本實用新型涉及聲(sheng)電轉換(huan)技術(shu)領域，更(geng)為具(ju)體地，涉及一種降(jiang)低封裝應力的MEMS傳感器。

背景技術：

現有的MEMS傳感(gan)器(qi)(如：壓力傳感(gan)器(qi)、MEMS麥克風)，MEMS芯(xin)片(pian)通過膠(jiao)與PCB板固(gu)定，由于MEMS芯(xin)片(pian)對(dui)封裝應力較為敏感(gan)，MEMS芯(xin)片(pian)容易受(shou)到外(wai)界應力變(bian)化的影響，因此MEMS傳感(gan)器(qi)對(dui)封裝要求較高。

因此，為(wei)了降(jiang)低MEMS芯片受到的封裝應(ying)力(li)，本實用新型提供了一(yi)種新的MEMS傳(chuan)感(gan)器。

技術實現要素：

鑒于上述問(wen)題，本實用新型(xing)的(de)目的(de)是提供一種MEMS傳感器，以解決如何(he)降(jiang)低(di)MEMS芯片受到的(de)封裝應力的(de)問(wen)題。

本實用(yong)新型(xing)提(ti)供的MEMS傳感器(qi)，包括外殼(ke)和(he)PCB組成的封裝結(jie)構，在封裝結(jie)構內(nei)部PCB上設置有(you)MEMS芯片和(he)ASIC芯片；其中，

在PCB內部與MEMS芯片和ASIC芯片相對應(ying)的位置(zhi)設(she)置(zhi)有(you)空腔(qiang)，并且在PCB上設(she)置(zhi)有(you)所述MEMS芯片和ASIC芯片的一面設(she)置(zhi)有(you)凹槽，其中，

凹槽與(yu)空(kong)腔的邊緣(yuan)相對應，并且與(yu)空(kong)腔相連(lian)通。

此外(wai)，優選的(de)結構是，凹槽為L型。

此外，優選的(de)結構是，凹槽的(de)數量(liang)為1個(ge)(ge)(ge)、2個(ge)(ge)(ge)、3個(ge)(ge)(ge)或者4個(ge)(ge)(ge)。

此外，優選的結(jie)構是(shi)，MEMS芯(xin)(xin)片通過粘片膠與ASIC芯(xin)(xin)片相固定，

ASIC芯片(pian)通過粘片(pian)膠與PCB相固定(ding)。

此外，優選(xuan)的結構是，在PCB上還設(she)置有焊盤，焊盤用于與其(qi)他零(ling)件焊接。

此外(wai)，優選的結(jie)構是，在外(wai)殼上設置有外(wai)界連通的通孔(kong)。

從上面的(de)技術方(fang)案可知(zhi)，本(ben)實用(yong)新型(xing)提(ti)供的(de)MEMS傳感器，通過在(zai)PCB內部與MEMS芯(xin)片相(xiang)對(dui)應(ying)的(de)位置設置空腔，并(bing)且在(zai)PCB上設置凹(ao)槽，凹(ao)槽與空腔相(xiang)連通，這種設計結(jie)構(gou)可以(yi)減少MEMS傳感器在(zai)裝(zhuang)配過程(cheng)中芯(xin)片所受到的(de)封裝(zhuang)應(ying)力。

附圖說明

通過(guo)參考以下結(jie)合附圖的(de)(de)(de)說明及(ji)(ji)權(quan)利(li)要求(qiu)書(shu)的(de)(de)(de)內容，并且隨著對本實(shi)用(yong)新(xin)型(xing)的(de)(de)(de)更(geng)全面理(li)解(jie)，本實(shi)用(yong)新(xin)型(xing)的(de)(de)(de)其它(ta)目(mu)的(de)(de)(de)及(ji)(ji)結(jie)果將更(geng)加明白(bai)及(ji)(ji)易(yi)于理(li)解(jie)。

在附圖中：

圖(tu)1為根據本實(shi)用新型實(shi)施例的MEMS傳感器(qi)的PCB俯視圖(tu)；

圖2為根據本實(shi)用新型實(shi)施例的MEMS傳感器(qi)剖視圖。

其中(zhong)的附圖標記包括：1、PCB，2、空腔，31、MEMS芯片(pian)，32、ASIC芯片(pian)，4、外殼(ke)，5、粘片(pian)膠，6、凹槽，7、焊盤，8、通孔。

在(zai)所有(you)附圖中相同(tong)的標號指示相似或(huo)相應的特征或(huo)功(gong)能。

具體實施方式

針(zhen)對前述提出的(de)現有(you)的(de)MEMS傳感器(qi)在裝配過程中MEMS芯(xin)片(pian)(pian)如何(he)減少(shao)受到(dao)的(de)封裝應力(li)(li)的(de)問(wen)題(ti)，為了降低MEMS芯(xin)片(pian)(pian)受到(dao)的(de)封裝應力(li)(li)，本(ben)實用新(xin)型提供(gong)了一種(zhong)新(xin)的(de)MEMS傳感器(qi)。

以下將結合附圖(tu)對(dui)本實(shi)用新型的具體實(shi)施例(li)進行詳細描述。

為了說明(ming)本實用(yong)新(xin)型(xing)(xing)提供的(de)(de)MEMS傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)的(de)(de)結(jie)構，圖(tu)(tu)1至圖(tu)(tu)2分(fen)別從不同(tong)角度對MEMS傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)的(de)(de)結(jie)構進行(xing)了示例(li)性(xing)標示。具體地，圖(tu)(tu)1為根據本實用(yong)新(xin)型(xing)(xing)實施例(li)的(de)(de)MEMS傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)的(de)(de)PCB俯視圖(tu)(tu)；圖(tu)(tu)2為根據本實用(yong)新(xin)型(xing)(xing)實施例(li)的(de)(de)MEMS傳(chuan)(chuan)感(gan)(gan)器(qi)剖視圖(tu)(tu)。

如圖1和(he)圖2共同所示(shi)，本(ben)實(shi)用(yong)新(xin)型提供的MEMS傳(chuan)感器，包括外殼4和(he)PCB1組成的封裝結構，在(zai)封裝結構內部PCB1上設置有MEMS芯片31和(he)ASIC芯片32。

在PCB1內部與MEMS芯片(pian)(pian)(pian)31和ASIC芯片(pian)(pian)(pian)32相對應的(de)位(wei)置(zhi)設(she)置(zhi)有空(kong)腔2，并且在PCB1上設(she)置(zhi)有MEMS芯片(pian)(pian)(pian)31和ASIC芯片(pian)(pian)(pian)32的(de)一面設(she)置(zhi)有凹槽(cao)6，其中，凹槽(cao)6與空(kong)腔2的(de)邊緣(yuan)相對應，并且與空(kong)腔2相連(lian)通。

在(zai)圖1所(suo)示的(de)(de)實施例中，凹(ao)(ao)(ao)槽的(de)(de)形狀為L型，并且(qie)，凹(ao)(ao)(ao)槽的(de)(de)數量為4個，4個凹(ao)(ao)(ao)槽6均與(yu)空前2連(lian)通(tong)，并且(qie)，凹(ao)(ao)(ao)槽6設置(zhi)在(zai)PCB上設置(zhi)有芯(xin)(xin)片的(de)(de)一面，凹(ao)(ao)(ao)槽6與(yu)PCB1內部的(de)(de)空腔2的(de)(de)邊緣相對(dui)應，即：空腔2與(yu)MEMS芯(xin)(xin)片31和ASIC芯(xin)(xin)片32相對(dui)應，MEMS芯(xin)(xin)片31和ASIC芯(xin)(xin)片32設置(zhi)在(zai)4個凹(ao)(ao)(ao)槽6圍(wei)成的(de)(de)范圍(wei)內。應當知曉，在(zai)實際(ji)應用中，凹(ao)(ao)(ao)槽也可(ke)以為其(qi)他形狀，均不影響本實用新型優點體現(xian)。

也(ye)就是說，當MEMS傳(chuan)感器在(zai)裝配(pei)過(guo)程中，MEMS芯(xin)片(pian)31和(he)ASIC芯(xin)片(pian)32裝配(pei)在(zai)L型(xing)凹(ao)(ao)槽(cao)6圍(wei)成的(de)(de)范(fan)圍(wei)內時，由于L型(xing)凹(ao)(ao)槽(cao)6圍(wei)成的(de)(de)區域的(de)(de)下方為空腔2，從而使(shi)得凹(ao)(ao)槽(cao)6圍(wei)成的(de)(de)區域具有彈性作用，可以起到彈簧(huang)的(de)(de)作用，在(zai)裝配(pei)過(guo)程中，能(neng)夠減少(shao)MEMS芯(xin)片(pian)31和(he)ASIC芯(xin)片(pian)32受到的(de)(de)封裝應力，保證(zheng)MEMS傳(chuan)感器的(de)(de)性能(neng)不會受到影響(xiang)。

其(qi)中，需要說明(ming)的(de)是，圖(tu)1所示的(de)實(shi)(shi)施例中的(de)凹槽(cao)6數(shu)量為4個，在應(ying)用中，根據產(chan)(chan)品的(de)實(shi)(shi)際需求，設(she)置不同的(de)數(shu)量的(de)凹槽(cao)6，可(ke)以為1個，2個，3個或者4個，只要在能保(bao)證(zheng)在MEMS傳感器在裝配過程(cheng)中，MEMS芯片(pian)31和(he)ASIC芯片(pian)32受(shou)到的(de)封裝應(ying)力(li)最(zui)小即可(ke)，以保(bao)證(zheng)產(chan)(chan)品的(de)性能。

在MEMS傳(chuan)感器裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)配前，根據(ju)MEMS芯(xin)片31和ASIC芯(xin)片32受到的封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)應(ying)(ying)力(li)的仿(fang)真試(shi)(shi)驗確定在實際(ji)應(ying)(ying)用中(zhong)采用幾個數(shu)量的凹(ao)槽(cao)6。如果在PCB內(nei)部(bu)不設置(zhi)空腔(qiang)，從封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)應(ying)(ying)力(li)的仿(fang)真試(shi)(shi)驗中(zhong)可以明顯看(kan)(kan)出，MEMS芯(xin)片31和ASIC芯(xin)片32受到的封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)應(ying)(ying)力(li)在25-30之間；如果在在PCB內(nei)部(bu)設置(zhi)空腔(qiang)，并且設置(zhi)與空腔(qiang)相連通的凹(ao)槽(cao)，從封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)應(ying)(ying)力(li)的仿(fang)真試(shi)(shi)驗中(zhong)可以明顯看(kan)(kan)出，MEMS芯(xin)片31和ASIC芯(xin)片32受到的封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)應(ying)(ying)力(li)在10-20之間。因(yin)此，在實際(ji)應(ying)(ying)用中(zhong)，可以通過封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)應(ying)(ying)力(li)的仿(fang)真試(shi)(shi)驗確定采用幾個凹(ao)槽(cao)結合空腔(qiang)對MEMS傳(chuan)感器進行封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)。

在圖2所示(shi)的(de)實施例中，在外(wai)殼4與PCB1組成(cheng)的(de)封裝結(jie)構，MEMS芯片31和ASIC芯片32設置在封裝結(jie)構內(nei)部(bu)的(de)PCB1上，其中，MEMS芯片31通過粘片膠5與ASIC芯片32相(xiang)固定，ASIC芯片32通過粘片膠5與PCB1相(xiang)固定。

另外(wai)，在(zai)本實用新(xin)型的實施例中，在(zai)外(wai)殼4上(shang)設置有(you)通(tong)孔8，通(tong)孔8用于MEMS傳感器(qi)與外(wai)界相(xiang)連通(tong)。

此外，在本實用新型的一個具體的實施例中(zhong)，在PCB1上還(huan)設置有(you)焊盤7，其中(zhong)，焊盤7用于(yu)與其他(ta)零(ling)件焊接。

通過上述實施方式可以看出，本實用新型提供的MEMS傳感(gan)器(qi)(qi)，通過在PCB內部與MEMS芯(xin)片相對(dui)應的位置(zhi)設置(zhi)空腔，并且在PCB上設置(zhi)凹槽，凹槽與空腔相連通，這種設計結(jie)構可以減少MEMS傳感(gan)器(qi)(qi)在裝配過程(cheng)中芯(xin)片所受到(dao)的封裝應力。

如(ru)上(shang)(shang)參照附(fu)圖以示例的(de)(de)方式描(miao)述(shu)了根據本(ben)實(shi)用(yong)新型提(ti)出(chu)的(de)(de)MEMS傳(chuan)感器。但是，本(ben)領域技術(shu)人員(yuan)應當理解，對(dui)于上(shang)(shang)述(shu)本(ben)實(shi)用(yong)新型所提(ti)出(chu)的(de)(de)MEMS傳(chuan)感器，還可以在不脫離本(ben)實(shi)用(yong)新型內(nei)容的(de)(de)基礎上(shang)(shang)做(zuo)出(chu)各種(zhong)改進。因此(ci)，本(ben)實(shi)用(yong)新型的(de)(de)保護范(fan)圍應當由所附(fu)的(de)(de)權利(li)要求(qiu)書的(de)(de)內(nei)容確(que)定。