專利名稱：一種納米固體反應器的制備方法
技術領域：
本發明涉及一種納米量級固體微通道反應器的制備方法。
背景技術：
納米量級微反應器通常是指納米材料或具有納米結構的物質(高分子模板、多孔硅模板、 納米碳管等)，它們提供了一種納米尺度的空間，使反應受限于該納米空間范圍內，通過控 制納米反應器的尺寸、材質及其他因素而獲得具有特殊結構和性能的產物，該產物具有納米 材料的四大效應，從而用于納米材料(如納米顆粒陣列、納米芯片)的制備。
制備微通道可以應用的技術包括徑跡刻蝕、電子束刻蝕和電化學刻蝕、微細機械加工 等方法。
徑跡刻蝕是通過a粒子轟擊有機高分子膜或單晶云母片留下痕跡，然后利用受到轟擊的 地方腐蝕速度不一樣形成多孔反應器結構。這種微通道反應器只有當孔密度不大時，孔與孔 間交疊程度才不大，從而獲得孔徑差不多一致。但是該方法所得的孔分布隨機，幾乎無序， 而且制備工藝復雜。
電子束刻蝕的方法是利用電子束聚焦到很小面積上，利用其高能量在被刻蝕物體表面刻 出所需花紋。在理論研究方面這種方法有著其它方法無法比擬的優勢，但是其制備過程耗費 成本高。當刻蝕大面積有序陣列時，其耗時也是可觀的，因而在工業化生產上也很難對它有 所期望。
電化學刻蝕是采用電化學的方法，在被刻蝕物體表面進行化學反應制備出具有特異通道 的過程。與上述兩種方法相比，電化學刻蝕法制備條件簡單、產品成本低，所得通道大小一 致、排列有序，分布均勻且彼此平行，不會因為孔的傾斜而發生孔與孔交錯現象。因而是制 備形狀高度有序的納米材料的理想微反應器，如用于制備納米帶、納米線、納米絲、納米棒、 納米點等一維納米材料，在開發新型電子材料方面具有廣闊的應用前景。

發明內容
本發明的目的在于提供一種納米固體反應器的制備方法，該方法可以方便制備具有高通 道密度、高度有序分布、孔徑可在納米尺度范圍可控的納米固體反應器。
為了實現上述目的，本發明的技術方案是 一種納米固體反應器的制備方法，采用電化 學刻蝕方法，通過對電壓、電解液種類及濃度等工藝條件的控制制備納米固體反應器。它包 括如下步驟
1)基材的預處理
(a) 將基材放入有機溶劑中進行超聲波清洗6 10min，然后在蒸餾水中漂洗，烘干后備 用-,基材為鋁箔，厚度0.1 0.5mm;
(b) 將處理后的基材在45(TC 500。C下真空或惰性氣氛中退火3 7h，升溫速度 20°C/min;
(c)將退火后的基材采用化學拋光或/和電化學拋光，化學拋光液為混合酸溶液，電化學
拋光液為強氧化性酸與有機試劑的混合液，強氧化性酸與有機試劑的體積比為1: 3 1: 6; 將已拋光的基材用蒸餾水清洗干凈，烘干，得到表面平整光亮的基材(即預處理后的基材)； 2)電化學刻蝕
(a) 預處理后的基材在0. 2mol/L 0. 5 mol/L的電解液中進行第一次刻蝕，刻蝕時間 0. 5 5 h，刻蝕電壓為20 180V;
(b) 第一次刻蝕結束后，用HJP(X溶液與&&04溶液的混合溶液去除表面氧化膜，直至 氧化膜表面顏色完全消失；混合溶液中H;P0,的質量濃度為5 10%，混合溶液中&&0 的質 量濃度為1 2%;
(c) 在與第一次刻蝕相同條件下進行第二次刻蝕，得第二次刻蝕后的基材；
3) 通道的剝離第二次刻蝕后的基材采用電化學法或化學置換法進行反應器通道的剝離， 得反應器樣品；
4) 通道后處理
(a) 將剝離后的反應器樣品采用稀H:,P04的水溶液或乙二醇溶液進行室溫化學腐蝕，去除 尾部封閉端；
(b) 采用稀H.,P04的水溶液或乙二醇溶液進行室溫化學腐蝕30 60分鐘(具體時間以所 需孔徑而定)，進行通道尺寸的控制，得微通道反應器樣品；
(c) 將上述微通道反應器樣品在500 80(TC,大氣環境下退火l 3h，得納米固體反應器。
步驟l)的鋁箔為電子鋁箔、高純鋁箔(純度大于99.9%)、鋁箔(純度99.1%)中的一種， 厚度0.1 0.5mm，表面光滑，無劃傷、凹坑及翹皮缺陷等。
所述的步驟l)的(a)中的有機溶劑為丙酮、無水乙醇、二氯乙烷中的任意一種或任意 二種以上的混合，任意二種以上的混合時為任意配比。
所述的步驟l)的(c)中的混合酸液為H:,P04、 H2S04、 HN03中任意二種以上的混合，任意 二種以上的混合時為任意配比。
所述的步驟l)的(c)中的強氧化性酸為HC104、 HN03、濃貼04、跳、鉻酐酸中任意 一種，有機試劑為Et0H、 H0CH2CH20C孔中任意一種或兩種的混合，混合時為任意配比。
所述的歩驟2)的(a)中的電解液為H2C.A、 H艮H:iP04中的任意一種或任意二種以上 的混合，任意二種以上的混合時為任意配比。
電化學刻蝕的電極可用石墨、銅、鋁、鉛、金、鉑等材料。
所述的歩驟3)的電化學法為降電勢法與逆電剝離法，指采用每隔5 8min降低2 3V 氧化電壓至0V，后加反向電壓的方法；化學置換法指采用過飽和的金屬鹽溶液與基材發生 置換反應的方法，金屬鹽可以是HgCl2、 CuCb， SnCl2等。
本發明采用鋁基材，經過退火、清洗、拋光等進行去污、平整，然后再在酸性介質(如 草酸、硫酸、磷酸及其混合酸)中進行電化學刻蝕，從而在鋁基材中形成微通道，后經微通
道的尺寸調整、清洗、烘干、退火等處理過程制成納米固體微通道反應器。本法具有以下特 點
1、 采用電化學和化學過程相結合的方法，避免了微機械加工過程對通道的污染，同時 降低其他高能加工過程(離子束、電子束等)苛刻的條件，所用原料廉價，容易獲得；
2、 電化學和化學過程參數可控性好，容易得到通道分布均勻，通道分布密度高的納米 微反應器；通道高度有序分布、彼此平行排列且直徑可在納米尺度范圍可控；且通道密度在
0. 5X10'" 1.27X10"個 cm—2，通道直徑在27nm 150nm范圍內可調。
3、 只需要改變反應時間和溶液濃度，就可以實現反應通道長徑比的改變，參數容易獲
得；
4、 整個過程對設備無特殊要求，能耗低，易于實現；
5、 獲得微型反應器耐高溫、高絕緣、耐腐蝕，可用于納米材料的合成。


圖1是采用FESEM(Quanta 200)對實施例1制得的反應器上表面形貌觀察結果圖。 圖2是采用FESEM(Quanta 200)對實施例1制得的反應器下表面形貌觀察結果圖。 圖3是采用FESEM (Quanta 200)對實施例1制得的反應器斷面形貌觀察結果圖。 圖4是采用SEM(JSM-5500)對實施例2制得的反應器表面形貌觀察結果圖。 圖5是采用SEM(JSM-5500)對實施例3制得的反應器斷面形貌觀察結果圖。
具體實施例方式
為了更好地理解本發明，下面結合實施例進一步闡明本發明的內容，但本發明的內容不 僅僅局限于下面的實施例。 實施例1
一種納米固體反應器的制備方法，它包括如下步驟
1. 基材預處理，其過程如下
(a) 選取基材為純度99.99%的鋁箔，整平后放入丙酮中超聲波清洗3min，再用無水乙醇 超聲波清洗3min，然后在蒸餾水中漂洗，烘干后備用。
(b) 將上述基材在50CrC下真空退火3h，升溫速度20。C/min。
(c) 將退火后的基材浸泡在5wt。/。(質量濃度)的NaOH溶液中于清洗至表面顏色均勻后， 立即取出用稀硝酸中和，再用蒸餾水洗滌，后采用體積比l: 4的104和EtOH的混合液進 行電化學拋光，拋光電壓為20V，時間10min，溫度0 15。C。最后，將已拋光的鋁片用蒸餾 水清洗干凈，烘干，得到表面非常平整光亮的基材。
2. 電化學刻蝕
(a) 預處理后的基材在0. 3mol/L的&〔204溶液中進行第一刻蝕，條件電壓40V，溫度 26°C,時間30min,銅板做對電極。
(b) 將歩驟(a)得到的產物浸入溫度為60。C的6wt。/。(混合溶液中質量濃度)H3P04與
1. 8wt。/。(混合溶液中質量濃度)的H2Cr(V混合溶液中去除刻蝕層。
(c) 將步驟(b)得到的基材在與步驟(a)相同條件下進行第二次刻蝕，刻蝕時間增 加至2h。
3. 通道的剝離(采用化學置換法)將第二次刻蝕后的產物水平放入飽和SnCl2溶液中
充分反應直至刻蝕層從基材剝離，得到通道一端封閉的微反應器。
4. 通道后處理
(a) 通道貫穿用環氧膠封住歩驟3得到的微反應器的開口端，置于5wt。/。的H:,P(V溶液 40min，取出后水洗至中性，后用丙酮除膠，再用蒸餾水洗凈；
(b) 通道尺寸調整采用5wty。的H3P04溶液進行室溫化學腐蝕，時間20min;
(c) 退火在50(TC，空氣環境下退火3h，得納米固體反應器(或稱納米固體微通道 反應器)產品。
實施例2
一種納米固體反應器的制備方法，它包括如下步驟
1. 基材預處理，其過程如下
(a) 選取基材為純度99.99%的鋁箔，整平后放入體積比l: 2: 1的丙酮、二氯乙烷、乙 醇的溶劑中進行超聲波清洗10min，然后在蒸餾水中漂洗，烘干后備用。
(b) 將上述基材在45(TC下真空退火7h,升溫速度2(TC/min。
(c) 將步驟(b)得到基材先采用稀NaOH溶液在5(TC下浸泡30s，然后在體積比為74: 23: 3的HJ^、 H2S04、 HN(V混合液中進行化學拋光(溶液溫度85。C)，至表面顏色均勻后， 立即取出用蒸餾水洗滌。
2. 電化學刻蝕
(a) 將步驟l得到的基材在0.3mol/L的H2CA溶液中進行第一次刻蝕，條件刻蝕電 壓45V，溫度26。C，時間30min，鉛板做對電極。
(b) 將步驟(a)得到的產物浸入6wty。(混合溶液中質量濃度)H:iP04與1.8wt。/。(混合溶液 中質量濃度)H2Cr(V混合溶液(溶液溫度6(TC)中去除刻蝕層。
(c) 將步驟(b)得到的產物在與步驟(a)相同條件下進行第二次刻蝕，時間延長至2h。
3. 通道的剝離將第二次刻蝕后的產物放入飽和HgCl2溶液中充分反應直至刻蝕層從基 材剝離，得到通道一端封閉的微反應器。
4. 通道后處理
(a) 通道貫穿用環氧膠封住步驟3得到的微反應器的開口端，置于4wt。/。的H3P04溶液 40min，取出后水洗至中性，后用丙酮除膠，再用蒸餾水洗凈；
(b) 通道尺寸調整采用4wt% (質量濃度)的H3P04溶液進行室溫化學腐蝕，時間20min;
(c) 退火在60(TC，空氣環境下退火lh，得納米固體反應器(或稱納米固體微通道 反應器)產品。
實施例3
一種納米固體反應器的制備方法，它包括如下步驟 1.基材預處理，其過程如下
(a) 選取基材為純度99。/。的鋁箔，整平后放入丙酮中超聲波清洗3min，再用無水乙醇超 聲波清洗3min，然后在蒸餾水中漂洗，烘干后備用。
(b) 將步驟(a)得到的基材在N2氣氛下500'C真空退火7h，升溫速度2(TC/min。
(c) 將步驟(b)得到的基材采用HC104(混合液中體積濃度15%)、 EtOH (混合液中體積 濃度70%)、 H0CH2CH"CA(混合液中體積濃度15%)的混合液在0 15。C進行電化學拋光，拋光 電壓從0V逐漸調至40V，拋光時間10min。最后用蒸餾水洗凈，烘干。
2. 電化學刻蝕
(a) 將步驟1得到的基材在0. 4mol/L的H2CA溶液中進行第一次刻蝕，條件電壓35V， 溫度26。C ，時間30rain，鋁板做對電極。
(b) 將(a)得到的產物浸入6wt。/。(混合液中體積濃度)H:，PO,與1.8wt。/。(混合液中體積 濃度15%)的H2Cr(V混合溶液中于6CTC下腐蝕，去除刻蝕層。
(c) 將(b)得到的產物在與(a)相同條件下進行第二次刻蝕，時間延長至4h。
3. 通道的剝離將第二次刻蝕后的產物放入質量濃度為20%HC1和0. lmol/LCuCl2的混 合溶液中充分反應，通道一端封閉的微反應器。
4.通道后處理
(a) 通道貫穿用環氧膠封住步驟3得到的微反應器的開口端，置于5wt。/。的H3P0.,溶液 40min，取出后水洗至中性，后用丙酮除膠，再用蒸餾水洗凈；
(b) 通道尺寸調整采用5wt。/。的H3P0^溶液進行室溫化學腐蝕，時間20min;
(c) 退火在60(TC，空氣環境下退火lh，得納米固體反應器(或稱納米固體微通道 反應器)產品。
實施例4:
一種納米固體反應器的制備方法，它包括如下步驟
1. 鋁箔預處理，其過程如下-
(a) 選取基材為純度99%的鋁箔，整平后放入丙酮中超聲波清洗3min，再用無水乙醇超 聲波清洗3min，然后在蒸餾水中漂洗，烘干后備用。
(b) 將步驟(a)得到的基材在真空氣氛下50(TC退火7h，升溫速度20°C/min。
(c) 將歩驟(b)得到的基材采用體積比為(60wt%H3PO4、 6wt。/。鉻酐、15wt%H2S04、 19wt%H20): EtOH=l: 3的混合液在75'C進行電化學拋光，拋光電壓為6V，時間4min。最后用蒸餾水洗 凈，烘干。
2. 電化學刻蝕
(a) 將步驟1得到的基材在0. 4mol/L的H《A溶液中以50V的電壓在26'C溫度下進行 第一次刻蝕30min，石墨板做對電極。
(b) 將歩驟(a)得到的產物浸入6wtn/。(混合液中體積濃度)H3P04與1.8w線(混合液中體 積濃度)的&004混合溶液中于6(TC下腐蝕，直至氧化膜表面淡黃色完全消失。
(c) 將(b)得到的產物在與(a)相同條件下進行第二次刻蝕，時間延長至4h。
3. 通道的剝離
采用降電勢與逆電剝離法去除殘留基材，具體過程如下
(a) 降電勢首先以2V的降壓幅度每隔一段時間進行降壓，電流達到穩定后進行下一次 降壓，至最低電壓達到O. IV。
(b) 逆電剝離步驟(a)結束后將電壓升高至10V,極性互換，當觀察到陰極表面無氣
泡冒出時，刻蝕層即從基材剝離，得通道一端封閉的微反應器。
4.通道后處理
(a) 通道貫穿用環氧膠封住步驟3得到的微反應器的開口端，置于5wt。/。的H:,P0J容液 40min，取出后水洗至中性，后用丙酮除膠，再用蒸餾水洗凈；
(b) 通道尺寸調整采用5wty。的H:,P04溶液進行室溫化學腐蝕，時間20min;
(c) 退火在50(TC，空氣環境下退火3h，得納米固體微通道反應器產品(或稱納米 固體微通道反應器)。
實施例5:
一種納米固體反應器的制備方法，它包括如下步驟
1. 基材的預處理
(a) 將基材放入有機溶劑中進行超聲波清洗6min，然后在蒸餾水中漂洗，烘干后備用； 基材為電子鋁箔，厚度0.1mm，表面光滑，無劃傷、凹坑及翹皮缺陷等；有機溶劑為無水乙 醇；
(b) 將處理后的基材在45(TC下真空中退火3h，升溫速度2CTC/min;
(c) 將退火后的基材采用化學拋光，拋光時間10min;化學拋光液為混合酸溶液，混合酸
液為H3P04、貼04、,,體積比為1: 1: 1;將已拋光的基材用蒸餾水清洗干凈，烘干，得 到表面平整光亮的基材；
2. 電化學刻蝕
(a) 預處理后的基材在0.3mol/L的電解液中進行第一次刻蝕，刻蝕時間0. 5 h，刻蝕 電壓為40V;電解液為H2CA;
(b) 第一次刻蝕結束后，用H3P0,溶液與H2CrU溶液的混合溶液去除表面氧化膜，直至 氧化膜表面顏色完全消失；混合溶液中H:,P04的質量濃度為5%，混合溶液中&004的質量濃 度為1%;
(c) 在與第一次刻蝕相同條件下進行第二次刻蝕；
3. 通道的剝離第二次刻蝕后的基材采用電化學法進行反應器通道的剝離，具體過程如
下
(a) 首先以2V的降壓幅度每隔一段時間進行降壓，電流達到穩定后進行下一次降壓，至 最低電壓達到O. IV。
(b) 步驟(a)結束后將電壓升高至IOV，極性互換，當觀察到陰極表面無氣泡冒出時， 刻蝕層即從基材剝離，得通道一端封閉的微反應器。
4. 通道后處理
(a)用環氧膠封住步驟3得到的微反應器的開口端，置于4wt。/。的H3P(li溶液40min，取
出后水洗至中性，后用丙酮除膠，再用蒸餾水洗凈；
(b) 采用稀H:,PO4的水溶液進行室溫化學腐蝕30分鐘，進行通道尺寸的控制，得微通道 反應器樣品；
(c) 將上述微通道反應器樣品在50(TC，大氣環境下退火2h，得納米固體反應器(或稱 納米固體微通道反應器)。
實施例6:
一種納米固體反應器的制備方法，它包括如下步驟
1. 基材的預處理
(a) 將基材放入有機溶劑中進行超聲波清洗10min，然后在蒸餾水中漂洗，烘干后備用； 基材為鋁箔(純度99.1%)，厚度0.5mm，表面光滑，無劃傷、凹坑及翹皮缺陷等；有機溶劑
為丙酮、無水乙醇和二氯乙烷，丙酮、無水乙醇、二氯乙垸的體積比為l: 1: 1;
(b) 將處理后的基材在50(TC下惰性氣氛中退火7h,升溫速度20°C/min;
(c)將退火后的基材采用電化學拋光，電壓20V，電化學拋光液為強氧化性酸與有機試 劑的混合液，強氧化性酸與有機試劑的體積比為1: 3，強氧化性酸為HCIO"有機試劑為EtOH; 將己拋光的基材用蒸餾水清洗干凈，烘干，得到表面平整光亮的基材；
2. 電化學刻蝕
(a) 預處理后的基材在體積比為1: 0.2: 1的貼204、 H2S04、 H:,P(V混合酸電解液中進行 第一次刻蝕，刻蝕時間30min，刻蝕電壓為60V;
(b) 第一次刻蝕結束后，用H3P(V溶液與H2Cr04溶液的混合溶液去除表面氧化膜，直至 氧化膜表面顏色完全消失；混合溶液中H3P04的質量濃度為10%，混合溶液中&004的質量濃 度為2%;
(C)在與第一次刻蝕相同條件下進行第二次刻蝕，時間lh;
3. 通道的剝離將第二次刻蝕后的產物放入飽和HgCl2溶液中充分反應直至刻蝕層從基
材剝離，得到通道一端封閉的微反應器。
4. 通道后處理
(a) 用環氧膠封住步驟3得到的微反應器的開口端，置于乙二醇溶液40min，取出后水 洗至中性，后用丙酮除膠，再用蒸餾水洗凈；
(b) 采用乙二醇溶液進行室溫化學腐蝕60min，進行通道尺寸的控制，得微通道反應器 樣品；
(c) 將上述微通道反應器樣品在80(TC，大氣環境下退火lh，得納米固體反應器(或稱 納米固體微通道反應器)。
結果表征
利用FESEM對實施例1制得的反應器上表面進行觀察，得到圖l。從圖l可看出通道整 體排布均勻，直徑在120 126nm之間，孔密度1. 1 X 101()個 cm—2。
利用FESEM對實施例1制得的反應器下表面進行觀察，得到圖2。從圖2看出反應器通 道貫通，且通道大小一致。
利用FESEM對實施例1制得的反應器斷面進行觀察，得到圖3。從圖3看出反應器通道 大小均勻一致，通道相互平行，彼此隔開，直徑120nm，與圖l所示結果相同。
利用SEM對實施例2制得的反應器上表面進行觀察，得到圖4。從圖4看出通道孔整體 排布比較均勻，直徑90 100畫之間，孔密度1.5X10"'個 cm—2。。
利用SEM對實施例3制得的反應器斷面進行觀察，得到5。從圖5看出端面上通道均布， 且相互平行，直徑約80nm。
本發明在發明內容部分所列舉的各工藝參數(如電解液種類及濃度、氧化電壓)的上下 限取值以及區間內取值都能實現本發明，在此不一一列舉實施例。
權利要求
1.一種納米固體反應器的制備方法，其特征在于它包括如下步驟1)基材的預處理(a)將基材放入有機溶劑中進行超聲波清洗6～10min，然后在蒸餾水中漂洗，烘干后備用；基材為鋁箔，厚度0.1～0.5mm；(b)將處理后的基材在450℃～500℃下真空或惰性氣氛中退火3～7h，升溫速度20℃/min；(c)將退火后的基材采用化學拋光或/和電化學拋光，化學拋光液為混合酸溶液，電化學拋光液為強氧化性酸與有機試劑的混合液，強氧化性酸與有機試劑的體積比為1∶3～1∶6；將已拋光的基材用蒸餾水清洗干凈，烘干，得到表面平整光亮的基材；2)電化學刻蝕(a)預處理后的基材在0.2mol/L～0.5mol/L的電解液中進行第一次刻蝕，刻蝕時間0.5～5h，刻蝕電壓為20～180V；(b)第一次刻蝕結束后，用H3PO4溶液與H2CrO4溶液的混合溶液去除表面氧化膜，直至氧化膜表面顏色完全消失；混合溶液中H3PO4的質量濃度為5～10％，混合溶液中H2CrO4的質量濃度為1～2％；(c)在與第一次刻蝕相同條件下進行第二次刻蝕；3)通道的剝離第二次刻蝕后的基材采用電化學法或化學置換法進行反應器通道的剝離，得反應器樣品；4)通道后處理(a)將剝離后的反應器樣品采用稀H3PO4的水溶液或乙二醇溶液進行室溫化學腐蝕，去除尾部封閉端；(b)采用稀H3PO4的水溶液或乙二醇溶液進行室溫化學腐蝕30～60分鐘，得微通道反應器樣品；(c)將上述微通道反應器樣品在500～800℃，大氣環境下退火3～4h，得納米固體反應器。
2. 根據權利要求1所述的一種納米固體反應器的制備方法，其特征在于所述的步驟1) 的(a)中的有機溶劑為丙酮、無水乙醇、二氯乙垸中的任意一種或任意二種以上的混合， 任意二種以上的混合時為任意配比。
3. 根據權利要求1所述的一種納米固體反應器的制備方法，其特征在于所述的步驟1) 的(c)中的混合酸液為H:,P04、 H2S04、 HN03中任意二種以上的混合，任意二種以上的混合時 為任意配比。
4. 根據權利要求1所述的一種納米固體反應器的制備方法，其特征在于所述的步驟1) 的(c)中的強氧化性酸為HC104、動3、濃貼04、,、鉻酐酸中任意一種，有機試劑為EtOH、 HOCH2CH2OCA中任意一種或兩種的混合，混合時為任意配比。
5.根據權利要求1所述的一種納米固體反應器的制備方法，其特征在于所述的步驟2) 的(a)中的電化學刻蝕液為草酸、硫酸、磷酸中的任意一種或任意二種以上的混合，任意 二種以上的混合時為任意配比。
全文摘要
本發明涉及一種納米量級固體微通道反應器的制備方法，其特征在于它包括如下步驟1)基材的預處理；2)電化學刻蝕(a)預處理后的基材在0.2mol/L～0.5mol/L的電解液中進行第一次刻蝕0.5～5h，刻蝕電壓為20～80V；(b)第一次刻蝕結束后，用H₃PO₄溶液與H₂CrO₄溶液的混合溶液去除刻蝕層；混合溶液中H₃PO₄的質量濃度為5～10％，混合溶液中H₂CrO₄的質量濃度為1～2％；(c)在與第一次刻蝕相同條件下，延長時間進行第二次刻蝕；3)通道剝離；4)通道后處理，得納米固體反應器。該方法可以方便制備具有高通道密度、高度有序分布、通道彼此平行排列且孔徑可在納米尺度范圍可控的納米固體反應器。
文檔編號B82B3/00GK101181973SQ20071016861
公開日2008年5月21日 申請日期2007年12月5日 優先權日2007年12月5日
發明者飛 呂, 宏 曹, 李承勇, 王學華, 馬連姣 申請人:武漢工程大學