一種活塞桿真空鍍鉻方法
【專利摘要】本發明公開了一種活塞桿真空鍍鉻方法，包括：表面預處理、探傷、裝填、真空鍍鉻、鍍液回收、水洗、去氫等工藝流程；預處理后的活塞桿放入特制陽極管，每個陽極管只放入一根，注入鍍液到指定高度；用鉻靶作陰極弧源，抽真空后用低壓大電流維持陰極與鍍膜室之間的弧光放電3～10分鐘，在真空環境下，不需要用鉻霧抑制劑，可減少污染排放。其優點是提高鍍鉻質量，縮短電鍍時間、可設定活塞桿的鍍鉻高度、降低能耗、水耗及貴重金屬的消耗，鍍液可多次回收再利用。
【專利說明】
一種活塞桿真空鍍鉻方法
技術領域
[0001]本發明涉及一種活塞桿真空鍍鉻方法，屬于材料表面處理技術領域。
【背景技術】
[0002]活塞桿是用于活塞做功的連接部件，大部分應用在油缸、氣缸運動執行部件中，對同軸度、耐磨性、強度、防銹蝕要求嚴格。它的基本特征是細長軸加工，其加工難度大。活塞桿鍍鉻是其中一項很重要的工藝，如何提高質量和生產效率一直困擾加工人員。目前的真空鍍膜法是在較大的密閉容器中，在真空條件下通過蒸發鍍膜、濺射鍍膜、離子鍍膜等方法，將金屬、化合物或其他鍍膜材料沉積到基材表面，形成一層或多層的薄膜的加工技術，一般鍍鉻的厚度都比較厚，活塞桿電鍍后還需要進行多次鍍后磨、超精磨才能滿足工藝需求；增大了能源、鉻料、人工、成本，其鍍鉻的效果也不是很好。

【發明內容】

[0003]本發明的目的在于提供一種結構合理，性能優越，真空高速鍍鉻、致密性高、低成本、極小污染的真空鍍鉻新方法，減少鍍后粗磨、精磨工序，直接進入超精磨。
[0004]本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種活塞桿真空鍍鉻方法，包括:表面預處理、探傷、裝填、真空鍍鉻、鍍液回收、水洗、去氫等工藝流程。其操作處理流程如下:
[0005](I)、表面預處理:活塞桿經校直、粗磨、探傷、高頻淬火、校驗、回火、校直、多級粗磨、細磨等多道工序處理后，再用純水清洗、烘干；
[0006](2)、探傷:對預處理后的活塞桿作探傷檢測，不合格品作報廢處理；
[0007](3)、裝填:有多個特制陽極管，每個陽極管有電源正極、注液口、水洗口、真空口 ；每個陽極管只放入一根活塞桿后密封，注入鍍液到指定高度；一次可完成多根活塞桿鍍絡；
[0008](4)、真空鍍鉻:特制管子作陽極，鉻靶作陰極弧源，抽真空至5.0X 10 3?7.0X10 3Pa后，通電3?10分鐘用低壓大電流將維持陰極與陽極管之間的弧光放電，其電流一般為200?1100A/dm2，工作電壓為15?40V ;在真空超大電流環境下，鉻涂層顯微結構兼備高韌性、高硬度、耐高溫，抗氧化性的特性；不需要用鉻霧抑制劑，可減少污染排放；
[0009](5)、鍍液回收:經步驟(4)后去掉真空，將鍍液抽回到貯液槽下次再用；
[0010](6)、水洗:經步驟(5)后在陽極管內注水清洗，洗后水放入專用貯水槽；
[0011](7)去氫<:將活塞桿在回火箱內加熱去掉氫*氣。
[0012]綜上所述，本發明與現有技術相比，具有以下突出優點及有益效果:
[0013](I)、特制陽極管，便于控制活塞桿鍍鉻高度；
[0014](2)、真空環境下超大電流提高鍍鉻質量，縮短鍍鉻時間；
[0015](3)、不使用鉻霧抑制劑方便鍍液回收，無環境污染；
[0016](4)、鍍鉻后直接進入超精磨，降低能耗、水耗及貴重金屬的消耗，顯著降低生產成本。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發明工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0018]如圖1所示，一種活塞桿真空鍍鉻方法，包括:表面預處理、探傷、裝填、真空鍍鉻、鍍液回收、水洗、去氫等工藝流程。活塞桿經校直、粗磨、探傷、高頻淬火、校驗、回火、校直、多級粗磨、細磨等多道工序處理后，用純水清洗最后烘干；用探傷機對預處理后的活塞桿作探傷檢測，不合格品報廢；將合格品送入特制陽極管后密封，每個陽極管放入一根活塞桿，注入鍍液到指定高度；用鉻靶作陰極弧源，抽真空至5.0X 10 3?7.0X 10 3Pa后，通電3?10分鐘用低壓大電流將維持陰極與陽極管之間的弧光放電，其電流一般為200?1100A/dm2，工作電壓為15?40V ;在真空超大電流環境下，鉻涂層顯微結構兼備高韌性、高硬度、耐高溫，抗氧化性的特性；不需要用鉻霧抑制劑，可減少污染排放；鍍鉻完成后去掉真空，將鍍液抽回到貯液槽以備下次再用；將活塞桿在陽極管用純水清洗，在回火箱內加熱去掉氫氣。這樣處理完成后，活塞桿鍍層均勻、其硬度、耐高溫、抗腐蝕性、氧化性等特性都要很大的提高，減少鍍后粗磨、精磨工序直接進入超精磨。
【主權項】
1.一種活塞桿真空鍍鉻方法，其特征在于:包括表面預處理、探傷、裝填、真空鍍鉻、鍍液回收、水洗、去氫等工藝流程；用探傷機對預處理后的活塞桿作探傷檢測，將合格品送入特制陽極管后密封，每個陽極管放入一根活塞桿，注入鍍液到指定高度；用鉻靶作陰極弧源，抽真空至5.0X 10 3?7.0X 10 3Pa后，通電3?10分鐘用低壓大電流將維持陰極與陽極管之間的弧光放電，其電流一般為200?1100A/dm2，工作電壓為15?40V ;在真空超大電流環境下，不需要用鉻霧抑制劑；鍍鉻完成后去掉真空，將鍍液抽回到貯液槽以備下次再用；將活塞桿在陽極管用純水清洗，在回火箱內加熱去掉氫氣，完成對活塞桿的鍍鉻處理。2.根據權利要求1所述的一種活塞桿真空鍍鉻方法，其特征在于:低壓大電流將維持陰極與陽極管之間的弧光放電，其電流一般為200?1100A/dm2。3.根據權利要求1所述的一種活塞桿真空鍍鉻方法，其特征在于:每一根活塞桿對應一個陽極管。4.根據權利要求1所述的一種活塞桿真空鍍鉻方法，其特征在于:不需要用鉻霧抑制劑。
【文檔編號】C25D17/00GK105887171SQ201410727664
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2014年11月26日
【發明人】熊清遠, 陳志勇
【申請人】四川行健車軸科技有限公司