本發明涉及tft-lcd技術領域，具體涉及一種tft-lcd玻璃基(ji)板雙(shuang)面(mian)鍍膜(mo)的方法。
背景技術：
目前大部分(fen)液晶顯(xian)示(shi)用玻璃鍍(du)膜(mo)(mo)產品(pin)所鍍(du)的(de)膜(mo)(mo)層(ceng)為(wei)sio2+ito膜(mo)(mo)層(ceng)，這(zhe)樣鍍(du)膜(mo)(mo)出來的(de)產品(pin)，在(zai)550nm處(chu)透過率約為(wei)90％，鍍(du)膜(mo)(mo)前后透過率的(de)比值為(wei)97％左右，視覺效(xiao)果(guo)較差，大部分(fen)液晶顯(xian)示(shi)用玻璃廠家都可以做到(dao)這(zhe)種質量的(de)觸(chu)摸(mo)屏產品(pin)，由于技術指標較低，在(zai)日益激烈的(de)觸(chu)摸(mo)屏行業競爭處(chu)于越(yue)來越(yue)不利的(de)地位，隨著人們(men)對視覺品(pin)質的(de)不斷追求，生產更高(gao)透過率的(de)觸(chu)摸(mo)屏產品(pin)將(jiang)擁有更大得市場。
技術實現要素：
本發(fa)明旨在(zai)提(ti)供了一種tft-lcd玻(bo)璃基板雙面鍍膜的(de)方法(fa)。
本發明提供(gong)如下技術(shu)方(fang)案：
一種tft-lcd玻璃(li)基板雙(shuang)面(mian)鍍膜的方(fang)法，包括(kuo)以下步驟：
(1)用(yong)磁控濺射鍍膜(mo)的方法，在tft-lcd玻(bo)璃基板的一面上依次形(xing)成第(di)(di)(di)(di)一五氧(yang)化二(er)(er)鈮膜(mo)層(ceng)、第(di)(di)(di)(di)一二(er)(er)氧(yang)化硅膜(mo)層(ceng)、第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)五氧(yang)化二(er)(er)鈮膜(mo)層(ceng)及(ji)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)二(er)(er)氧(yang)化硅膜(mo)層(ceng)，以形(xing)成第(di)(di)(di)(di)一增(zeng)透(tou)膜(mo)層(ceng)；
(2)采用磁控(kong)濺射鍍膜(mo)的方法(fa)，在tft-lcd玻璃基板的另一(yi)面(mian)上依次形成第(di)三(san)(san)五(wu)氧(yang)化二鈮膜(mo)層(ceng)(ceng)、第(di)三(san)(san)二氧(yang)化硅膜(mo)層(ceng)(ceng)、第(di)四五(wu)氧(yang)化二鈮膜(mo)層(ceng)(ceng)及第(di)四二氧(yang)化硅膜(mo)層(ceng)(ceng)，以形成第(di)二增透膜(mo)層(ceng)(ceng)；
(3)采用(yong)磁(ci)控濺(jian)射鍍(du)膜的方法，在第二增(zeng)透(tou)膜層上形成ito膜層，即得雙(shuang)面鍍(du)膜玻璃(li)。
所(suo)(suo)述第(di)一(yi)五(wu)氧化二(er)(er)鈮(ni)(ni)膜(mo)(mo)(mo)層及所(suo)(suo)述第(di)三五(wu)氧化二(er)(er)鈮(ni)(ni)膜(mo)(mo)(mo)層的(de)厚度(du)為(wei)(wei)15-18nm；所(suo)(suo)述第(di)二(er)(er)五(wu)氧化二(er)(er)鈮(ni)(ni)膜(mo)(mo)(mo)層及所(suo)(suo)述第(di)四五(wu)氧化二(er)(er)鈮(ni)(ni)膜(mo)(mo)(mo)層的(de)厚度(du)為(wei)(wei)90-96nm；所(suo)(suo)述第(di)一(yi)二(er)(er)氧化硅(gui)(gui)膜(mo)(mo)(mo)層及所(suo)(suo)述第(di)三二(er)(er)氧化硅(gui)(gui)膜(mo)(mo)(mo)層的(de)厚度(du)為(wei)(wei)28-32nm；所(suo)(suo)述第(di)二(er)(er)二(er)(er)氧化硅(gui)(gui)膜(mo)(mo)(mo)層的(de)厚度(du)為(wei)(wei)80-90nm；所(suo)(suo)述第(di)四二(er)(er)氧化硅(gui)(gui)膜(mo)(mo)(mo)層的(de)厚度(du)為(wei)(wei)60-68nm；所(suo)(suo)述ito膜(mo)(mo)(mo)層的(de)厚度(du)為(wei)(wei)16-24nm。
所述(shu)(shu)第一增透膜(mo)(mo)層(ceng)及所述(shu)(shu)第二增透膜(mo)(mo)層(ceng)的磁控(kong)濺射(she)鍍(du)膜(mo)(mo)工藝包括(kuo)：將磁控(kong)濺射(she)鍍(du)膜(mo)(mo)的鍍(du)膜(mo)(mo)箱(xiang)(xiang)抽真空，后(hou)向所述(shu)(shu)鍍(du)膜(mo)(mo)箱(xiang)(xiang)內(nei)充入氬氣及氧(yang)氣至真空度為1.4pa-1.8pa，在25-30℃下進行鍍(du)膜(mo)(mo)。
所(suo)(suo)述(shu)步驟(3)中ito膜層的(de)磁控濺射鍍(du)(du)膜工藝(yi)包括(kuo)：將磁控濺射鍍(du)(du)膜的(de)鍍(du)(du)膜箱抽(chou)真(zhen)空，后向(xiang)所(suo)(suo)述(shu)鍍(du)(du)膜箱內(nei)充入氬氣及氧氣至(zhi)真(zhen)空度為0.4pa-0.6pa，在溫度60℃-80℃下進行鍍(du)(du)膜。
與現有技術(shu)相比，本(ben)發(fa)明的(de)(de)(de)有益效果是(shi)：本(ben)發(fa)明利用(yong)光(guang)的(de)(de)(de)波動性及(ji)干(gan)涉原理，設計出(chu)提高(gao)雙(shuang)面(mian)(mian)鍍(du)(du)膜(mo)(mo)玻(bo)璃透過率(lv)的(de)(de)(de)膜(mo)(mo)系；在tft-lcd玻(bo)璃基(ji)(ji)板鍍(du)(du)有五氧化二(er)鈮及(ji)二(er)氧化硅(gui)材料，該雙(shuang)面(mian)(mian)鍍(du)(du)膜(mo)(mo)玻(bo)璃不容易老(lao)化泛(fan)黃，光(guang)反射小(xiao)，透過率(lv)高(gao)，畫(hua)面(mian)(mian)圖(tu)像清晰(xi)；同時，上述(shu)雙(shuang)面(mian)(mian)鍍(du)(du)膜(mo)(mo)tft-lcd玻(bo)璃基(ji)(ji)板在420nm-660nm波段(duan)的(de)(de)(de)透過率(lv)達到96.5％以上，鍍(du)(du)膜(mo)(mo)前(qian)后(hou)透過率(lv)的(de)(de)(de)比值達到108％以上，對紫外(wai)線和紅(hong)外(wai)線部分(fen)有一定的(de)(de)(de)防(fang)護作用(yong)，該雙(shuang)面(mian)(mian)鍍(du)(du)膜(mo)(mo)tft-lcd玻(bo)璃基(ji)(ji)板的(de)(de)(de)透過率(lv)較高(gao)，能(neng)夠更好地(di)應用(yong)到市場(chang)。
具體實施方式
下(xia)面將結合本(ben)發(fa)(fa)明實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)，對(dui)本(ben)發(fa)(fa)明實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)中的技術(shu)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所(suo)描述的實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)僅(jin)僅(jin)是本(ben)發(fa)(fa)明一部(bu)分(fen)實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)，而不是全部(bu)的實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)。基于本(ben)發(fa)(fa)明中的實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)，本(ben)領域普(pu)通技術(shu)人(ren)員在沒有(you)(you)做出創造性勞動前提下(xia)所(suo)獲得的所(suo)有(you)(you)其(qi)他實(shi)施(shi)(shi)例(li)(li)，都屬于本(ben)發(fa)(fa)明保護的范圍。
實(shi)施例(li)一種tft-lcd玻璃基(ji)板雙面鍍膜的方法，包括以(yi)下步驟：
(1)用(yong)磁控濺射(she)鍍膜的方法，在tft-lcd玻璃(li)基板的一面(mian)上(shang)依(yi)次形成第(di)一五(wu)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)二(er)鈮(ni)膜層(ceng)、第(di)一二(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)硅膜層(ceng)、第(di)二(er)五(wu)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)二(er)鈮(ni)膜層(ceng)及第(di)二(er)二(er)氧(yang)(yang)(yang)化(hua)(hua)硅膜層(ceng)，以(yi)形成第(di)一增透膜層(ceng)；
(2)采用磁控濺(jian)射鍍膜的方(fang)法，在tft-lcd玻璃(li)基板的另(ling)一面上(shang)依次(ci)形成(cheng)第(di)(di)三(san)五(wu)氧化(hua)二(er)鈮膜層、第(di)(di)三(san)二(er)氧化(hua)硅膜層、第(di)(di)四五(wu)氧化(hua)二(er)鈮膜層及第(di)(di)四二(er)氧化(hua)硅膜層，以形成(cheng)第(di)(di)二(er)增透(tou)膜層；
(3)采用(yong)磁(ci)控濺射鍍膜的方法，在第(di)二增透(tou)膜層(ceng)上形成ito膜層(ceng)，即得(de)雙面(mian)鍍膜玻璃。
所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一五氧(yang)(yang)化(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)及所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三五氧(yang)(yang)化(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)的(de)厚(hou)度為15-18nm；所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)(er)五氧(yang)(yang)化(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)及所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)四五氧(yang)(yang)化(hua)(hua)二(er)(er)(er)鈮膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)的(de)厚(hou)度為90-96nm；所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)硅(gui)膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)及所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)三二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)硅(gui)膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)的(de)厚(hou)度為28-32nm；所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)(er)(er)二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)硅(gui)膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)的(de)厚(hou)度為80-90nm；所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)四二(er)(er)(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)硅(gui)膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)的(de)厚(hou)度為60-68nm；所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)ito膜(mo)(mo)層(ceng)(ceng)的(de)厚(hou)度為16-24nm。
所(suo)述第一增透膜(mo)(mo)層及(ji)所(suo)述第二增透膜(mo)(mo)層的磁(ci)控濺射(she)鍍(du)(du)膜(mo)(mo)工藝包括：將磁(ci)控濺射(she)鍍(du)(du)膜(mo)(mo)的鍍(du)(du)膜(mo)(mo)箱(xiang)抽真(zhen)空，后向所(suo)述鍍(du)(du)膜(mo)(mo)箱(xiang)內充(chong)入氬氣及(ji)氧(yang)氣至真(zhen)空度為1.4pa-1.8pa，在(zai)25-30℃下進行鍍(du)(du)膜(mo)(mo)。
所(suo)述(shu)步驟(3)中ito膜(mo)層的磁控濺射(she)鍍(du)(du)膜(mo)工藝包括：將磁控濺射(she)鍍(du)(du)膜(mo)的鍍(du)(du)膜(mo)箱(xiang)(xiang)抽真(zhen)空，后向(xiang)所(suo)述(shu)鍍(du)(du)膜(mo)箱(xiang)(xiang)內充入氬氣及氧氣至真(zhen)空度(du)為0.4pa-0.6pa，在溫度(du)60℃-80℃下進行(xing)鍍(du)(du)膜(mo)。
對于(yu)本(ben)(ben)領(ling)(ling)域技術人員而(er)言(yan)，顯然本(ben)(ben)發(fa)明(ming)不限于(yu)所述(shu)示范(fan)(fan)性實(shi)(shi)(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)的(de)(de)(de)(de)(de)細節，而(er)且(qie)在(zai)(zai)不背離本(ben)(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)(de)(de)精神或基本(ben)(ben)特(te)征的(de)(de)(de)(de)(de)情況下，能夠以其(qi)他(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)具體形式實(shi)(shi)(shi)(shi)現本(ben)(ben)發(fa)明(ming)。因此(ci)，無論(lun)從哪一點來看(kan)，均應將(jiang)實(shi)(shi)(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)看(kan)作是示范(fan)(fan)性的(de)(de)(de)(de)(de)，而(er)且(qie)是非(fei)限制性的(de)(de)(de)(de)(de)，本(ben)(ben)發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)(de)(de)范(fan)(fan)圍由所附權(quan)(quan)利(li)要(yao)(yao)求而(er)不是所述(shu)說明(ming)限定，因此(ci)旨在(zai)(zai)將(jiang)落在(zai)(zai)權(quan)(quan)利(li)要(yao)(yao)求的(de)(de)(de)(de)(de)等同要(yao)(yao)件(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)含(han)義和范(fan)(fan)圍內的(de)(de)(de)(de)(de)所有(you)變化囊(nang)括在(zai)(zai)本(ben)(ben)發(fa)明(ming)內。此(ci)外，應當(dang)理(li)解，雖然本(ben)(ben)說明(ming)書(shu)(shu)按照實(shi)(shi)(shi)(shi)施(shi)(shi)方式加(jia)以描述(shu)，但并非(fei)每(mei)個(ge)(ge)實(shi)(shi)(shi)(shi)施(shi)(shi)方式僅(jin)包含(han)一個(ge)(ge)獨立的(de)(de)(de)(de)(de)技術方案，說明(ming)書(shu)(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)這種敘(xu)述(shu)方式僅(jin)僅(jin)是為清楚起見，本(ben)(ben)領(ling)(ling)域技術人員應當(dang)將(jiang)說明(ming)書(shu)(shu)作為一個(ge)(ge)整體，各(ge)實(shi)(shi)(shi)(shi)施(shi)(shi)例(li)中的(de)(de)(de)(de)(de)技術方案也可以經適當(dang)組(zu)合，形成本(ben)(ben)領(ling)(ling)域技術人員可以理(li)解的(de)(de)(de)(de)(de)其(qi)他(ta)實(shi)(shi)(shi)(shi)施(shi)(shi)方式。