超低溫鉑電阻傳感器的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及低溫溫度信息采集的傳感器，公開了一種超低溫鉑電阻傳感器，包括封裝座（1）、鉑電阻（2）、封裝蓋（3）與封裝套環（4），封裝套環（4）扣接在封裝座（1）上，封裝蓋（3）蓋在封裝套環（4）上，鉑電阻（2）焊接在封裝座（1）內，鉑電阻（2）通過引出線（5）引出。本實用新型通過采用紐扣式結構，同時將鉑電阻等易損壞的部分封裝在封裝座的內部，具有便于裝拆，傳感器使用壽命長等優點。
【專利說明】超低溫鉑電阻傳感器
【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及低溫溫度信息采集的傳感器，尤其涉及了一種超低溫鉬電阻傳感 器。
【背景技術】
[0002] 目前，用于超低溫溫度信息采集的傳感器有兩點要求，第一要實現準確的采集溫 度信息：為了 Ptiooo傳感器采集數據的真實性最好是使用裸裝的傳感器，但裸裝的傳感器 極易損壞而且不易安裝，這無疑增大了操作的難度和成本，故采用封裝的傳感器，這就涉及 到裸裝Ptiooo的封裝；第二封裝好的PtlOOO不僅要滿足采集的信息準確可靠，而且還得滿 足便于安裝，外購的封裝Ptiooo適用性有限。
[0003] 在超低溫情況下，為了準確采集冷頭上的溫度信息多采用裸裝的PtlOOO和根據 自己的實用需要開發適合的封裝形式，因為這樣可以將溫度信息及時準確的反映出來。在 制冷機的冷頭上安裝傳感器的空間有限，因此需要結構小巧緊湊而且還要保證安全可靠、 經濟實惠和操作過程的方便可行。
【發明內容】
[0004] 本實用新型針對現有技術中制冷機的冷頭上安裝傳感器的空間有限，傳統的傳感 器具有結構復雜，不易拆裝等缺點，提供了一種采用紐扣式結構，實現了便于裝拆從而延長 了傳感器的使用壽命，同時將鉬電阻等易損壞的部分封裝在封裝座的內部的超低溫鉬電阻 傳感器。
[0005] 為了解決上述技術問題，本實用新型通過下述技術方案得以解決：
[0006] 超低溫鉬電阻傳感器，包括封裝座、鉬電阻、封裝蓋與封裝套環，封裝套環扣接在 封裝座上，封裝蓋蓋在封裝套環上，鉬電阻焊接在封裝座內，鉬電阻通過引出線引出。
[0007] 作為優選，封裝座包括凸臺，凸臺的側面設置側開孔，引出線穿過側開孔與鉬電阻 連接。凸臺為圓柱形凸臺切去部分，其切去部分用于安裝引出引線及漆包線。
[0008] 作為優選，凸臺上設置上開口。
[0009] 作為優選，引出線與漆包線連接。
[0010] 作為優選，封裝套環上設置開槽，漆包線由開槽處引出。
[0011] 作為優選，漆包線外包覆熱縮管，熱縮管外套接護套管，熱縮管與護套管之間及封 裝座內通過低溫膠填充密封。
[0012] 作為優選，鉬電阻為Ptiooo鉬電阻。鉬電阻與引出線之間焊接劑或焊接線為銦。 經過多次試驗后，選用銦這種熱的良導體作為焊劑時，測量效果最佳。
[0013] 作為優選，引出線與漆包線通過銦焊接，鉬電阻通過銦焊接在封裝座上。
[0014] 本實用新型由于采用了以上技術方案，具有顯著的技術效果：本實用新型通過采 用紐扣式結構，同時將鉬電阻等易損壞的部分封裝在封裝座的內部，具有便于裝拆，傳感器 使用壽命長等優點。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0015] 圖1是本實用新型實施例1的結構圖。
[0016] 圖2是圖1中封裝座的結構示意圖。
[0017] 圖3是圖1中封裝套環的結構示意圖。
[0018] 以上附圖中各數字標號所指代的部位名稱如下：其中1 一封裝座、2-鉬電阻、3- 封裝蓋、4一封裝套環、5-引出線、6-熱縮管、7-護套管、8-漆包線、11-凸臺、12-上開 口、13-側開孔、41-開槽。
【具體實施方式】
[0019] 下面結合附圖1至圖3與實施例對本實用新型作進一步詳細描述：
[0020] 實施例1
[0021] 超低溫鉬電阻傳感器，如圖1至圖3所示，包括封裝座1、鉬電阻2、封裝蓋3與封 裝套環4,封裝套環4扣接在封裝座1上，封裝蓋3蓋在封裝套環4上，鉬電阻2焊接在封裝 座1內，鉬電阻2通過引出線5引出。
[0022] 封裝座1包括凸臺11，凸臺11的側面設置側開孔13,引出線5穿過側開孔13與 鉬電阻2連接。凸臺11上設置上開口 12。通過設置凸臺11，凸臺11內安置鉬電阻2,由于 凸臺11的邊緣被切去一部分，切去部分的側面設置側開孔13,其結構更加緊湊。
[0023] 引出線5與漆包線8連接。封裝套環4上設置開槽41，漆包線8由開槽41處引 出。漆包線8外包覆熱縮管6,熱縮管6外套接護套管7,熱縮管6與護套管7之間及封裝 座1內通過低溫膠填充密封。封裝套環4上設置開槽41，其作用一方面為作為引出線5與 漆包線8的引出口，另一方面，起到固定的作用，可以有阻止免引出線5或漆包線8左右移 動，避免引出線5與鉬電阻2之間發生脫落，保證設備正常運行及延長設備使用壽命。
[0024] 鉬電阻2為PtlOOO鉬電阻。鉬電阻2與引出線5之間焊接劑或焊接線5為銦。經 過多次試驗后，選用銦這種熱的良導體作為焊劑時，測量效果最佳。引出線5與漆包線8通 過銦焊接，鉬電阻2通過銦焊接在封裝座1上。
[0025] 采用紐扣式結構，實現了便于裝拆從而延長了傳感器的使用壽命；同時在封裝座 的內部，其一經過多次測試實驗，決定采用銦這種熱的良導體來實現裸裝PtlOOO與封裝座 之間的熱傳導，其二采用適當的熱縮管、鐵氟龍管和漆包線將信號從封裝座內準確的引出， 其三是采用了低溫膠、封裝套環和封裝蓋將PtlOOO的引出線可靠地封裝住，最重要的是將 易損壞的部分固定在結構內部。
[0026] 這樣就既可以很方便的裝拆還可以順利準確地將溫度信息傳導到測量儀器上。而 且在焊接時：一要保證PtlOOO鉬電阻2與封裝座1的焊接處要焊實；二要保證PtlOOO的 引出線5不要與周圍的其他金屬部件接觸，以免引起測量誤差。接下來就是將選好的漆包 線8與PtlOOO的引出線5對焊，然后用合適的熱縮管6將對焊處分別絕緣隔離，再用合適 的鐵氟龍套管7將漆包線套起來并將一端伸到封裝套環4內部，然后用封裝套環4上的開 槽41將鐵氟龍護套管7卡住，這樣可以很好的保護漆包線不受到外力的損壞。然后用低溫 膠將封裝組件內部的空隙填實，再壓上封裝蓋待其固化。最后根據安裝的冷頭的需要打封 裝組件的安裝孔。
[0027] 總之，以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所 作的均等變化與修飾，皆應屬本實用新型專利的涵蓋范圍。
【權利要求】
1. 超低溫鉬電阻傳感器，包括封裝座（1)、鉬電阻（2)、封裝蓋（3)與封裝套環（4)，其特 征在于：封裝套環（4)扣接在封裝座（1)上，封裝蓋（3 )蓋在封裝套環（4)上，鉬電阻（2 )焊 接在封裝座（1)內，鉬電阻（2)通過引出線（5)引出。
2. 根據權利要求1所述的超低溫鉬電阻傳感器，其特征在于：封裝座（1)包括凸臺 (11) ，凸臺（11)的側面設置側開孔（13)，引出線（5)穿過側開孔（13)與鉬電阻（2)連接。
3. 根據權利要求2所述的超低溫鉬電阻傳感器，其特征在于：凸臺（11)上設置上開口 (12) 。
4. 根據權利要求1所述的超低溫鉬電阻傳感器，其特征在于：引出線（5 )與漆包線（8 ) 連接。
5. 根據權利要求4所述的超低溫鉬電阻傳感器，其特征在于：封裝套環（4)上設置開槽 (41)，漆包線（8)由開槽（41)處引出。
6. 根據權利要求4所述的超低溫鉬電阻傳感器，其特征在于：漆包線（8)外包覆熱縮管 (6)，熱縮管（6)外套接護套管（7)，熱縮管（6)與護套管（7)之間及封裝座（1)內通過低溫 膠填充密封。
7. 根據權利要求1所述的超低溫鉬電阻傳感器，其特征在于：鉬電阻（2)為PtlOOO鉬 電阻。
8. 根據權利要求1所述的超低溫鉬電阻傳感器，其特征在于：引出線（5 )與漆包線（8 ) 通過銦焊接，鉬電阻（2 )通過銦焊接在封裝座（1)上。
【文檔編號】G01K7/18GK203869788SQ201420147540
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年3月28日 優先權日:2014年3月28日
【發明者】陳家富 申請人:浙江博開機電科技有限公司