本發明涉(she)(she)及光(guang)通信集成器件(jian)和光(guang)傳感器件(jian)領(ling)域(yu)，具體涉(she)(she)及一(yi)種集成鍺電(dian)阻(zu)溫度傳感器的硅(gui)基光(guang)子芯片。

背景技術：

硅基光子(zi)芯(xin)片具備與標準(zhun)半(ban)導體工藝兼容(rong)、成本低(di)以及集成度(du)高等優點，逐漸被業界廣泛采(cai)用。但是，硅材料的折射率隨溫度(du)變化(hua)敏感，當溫度(du)變化(hua)時，硅基光子(zi)芯(xin)片的性能也(ye)會(hui)受到影響，因此(ci)，需(xu)要在硅基光子(zi)芯(xin)片中(zhong)集成溫度(du)傳感器(qi)，實時監(jian)控(kong)溫度(du)的變化(hua)。

現有的硅(gui)基光子(zi)芯片通常制作在SOI(Silicon On Insulator，絕緣襯底上的硅(gui))晶(jing)圓上，導致(zhi)傳統的溫度傳感(gan)器與(yu)硅(gui)基光子(zi)芯片的制作工藝不兼容。

技術實現要素：

本發(fa)明所要解決的技術(shu)問(wen)題是解決傳統的溫度傳感器與(yu)硅基光子(zi)芯片的制作工藝不兼容的問(wen)題。

為了解決上(shang)述(shu)技(ji)術問題，本發明所(suo)采用的(de)(de)技(ji)術方案是提(ti)供一種集成(cheng)鍺電阻(zu)溫(wen)度(du)(du)傳感(gan)器的(de)(de)硅基(ji)光子芯片(pian)，所(suo)述(shu)硅基(ji)光子芯片(pian)集成(cheng)的(de)(de)鍺電阻(zu)溫(wen)度(du)(du)傳感(gan)器制作在SOI晶圓上(shang)，所(suo)述(shu)鍺電阻(zu)溫(wen)度(du)(du)傳感(gan)器設置在靠近待(dai)測(ce)硅基(ji)光波導的(de)(de)一側，所(suo)述(shu)鍺電阻(zu)溫(wen)度(du)(du)傳感(gan)器的(de)(de)電阻(zu)隨著檢測(ce)到的(de)(de)所(suo)述(shu)待(dai)測(ce)硅基(ji)光波導的(de)(de)溫(wen)度(du)(du)變(bian)化而變(bian)化。

在上(shang)述(shu)技(ji)術方案中(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)鍺電(dian)阻溫度(du)傳(chuan)感(gan)器的(de)(de)底層(ceng)(ceng)(ceng)為硅(gui)(gui)襯底，所(suo)(suo)述(shu)硅(gui)(gui)襯底上(shang)為二氧化硅(gui)(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)述(shu)二氧化硅(gui)(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)表面的(de)(de)中(zhong)部設(she)有重摻(chan)雜硅(gui)(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)(suo)述(shu)重摻(chan)雜硅(gui)(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)表面的(de)(de)中(zhong)部設(she)有梯(ti)形結構的(de)(de)鍺層(ceng)(ceng)(ceng)；

所(suo)述重(zhong)摻(chan)雜(za)硅(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)上(shang)表面(mian)的(de)(de)(de)兩端設有(you)與兩個(ge)第(di)(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)(ji)接(jie)觸的(de)(de)(de)兩個(ge)第(di)(di)(di)一(yi)通(tong)孔(kong)，所(suo)述鍺(zang)(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)上(shang)底(di)的(de)(de)(de)外表面(mian)設有(you)與第(di)(di)(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)(ji)接(jie)觸的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)通(tong)孔(kong)，所(suo)述二(er)氧化(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)、重(zhong)摻(chan)雜(za)硅(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)、鍺(zang)(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)、第(di)(di)(di)一(yi)通(tong)孔(kong)、第(di)(di)(di)二(er)通(tong)孔(kong)以(yi)及第(di)(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)(ji)和第(di)(di)(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)(ji)之間形成的(de)(de)(de)空(kong)間填充(chong)有(you)覆蓋(gai)二(er)氧化(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)述第(di)(di)(di)一(yi)電(dian)(dian)極(ji)(ji)與第(di)(di)(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu)為所(suo)述鍺(zang)(zang)電(dian)(dian)阻(zu)溫度(du)傳感(gan)器的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu)。

在上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)技術方案中，所述(shu)(shu)(shu)鍺(zang)(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)兩個側面設(she)有(you)覆(fu)蓋(gai)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)，所述(shu)(shu)(shu)鍺(zang)(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)上(shang)(shang)底(di)的(de)外表面設(she)有(you)重摻雜(za)的(de)覆(fu)蓋(gai)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)，所述(shu)(shu)(shu)第一(yi)電(dian)極經所述(shu)(shu)(shu)第一(yi)通孔與所述(shu)(shu)(shu)重摻雜(za)硅(gui)(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)鍺(zang)(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)接觸(chu)，所述(shu)(shu)(shu)第二(er)電(dian)極經所述(shu)(shu)(shu)第二(er)通孔與所述(shu)(shu)(shu)重摻雜(za)的(de)覆(fu)蓋(gai)多(duo)晶(jing)硅(gui)(gui)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)鍺(zang)(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)接觸(chu)。

在上述(shu)技術(shu)方(fang)案中，所(suo)述(shu)鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)上底的(de)內(nei)表面設有重(zhong)摻雜鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)，所(suo)述(shu)第一(yi)電極經所(suo)述(shu)第一(yi)通孔與所(suo)述(shu)重(zhong)摻雜硅層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)接觸(chu)(chu)，所(suo)述(shu)第二(er)電極經所(suo)述(shu)第二(er)通孔與所(suo)述(shu)重(zhong)摻雜鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)接觸(chu)(chu)。

在(zai)上(shang)述(shu)(shu)技術(shu)方案中，所(suo)述(shu)(shu)鍺電阻溫度傳感器(qi)的(de)(de)底層(ceng)(ceng)為硅(gui)襯底，所(suo)述(shu)(shu)硅(gui)襯底上(shang)為二(er)氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)，所(suo)述(shu)(shu)二(er)氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)表面的(de)(de)中部設(she)有鍺層(ceng)(ceng)和設(she)置在(zai)所(suo)述(shu)(shu)鍺層(ceng)(ceng)兩側的(de)(de)重(zhong)(zhong)摻雜(za)硅(gui)層(ceng)(ceng)，一(yi)(yi)側的(de)(de)所(suo)述(shu)(shu)重(zhong)(zhong)摻雜(za)硅(gui)層(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)表面設(she)有與第(di)(di)(di)一(yi)(yi)電極(ji)(ji)接(jie)觸的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)通孔(kong)，另一(yi)(yi)側的(de)(de)所(suo)述(shu)(shu)重(zhong)(zhong)摻雜(za)硅(gui)層(ceng)(ceng)的(de)(de)上(shang)表面設(she)有與第(di)(di)(di)二(er)電極(ji)(ji)接(jie)觸的(de)(de)第(di)(di)(di)二(er)通孔(kong)，所(suo)述(shu)(shu)二(er)氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)、重(zhong)(zhong)摻雜(za)硅(gui)層(ceng)(ceng)、鍺層(ceng)(ceng)、第(di)(di)(di)一(yi)(yi)通孔(kong)、第(di)(di)(di)二(er)通孔(kong)以及第(di)(di)(di)一(yi)(yi)電極(ji)(ji)和第(di)(di)(di)二(er)電極(ji)(ji)之間形成的(de)(de)空間填充(chong)有覆蓋二(er)氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)；

所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)電極(ji)(ji)經所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)通孔(kong)與一(yi)側的(de)所(suo)述(shu)(shu)重摻(chan)雜(za)硅(gui)(gui)層和鍺(zang)(zang)層接觸(chu)，所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)電極(ji)(ji)經所(suo)述(shu)(shu)第(di)二(er)通孔(kong)與另一(yi)側的(de)所(suo)述(shu)(shu)重摻(chan)雜(za)硅(gui)(gui)層和鍺(zang)(zang)層接觸(chu)，所(suo)述(shu)(shu)第(di)一(yi)電極(ji)(ji)與第(di)二(er)電極(ji)(ji)之間的(de)電阻為所(suo)述(shu)(shu)鍺(zang)(zang)電阻溫度傳(chuan)感器(qi)的(de)電阻。

在上述(shu)(shu)技術(shu)方案中，所(suo)述(shu)(shu)鍺電(dian)阻溫(wen)度傳感(gan)器的(de)電(dian)阻表(biao)示(shi)為：

R(T)＝R₀exp(T₀/T)；

其中，R₀表示溫度為T₀時，所述鍺電阻溫度傳感器的電阻，T₀為25℃；R(T)表示(shi)溫度為T時，所述(shu)鍺電阻溫度傳(chuan)感器的電阻。

在上述技術(shu)方案(an)中，所述鍺層的厚度大于300nm，小于1μm。

在(zai)上述(shu)技(ji)術方(fang)案(an)中，加載在(zai)所述(shu)第(di)一電(dian)極(ji)與第(di)二電(dian)極(ji)之間的電(dian)壓大于1V，小于5V。

在上述(shu)技術方案中(zhong)，所述(shu)重摻(chan)(chan)(chan)雜硅層(ceng)、重摻(chan)(chan)(chan)雜的覆蓋多晶(jing)硅層(ceng)和重摻(chan)(chan)(chan)雜鍺層(ceng)為P型(xing)摻(chan)(chan)(chan)雜或(huo)N型(xing)摻(chan)(chan)(chan)雜。

在上述技術方案中，所述重摻雜硅層、重摻雜的覆蓋多晶硅層和重摻雜鍺層的摻雜濃度大于10¹⁸。

本發明(ming)利用鍺材料，在硅基(ji)光(guang)子芯(xin)片(pian)中集成(cheng)鍺電阻(zu)(zu)溫度(du)傳感(gan)器，該鍺電阻(zu)(zu)溫度(du)傳感(gan)器能夠通過(guo)硅基(ji)光(guang)子芯(xin)片(pian)常規(gui)工(gong)藝實(shi)現，與(yu)硅基(ji)光(guang)子芯(xin)片(pian)的制作工(gong)藝兼容，能夠大(da)規(gui)模生產，大(da)大(da)降低了成(cheng)本。

附圖說明

圖(tu)1為本發明提供(gong)的一種集成鍺(zang)電阻(zu)溫度傳感器的硅(gui)基(ji)光(guang)子芯片結(jie)構示意圖(tu)；

圖2為本發(fa)明中(zhong)實施例1的鍺(zang)電(dian)阻(zu)溫度(du)傳(chuan)感的結構示意圖；

圖(tu)3為本發明(ming)中(zhong)實(shi)施例2的鍺(zang)電阻溫度(du)傳感(gan)的結(jie)構示意圖(tu)；

圖4為本(ben)發明(ming)中實施(shi)例3的(de)鍺電阻(zu)溫(wen)度傳感的(de)結構示意圖。

具體實施方式

下面結合(he)說明(ming)書(shu)附圖和具(ju)體(ti)實施方式(shi)對本發(fa)明(ming)做(zuo)出詳細的說明(ming)。

本發明提供了一種集(ji)成鍺電阻(zu)溫(wen)度(du)傳感(gan)器的(de)硅基光子芯片，如圖1所示(shi)，硅基光子芯片集(ji)成的(de)鍺電阻(zu)溫(wen)度(du)傳感(gan)器14制作在SOI晶圓上，鍺電阻(zu)溫(wen)度(du)傳感(gan)器14設置在靠(kao)近待(dai)測硅基光波(bo)導13的(de)一側，鍺電阻(zu)溫(wen)度(du)傳感(gan)器14的(de)電阻(zu)隨著檢測到的(de)待(dai)測硅基光波(bo)導13的(de)溫(wen)度(du)變化而變化。

實施例1。

如(ru)圖2所示，鍺電阻溫度傳(chuan)感器(qi)14的(de)(de)底(di)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)為硅襯(chen)底(di)1，硅襯(chen)底(di)1上(shang)為二氧化(hua)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)2，二氧化(hua)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)2的(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)中(zhong)(zhong)部(bu)設有重(zhong)摻(chan)雜(za)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3，重(zhong)摻(chan)雜(za)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3的(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)中(zhong)(zhong)部(bu)設有梯形(xing)(xing)結構(gou)的(de)(de)鍺層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)4，鍺層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)4的(de)(de)兩個(ge)側面(mian)(mian)(mian)設有覆(fu)(fu)蓋(gai)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)7，鍺層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)4的(de)(de)上(shang)底(di)的(de)(de)外表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)設有重(zhong)摻(chan)雜(za)的(de)(de)覆(fu)(fu)蓋(gai)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)6，重(zhong)摻(chan)雜(za)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3的(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)兩端(duan)設有與兩個(ge)第(di)(di)一(yi)電極(ji)10接觸的(de)(de)兩個(ge)第(di)(di)一(yi)通(tong)孔(kong)(kong)5，重(zhong)摻(chan)雜(za)的(de)(de)覆(fu)(fu)蓋(gai)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)6的(de)(de)上(shang)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)中(zhong)(zhong)部(bu)設有與第(di)(di)二電極(ji)11接觸的(de)(de)第(di)(di)二通(tong)孔(kong)(kong)8，二氧化(hua)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)2、重(zhong)摻(chan)雜(za)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3、第(di)(di)一(yi)通(tong)孔(kong)(kong)5、重(zhong)摻(chan)雜(za)的(de)(de)覆(fu)(fu)蓋(gai)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)6、覆(fu)(fu)蓋(gai)多晶(jing)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)7、第(di)(di)二通(tong)孔(kong)(kong)8以及第(di)(di)一(yi)電極(ji)10和第(di)(di)二電極(ji)11之間(jian)形(xing)(xing)成的(de)(de)空間(jian)填充有覆(fu)(fu)蓋(gai)二氧化(hua)硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)9。

第(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)10經(jing)(jing)由第(di)(di)(di)一(yi)(yi)通孔5與重(zhong)摻雜(za)硅層3和(he)鍺層4接(jie)觸，第(di)(di)(di)二電(dian)(dian)(dian)極(ji)11經(jing)(jing)由第(di)(di)(di)二通孔8與重(zhong)摻雜(za)的覆蓋多晶硅層6和(he)鍺層4接(jie)觸，第(di)(di)(di)一(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)極(ji)10與第(di)(di)(di)二電(dian)(dian)(dian)極(ji)11之間的電(dian)(dian)(dian)阻即為鍺電(dian)(dian)(dian)阻溫度傳感器14的電(dian)(dian)(dian)阻。

實施例2。

如圖(tu)3所示，鍺(zang)電(dian)阻溫(wen)度傳感器14的(de)(de)(de)底(di)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)為硅襯底(di)1，硅襯底(di)1上(shang)(shang)(shang)為二氧化硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)2，二氧化硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)2的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)中部(bu)設(she)(she)有重(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3，重(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)中部(bu)設(she)(she)有梯形結構(gou)的(de)(de)(de)鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)4，鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)4的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)底(di)的(de)(de)(de)內表(biao)(biao)面(mian)設(she)(she)有重(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)12，重(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)兩(liang)端設(she)(she)有與兩(liang)個(ge)第(di)(di)一電(dian)極(ji)10接觸的(de)(de)(de)兩(liang)個(ge)第(di)(di)一通孔5，重(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)12的(de)(de)(de)上(shang)(shang)(shang)表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)中部(bu)設(she)(she)有與第(di)(di)二電(dian)極(ji)11接觸的(de)(de)(de)第(di)(di)二通孔8，二氧化硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)2、重(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3、鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)4、第(di)(di)一通孔5、重(zhong)摻(chan)(chan)(chan)(chan)(chan)雜鍺(zang)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)12、第(di)(di)二通孔8以及第(di)(di)一電(dian)極(ji)10和(he)第(di)(di)二電(dian)極(ji)11之間(jian)形成的(de)(de)(de)空間(jian)填充有覆蓋(gai)二氧化硅層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)9。

第(di)(di)(di)一電(dian)(dian)極(ji)10經(jing)由(you)第(di)(di)(di)一通孔5與重(zhong)摻(chan)雜硅層(ceng)3和鍺(zang)(zang)層(ceng)4接(jie)觸(chu)，第(di)(di)(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)11經(jing)由(you)第(di)(di)(di)二(er)通孔8與重(zhong)摻(chan)雜鍺(zang)(zang)層(ceng)12和鍺(zang)(zang)層(ceng)4接(jie)觸(chu)，第(di)(di)(di)一電(dian)(dian)極(ji)10與第(di)(di)(di)二(er)電(dian)(dian)極(ji)11之間的電(dian)(dian)阻(zu)即為(wei)鍺(zang)(zang)電(dian)(dian)阻(zu)溫度傳感器(qi)14的電(dian)(dian)阻(zu)。

實施例3。

如圖(tu)4所示，鍺(zang)電阻溫度傳感(gan)器(qi)14的(de)底(di)層(ceng)為硅(gui)(gui)襯底(di)1，硅(gui)(gui)襯底(di)1上(shang)為二氧化(hua)硅(gui)(gui)層(ceng)2，二氧化(hua)硅(gui)(gui)層(ceng)2的(de)上(shang)表(biao)(biao)面的(de)中部設(she)(she)有(you)鍺(zang)層(ceng)4和(he)(he)設(she)(she)置在鍺(zang)層(ceng)4兩側的(de)重摻(chan)雜(za)硅(gui)(gui)層(ceng)3，一(yi)(yi)(yi)(yi)側的(de)重摻(chan)雜(za)硅(gui)(gui)層(ceng)3的(de)上(shang)表(biao)(biao)面設(she)(she)有(you)與第一(yi)(yi)(yi)(yi)電極10接觸(chu)的(de)第一(yi)(yi)(yi)(yi)通孔5，另(ling)一(yi)(yi)(yi)(yi)側的(de)重摻(chan)雜(za)硅(gui)(gui)層(ceng)3的(de)上(shang)表(biao)(biao)面設(she)(she)有(you)與第二電極11接觸(chu)的(de)第二通孔8，二氧化(hua)硅(gui)(gui)層(ceng)2、重摻(chan)雜(za)硅(gui)(gui)層(ceng)3、鍺(zang)層(ceng)4、第一(yi)(yi)(yi)(yi)通孔5、第二通孔8以(yi)及第一(yi)(yi)(yi)(yi)電極10和(he)(he)第二電極11之間形(xing)成(cheng)的(de)空(kong)間填充有(you)覆蓋二氧化(hua)硅(gui)(gui)層(ceng)9。

第(di)一(yi)電極10經由(you)第(di)一(yi)通孔(kong)5與(yu)(yu)一(yi)側的重摻(chan)雜(za)硅層(ceng)3和鍺(zang)層(ceng)4的接(jie)觸，第(di)二電極11經由(you)第(di)二通孔(kong)8與(yu)(yu)另(ling)一(yi)側的重摻(chan)雜(za)硅層(ceng)3和鍺(zang)層(ceng)4的接(jie)觸，第(di)一(yi)電極10與(yu)(yu)第(di)二電極11之間(jian)的電阻(zu)即為鍺(zang)電阻(zu)溫度(du)傳感器14的電阻(zu)。

在本發明中(zhong)，鍺電(dian)阻溫(wen)度傳感器14的電(dian)阻表示為：

R(T)＝R₀exp(T₀/T)；

其中，R₀表示溫度為T₀(通常(chang)為25℃)時，鍺電阻(zu)(zu)溫度(du)(du)傳(chuan)感(gan)器14的(de)電阻(zu)(zu)；R(T)表(biao)示溫度(du)(du)為T時，鍺電阻(zu)(zu)溫度(du)(du)傳(chuan)感(gan)器14的(de)電阻(zu)(zu)。

在本發明中，鍺層4的厚度大于300nm，小于1μm；重摻雜硅層3、重摻雜的覆蓋多晶硅層6和重摻雜鍺層12為P型摻雜或N型摻雜，且摻雜濃度大于10¹⁸；為避免鍺層(ceng)4的電(dian)(dian)流過大，加載在第(di)一(yi)電(dian)(dian)極10與(yu)第(di)二(er)電(dian)(dian)極11之(zhi)間的電(dian)(dian)壓大于(yu)1V，小于(yu)5V。

本發明(ming)(ming)不局限于上述最佳(jia)實(shi)施方(fang)式，任何人在本發明(ming)(ming)的(de)啟示下作出的(de)結(jie)構變化，凡是與本發明(ming)(ming)具有(you)相同或(huo)相近(jin)的(de)技(ji)術(shu)方(fang)案，均落入本發明(ming)(ming)的(de)保(bao)護范圍之內。