8] 然后在燒結額溫度1100-1300°C，燒結時間為2小時，升溫速度為3°C/min;
[0059] 燒成的陶瓷圓片經過表面拋光，燒銀，測量其介電性能。
[0060] 所獲得的樣品介電性能參數見表2 :
W62] 實施例3 :
[0063] 低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法為： W64] 先將化C〇3和SiO2按照1:1的摩爾比比例混合均勻，在115(TC下預燒保溫2小時 得到化Si〇3粉體； 陽0化]將化51〇3粉體、412〇3、〔曰1'1〇3、]\%0、炯2〇3按照1:〇.〇6:0.03:0.015:0.001 的質量 比例混合后加入去離子水，混合球磨24小時，烘干得到原料粉體；
[0066] 將所得的原料粉體過80目篩，加入用蒸饋水配制的5wt%濃度的聚乙締醇（PVA) 粘結劑造粒；
[0067] 將造粒的粉末在SMPa的壓力下壓成直徑15mm、厚度1. 5mm的圓片； W側然后在燒結額溫度1100-1300°C，燒結時間為2小時，升溫速度為3°C/min;
[0069] 燒成的陶瓷圓片經過表面拋光，燒銀，測量其介電性能。
[0070] 所獲得的樣品介電性能參數見表3 :
陽〇7引 實施例4 :
[0073] 低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法為：
[0074]先將化C〇3和SiO2按照1:1. 4的摩爾比比例混合均勻，在1150°C下預燒保溫2小 時得到化Si〇3粉體； 陽〇7引將化Si化粉體和Al2〇3按照1 :〇. 03的質量比例混合后加入去離子水中，混合球磨 24小時，烘干得到原料粉體；
[0076] 將所得的原料粉體過80目篩，加入用蒸饋水配制的5wt%濃度的聚乙締醇（PVA) 粘結劑造粒；將造粒的粉末在SMPa的壓力下壓成直徑15mm、厚度1. 5mm的圓片；
[0077] 然后在燒結額溫度1100-1300°C，燒結時間為2小時，升溫速度為3°C/min。燒成 的陶瓷圓片經過表面拋光，燒銀，測量其介電性能。
[0078] 所獲得的樣品介電性能參數見表4 :
[0080] 上述實施例1-4中所有樣品均采用固相法制備，燒結得到的部分樣品用于性能測 試；
[0081] 由于樣品燒結后為規則的圓柱狀，可W用游標卡尺進行陶瓷樣品的直徑和厚度的 測量，從而計算出陶瓷樣品的體積，進一步根據陶瓷的質量，可W計算出陶瓷塊體的密度， 一般而言，每一個組分都存在一個燒結最致密的溫度，在所有實驗中，通過改變陶瓷的燒結 溫度來獲得最佳密度點，W下的實驗中各種分析評價采用的樣品均是在燒結最佳密度得溫 度下獲得。
[0082] 對成品陶瓷片分別利用阿基米德排水法測量其體積密度；采用X射線衍射技術進 行物相分析；采用SEM觀察其表面和斷面的形貌、成分和晶體取向等特征；使用同惠公司生 產的TH2818和智能溫控儀組成的測試系統測試樣品的介電常數和損耗溫度譜，測試溫度 范圍為-55-125°C，升溫速度為2°C/min,測試頻率IMHz,根據W下公式進行介電常數et的 計算：
式中，Cp為測試的電容，h為樣品厚度；
[0084] 采用美國Radiant公司的PrecisionWorkstation測試陶瓷樣品常溫下的電滯回 線和電阻率，美國Trek公司的Model609A高壓電源施加外電壓，電阻率測試采用上述電學 性能測試設備中的漏電流測試方法，在IOOV直流電壓下進行。
[0085] 上述僅為本發明的一個【具體實施方式】，但本發明的設計構思并不局限于此，凡利 用此構思對本發明進行非實質性的改動，均應屬于侵犯本發明保護范圍的行為。
【主權項】
1. 一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料，其原料組分為： 100 重量份的 （XCaC03-ySi02); 0-9重量份的 A1203; 0-5重量份的 CaTi03; 0-5重量份的 MgO; 0-0.3重量份的RE203; 其中：x= 0· 8-1. 2，y= 0· 8-1. 6,在（xCaC03-ySi02)中CaC03和Si02的摩爾比為x:y; 原料組份中包括A1203、CaTi03、MgO和RE203中的至少一種； RE為Y、Ce或者Nd。2. 根據權利要求1所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料，其特征在于： 所述的A1203、CaTi03,MgO和RE203的晶粒尺寸均在4μm以下。3. 根據權利要求1所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料，其特征在于： 所述CaC03、Si02,A1203、CaTi03,MgO和RE203純度均大于 99%。4. 根據權利要求1或2或3所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制 備方法，包括以下步驟： 步驟 1，合成（xCaC03-ySi02)粉體，將CaCOjPSi〇d$CaC03:Si02=X:y的摩爾比例進 行稱量、混合，并于去離子水中進行球磨，然后烘干、干燥、預燒后制得CaSi03粉體； 步驟2,在CaSi03粉體中加入A1 203、CaTi03,MgO和RE203中的至少一種進行配料，制成 原料粉體； 步驟3,將所得的原料粉體過80目篩，造粒，造粒后在5-10MPa壓強下壓制成生坯； 步驟4,將所得的生坯，再經3-5小時升溫至1150-1350°C保溫1-8小時，制得低介電常 數AG特性多層瓷介電容器瓷料。5. 根據權利要求4所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法，其 特征在于：所述步驟1中的預燒是以5-15°C/min的升溫速度升至1100-1200°C，保溫1-10 小時。6. 根據權利要求4所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法，其 特征在于：所述步驟2中原料混合后加入去離子水，混合球磨20-30小時，烘干、粉碎得到原 料粉體。7. 根據權利要求4所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法，其 特征在于：采用氧化錯球作為球磨介質。8. 根據權利要求4所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法，其 特征在于：所述步驟3加入質量百分比為8-15%的石蠟或PVA進行造粒。9. 根據權利要求4所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法，其 特征在于：所述步驟3中所述生還為直徑1〇-15_、厚度1. 2-1. 8mm的圓片。
【專利摘要】一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料及其制備方法，該瓷料的原料組分為：100重量份的(xCaCO3-ySiO2)；0-9重量份的Al2O3；0-5重量份的CaTiO3；0-5重量份的MgO；0-0.3重量份的RE2O3，在(xCaCO3-ySiO2)中CaCO3和SiO2的摩爾比為x:y，其中：x＝0.8-1.2，y＝0.8-1.6，原料組份中包括Al2O3、CaTiO3、MgO和RE2O3中的至少一種；RE為Y、Ce或者Nd；采用該種瓷料制成的電容器制作成本低，具有低介電常數，低的介電損耗、高溫度穩定性，適合微波通信等高頻率的應用。
【IPC分類】C04B35/22
【公開號】CN105272192
【申請號】CN201510621636
【發明人】陳永虹, 林志盛, 宋運雄, 黃祥賢, 謝顯斌, 吳金劍, 許金飄
【申請人】福建火炬電子科技股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年9月25日