一種低介電常數ag特性多層瓷介電容器瓷料及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬于多層陶瓷電容器材料技術領域，特別設及一種低介電常數AG特性多 層瓷介電容器的瓷料。
【背景技術】
[0002] 隨著微波通信技術及可穿戴通信技術的發展，對電子設備元器件的要求越來越 高。多層陶瓷電容器（W下簡稱MLCC)作為一種應用廣泛的電子元器件，現有的技術將朝 著微型化，高頻化方向發展。
[0003] MLCC作為重要電子元件與大規模集成電路一直保持高水平發展速度。對于開發介 電常數小于9、損耗小于3X104與近零介電常數溫度系數的材料較少，如中國專利申請號 為201310384657.8公開的一種主要成分為YB03微波介質陶瓷材料，該材料的介電常數在 10-13的范圍內，頻率特性和介電性能優良，但是運種材料含有B，其燒結溫度低，且混合預 燒過程中有揮發相產生，不易進行高頻MLCC產品制備。
[0004] 現有多層陶瓷電容器要求材料與內電極共燒，且不與內電極發生化學反應，內電 極不烙化并具有良好的導電性。運限制了電極材料的選擇性。現有的多層電容器生產中， 通常采用高烙點的貴金屬如Pt、Au、Pd等做內電極，不但生產成本好，而且制作程序復雜。

【發明內容】

[0005] 為了克服現有技術的不足，提供一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料及 其制備方法，該瓷料具有低介電常數、低損耗、高電阻率，同時采用該瓷料的電容器的具有 優良的穩定性、制備工藝簡單。
[0006] 本發明通過如下技術方案來實現：
[0007] 一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料，其原料組分為：
[0008] 100 重量份的（xCaCO廠ySi〇2);
[0009] 0-9 重量份的AI2O3;
[0010] 0-5 重量份的CaTi〇3; W11] 0-5重量份的MgO; 陽〇1引 0-0. 3重量份的RE2O3; 陽〇1引 其中：義=0.8-1.2,7 = 0.8-1.6，在（此曰(：〇3-751〇2)中0曰(：〇3和51〇2的摩爾比為 x:y；
[0014] 原料組份中包括AI2化、化Ti化、MgO和RE2化中的至少一種；
[0015] RE為Y、Ce或者NcL
[0016] 進一步的，所述的Alz化、化Ti化，MgO和REz化的晶粒尺寸均在4ymW下。
[0017] 進一步的，所述化CA、Si化，Alz化、化Ti化，MgO和RE2O3純度均大于99%。
[0018] 一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法，包括W下步驟：
[0019] 步驟l，合成（xCaC03-ySi02)粉體，將CaC03和Si0 2按CaC0 3:Si02=x巧的摩爾比 例進行稱量、混合，并于去離子水中進行球磨，然后烘干、干燥、預燒后制得化Si〇3粉體；
[0020] 步驟2,在CaSi〇3粉體中加入Al2〇3、CaTi〇3,MgO和RE2O3中的至少一種進行配料， 制成原料粉體；
[0021] 步驟3,將所得的原料粉體過80目篩，造粒，造粒后在5-lOMPa壓強下壓制成生 巧； 陽02引步驟4,將所得的生昆，再經3-5小時升溫至1150-1350°C保溫1-8小時，制得低介 電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料；
[0023] 根據權利要求4所述的一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法， 其特征在于：所述步驟1中的預燒是W5-15°C/min的升溫速度升至1100-1200°C，保溫 1-10小時。
[0024] 進一步的，所述步驟2中原料混合后加入去離子水，混合球磨20-30小時，烘干、粉 碎得到原料粉體。
[00巧]進一步的，采用氧化錯球作為球磨介質。
[00%] 進一步的，所述步驟3加入質量百分比為8-15%的石蠟或PVA進行造粒。
[0027] 進一步的，所述步驟3中所述生巧為直徑10-15mm、厚度1. 2-1. 8mm的圓片。
[0028] 由上述對本發明描述可知，本發明用于AG特性多層瓷介電容器的瓷料原料價格 低廉，具有低介電常數、低損耗、高電阻率和優良的穩定性；采用該種瓷料制成的用于AG特 性多層陶瓷電容器，W化Si〇3為主料，生產工藝簡單、制作成本低，具有低介電常數，低的介 電損耗、高溫度穩定性且可調，適合更高頻率的應用，有極高的工業應用價值。
【附圖說明】
[0029] 下面結合附圖對本發明作進一步詳細說明。
[0030] 圖1為低介電常數AG特性多層瓷介電容器的制備工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0031] 參照附圖所示，W下通過【具體實施方式】對本發明作進一步的描述。
[0032] 本發明提供了一種低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料，其原料組分為：
[0033] 100 重量份的（xCaC〇3-ySi〇2);
[0034] 0-9 重量份的AI2O3; 陽0對 0-5重量份的CaTi〇3;
[0036] 0-5 重量份的MgO;
[0037] 0-0. 3 重量份的RE2O3;
[0038] 其中：義=0.8-1.2,7 = 0.8-1.6，在（此曰(：〇3-751〇2)中0曰(：〇3和51〇2的摩爾比為 x:y,
[0039] 原料組份中包括AI2化、化Ti化、MgO和RE2化中的至少一種， 柳4〇]RE為Y、Ce或者NcL其中，Al2〇3、CaTi〇3、MgO和RE2O3的晶粒尺寸均在4ymW下； [0041]CaC〇3、AI2O3、CaTi〇3、MgO和RE2O3純度均大于 99%。 陽042] 實施例1 :
[0043] 低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法為： W44] 先將化C〇3和SiO2按照1:1的摩爾比混合均勻，在1150°C下預燒保溫2小時得到 化Si〇3粉體；
[0045] 將化Si化粉體、Al2〇3和CeO2按照1 :〇. 09 :0.OOl的質量比例混合后加入去離子 水，混合球磨24小時，烘干得到原料粉體；
[0046] 將所得的原料粉體過80目篩，加入用蒸饋水配制的15wt%濃度的石蠟粘結劑造 粒；
[0047] 將造粒的粉末在SMPa的壓力下壓成直徑15mm、厚度1. 5mm的圓片； W48] 然后在燒結額溫度1100-1300°C，燒結時間為2小時，升溫速度為3°C/min;
[0049] 燒成的陶瓷圓片經過表面拋光，燒銀，測量其介電性能。
[0050] 所獲得的樣品介電性能參數見表1 :
陽05引實施例2 :
[0053] 低介電常數AG特性多層瓷介電容器瓷料的制備方法為：
[0054] 先將化C〇3和SiO2按照1:1的摩爾比比例混合均勻，在115(TC下預燒保溫2小時 得到化Si〇3粉體； 陽化5]將化51〇3粉體、412〇3、〔曰1'1〇3和〔6〇2按照1:〇.〇3:0.025:0.015:0.001 的質量比 例混合后加入去離子水，混合球磨24小時，烘干得到原料粉體；
[0056] 將所得的原料粉體過40目篩，加入用蒸饋水配制的15wt%濃度的石蠟粘結劑造 粒；
[0057] 將造粒的粉末在SMPa的壓力下壓成直徑15mm、厚度1. 5mm的圓片；
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