專利名稱：一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構。
背景技術：
上部反應室盤是半導體制造生產設備中關鍵核心零件之一，其工作環境處于無塵高度真空條件下，對于漏真空的控制有著極高的要求。如圖1所示，上部反應室盤1包括設于左側的左反應室11和設于右側的右反應室 12，所述左反應室11和右反應室12的頂面和底面均與外界連通，且所述左反應室腔體11 和右反應室腔體12之間也設有連通管道。由于上部反應室盤工作的環境是處在無塵真空條件下的，對其連接外部的工作面上的密封要求是嚴格的，絕對不能有一絲漏真空。正因為如此，所以上部反應室盤在清洗完后，需要進行漏真空測試。因此，一種專用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構是本領域技術人員致力于研究的方向之一。
發明內容本實用新型的目的在于克服現有技術的缺陷而提供一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，采用該氦氣測漏結構可方便地進行上部反應室盤漏真空的測試。本實用新型的目的是這樣實現的本實用新型的一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，所述上部反應室盤包括設于左側的左反應室和設于右側的右反應室，且所述左、右反應室的頂面和底面均與外界連通，所述氦氣測漏結構包括測漏底盤、左反應室蓋和右反應室蓋，所述上部反應室盤置于所述測漏底盤上，所述左反應室蓋蓋于所述左反應室的頂部，右反應室蓋蓋于所述右反應室的頂部。上述的一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，其中，所述測漏底座包括一平板本體，該平板本體上表面的左側固定有三個呈等邊三角形排列的第一突起，且該三個第一突起均緊貼于所述左反應室的內壁內側，所述三個第一突起的外周設有一內嵌密封圈的同心圓溝槽；該平板本體上表面右側固定有三個呈倒等邊三角形排列的第二突起，且該三個第二突起均緊貼于所述右反應室的內壁內側，所述三個第二突起圍成的倒等邊三角形的中心處設有一通孔，且該通孔底部向下延伸形成接口，所述三個第二突起的外周還設有四個呈正方形排列的第三突起，且該四個第三突起均緊貼于所述右反應室的內壁外側。上述的一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，其中，所述測漏底座的上表面為鏡面處理表面。上述的一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，其中，所述測漏底座由不銹鋼制成。[0013]本實用新型具有以下優點1.采用本實用新型氦氣測漏結構進行上部反應室盤漏真空測試，操作簡單容易， 僅需要將上部反應室盤“放”到測漏底座上，再將蓋子蓋于上部反應室盤上即可，上部反應室盤與測漏底座間的接合方式清楚且簡單，可有效避免作業人員因為步驟繁多所造成的錯誤機率；2.本實用新型氦氣測漏結構中的測漏底座保養維護容易，由于測漏底座采用不銹鋼進行制作，堅固且耐用，保養僅需要定期清潔外觀，以保持測漏底座干凈即可。

圖1是上部反應室盤的結構示意圖；圖2是本實用新型的結構示意圖；圖3是本實用新型中測漏底座的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合附圖對本實用新型作進一步說明。請參閱圖1，圖中示出了上部反應室盤的結構示意圖，上部反應室盤1包括設于左側的左反應室11和設于右側的右反應室12，所述左反應室11和右反應室12的頂面和底面均與外界連通，且所述左反應室腔體11和右反應室腔體12之間也設有連通管道。請參閱圖2，圖中示出了本實用新型用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構的示意圖，氦氣測漏結構包括測漏底盤2、左反應室蓋3和右反應室蓋4，上部反應室盤1 置于測漏底盤2上，左反應室蓋3蓋于左反應室11的頂部，右反應室蓋4蓋于右反應室12 的頂部。請參閱圖2和圖3，測漏底座2包括一平板本體，該平板本體上表面的左側固定有三個呈等邊三角形排列的第一突起21，且該三個第一突起21均緊貼于左反應室11的內壁內側，三個第一突21起的外周設有一內嵌密封圈的同心圓溝槽23 ；該平板本體上表面右側固定有三個呈倒等邊三角形排列的第二突起22，且該三個第二突起22均緊貼于右反應室12的內壁內側，三個第二突起22圍成的倒等邊三角形的中心處設有一通孔25，且該通孔25底部向下延伸形成接口(圖中為畫出)，三個第二突起22 的外周還設有四個呈正方形排列的第三突起24，且該四個第三突起M均緊貼于右反應室 12內壁的外側。測漏底座2的上表面為鏡面處理表面，且測漏底座2是由不銹鋼制成的。將上部反應室盤1放置于測漏底盤2上方，再分別將左反應室蓋3和右反應室蓋4 蓋在上部反應室盤1的左、右反應室11、12上方進行密封。真空管道的一端連接在測漏底盤 2底面的接口上，另一端分別連接真空泵和氦氣測漏機。啟動真空泵，將左、右反應室11、12 內抽至真空。真空值達到中度真空范圍133. 322Pa-0. 133Pa，其中真空值能夠達到13. 33Pa 以下為理想數值。啟動氦氣測漏機。在上部反應室盤1外噴入氦氣，觀察氦氣測漏儀反應。 如果發現到漏真空，氦氣測漏儀會發出警告聲響，并變動真空靈敏值表示漏真空狀況。以上實施例僅供說明本實用新型之用，而非對本實用新型的限制，有關技術領域的技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變型，因此所有等同的技術方案也應該屬于本實用新型的范疇，應由各權利要求所限定。
權利要求1.一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，所述上部反應室盤包括設于左側的左反應室和設于右側的右反應室，且所述左、右反應室的頂面和底面均與外界連通，其特征在于，所述氦氣測漏結構包括測漏底盤、左反應室蓋和右反應室蓋，所述上部反應室盤置于所述測漏底盤上，所述左反應室蓋蓋于所述左反應室的頂部，右反應室蓋蓋于所述右反應室的頂部。
2.如權利要求1所述的一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，其特征在于，所述測漏底座包括一平板本體，該平板本體上表面的左側固定有三個呈等邊三角形排列的第一突起，且該三個第一突起均緊貼于所述左反應室的內壁內側，所述三個第一突起的外周設有一內嵌密封圈的同心圓溝槽；該平板本體上表面右側固定有三個呈倒等邊三角形排列的第二突起，且該三個第二突起均緊貼于所述右反應室的內壁內側，所述三個第二突起圍成的倒等邊三角形的中心處設有一通孔，且該通孔底部向下延伸形成接口，所述三個第二突起的外周還設有四個呈正方形排列的第三突起，且該四個第三突起均緊貼于所述右反應室的內壁外側。
3.如權利要求1或2所述的一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，其特征在于，所述測漏底座的上表面為鏡面處理表面。
4.如權利要求1或2所述的一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，其特征在于，所述測漏底座由不銹鋼制成。
專利摘要本實用新型涉及一種用于上部反應室盤漏真空測試的氦氣測漏結構，所述上部反應室盤包括設于左側的左反應室和設于右側的右反應室，且所述左、右反應室的頂面和底面均與外界連通，所述氦氣測漏結構包括測漏底盤、左反應室蓋和右反應室蓋，所述上部反應室盤置于所述測漏底盤上，所述左反應室蓋蓋于所述左反應室的頂部，右反應室蓋蓋于所述右反應室的頂部。采用本實用新型氦氣測漏結構進行上部反應室盤漏真空測試，操作簡單容易，且上部反應室盤與測漏底座間的接合方式清楚且簡單，可有效避免作業人員因為步驟繁多所造成的錯誤機率。
文檔編號G01M3/02GK202305131SQ201120426879
公開日2012年7月4日 申請日期2011年11月1日 優先權日2011年11月1日
發明者吳志君 申請人:上海科秉電子科技有限公司, 科治新技股份有限公司