化學合成裝置及化學合成裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及化學合成裝置及化學合成裝置的制造方法。
【背景技術】
[0002]現有技術中，存在作為例如在一邊1mm以下的空間內進行化學反應的裝置的微反應器。作為一種簡單的裝置，是在板上按T型刻有細小的槽并蓋著蓋，與管連接的裝置。這種微反應器中，為了進行高效率的化學反應，例如，如專利文獻1所述，提出了具備加熱合流流路內的電熱器的微反應器。
[0003]然而，在上述這種的微反應器中，由電熱器很難均勻加熱合流流路內的流體，并且難以控制合流流路內的流體的溫度。因此，存在不能夠充分地提高合流流路內的化學反應的效率的問題。
[0004]在先技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:日本專利特開號公報

【發明內容】

[0007]本發明鑒于上述問題點而完成，能夠提供一種容易控制流路內的流體的溫度的化學合成裝置、以及這種化學合成裝置的制造方法。
[0008]涉及本發明的一種化學合成裝置，其特征在于，具備:形成用于多個流體進行化學合成的第一流路和與上述第一流路不同的第二流路的基板，用于控制在上述第一流路內流動的流體的溫度的介質在上述第二流路內流動。
[0009]根據該結構，基板形成有與第一流路不同的第二流路，第二流路內流動著用于控制在第一流路內流動的流體的溫度的介質。因此，例如，通過沿著第一流路配置第二流路，能夠通過介質控制第一流路內的流體的溫度。因此，根據該結構，能夠容易地控制流路內流體的溫度。
[0010]在上述一種化學合成裝置中優選，上述第一流路包括:多個導入流路部，分別導入上述多個流體；以及，合成流路部，由于上述多個流體進行合成，上述第二流路包括:第一控制流路部，用于控制在上述合成流路部內流動的流體的溫度。
[0011]根據該結構，能夠形成可以促進第一流路內的化學合成反應的構造。
[0012]在上述一種化學合成裝置中，上述第一控制流路部優選具有:溫度維持部，將流動在上述合成流路部內、被化學合成后的流體的溫度維持在規定溫度。
[0013]根據該結構，能夠形成即使在第一流路內被化學合成的流體例如為由于溫度降低而分解的流體，通過維持在規定溫度，也可以抑制化學合成的流體分解的構造。
[0014]在上述一種化學合成裝置中，上述第二流路優選包括:第二控制流路部，用于控制流動在上述導入流路部內的流體的溫度。
[0015]根據該結構，能夠形成可以將流入合成流路部的流體的溫度調節為適合化學合成反應的溫度的構造。
[0016]在上述一種化學合成裝置中，上述第二流路的寬度優選比上述第一流路的寬度大。
[0017]根據該結構，能夠形成即使流體從第一流路漏出，通過第二流路也容易回收漏出的流體的構造。
[0018]上述介質優選相對于流動在上述第一流路內的流體不活潑。
[0019]根據該結構，例如，即使流體從第一流路內漏出并與介質接觸時，也可以抑制第一流路內的流體與介質反應的構造。
[0020]上述第二流路優選為沿著上述第一流路的至少一部分而設置。
[0021]根據該結構，能夠形成通過第二流路容易地控制第一流路內的流體的溫度的構造。
[0022]涉及本發明的一種化學合成裝置的制造方法，是具有用于多個流體進行化學合成的第一流路的化學合成裝置的制造方法，其特征在于，具有在基板上形成側壁層的工序，在上述側壁層設有第一貫通孔和第二貫通孔，上述第一貫通孔形成上述第一流路的一部分，上述第二貫通孔形成與上述第一流路不同的第二流路的一部分，用于控制在上述第一流路內流動的流體的溫度的介質在上述第二流路內流動。
[0023]根據該方法，能夠制造容易控制流路內流體的溫度的化學合成裝置。
【附圖說明】
[0024]圖1是示出第一實施方式的化學合成裝置的俯視圖。
[0025]圖2是示出第一實施方式的化學合成裝置的圖、是圖1中的I1-1I剖視圖。
[0026]圖3是示出第一實施方式的化學合成裝置的圖、圖1中的II1-1II剖視圖。
[0027]圖4是示出第一實施方式的化學合成裝置的制造方法的步驟的流程圖。
[0028]圖5的㈧?圖5的⑶是示出第一實施方式的化學合成裝置的制造方法的步驟的剖視圖。
[0029]圖6是示出第二實施方式的化學合成裝置的俯視圖。
[0030]圖7是示出變形例1的化學合成裝置的俯視圖。
[0031]圖8的(a)和圖8的(b)是圖7中的IV-1V剖視圖。
[0032]圖9是示出變形例2的化學合成裝置的俯視圖。
[0033]符號說明
[0034]10、110化學合成裝置;11、111基板;13側壁層;23合成流路部;50a、51a、52b、153a控制流路部；15流路用貫通孔(第一貫通孔)；16a、16b流路用貫通孔(第二貫通孔)；20、120合成用流路(第一流路)；21第一導入流路部(導入流路部)；22第二導入流路部(導入流路部);40a、40b、41a、41b、42a、42b、142a、142b、143a、143b、144a、144b、145a、145b溫度控制用流路(第二流路)；50a、50b、51a、51b、154a、154b控制流路部(第二控制流路部)；52a、52b、152a、152b、155a、155b控制流路部(第一控制流路部);153a、153b控制流路部(第一控制流路部、溫度維持部)；123第一合成流路部(合成流路部)；124第三導入流路部(導入流路部)；125第二合成流路部(合成流路部)；C1溫度控制介質(介質)；Dla、Dlb、D2a、D2b、D2d試劑(流體);Dlc、D2e生成物(流體)；D2c中間生成物(流體)；ffl寬度(第一流路的寬度);W2、W3寬度(第二流路的寬度);1052a、1052b、1053a、1053b溫度控制流路部；1060a介質注入裝置；1060b、1101a、1101b、1102介質取出裝置。
【具體實施方式】
[0035]下面，參考附圖對涉及本發明的實施方式的化學合成裝置進行說明。另外，本發明的范圍不限定于以下的實施方式，在本發明的技術思想的范圍內可以進行任意變形。另外，在下面的附圖中，為了容易理解各結構，存在實際的構造與各構造的比例或數量等不同的情況。
[0036]另外，在本說明書中，“上游側”及“下游側”是相對于流路內的流動而言的。
[0037]另外，在本說明書中，“流動方向”的意思是流路內主要流動的方向。
[0038]第一實施方式
[0039]化學合成裝置
[0040]圖1至圖3是示出本實施方式的化學合成裝置10的圖。圖1是俯視圖。圖2是圖1中的I1-1I剖視圖。圖3是圖1中的II1-1II剖視圖。
[0041]另外，在下面的說明中設定XYZ坐標系，參考該XYZ坐標系并對各結構的位置關系進行說明。此時，將基板11(參考圖1)的法線方向設為Z軸方向，將基板11的寬度方向、gp、圖1中上下方向設為Y軸方向，將基板11的長度方向、即、圖1中左右方向設為X軸方向。
[0042]本實施方式的化學合成裝置10，如圖1所示，具備:基板11、試劑注入裝置30、試劑注入裝置31、生成物取出裝置32、多個介質注入裝置60a、以及多個介質取出裝置60b。
[0043]基板
[0044]基板11的形狀不特別限定，例如，在本實施方式中，俯視觀察(XY面觀察)中為矩形。在基板11的內部，如圖1及圖2所示，形成有合成用流路(第一流路)20、溫度控制用流路(第二流路)40a、溫度控制用流路(第二流路)40b、溫度控制用流路(第二流路)41a、溫度控制用流路(第二流路)41b、溫度控制用流路(第二流路)42a、以及溫度控制用流路(第二流路)42b。換言之，在基板11形成有合成用流路20、以及與合成用流路20不同的溫度控制用流路40a?42b。關于合成用流路20及溫度控制用流路40a?42b，在后面段落進行詳細地描述。
[0045]如圖2所示，第一基板12、側壁層13、第一保護膜70、第二保護膜71、第二基板14以該順序層疊而構成基板11。
[0046]第一基板12例如是玻璃基板。第一基板12的合成用流路20側(+Z側)的上表面12a設有側壁層13。
[0047]如圖3所示，在側壁層13