可改善加工精度的傳感器單晶硅刻蝕裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種傳感器用單晶硅的加工裝置，尤其是一種可改善加工精度的傳感器單晶硅刻蝕裝置。
【背景技術】
[0002]傳感器用單晶硅在加工過程中，均需對其進行刻蝕處理；現有的刻蝕加工過程中，其往往通過將多個單晶硅疊放在片架之上，并通過向片架所在位置導入反應氣體，并使得反應氣體在電場環境下產生等離子體，以對單晶硅進行刻蝕；然而，現有的刻蝕裝置中，片架中外圍的單晶硅與其內側的單晶硅與反應氣體的接觸面積往往并不均勻，其造成整體單晶硅的加工精度收到影響。
【發明內容】
[0003]本發明要解決的技術問題是提供一種傳感器單晶硅刻蝕裝置，其可有效改善刻蝕裝置對于批量單晶硅的刻蝕精度。
[0004]為解決上述技術問題，本發明涉及一種可改善加工精度的傳感器單晶硅刻蝕裝置，其包括有反應室，反應室的上端部設置有送氣管道，其連接至設置在反應室外部的氣源室，反應室的下端部設置有抽氣管道，其連接至設置在反應室外部的真空泵；所述反應室的軸線位置設置有片架，其連接至設置在反應室外部的片架旋轉機構；所述反應室外側設置有電磁線圈；所述片架由有多個在水平方向上延伸的置放板件堆疊而成，每一個置放板件均采用環形結構；所述反應室中，送氣管道的端部位置設置有導流板，其包括有連接至反應室側端面，且沿水平方向進行延伸的連接部分，其采用環形結構，連接部分位于片架上方，且其內徑小于片架中置放板件的內徑；所述連接部分的內側邊部設置有沿豎直方向向下延伸至置放板件內側的導流部分，所述連接部分與導流部分之上分別設置有多個導流孔。
[0005]作為本發明的一種改進，所述導流板中，導流部分的高度與片架高度相同，其可使得片架各個位置均可通過導流板的導流部分與反應氣體之間進行良好的接觸。
[0006]作為本發明的一種改進，所述導流部分中，任意兩個相鄰的置放板件之間的對應位置之上均設置有一組導流孔，每組導流孔分別包括有至少3個導流孔，其關于置放板件的軸線成旋轉對稱。采用上述設計，其可通過多個導流孔對于片架之中同一高度位置的單晶硅得以與反應氣體之間實現良好的接觸。
[0007]作為本發明的一種改進，所述導流部分中，每一個導流孔均采用弧形結構，且其弧長至少為導流部分直徑的1/8。
[0008]作為本發明的一種改進，所述導流部分中，每組導流孔分別包括有4個導流孔，每個導流孔的弧長為導流部分直徑的1/6。采用上述設計，其可使得單晶硅與反應氣體之間的接觸均度得以進一步的改善，以使得每一個單晶硅的刻蝕精度得以顯著改善。
[0009]作為本發明的一種改進，所述反應室中，其側端面設置有多個攪動裝置，每一個攪動裝置均包括有攪動軸，其連接至設置在反應室外部的攪動電機，攪動軸之上設置有攪動葉片。采用上述設計，其可使得通過連接部分之上的導流孔進入片架對應位置的反應氣體在攪動裝置的驅動下，形成朝向片架中的單晶硅運動的氣流，從而使得單晶硅與氣體的接觸面積與接觸效率得以進一步的改善。
[0010]作為本發明的一種改進，每一個攪動裝置中，攪動葉片均采用斜漿式分布，其可使得攪動葉片的結構設置使其形成軸線氣流，以使得氣流均可朝向單晶硅運動。
[0011]作為本發明的一種改進，所述反應室中設置有至少2組攪動裝置，其在高度方向上均勻分布；每組攪動裝置分別包括有3個位于同一水平位置的攪動裝置，其關于反應室的軸線成旋轉對稱。采用上述設計，其可通過攪動裝置的位置設置使得各個位置的單晶硅均可收到氣流影響。
[0012]采用上述技術方案的可改善加工精度的傳感器單晶硅刻蝕裝置，使得導入反應室中的反應氣體通過導流板中的連接部分與導流部分中導流孔，同時從片架的內部與外部對片架之上的單晶硅進行刻蝕處理，從而避免了傳統的刻蝕裝置中，片架不同徑向位置的單晶硅難以與反應氣體之間進行均勻的接觸等現象，進而使得片架中的單晶硅的整體加工精度可得以現在改善。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發明示意圖；
圖2為本發明中導流板的導流部分水平截面圖；
附圖標記列表:
I 一反應室、2—送氣管道、3—氣源室、4 一抽氣管道、5—真空泵、6—片架、61—置放板件、7—片架旋轉機構、8 —電磁線圈、9 一導流板、91 一連接部分、92—導流部分、10 一導流孔、11一攬動軸、12一攬動電機、13一攬動葉片。
【具體實施方式】
[0014]下面結合【具體實施方式】，進一步闡明本發明，應理解下述【具體實施方式】僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內”和“外”分別指的是朝向或遠離特定部件幾何中心的方向。
[0015]實施例1
如圖1所示的一種傳感器單晶硅刻蝕裝置的送氣機構，其包括有反應室1，反應室I的上端部設置有送氣管道2，其連接至設置在反應室I外部的氣源室3，反應室I的下端部設置有抽氣管道4，其連接至設置在反應室I外部的真空泵5 ;所述反應室I的軸線位置設置有片架6，其連接至設置在反應室I外部的片架旋轉機構7，其具體包括有電機；所述反應室I外側設置有電磁線圈8 ；
所述片架6由有多個在水平方向上延伸的置放板件61堆疊而成，每一個置放板件61均采用環形結構；所述反應室I中，送氣管道的端部位置設置有導流板9，其包括有連接至反應室I側端面，且沿水平方向進行延伸的連接部分91，其采用環形結構，連接部分91位于片架6上方，且其內徑小于片架中置放板件61的內徑；所述連接部分91的內側邊部設置有沿豎直方向向下延伸至置放板件61內側的導流部分92，所