一種基于等離子體制備石墨烯薄膜的裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于儲能材料技術領域，尤其涉及一種基于等離子體制備石墨烯薄膜的裝置。
【背景技術】
[0002]石墨烯(graphene)是由一層碳原子以sp2雜化軌道構成的六邊形晶格材料，是目前發現的最薄的二維材料，自2004年由英國曼切斯特大學科學家Geim等從石墨晶體中首次成功剝離獲得以來，石墨烯材料因其具有較高的強度(125 GPa)、良好的導熱性能(約5000W/ (m.K))、優異的載流子迀移率(200000 cm2/ (V.s))以及超大的比表面積(理論值2630 m2/g)等，在電子、信息、能源以及復合材料等領域展示出了廣闊的應用前景，極大地促進了高質量石墨烯的大規模、批量化制備技術。
[0003]目前石墨烯的制備方法可分為物理方法和化學方法，物理法包括微機械剝離法、液相或氣相直接剝離法和熱分解SiC法，化學法包括還原氧化石墨烯法、化學氣相沉積法、外延生長法、溶劑剝離法和有機合成法等。各種方法特點各不相同，互有優勢。例如，微機械剝離法需要復雜的步驟，尋找到性能較好的石墨烯片層幾率小；外延生長法能得到質量好的石墨烯，但需要高真空條件和昂貴的儀器，且只能獲得尺寸較小的石墨烯，難以實現石墨烯的規模化生產。
[0004]還原氧化石墨稀是目前研宄較為廣泛的方法，從Brodie法、Staudenmeier法、Hummers法等制備得到氧化石墨稀出發，通過化學還原劑還原、高溫熱處理還原、等離子體還原等方法對其進行還原，得到石墨烯。其中化學還原劑還原成本較低，工藝簡單，反應溫和，適合大規模生產，但生產流程耗時大，另外，由此引入的還原劑較難去除，且具一定的毒性、易燃易爆性，易造成環境污染，危害人體健康。相對的，高溫還原法耗時短，無污染，但一般需要1000 ° C左右的高溫和惰性氣體或還原氣體氣氛，對設備熱穩定要求高，工藝成本1^，會K寒毛
[0005]采用等離子體還原法制備石墨烯，具能耗低，耗時少，產品純度高，對環境友好等優點，一般采用的等離子體源主要包括電子束等離子體源，20~100毫托(I Baraket, S.G.Walton, et al.Carbon, 2010; 48:;射頻電感親合等離子體源，500 毫托(Wang Q, Song MM, et al.Applied Physics Letters, 2012; 101:似方似);遠距離放電等離子體，101 kPa( 51.V.Lee, C.Mattevi, at al.The Journal of Physical ChemicalLetters, 2012; ;介質阻擋放電等離子體源，101 kPa (Zhou Q，Zhao ZB, etal.Journal of Materials Chemical, 2012; 22: 6061、等。但上述等離子體電子能量大，還原過程將破壞石墨烯片層結構，且對發射源要求高，一定程度上阻礙了這種優質納米材料的大規模制備及應用。因而在現有的等離子體還原氧化石墨烯的基礎上，尋求一種新型溫和且高效的還原方法迫在眉睫。

【發明內容】

[0006]本實用新型的目的是克服現有技術的不足，提供一種基于等離子體制備石墨烯薄膜的裝置。
[0007]基于等離子體制備石墨烯薄膜的裝置包括氣體調節閥、質量流量計、高壓負電源、陰電極、樣品支撐架、陽電極、石英管、真空泵、真空調節閥、真空計、負輝區、法拉第暗區；石英管中間橫向設有樣品支撐架，石英管上部設有陰電極，石英管下部設有陽電極，石英管上、下端設有密封橡皮塞，陰電極與樣品支撐架之間設有負輝區，陽電極與樣品支撐架之間設有法拉第暗區，氣體調節閥經質量流量計、上端密封橡皮塞與石英管上部相連，高壓負電源經上端密封橡皮塞與陰電極相連，真空泵經真空調節閥、真空計、下端密封橡皮塞與石英管下部相連，陽電極經下端密封橡皮塞接地。
[0008]所述高壓負電源電壓為7~10千伏。所述陰電極、陽電極的材質為金屬或石墨。所述樣品支撐架由石英管中部橫截面上的四個凹槽組成，相鄰凹槽間隔90°，每個槽深為6毫米。所述陰電極與樣品支撐架的距離可調。所述陽電極與樣品支撐架的距離可調。
[0009]本實用新型與現有技術相比具有的有益效果:
[0010]I)基于等離子體制備得到的石墨烯薄膜還原程度高，性能優良，在儲能、催化等領域有潛在的利用前景。
[0011]2)本實用新型所述工藝與現有的熱還原法制備石墨烯工藝相比，工藝簡單，對設備熱穩定性要求低，工藝成本低，且反應條件溫和、可控，能耗低，適合大規模生產石墨烯。
[0012]3)本實用新型所述工藝與現有的化學還原法制備石墨烯工藝相比，無需添加其他有毒危險化學試劑、催化劑，工藝過程綠色、無毒，避免了引入雜質，降低了對環境的污染及人體健康的危害等。
[0013]4)本實用新型所述工藝與現有的等離子體還原法制備石墨烯工藝相比，反應條件溫和可控，石墨化程度高，且產品電化學性能優良，有潛在的利用前景。
【附圖說明】
[0014]圖1為基于等離子體制備石墨烯薄膜的裝置結構示意圖；
[0015]圖2為本實用新型實施例1制備的氧化石墨烯薄膜及石墨烯薄膜的X射線能譜全圖；
[0016]圖3為本實用新型實施例1制備的氧化石墨烯薄膜CIs峰的X射線能譜圖及其各分峰高斯擬合曲線；
[0017]圖4為本實用新型實施例1制備的石墨烯薄膜CIs峰的X射線能譜圖及其各分峰高斯擬合曲線；
[0018]圖5為本實用新型實施例1制備的氧化石墨稀薄膜及石墨稀薄膜Raman分析譜圖。
【具體實施方式】
[0019]如圖1所示，基于等離子體制備石墨烯薄膜的裝置包括氣體調節閥1、質量流量計2、高壓負電源3、陰電極4、樣品支撐架5、陽電極6、石英管7、真空泵8、真空調節閥9、真空計10、負輝區11、法拉第暗區12 ;石英管7中間橫向設有樣品支撐架5，石英管上部設有陰電極4，石英管下部設有陽電極6，石英管上、下端設有密封橡皮塞，陰電極與樣品支撐架之間設有負輝區11，陽電極與樣品支撐架之間設有法拉第暗區12，氣體調節閥I經質量流量計2、上端密封橡皮塞與石英管上部相連，高壓負電源3經上端密封橡皮塞與陰電極4相連，真空泵8經真空調節閥9、真空計10、下端密封橡皮塞與石英管下部相連，陽電極6經下端密封橡皮塞接地。
[0020]所述高壓負電源3電壓為7~10千伏。
[0021]所述陰電極4、陽電極6的材質為金屬或石墨。
[0022]所述樣品支撐架5由石英管7中部橫截面上的四個凹槽組成，相鄰凹槽間隔90°，每個槽深為6毫米。
[0023]所述陰電極4與樣品支撐架5的距離可調。
[0024]所述陽電極6與樣品支撐架5的距離可調。
[0025]基于等離子體制備石墨烯薄膜的方法包括以下步驟:
[0026]I)改性的Hummers氧化法制備氧化石墨稀:天然鱗片狀石墨與質量百分濃度98%的硫酸在常溫下攪拌均勻混合，其中硫酸與天然鱗片狀石墨混合比例為25毫克:I克，混合物冰浴降至O °(:后，緩慢加入高錳酸鉀并磁力攪拌混合均勻，高錳酸鉀的質量為天然鱗片狀石墨的3.5倍，混合物置于35 °C水浴并攪拌2小時后，冰浴降溫，然后依次加入去離子水及過氧化氫，去離子水與天然鱗片狀石墨的比例為100毫升:1克，過氧化成與天然鱗片狀石墨的比例為8毫升:1克，混合液通過高速離心反復清洗處理，置于空氣下，常溫干燥，得到氧化石墨稀;
[0027]2)氧化石墨烯薄膜的制備:將步驟I)制備得到的氧化石墨烯超聲分散在去離子水中，得到均勻分散的氧化石墨烯溶液，通過0.22微米孔徑的微孔濾膜抽濾、干燥后，從微孔濾膜上撕下氧化石墨烯薄膜備用；
[0028]3)將步驟2)制備得到的氧化石墨烯薄膜放入樣品支撐架5上，打開真空泵8、氣體調節閥1，向石英管7內通入惰性氣體，用質量流量計2將惰性氣體流量調至7~10毫升/分，旋轉真空調節閥9，將石英管7內氣壓調至250~320毫托；
[0029]4)維持石英管7中氣壓及氣流量不變，打開高壓負電源3，調整電壓至7~10千伏，在陰電極4與陽電極6之間形成穩定的輝光放電等離子