展示說明圖2的3X3干涉式調制器顯示器中的顯示數據幀的圖的實例。圖5B展示可用以寫入圖5A中說明的顯示數據幀的共同信號及分段信號的時序圖的實例。所述信號可施加于(例如)圖2的3X3陣列，這最終將導致圖5A中說明的線時間60e顯示布置。圖5A中的激活調 制器處于暗狀態中，即，其中反射光的大部分在可見光譜之外以導致對(例如)觀看者的暗外觀。在寫入圖5A中說明的幀之前，像素可處于任何狀態中，但是圖5B的時序圖中說明的寫入程序假定每一調制器已在第一線時間60a之前釋放且駐留在未激活狀態中。
[0063]在第一線時間60a期間,將釋放電壓70施加于共同線I上；施加于共同線2的電壓開始處于高保持電壓72且移動到釋放電壓70 ;及沿共同線3施加低保持電壓76。因此，在第一線時間60a的持續時間之內，沿共同線I的調制器(共同1，分段1)、(1，2)及(1，3)保持在松弛或未激活狀態中，沿共同線2的調制器(2，I)、(2,2)及(2，3)將移動到松弛狀態，且沿共同線3的調制器(3，I)、(3，2)及(3，3)將保持在其先前狀態中。參考圖4，沿分段線1、2及3施加的分段電壓將對干涉式調制器的狀態不具有影響，這是因為在線時間60a期間，共同線1、2或3未暴露于引起激活的電壓電平(即，VC.-松弛及VCmD f穩定)。
[0064]在第二線時間60b期間，共同線I上的電壓移動到高保持電壓72，且不管所施加的分段電壓如何，沿共同線I的全部調制器保持在松弛狀態中，這是因為在共同線I上未施加尋址或激活電壓。歸因于釋放電壓70的施加，沿共同線2的調制器保持在松弛狀態中，且沿共同線3的調制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將在沿共同線3的電壓移動到釋放電壓70時松弛。
[0065]在第三線時間60c期間，通過在共同線I上施加高尋址電壓74而尋址共同線I。因為在施加此尋址電壓期間沿分段線I及2施加低分段電壓64，所以跨調制器(1，1)及(1，2)的像素電壓大于調制器的正穩定窗的高端(即，電壓差超過預定義閾值)，且激活調制器(1,1)及(1，2)。相反，因為沿分段線3施加高分段電壓62，所以跨調制器(1，3)的像素電壓小于跨調制器(1，1)及(1，2)的電壓且保持在調制器的正穩定窗內；因此，調制器(1，3)保持松弛。又在線時間60c期間，沿共同線2的電壓降低到低保持電壓76，且沿共同線3的電壓保持在釋放電壓70處，從而使沿共同線2及3的調制器保持在松弛位置中。
[0066]在第四線時間60d期間，共同線I上的電壓返回到高保持電壓72，使沿共同線I的調制器保持于其相應尋址狀態中。共同線2上的電壓降低到低尋址電壓78。因為沿分段線2施加高分段電壓62，所以跨調制器(2，2)的像素電壓低于調制器的負穩定窗的低端，從而致使調制器(2，2)激活。相反，因為沿分段線I及3施加低分段電壓64，所以調制器(2，1)及(2，3)保持在松弛位置中。共同線3上的電壓增加到高保持電壓72，使沿共同線3的調制器保持于松弛狀態中。
[0067]最終，在第五線時間60e期間，共同線I上的電壓保持在高保持電壓72，且共同線2上的電壓保持在低保持電壓76，使沿共同線I及2的調制器保持于其相應尋址狀態中。共同線3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿共同線3的調制器。由于在分段線2及3上施加低分段電壓64，所以調制器(3，2)及(3，3)激活，而沿分段線I施加的高分段電壓62致使調制器(3，I)保持在松弛位置中。因此，在第五線時間60e結束時，3X3像素陣列處于圖5A中所示的狀態中，且只要沿共同線施加保持電壓便將保持在所述狀態中，而不管當尋址沿其它共同線(未展示)的調制器時可能發生的分段電壓的變動如何。
[0068]在圖5B的時序圖中，給定寫入程序(即，線時間60a到60e)可包含使用高保持電壓及高尋址電壓或低保持電壓及低尋址電壓。一旦已針對給定共同線完成所述寫入程序(且將共同電壓設定為具有與激活電壓相同的極性的保持電壓)，像素電壓便保持在給定穩定窗內，且不通過松弛窗直到在所述共同線上施加釋放電壓。而且，由于每一調制器在尋址調制器之前作為寫入程序的部分而釋放，所以調制器的激活時間(而非釋放時間)可確定必要線時間。具體來說，在其中調制器的釋放時間大于激活時間的實施方案中，如圖5B中所描繪，可施加釋放電壓達長于單一線時間。在一些其它實施方案中，可改變沿共同線或分段線施加的電壓以考慮不同調制器(例如不同色彩的調制器)的激活電壓及釋放電壓的變動。
[0069]根據上文陳述的原理進行操作的干涉式調制器的結構的細節可能變化很大。例如，圖6A到6E展示干涉式調制器的不同實施方案的橫截面的實例，包含可移動反射層14及其支撐結構。圖6A展示圖1的干涉式調制器顯示器的部分橫截面的實例，其中金屬材料的條狀物(即，可移動反射層14)沉積在從襯底20正交地延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一 IMOD的可移動反射層14大致為正方形或矩形形狀，且在隅角處或隅角附近附接到系栓32上的支撐件上。在圖6C中，可移動反射層14大致為正方形或矩形形狀且從可變形層34上懸掛下來，所述可變形層可包含柔性金屬。可變形層34可圍繞可移動反射層14的周長而直接或間接連接到襯底20。這些連接件在本文中稱為支撐柱。圖6C中所示的實施方案具有得自可移動反射層14的光學功能與其機械功能(其是通過可變形層34實行)的去耦合的額外益處。此去耦合允許用于反射層14的結構設計及材料及用于可變形層34的結構設計及材料獨立于彼此而優化。
[0070]圖6D展不IMOD的另一實例,其中可移動反射層14包含反射子層14a。可移動反射層14擱在支撐結構(例如支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下固定電極(即，所說明IMOD中的光學堆疊16的部分)的分離，使得(例如)當可移動反射層14處于松弛位置中時在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成間隙19。可移動反射層14還可包含導電層14c及支撐層14b，所述導電層可經配置以用作電極。在此實例中，導電層14c安置在支撐層14b的遠離襯底20的一側上，且反射子層14a安置在支撐層14b的靠近襯底20的另一側上。在一些實施方案中，反射子層14a可導電且可安置在支撐層14b與光學堆疊16之間。支撐層14b可包含電介質材料(例如，氮氧化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))的一或多個層。在一些實施方案中，支撐層14b可為層的堆疊，舉例來說，例如Si02/Si0N/Si02三層堆疊。反射子層14a及導電層14c中的任一者或兩者可包含(例如)具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金，或另一反射金屬材料。在電介質支撐層14b上方及下方采用導電層14a、14c可平衡應力并提供增強的導電性。在一些實施方案中，針對多種設計目的(例如在可移動反射層14內實現特定應力分布)，反射子層14a及導電層14c可由不同材料形成。
[0071]如圖6D中說明，一些實施方案還可包含黑色掩模結構23。黑色掩模結構23可形成于光學非作用區域中(例如，像素之間或柱18下方)以吸收環境光或雜散光。黑色掩模結構23還可通過抑制光從顯示器的非作用部分反射或透射穿過顯示器的非作用部分而改善顯示裝置的光學性質，借此增加對比率。此外，黑色掩模結構23可導電且經配置以用作電匯流層。在一些實施方案中，行電極可連接到黑色掩模結構23以減小所連接的行電極的電阻。黑色掩模結構23可使用多種方法形成，包含沉積及圖案化技術。黑色掩模結構23可包含一或多個層。例如，在一些實施方案中，黑色掩模結構23包含用作光學吸收體的鑰鉻(MoCr)層、SiO2層及用作反射體及匯流層的鋁合金，所述層的厚度分別在約30 A到80入>500 A到1000 A及500 A到6000人的范圍中。可使用多種技術圖案化一或多個層，所述技術包含光刻及干式蝕刻(例如，包含用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4)及/或氧氣(O2)以及用于鋁合金層的氯氣(Cl2)及/或三氯化硼(BC13))。在一些實施方案中，黑色掩模23可為標準量具或干涉式堆疊結構。在此類干涉式堆疊黑色掩模結構23中，可使用導電吸收體以在每一行或列的光學堆疊16中的下固定電極之間發射或載送信號。在一些實施方案中，間隔層35可用以使吸收層16a與黑色掩模23中的導電層大體上電隔離。
[0072]圖6E展示MOD的另一實例，其中可移動反射層14是自支撐的。與圖6D相反，圖6E的實施方案并不包含支撐柱18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學堆疊16，且當跨干涉式調制器的電壓不足以引起激活時，可移動反射層14的曲率提供足夠支撐使得可移動反射層14返回到圖6E的未激活位置。此處為清楚起見，將可含有多個若干不同層的光學堆疊16展示為包含光學吸收體16a及電介質16b。在一些實施方案中，光學吸收體16a可用作固定電極及部分反射層兩者。
[0073]在例如圖6A到6E中所示的實施方案中，MOD用作直視裝置，其中從透明襯底20的前側(即，與其上布置調制器的側相對的側)觀看圖像。在這些實施方案中，裝置的背面部分(即，顯示裝置的在可移動反射層14后面的任何部分，包含例如圖6C中說明的可變形層34)可經配置及操作而不沖擊或負面影響顯示裝置的圖像質量，這是因為反射層14光學遮蔽所述裝置的所述部分。例如，在一些實施方案中，總線結構(未說明)可包含在可移動反射層14后面，所述總線結構提供使調制器的光學性質與調制器的機電性質(例如電壓尋址及由此尋址所引起的移動)分離的能力。此外，圖6A到6E的實施方案可簡化例如圖案化等處理。
[0074]圖7展示說明干涉式調制器的制造過程80的流程圖的實例，且圖8A到SE展示此制造過程80的對應階段的橫截面示意圖解的實例。在一些實施方案中，除圖7中未展示的其它框外，制造過程80還可經實施以制造(例如)圖1及6中說明的一般類型的干涉式調制器。參考圖1、6及7，過程80開始于框82，其中在襯底20上方形成光學堆疊16。圖8A說明形成于襯底20上方的此光學堆疊16。襯底20可為透明襯底(例如玻璃或塑料)，其可為柔性或相對較硬及不可彎曲的，且可能已經歷先前制備過程(例如，清洗)以便于光學堆疊16的有效形成。如上所論述，光學堆疊16可導電、部分透明且部分反射，且可通過(例如)將具有所要性質的一或多個層沉積在透明襯底20上而制造。在圖8A中，光學堆疊16包含具有子層16a及16b的多層結構，但是在一些其它實施方案中，可包含更多或更少個子層。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可經配置而具有光學吸收及導電性質兩者，例如組合導體/吸收體子層16a。此外，可將子層16a、16b中的一或多者圖案化為平行條狀物，且可形成顯示裝置中的行電極。可通過遮蔽及蝕刻工藝或此項技術中已知的另一適當工藝執行此圖案化。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣層或電介質層，例如沉積在一或多個金屬層(例如，一或多個反射層及/或導電層)上方的子層16b。此外，可將光學堆疊16圖案化為形成顯示器的行的個別及平行條狀物。
[0075]過程80在框84處繼續以在光學堆疊16上方形成犧牲層25。隨后移除犧牲層25以形成腔19(例如，在框90)且因此在圖1中說明的所得干涉式調制器12中未展示犧牲層
25。圖SB說明包含形成于光學堆疊16上方的犧牲層25的部分制造的裝置。在光學堆疊16上方形成犧牲層25可包含以經選擇以在后續移除之后提供具有所要設計大小的間隙或腔19 (還參見圖1及8E)的厚度沉積二氟化氙(XeF2)(可蝕刻材料)，例如鑰(Mo)或非晶硅
(Si)。可使用多種沉積技術實行對犧牲材料的沉積，例如物理氣相沉積(PVD，例如濺鍍)、等離子增強型化學氣相沉積(PECVD)、熱化學氣相沉積(熱CVD)或旋涂。
[0076]過程80在框86處繼續以形成支撐結構(例如，如圖1、6及8C中說明的柱18)。形成柱18可包含圖案化犧牲層25以形成支撐結構孔隙，接著使用沉積方法(例如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂)將材料(例如聚合物或無機材料，例如氧化硅)沉積到所述孔隙中以形成柱18。在一些實施方案中，形成于所述犧牲層中的支撐結構孔隙可延伸穿過犧牲層25及光學堆疊16兩者而到下伏襯底20，使得柱18的下端如圖6A中說明般接觸襯底20。或者，如圖SC中描繪，形成于犧牲層25中的孔隙可延伸穿過犧牲層25，但未穿過光學堆疊
16。例如，圖SE說明與光學堆疊16的上表面接觸的支撐柱18的下端。可通過在犧牲層25上方沉積支撐結構材料層且圖案化經定位而遠離犧牲層25中的孔隙的支撐結構材料的部分來形成柱18或其它支撐結構。如圖SC中說明，支撐結構可定位于孔隙內，但是還可至少部分延伸在犧牲層25的一部分上方。如上所述，犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可通過圖案化及蝕刻工藝執行，但是也可通過替代性蝕刻方法執行。
[0077]過程80在框88處繼續以形成可移動反射層或膜(例如圖1、6及8D中說明的可移動反射層14)。可通過采用例如反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積等一或多個沉積工藝連同一或多個圖案化、遮蔽及/或蝕刻工藝一起形成可移動反射層14。可移動反射層14可導電且可稱為導電層。在一些實施方案中，可移動反射層14可包含如圖8D中所示的多個子層14a、14b、14c。在一些實施方案中，子層中的一或多者(例如子層14a、14c)可包含針對其光學性質而選擇的高反射子層，且另一子層14b可包含針對其機械性質而選擇的機械子層。因為犧牲層25仍存在于形成于框88處的部分制造的干涉式調制器中，所以可移動反射層14在此階段通常不可移動。含有犧牲層25的部分制造的IMOD在本文也可稱為“未釋放” IM0D。如上文結合圖1所述，可將可移動反射層14圖案化為形成顯示器的列的個別及平行條狀物。
[0078]過程80在框90處繼續以形成腔(例如，如圖1、圖6及SE中說明的腔19)。可通過使犧牲材料25 (在框84處沉積)暴露于蝕刻劑而形成腔19。例如，可通過干式化學蝕亥IJ，例如通過使犧牲層25暴露于氣態或汽態蝕刻劑(例如源自固體XeF2的蒸氣)達有效移除(通常相對于包圍腔19的結構選擇性地移除)所要量的材料的時段來移除例如Mo或非晶Si等可蝕刻犧牲材料。還可使用可蝕刻犧牲材料與蝕刻方法的其它組合，例如濕式蝕刻及/或等離子蝕刻。因為犧牲層25在框90期間移除，所以可移動反射層14在此階段之后通常為可移動的。在移除犧牲材料25之后，所得完全或部分制造的IMOD在本文可稱為“釋放” IMOD。
[0079]當前，經制造以覆蓋于顯示裝置上的觸控傳感器一般具有由ITO制成的傳感器電極，這是因為ITO實質上透明。雖然透明性為非常合意屬性，但ITO具有比一些其它導體更高的電阻。ITO的高電阻對觸控傳感器設計施加一些約束。例如，ITO電極的高電阻導致比金屬電極的響應時間更慢的響應時間且因此可導致更慢幀速率，尤其對于大觸控面板。ITO的較高電阻還導致較高背景電容且因此需要相對較多功率用于觸控傳感器裝置。
[0080]觸控傳感器大體上經設計使得兩個傳感器電極之間的位置插入于固件中。此類設計可需要相對較小間距用于傳感器電極以獲得觸控感測(尤其檢測觸控筆尖端的位置)的高精度。然而，較窄電極相對更具電阻性。相應地，ITO的高電阻會對傳感器電極的尺寸及間距施加約束。
[0081]本文中所描述的一些觸控傳感器可包含至少部分由細導電金屬線形成的傳感器電極。然而，其它傳感器電極中的至少一些可由非金屬導電材料(例如ΙΤ0)形成。無論由ITO制成還是以金屬線制成，所述傳感器電極均可不易被人類觀察者看見。
[0082]傳感器電極可布局成一模式及/或經分組以產生空間梯度。一些此類實施方案涉及傳感器電極的空間交織、空間插入及/或長度調制。此類實施方案可產生空間梯度，使得需要相對較少行及列來提供具有給定精度的觸控傳感器面板。因為信號插入中的一些是歸因于由傳感器設計導致的固有梯度，所以需要處理來自較少節點的信號。此類實施方案可降低計算復雜性、存儲器要求及功率消耗。
[0083]圖9展示具有空間插入的行電極與列電極的觸控傳感器的實例。圖9中僅展示觸控傳感器900的左下部分。在此實施方案中，列電極910及行電極915形成于實質上透明襯底905上。在一些實施方案中，實質上透明襯底905可為顯示裝置的護罩玻璃。在替代實施方案中，實質上透明襯底905可為前置燈的部分。實質上透明襯底905可為單個層或多個層，且可由玻璃、聚合物及/或其它實質上透明材料形成。
[0084]在此實例中，列電極910與行電極915兩者至少部分由細導電金屬線形成。在一些實施方案中，所述導線可具有10納米到I微米范圍內的厚度。所述導線可具有100納米到10微米范圍內的寬度。然而，在替代實施方案中，所述導線可具有其它尺寸。導電金屬可為任何適合導電金屬，例如銅、鋁、金等等。在列電極910與行電極915重疊的區917中，絕緣跨接線(圖中未展示)可用于跨越所述電極中的一者而不導致短路。電容符號912描繪列電極910中的一者與鄰近行電極915中的一者之間的互電容。由于檢測到由存在手指或導電觸控筆導致的行與列之間的互電容的變化，所以裝置可充當觸控傳感器。在一些實施方案中，列電極910或行電極915之間的空間930可為約I毫米。例如，在一些實施方案中，空間930可為約200微米到約1.2毫米，例如約800微米。
[0085]在此實施方案中，列電極910的群組920a與列電極910的群組920b及920c空間插入。在圖9中，由波形括號來界限構成群組920a、920b及920c中的每一者的列電極。在此實例中，構成群組920a的列電極910從觸控傳感器900的內部延伸地更遠。群組920a包含一起結合成1-2-3-2-1模式的九個列電極910。替代實施方案可包含結合在一起的不同數目的列電極910。列電極910可一起結合成其它模式，例如一起結合成1-2-1模式的四個列電極910、一起結合成2-4-2模式的八個列電極910、一起結合成1-2-3-4-3-2-1模式的十六個列電極910等等。在一些替代實施方案中，列電極910不結合在一起。
[0086]此處，群組920b為具有一起結合成3-2-1模式的六個列電極910的部分群組。群組920c包含一起結合成1-2-3-2-1模式的九個列電極910，但圖9中僅展示群組920c的一部分。
[0087]仔細檢查圖9將顯露群組920a與群組920b及920c的空間插入。例如，群組920a的最左單個列電極910 (參見箭頭A)插入于群組920b的最左三個列電極910與緊鄰兩個列電極910之間。群組920a的兩個連續列電極910插入于群組920c的單一列電極910與兩個連續列電極910之間。
[0088]在此實施方案中，行電極915的群組也彼此空間插入。此處，行電極915的群組925a與行電極915的群組925b及925c空間插入。群組925a包含一起結合成1-2-3-2-1模式的九個行電極915。替代實施方案可包含結合在一起的不同數目的行電極915。行電極915可一起結合成其它模式,例如上文相對于行電極910而描述的模式。在一些替代實施方案中，行電極915不結合在一起。
[0089]此處，群組925b包含一起結合成1-2-3-2-1模式的九個行電極915，但圖9中僅展示群組925b的一部分。群組925c為具有一起結合成3-2-1模式的六個行電極915的部分群組。在此實例中，群組925a的底部單行電極915(參見箭頭B)插入于群組925c的底部三個行電極915與緊鄰兩個行電極915之間。群組925a的兩個連續行電極915插入于群組925b的最下單個行電極915與緊鄰兩個連續行電極915之間。
[0090]電極群組中的每一者的寬度(例如群組920a的寬度)可被視為一個別傳感器單元(或“sensel”)的寬度。空間插入列電極910及/或行電極915提供從一個傳感器單元過渡到另一傳感器單元的線性梯度(因此提供空間插入)。當手指、導電觸控筆等等從一個傳感器單元移動到另一傳感器單元時，信號的此逐漸變化導致確定給定傳感器單元間距的觸控位置的精確度相對更高。
[0091]圖1OA展示具有空間交織行電極及空間插入列電極的觸控傳感器的實例。圖1OB展示圖1OA的觸控傳感器實例的放大部分。首先參考圖10A，可看見:列電極910的群組與列電極910的其它群組重疊且空間插入。此處，列電極910的群組920d與列電極910的群組920e及920f空間插入。在此實例中，行電極915未經分組或彼此空間插入。跡線1005將列電極910及行電極915與接合墊1010連接。在一些實施方案中，接合墊1010可用于將跡線1005與撓曲電纜及/或觸控控制器連接，例如下文所描述的觸控控制器77。圖1OA中的虛線矩形指示圖1OB的大致邊界。
[0092]現參考圖10B，可更清楚地看見:列電極910的群組920d與列電極910的群組920e及920f如何空間插入。群組920d包含一起結合成1-2-3-4-3-2-1模式的十六個列電極910，但圖1OB中未展示全部十六個列電極910。此處，群組920e為具有一起結合成4_3_2_1模式的十個列電極910的部分群組。群組920f包含一起結合成1-2-3-4-3-2-1模式的十六個列電極910，但圖1OB中僅展示群組920f的一部分。
[0093]在此實例中，群組920d的最左單列電極910插入于群組920e的最左四個列電極910與緊鄰三個列電極910之間。群組920d的三個連續列電極910插入于群組920f的單個列電極910與緊鄰兩個連續列電極910之間。當手指或導電觸控筆從列電極的一個群組移動到另一群組時，此空間插入提供所檢測互電容的逐漸變化，從而為給定間距的傳感器電極提供更好的觸控傳感器精度。
[0094]替代實施方案可包含結合在一起及/或以其它模式(例如1-2-1模式、2-4-2模式、1-2-3-2-1模式、1-2-3-4-5-4-3-2-1模式等等)結合在一起的不同數目的列電極910。可在一些實施方案中使用其它模式，例如2-3-1模式、3-1-5、1-3-2-4或其它變型。可在一些實施方案中使用非均勻模式，例如1-2-3-4-2模式、或2-4-3-1模式或1-2-3-1-2-3模式。在一些替代實施方案中，列電極910不結合在一起。
[0095]在此實施方案中，行電極915中的每一者具有從行電極915側向延伸且與相鄰行電極的相鄰行分支空間交織的多個行分支。在此實例中，行分支1015a及1015b從行電極915a及915b側向延伸。行分支1015a中的每一者從行電極915中的一者且朝向對應行分支1015b延伸。類似地，行分支1015b中的每一者從行電極915中的一者且朝向對應行分支1015a延伸。當手指或導電觸控筆從一行移動到另一行時，行分支1015a與行分支1015b的空間交織導致互電容信號的逐漸變化。
[0096]在此實施方案中，行分支1015a為約2毫米長且行分支1015b為約5毫米長。行電極915之間的間隔為約5毫米。列電極910與相鄰于列電極910的行分支1015a及1015b之間的間隔為約400微米。然而，此僅為一個實例。在替代實施方案中，可存在不同間隔、不同數目的行分支及/或具有不同長度的行分支。在一些此類實施方案中，行分支可具有I毫米到10毫米范圍內的長度。行電極915之間的間隔可大于或小于5毫米。在一些實施方案中，行電極915之間的間隔可在I毫米到10毫米之間，例如約9毫米。在替代實施方案中，列電極910與相鄰行分支1015a及1015b之間的間隔可在100微米到600微米的范圍內。
[0097]在此實例中，行分支1015b交替且產生其中存在來自相鄰行電極915的約50%的行分支的行間(inter-row)區1025。當手指或導電觸控筆位于此行間區1025中時，由行電極915a貢獻約50%的互電容信號且由行電極915b貢獻約50%的互電容信號。以此方式，可增大特定觸控傳感器精度所需的物理行間距，這部分因為行間區1025產生“邏輯行”。在替代實施方案中，行間區1025可包含來自相鄰行電極915的50%以上或以下的行分支，例如來自相鄰行電極915的25%到75%的行分支。
[0098]在此實施方案中，行分支1015a及1015b未將行電極915中的一者連接到另一者。然而，在此實例中，列分支1020a從列電極910中的一些側向延伸且將列電極910連接到相鄰列電極910。列分支1020a中的一些延伸于行分支1015a與相鄰行分支1015b之間。
[0099]在替代實施方案中，列電極910中的至少一些還可為空間交織的。此外，一些替代實施方案可包含兩個以上的不同行或列分支長度。
[0100]圖11展示具有空間交織的行電極與列電極的觸控傳感器的實例。在此實施方案中，行電極915由ITO形成且包含延伸到相鄰行電極915中的行分支。此處，行分支1015c從行電極915c延伸到相鄰行電極915d的窄部分1105中。在一些實施方案中，ITO具有約15納米到約200納米范圍內的厚度。在一些實施方案中，窄部分1105可為約I毫米，例如介于0.5毫米到1.5毫米之間。在替代實施方案中，窄部分1105可更大或更小，例如介于3微米到50微米之間。行分支1015c可為約I毫米到約10毫米長，例如約5毫米長。
[0101]在此實例中，列電極910由金屬線形成。此處，三個不同長度的列分支從列電極910側向延伸。在此實例中，列分支1020b最短，列分支1020d最長，且列分支1020c具有中間長度。在此實施方案中，列分支1020b具有與一個行分支1015c的寬度近似相同的長度，列分支1020c具有與兩個行分支1015c的寬度近似相同的長度，且列分支1020d具有與三個行分支1015c的寬度近似相同的長度。然而，在其它實施方案中，列分支1015可具有其它長度。例如，列分支1015可具有I毫米到10毫米范圍內的長度。一些替代實施方案可不包含列分支1015。此處，列分支1020c布置于列分支1020b及列分支1020d中的每一者之間，使得列分支長度沿列電極910中的每一者逐漸改變。
[0102]在一些實施方案中，形成行電極915c及915d的ITO可位于與形成列電極910及列分支1020的金屬線相同的襯底的側上。此類實施方案可包含金屬線與ITO的重疊部分之間的絕緣層。然而，在替代實施方案中，由ITO形成的行電極915可布置于襯底的一側上且形成列電極910及列分支1020的金屬線可形成于所述襯底的第二相對側上。
[0103]圖12A展示具有行電極及列電極的席墊馬賽克(mat mosaic)設計的觸控傳感器的實例。在觸控傳感器900的此實施方案中，列電極910與相鄰列電極910空間插入且行電極915與相鄰行電極915空間插入。此處，列電極910與行電極915兩者由金屬線形成且具有布置成相對于跡線1005成一角度的部分。此實例中，所述角度為約45度。在替代實施方案中，列電極910及行電極915的此類部分可布置成相對于跡線1005成不同角度，例如約30度到約60度范圍內的角度。
[0104]圖12B展示圖12A的觸控傳感器實例的放大部分。群組920g的列電極910與群組920h的列電極910空間插入。類似地，群組925d的行電極915與群組925e的行電極915空間插入。
[0105]在此實施方案中，列電極910包含部分1210a及1210b，且行電極915包含部分1215a及1215b。在此實例中，列電極910的部分1210a與1210b彼此實質上正交且實質上平行于行電極915的對應部分1215a及1215b。類似地，行電極915的部分1215a與1215b彼此實質上正交且實質上平行于列電極910的對應部分1210a及1210b。例如，部分1210a及1210b可與相鄰且實質上平行的部分1215a及1215b間隔約100微米到約600微米。絕緣跨接線(圖中未展示)防止使列電極910與行電極915交叉(或反之亦然)的區917中的短路。
[0106]圖13展示具有兩個集合的空間交織行電極的觸控傳感器的實例。此處，行電極915e橫跨觸控傳感器900延伸而呈實質上筆直且平行的線段。在一些實施方案中，行電極915e之間的間隔可介于I毫米到10毫米之間，例如約5毫米或6毫米。行電極915f在與行電極915e實質上相同的平面中橫跨觸控傳感器900延伸。在此實例中，行電極915f包含分段1320及分段1325。分段1320彼此實質上平行。分段1325也彼此實質上平行。然而，分段1320布置成與分段1325成一角度。因此，行電極915e與行電極915f之間存在可
變距離。
[0107]區1310包含分段1320。相鄰于區1310的區1315包含分段1325。在區1310及區1315中，行分支1015d從行電極915f的第一側延伸且行分支1015e從行電極915f的第二側延伸。行分支1015e相鄰于從行電極915e的一者側向延伸的行分支1015f。類似地，行分支1015d相鄰于從行電極915e的另一者側向延伸的行分支1015g。相鄰行分支之間(例如行分支1015d與行分支1015g之間)的間隔可為約100微米到約600微米。
[0108]在此實例中，行分支1015d的長度與行分支1015g的長度成比例。例如，參考圖13的左上角中的區1310，行分支1015dl為區1310中的行分支1015d的最小者，且相鄰于行分支1015dl的行分支1015gl為區1310中的行分支1015g的最小者。行分支1015d的長度從行分支1015dl逐漸增大到行分支1015dl2，而相鄰行分支1015g的長度從行分支1015gl逐漸增大到行分支1015gll。在相鄰區1315中，行分支1015d的長度從行分支1015dl4逐漸減小到行分支1015d25，而相鄰行分支1015g的長度從行分支1015gl2逐漸減小到行分支1015g22。在一些實施方案中，最小行分支(例如行分支1015dl)可為小于I微米長(例如約0.5微米)且最長行分支(例如行分支1015dl2)可為約5微米到約10微米(例如約4微米)。
[0109]現參考圖13的左下方中的區1315，行分支1015el為區1315中的行分支1015e的最小者，且相鄰于行分支1015el的行分支1015f I為區1315中的行分支1015f的最小者。行分支1015e的長度從行分支1015el逐漸增大到行分支1015el2，而相鄰行分支1015f的長度從行分支1015Π逐漸增大到行分支1015Π1。在相鄰區1310中，行分支1015e的長度從行分支1015el4逐漸減小到行分支1015e25，而相鄰行分支1015f的長度從行分支1015Π2逐漸減小到行分支1015f22。
[0110]在此實例中，行電極915f的一側上的行分支的長度與行電極915f的另一側上的行分支的長度成反比。例如，在區1310中，行分支1015dl到1015dl2逐漸變長，而行分支1015el4到1015e25逐漸變短。在區1315中，行分支1015dl4到1015d25逐漸變短，而行分支1015el到1015el2逐漸變長。
[0111]然而，行電極915e的一側上的行分支的長度與行電極915e的另一側上的行分支的長度成比例。例如，在左上區1310內，行分支1015gl到1015gll逐漸變長。在左上區1310正下方的區1315中，從電極915e的相同者延伸的行分支1015Π到1015Π1也逐漸變長。
[0112]在此實施方案中，行電極915e連接到列電極910。列電極910包含可圍封從行電極915f延伸的一或多個行分支的環路1305。例如，相鄰于左上區1315的環路1305包含行分支1015dl3及1015el3。跨越左下區1310及1315的環路1305包含行分支1015el3中的一者。因為在此實例中行電極915e及915f以及列電極910實質上位于相同平面中，所以絕緣跨接線(圖中未展示)可用于防止使列電極910與行電極915f交叉的區917中的短路。[0113]圖14A及14B展示說明包含如本文中所描述的觸控傳感器的顯示裝置的系統框圖的實例。顯示裝置40可例如為蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其略微變動還說明各種類型的顯示裝置，例如電視、電子閱讀器及便攜式媒體播放器。
[0114]顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、觸控傳感器裝置900、天線43、揚聲器45、輸入裝置48及麥克風46。外殼41可由各種制造工藝中的任何者(其包含注射模制及真空成形)形成。另外，外殼41可由各種材料中的任何者(其包含(但不限于):塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合)制成。外殼41可包含可與具有不同色彩或含有不同標志、圖片或符號的其它可移除部分互換的可移除部分(圖中未展示)。
[0115]顯示器30可為如本文中所描述的各種顯示器中的任何者，其包含雙穩態或模擬顯示器。顯示器30還可經配置以包含平板顯示器(例如等離子、EL、0LED、STN IXD或TFTIXD)或非平板顯示器(例如CRT或其它顯像管裝置)。另外，顯示器30可包含如本文中所描述的干涉式調制器顯示器。觸控傳感器裝置900可為實質上如本文中所描述的裝置。
[0116]圖21B中示意性說明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包含外殼41且可包含至少部分圍封于外殼41內的額外組件。例如，顯示裝置40包含網絡接口 27，其包含耦合到收發器47的天線43。收發器47連接到與調節硬件52連接的處理器21。調節硬件52可經配置以調節信號(例如過濾信號)。調節硬件52連接到揚聲器45及麥克風46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅動器控制器29。驅動器控制器29耦合到幀緩沖器28及陣列驅動器22，陣列驅動器22繼而耦合到顯示陣列30。電力供應器50可根據特定顯示裝置40的設計要求而將電力提供到全部組件。
[0117]在此實例中，顯示裝置40還包含觸控控制器77。觸控控制器77可經配置以與觸控傳感器裝置900通信及/或經配置以控制觸控傳感器裝置900。觸控控制器77可經配置以確定觸控傳感器裝置900近處的手指、導電觸控筆等等的觸控位置。觸控控制器77可經配置以至少部分基于所述觸控位置附近的所檢測電容變化而做出此類確定。然而，在替代實施方案中，處理器21 (或另一此裝置)可經配置以提供此功能性的部分或全部。
[0118]網絡接口 27包含天線43及收發器47，使得顯示裝置40可經由網絡與一或多個裝置通信。網絡接口 27還可具有一些處理能力以免除(例如)處理器21的數據處理要求。天線43可發射及接收信號。在一些實施方案中，天線43根據IEEE16.11標準(包含IEEE16.11(a)、(b)或(g))或 IEEE802.11 標準(包含 IEEE802.lla、b、g 或 η)發射及接收RF信號。在一些其它實施方案中，天線43根據藍牙(BLUETOOTH)標準發射及接收RF信號。在蜂窩式電話的情況中，天線43經設計以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時分多址(TDMA)、全球移動通信系統(GSM)、GSM/通用包無線電服務(GPRS)、增強型數據GSM環境(EDGE)、陸地中繼無線電(TETRA)、寬帶CDMA(W-CDMA)、演進數據優化(EV-DO)、IxEV-DO、EV-DO Rev A、EV_D0 Rev B、高速包接入(HSPA)、高速下行鏈路包接入(HSDPA)、高速上行鏈路包接入(HSUPA)、演進型高速包接入(HSPA+)、長期演進技術(LTE)、AMPS或用以在無線網絡(例如利用3G或4G技術的系統)內通信的其它已知信號。收發器47可預處理從天線43接收的信號，使得處理器21可接收并進一步操縱所述信號。收發器47還可處理從處理器21接收的信號，使得所述信號可經由天線43從顯示裝置40發射。處理器21可經配置以經由網絡接口 27從(例如)時間服務器接收時間數據。
[0119]在一些實施方案中，收發器47可由接收器取代。此外，網絡接口 27可由可存儲或產生待發送到處理器21的圖像數據的圖像源取代。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21接收數據(例如來自網絡接口 27或圖像源的壓縮圖像數據)并將數據處理為原始圖像數據或易于處理為原始圖像數據的格式。處理器21可將經處理的數據發送到驅動器控制器29或幀緩沖器28以進行存儲。原始數據通常指代識別圖像內的每一位置處的圖像特性的信息。例如，此類圖像特性可包含色彩、飽和度及灰度級。
[0120]處理器21可包含用以控制顯示裝置40的操作的微控制器、CPU或邏輯單元。調節硬件52可包含用于將信號發射到揚聲器45及用于從麥克風46接收信號的放大器及濾波器。調節硬件52可為顯示裝置40內的離散組件或可并入處理器21或其它組件內。
[0121]驅動器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產生的原始圖像數據且可適當地重新格式化原始圖像數據以使其高速發射到陣列驅動器22。在一些實施方案中，驅動器控制器29可將所述原始圖像數據重新格式化為具有類光柵格式的數據流，使得其具有適合跨顯示陣列30掃描的時序。接著，驅動器控制器29將經格式化的信息發送到陣列驅動器22。雖然驅動器控制器29 (例如LCD控制器)通常作為獨立集成電路(IC)而與系統處理器21相關聯，但是此類控制器可以許多方式實施。例如，控制器可作為硬件嵌入于處理器21中、作為軟件嵌入于處理器21中或與陣列驅動器22完全集成于硬件中。
[0122]陣列驅動器22可從驅動器控制器29接收經格式化的信息且可將視頻數據重新格式化為平行波形集合，所述波形每秒多次地施加到來自顯示器的χ-y像素矩陣的數百及有時數千個(或更多)引線。
[0123]在一些實施方案中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示陣列30適合本文描述的任何類型的顯示器。例如，驅動器控制器29可為常規顯示控制器或雙穩態顯示控制器(例如，IMOD控制器)。此外，陣列驅動器22可為常規驅動器或雙穩態顯示驅動器(例如，IMOD顯示驅動器)。此外，顯示陣列30可為常規顯示陣列或雙穩態顯示陣列(例如，包含MOD陣列的顯示器)。在一些實施方案中，驅動器控制器29可與陣列驅動器22集成。此實施方案在高度集成系統(例如蜂窩式電話、手表及其它小面積顯示器)中較為常見。
[0124]在一些實施方案中，輸入裝置48可經配置以允許(例如)用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤(例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關、游戲桿、觸敏屏幕或壓敏膜或熱敏膜。麥克風46可配置為顯示裝置40的輸入裝置。在一些實施方案中，通過麥克風46發出的語音命令可用于控制顯示裝置40的操作。
[0125]電力供應器50可包含如此項技術中眾所周知的多種能量存儲裝置。例如，電力供應器50可為可充電電池，例如鎳鎘電池或鋰離子電池。電力供應器50還可為可再生能源、電容器或太陽能電池(包含塑料太陽能電池或太陽能電池漆)。電力供應器50還可經配置以從壁式插座接收電力。
[0126]在一些實施方案中，控制可編程性駐留在可定位于電子顯示系統中的若干位置中的驅動器控制器29中。在一些其它實施方案中，控制可編程性駐留在陣列驅動器22中。可用任何數目的硬件及/或軟件組件及各種配置實施上述優化。
[0127]結合本文揭示的實施方案進行描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法過程可實施為電子硬件、計算機軟件或兩者的組合。已在功能性方面大體上描述且在上述各種說明性組件、塊、模塊、電路及過程中說明硬件與軟件的可互換性。用硬件還是軟件實施此功能性取決于特定應用及強加于整個系統的設計限制。
[0128]可使用以下每一者實施或執行用以實施結合本文揭示的方面進行描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數據處理設備:經設計以執行本文描述的功能的通用單芯片或多芯片處理器、數字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現場可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散閘或晶體管邏輯、離散硬件組件或其任何組合。通用處理器可為微處理器或任何常規處理器、控制器、微控制器或狀態機。處理器還可實施為計算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組合、多個微處理器、結合DSP核心的一或多個微處理器或任何其它此類配置。在一些實施方案中，可通過專用于給定功能的電路執行特定過程及方法。
[0129]在一或多個方面中，可用硬件、數字電子電路、計算機軟件、固件(包含本說明書中揭示的結構及其結構等效物)或其任何組合來實施所描述的功能。本說明書中描述的標的物的實施方案還可實施為在計算機存儲媒體上編碼以通過數據處理設備執行或控制數據處理設備的操作的一或多個計算機程序(即，計算機程序指令的一或多個模塊)。
[0130]結合本文揭示的實施方案進行描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法過程可實施為電子硬件、計算機軟件或兩者的組合。已在功能性方面大體上描述且在上述各種說明性組件、塊、模塊、電路及過程中說明硬件與軟件的可互換性。用硬件還是軟件實施此功能性取決于特定應用及強加于整個系統的設計限制。
[0131]可使用以下每一者實施或執行用以實施結合本文揭示的方面進行描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數據處理設備:經設計以執行本文描述的功能的通用單芯片或多芯片處理器、數字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現場可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或其任何組合。通用處理器可為微處理器或任何常規處理器、控制器、微控制器或狀態機。處理器還可實施為計算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組合、多個微處理器、結合DSP核心的一或多個微處理器或任何其它此類配置。在一些實施方案中，可通過專用于給定功能的電路執行特定過程及方法。
[0132]在一或多個方面中，可用硬件、數字電子電路、計算機軟件、固件(包含本說明書中揭示的結構及其結構等效物)或其任何組合實施所描述的功能。本說明書中描述的標的物的實施方案還可實施為在計算機存儲媒體上編碼以通過數據處理設備執行或控制數據處理設備的操作的一或多個計算機程序(即，計算機程序指令的一或多個模塊)。
[0133]如果以軟件實施，那么功能可作為一或多個指令或代碼存儲在計算機可讀媒體上或經由所述計算機可讀媒體傳輸。本文揭示的方法或算法的過程可在可駐留在計算機可讀媒體上的處理器可執行軟件模塊中實施。計算機可讀媒體包含計算機存儲媒體及通信媒體兩者，通信媒體包含可經啟用以將計算機程序從一個位置傳送到另一位置的任何媒體。存儲媒體可為可通過計算機存取的任何可用媒體。例如(且并非限制)，此計算機可讀媒體可包含RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲器、磁盤存儲器或其它磁性存儲裝置，或可用以以指令或數據結構的形式存儲所要程序代碼及可通過計算機存取的任何其它媒體。再者，任何連接還可適當地稱為計算機可讀媒體。如本文使用，磁盤及光盤包含壓縮光盤(CD)、激光光盤、光學光盤、數字多功能光盤(DVD)、軟盤及藍光光盤，其中磁盤通常磁性地重現數據而光盤用激光光學地重現數據。上述每一者的組合也應包含于計算機可讀媒體的范圍內。此外，方法或算法的操作可作為代碼和指令中的一者或任何組合或集合而駐留在機器可讀媒體及計算機可讀媒體上，所述機器可讀媒體及計算機可讀媒體可并入于計算機程序廣品中。
[0134]所屬領域的技術人員可容易明白對本發明中描述的實施方案的各種修改，且本文定義的一般原理在不脫離本發明的精神或范圍的情況下可應用于其它實施方案。因此，權利要求書不旨在限于本文所示的實施方案，而是符合與本發明、本文揭示的原理及新穎特征一致的最廣范圍。
[0135]詞語“示范性”在本文中專用于表示“用作實例、例子或說明”。在本文中描述為“示范性”的任何實施方案未必理解為比其它實施方案優選或有利。此外，所屬領域的一般技術人員將容易了解，術語“上”及“下”有時是為便于描述圖式而使用且指示對應于適當定向頁面上的圖式的定向的相對位置，且可能不反映如所實施的頂OD(或任何其它裝置)的適當定向。
[0136]在本說明書中在單獨實施方案的背景下描述的特定特征也可在單一實施方案中組合實施。相反，在單一實施方案的背景下描述的各種特征也可在多個實施方案中單獨實施或以任何適當子組合實施。此外，雖然上文可將特征描述為以特定組合起作用且甚至最初如此主張，但在一些情況中，來自所主張的組合的一或多個特征可從組合中切除且所主張的組合可針對子組合或子組合的變體。
[0137]類似地，雖然在圖式中以特定順序描繪操作，但是此不應理解為需要以所示的特定順序或按順序執行此類操作，或執行所有經說明的操作以實現所要結果。此外，圖式可以流程圖的形式示意地描繪一或多個實例過程。然而，未經描繪的其它操作可并入于經示意性說明的實例過程中。例如，可在經說明的操作的任一者之前、之后、同時或之間執行一或多個額外操作。在特定境況中，多任務處理及并行處理可為有利的。而且，在上述實施方案中的各種系統組件的分離不應理解為在所有實施方案中均需要此分離，且應理解，所描述的程序組件及系統通常可一起集成于單一軟件產品中或可封裝到多個軟件產品中。此外，其它實施方案在所附權利要求書的范圍內。在一些情況中，權利要求書中敘述的動作可以不同順序執行且仍實現所要結果。
【權利要求】
1.一種觸控傳感器裝置，其包括: 多個行電極， 其實質上形成于一平面中，所述多個行電極的每一行電極具有從所述行電極側向延伸的多個行分支，所述行分支與相鄰行電極的相鄰行分支空間交織；及 多個列電極，其實質上形成于所述平面中，其中所述多個列電極的第一群組結合在一起且與所述多個列電極的第二群組空間插入，且其中所述列電極中的至少一些包含從第一列電極側向延伸且介于相鄰行分支之間的列分支。
2.根據權利要求1所述的觸控傳感器裝置，其中所述列分支將所述第一列電極連接到第二列電極。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的觸控傳感器裝置，其中多個第一所述行分支具有第一長度且多個第二所述行分支具有第二長度。
4.根據權利要求1到3中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述第一及第二群組的列電極分組成1-2-1模式、2-4-2模式、1-2-3-2-1模式或1-2-3-4-3-2-1模式。
5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述多個行電極至少部分由金屬線形成。
6.根據權利要求1到5中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述多個列電極至少部分由金屬線形成。
7.根據權利要求1到6中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述多個行電極由氧化銦錫形成。
8.根據權利要求1到7中任一權利要求所述的設備，其進一步包括: 顯示器； 處理器，其經配置以與所述顯示器通信，所述處理器經配置以處理圖像數據；及 存儲器裝置，其經配置以與所述處理器通信。
9.根據權利要求8所述的設備，其進一步包括: 驅動器電路，其經配置以將至少一個信號發送到所述顯示器；及 控制器，其經配置以將所述圖像數據的至少一個部分發送到所述驅動器電路。
10.根據權利要求8或權利要求9所述的設備，其進一步包括: 圖像源模塊，其經配置以將所述圖像數據發送到所述處理器。
11.根據權利要求10所述的設備，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發器及發射器中的至少一者。
12.根據權利要求8到11中任一權利要求所述的設備，其進一步包括: 輸入裝置，其經配置以接收輸入數據且將所述輸入數據傳送到所述處理器。
13.根據權利要求8到12中任一權利要求所述的設備，其進一步包括: 觸控控制器，其經配置以與所述處理器通信 '及 路由線，其經配置以將所述行電極及所述列電極與所述觸控控制器連接。
14.一種觸控傳感器裝置，其包括: 行電極裝置，其實質上形成于平面中，所述行電極裝置中的每一行電極具有從所述行極側向延伸的多個行分支，所述行分支與相鄰行電極的相鄰行分支空間交織；及 列電極裝置，其實質上形成于平面中，其中多個列電極的第一群組結合在一起且與所述多個列電極的第二群組空間插入，且其中所述列電極裝置的所述列電極中的至少一些包含從第一列電極側向延伸且介于相鄰行分支之間的列分支。
15.根據權利要求14所述的觸控傳感器裝置，其中所述列分支將所述第一列電極連接到第二列電極。
16.根據權利要求14或權利要求15所述的觸控傳感器裝置，其中多個第一所述行分支具有第一長度且多個第二所述行分支具有第二長度。
17.根據權利要求14所述的觸控傳感器裝置，其中所述第一及第二群組的列電極分組成 1-2-1 模式、2-4-2 模式、1-2-3-2-1 模式或 1-2-3-4-3-2-1 模式。
18.根據權利要求14到17中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述行電極裝置及所述列電極裝置中的至少一者至少部分由金屬線形成。
19.根據權利要求14到18中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述行電極裝置由氧化銦錫形成。
20.一種觸控傳感器裝置，其包括: 多個第一行電極，其實質上形成于一平面中，所述多個第一行電極中的每一第一行電極具有從所述第一行電極側向延伸的多個第一行分支；及 多個第二行電極，其實質上形成于所述平面中，所述多個第二行電極中的每一第二行電極具有從所述第二行電極側向延伸的多個第二行分支，所述第二行分支與相鄰第一行電極的相鄰第一行分支空間交織，所述第一行分支具有多個第一行分支長度，其中所述第一行分支長度中的至少一些與相鄰第二行分支的第二行分支長度成比例地變動。
21.根據權利要求20所述的觸控傳感器裝置，其中所述多個第一行電極與所述多個第二行電極之間存在一可變距離。
22.根據權利要求20或權利要求21所述的觸控傳感器裝置，其中所述多個第一行電極包含實質上平行的線段。
23.根據權利要求20到22中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述多個第二行電極包含實質上平行的第一線段及實質上平行的第二線段，所述實質上平行的第一線段布置成與所述實質上平行的第二線段成一角度。
24.根據權利要求23所述的觸控傳感器裝置，其進一步包括: 第一區，其包含所述實質上平行的第一線段 '及 第二區，其相鄰于所述第一區，所述第二區包含所述實質上平行的第二線段。
25.根據權利要求20到24中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述第一行分支在第一側及第二側上從所述多個第一行電極延伸，且其中所述第一側上的所述第一行分支具有與所述第二側上的所述第一行分支的第二長度成比例的第一長度。
26.根據權利要求20到25中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述第二行分支在第一側及第二側上從所述多個第二行電極延伸，且其中所述第一側上的所述第二行分支具有與所述第二側上的所 述第二行分支的第二長度成反比的第一長度。
27.根據權利要求20到26中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其進一步包含多個列電極，其中所述多個第一列電極中的至少一些連接到所述列電極。
28.根據權利要求27所述的觸控傳感器裝置，其中所述多個第一行電極、所述多個第二行電極及所述多個列電極至少部分由金屬線形成。
29.根據權利要求27所述的觸控傳感器裝置，其中所述多個列電極包含環路。
30.根據權利要求29所述的觸控傳感器裝置，其中所述環路圍封所述第二行電極中的至少一者。
31.一種觸控傳感器裝置，其包括: 第一行電極裝置，其實質上形成于一平面中，所述行電極裝置中的每一第一行電極具有從所述第一行電極側向延伸的多個第一行分支；及 第二行電極裝置，其實質上形成于所述平面中，所述第二行電極裝置中的每一第二行電極具有從所述第二行電極側向延伸的多個第二行分支，所述第二行分支與相鄰第一行電極的相鄰第一行分支空間交織，所述第一行分支具有多個第一行分支長度，其中所述第一行分支長度中的至少一些與相鄰第二行分支的第二行分支長度成比例地變動。
32.根據權利要求31所述的觸控傳感器裝置，其中所述第一行電極裝置與所述第二行電極裝置之間存在一可變距離。
33.根據權利要求31或權利 要求32所述的觸控傳感器裝置，其中所述第一行電極裝置橫跨所述觸控傳感器裝置延伸而呈實質上平行的線段。
34.根據權利要求31到33中任一權利要求所述的觸控傳感器裝置，其中所述第二行電極裝置包含實質上平行的第一線段及實質上平行的第二線段，所述實質上平行的第一線段布置成與所述實質上平行的第二線段成一角度。
【文檔編號】G06F3/044GK103946779SQ201280056962
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2012年11月7日 優先權日:2011年11月22日
【發明者】喬蒂因德拉·拉杰·沙基亞, 拉塞爾·阿林·馬丁 申請人:高通Mems科技公司