一種印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于電路板酸性蝕刻液再生技術領域，尤其涉及一種用于將印刷電路板的酸性蝕刻液中產生的亞銅離子氧化成二價銅離子的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置。
【背景技術】
[0002]印制線路板(PCB板)也稱印刷電路板，其以絕緣板為基材，切成一定尺寸，其上至少附有一個導電圖形，作為基板，并在基板上部設有孔(如元件孔、堅固孔、金屬孔等安裝孔)，用來代替以往裝置電子元器件的底盤，通過基板上的導電圖形、焊盤及金屬化過孔實現元件引腳之間的電氣連接。作為電子產品最基本也是最核心的部件，印制線路板廣泛運用于各類電子產品及大型設備及裝置上。
[0003]目前全球印刷電路板產業產值占電子元件產業總產值的四分之一以上，是各個電子元件細分產業中比重最大的產業，產業規模達400億美元。同時，由于其在電子基礎產業中的獨特地位，已經成為當代電子元件業中最活躍的產業。隨著我國電子工業年增長率超過20 %，也帶動了印刷電路板及相關產業發展，我國已成為世界最大的印刷電路板生產中心。
[0004]蝕刻工藝是目前制造印刷電路板過程中必不可少的重要步驟，在印刷電路板生產過程中，通常用酸性或堿性蝕刻工藝生產電路板，因此，每年要產生大量的這種酸性或堿性蝕刻液。其中，酸性蝕刻液有鹽酸、鹽酸+氨酸鈉、鹽酸+雙氧水等工藝，酸性蝕刻廢液的主要成分為CuCl2、HC1、NH4C1或NaCl等，其中銅含量為100?145g/L，酸度為1?4N，密度為1.2?1.4g/ml0產生的這些酸性蝕刻液因為具有側蝕小、速率易于控制和易于再生等特點，被廣泛應用。在蝕刻過程中，Cu2+與Cu作用生成Cu +，隨著蝕刻反應的進行，Cu+數量越來越多，Cu2+減少，蝕刻液蝕刻能力很快下降，為保持穩定蝕刻能力，需加入氧化劑或鼓空氣使Cu+盡快轉化為Cu 2+;同時當蝕刻缸內Cu 2+濃度達到一定數值時或者蝕刻缸的溶液超過一定體積時，需要及時排除部分蝕刻液以保證蝕刻工序的正常運轉，該排出蝕刻液稱之為蝕刻廢液。
[0005]而為了減少資源的浪費和對環境的污染，行業中往往使用電解蝕刻液再生的方法處理，但在電解處理過程中陽極肯定要產生氧化性的氣體，如果不進行回收利用，不但造成經濟的浪費，又造成了環境的二次污染。
【實用新型內容】
[0006]本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置，旨在其不僅能實現連續自動化的操作，而且能有效避免酸性蝕刻液在再生處理過程中添加的氧化劑和自身產生的氧化性氣體因無法回收利用造成的浪費。
[0007]本實用新型是這樣實現的，一種印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置，其包括外殼、固定盤、蓋板、噴管、噴射盤、分散盤及進水管，所述固定盤及所述蓋板分別設置在所述外殼的相對兩端，所述噴管與所述噴射盤連接且兩者均收容于所述外殼內，所述噴管及所述進水管的一端通過所述分散盤連接，所述進水管的另一相對端與酸性蝕刻液生產線連接；所述蓋板與酸性再生電解設備的陽極排氣口管道連接，所述蓋板的中心設置有貫穿其上、下表面的進氣口，所述噴射盤包括與所述分散盤連接的噴嘴及圍繞所述噴嘴設置的氣孔；所述酸性蝕刻液通過所述進水管進入所述分散盤及所述噴射盤并噴入所述噴管中，所述氧化性氣體在所述氣孔產生的負壓作用下從所述進氣口進入所述噴管內與所述酸性蝕刻液混合并發生化學反應而將酸性蝕刻液內的亞銅離子氧化成二價銅離子。
[0008]進一步地，前述的外殼為中空圓柱狀結構，所述外殼沿其軸向具有中空的兩相對的上端、下端及側面；所述固定盤卡設在所述下端上，所述蓋板蓋設在所述上端上，所述固定盤、所述蓋板及所述側面圍成一收容空間以收容所述噴管、所述噴射盤及所述分散盤于其中，所述側面于其靠近所述上端的位置沿所述外殼的徑向開設有開孔，所述進水管的一端從所述開孔伸入所述收容空間內與所述分散盤連接。
[0009]進一步地，前述的外殼、所述固定盤、所述蓋板、所述噴管、所述噴射盤、所述分散盤及所述進水管均采用耐酸堿腐蝕性材質制成。
[0010]進一步地，前述的固定盤呈圓盤狀結構，其直徑與所述外殼的下端的直徑相等；所述固定盤靠近其圓心的位置等間距的設有四個開口，所述四個開口圍繞所述固定盤的圓心設置。
[0011]進一步地，前述的蓋板呈圓盤狀結構，其直徑與所述外殼的上端及所述固定盤的直徑相等；所述進氣口靠近所述上表面的一端的直徑小于其靠近所述下表面一端的直徑，所述進氣口為一頂端小、底端大的錐形開口。
[0012]進一步地，前述的噴管為四根上、下開口的中空圓柱管結構，所述噴管的上、下開口的直徑等于所述固定盤的開口的直徑，且其軸向的長度小于所述外殼的軸向長度，所述噴管的下開口端收容在所述固定盤對應的開口中，從而使所述噴管通過所述固定盤固定在所述外殼上。
[0013]進一步地，前述的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的下端固定在一個吸收缸上，且所述吸收缸與所述蝕刻液生產線連接。
[0014]進一步地，前述的噴射盤大致呈圓盤狀，所述噴射盤沿其軸向的厚度大于所述噴管的軸向厚度，所述噴射盤沿其軸向由下至上依次包括底盤、中間盤及頂盤，所述底盤、所述中間盤及所述頂盤的直徑相等，且依次疊加在一起；所述底盤沿其軸向對應所述噴管的上開口位置設置有收容槽，所述中間盤圍繞其圓心設置有一個開槽，所述開槽的直徑略小于所述外殼的直徑；所述頂盤靠近其圓心的位置等間距的設有四個收容孔，所述噴嘴收容于所述收容孔內且與所述噴管相對應連接，所述氣孔沿所述噴射盤的軸向圍繞所述收容孔的周圍開設。
[0015]進一步地，前述的噴嘴沿其軸向的中間設置有錐形孔，所述錐形孔與所述噴管相通，所述噴嘴的材料為鈦或鈦合金。
[0016]進一步地，前述的分散盤呈中空圓錐狀結構，所述分散盤的上端直徑小于其下端的直徑，沿其軸向設置有錐形連通孔；所述分散盤的上端與所述進水管的下端連接，所述分散盤的下端與所述頂盤連接，所述四個噴嘴的錐形孔與所述連通孔連通。
[0017]進一步地，前述的進水管為一彎管結構，其包括水平管部及與所述水平管部連接的彎折管部；所述水平管部與設置有廢液栗的蝕刻液生產線相連接，所述彎折管部與所述分散盤的上端連接。
[0018]本實用新型與現有技術相比，有益效果在于:本實用新型實施方式提供的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置，通過設置與蝕刻液生產線連接的進水管、與酸性再生電解設備的陽極排氣口管道連接的蓋板的進氣口，及分別與所述進水管及所述進氣口連接的具有氣孔及噴嘴結構的噴射盤及噴管結構，從而使酸性蝕刻液在栗浦的作用下從所述進水管流入所述噴嘴并噴入所述噴管中，使所述酸性再生電解設備的陽極因電解產生的氧化性氣體在所述氣孔產生的負壓作用下從所述進氣口進入所述噴管內，所述氧化性氣體與所述酸性蝕刻液在所述噴管內匯集并充分混合而發生化學反應，將酸性蝕刻液內的亞銅離子氧化成二價銅離子，從而不僅實現亞銅離子的氧化，而且實現氧化性氣體在酸性蝕刻液再生處理中的回收利用。
【附圖說明】
[0019]圖1是本實用新型實施例提供的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的立體分解示意圖。
[0020]圖2是圖1中的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的剖面示意圖。
[0021]圖3是圖1中的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置的氧化及再生工藝流程示意圖。
【具體實施方式】
[0022]為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0023]請參閱圖1及圖2所示，本實用新型提供的印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置100用于對酸性蝕刻液中的亞銅離子進行氧化，所述印刷電路板酸性蝕刻液亞銅離子氧化裝置100包括外殼1、固定盤2、蓋板3、噴管4、噴射盤5、分散盤6及進水管7。所述固定盤2及所述蓋板3分別設置在所述外殼1的下端11及上端10。所述噴管4與所述噴射盤5連接且兩者均收容于所述外殼1內，所述噴管4及所述進水管7的一端通過所述分散盤6連接，所述進水管7的另一相對端與酸性蝕刻液生產線(未圖示)連接；所述蓋板3與酸性再生電解設備的陽極排氣口管道(未圖示)連接。在本實施例中，所述外殼1、所述固定盤2、所述蓋板3、所述噴管4、所述噴射盤5、所述分散盤6及所述進水管7均采用耐酸堿腐蝕性材質制成。
[0024]所述外殼1為中空圓柱狀結構，所述外殼1沿其軸向具有中空的兩相對的上端10、下端11及側面12。所述固定盤2卡設在所述下端11上，所述蓋板3蓋設在所述上端10上。所述固定盤2、所述蓋板3及所述側面12圍成一收容空間120以收容所述噴管4、所述噴射盤5及所述分散盤6于其中。所述側面12于其靠近所述上端10的位置沿所述外殼1的徑向開設有開孔121，所述開孔121供所述進水管7的一端伸入所述收容空間120內與所述分散盤6連接。
[0025]所述固定盤2呈圓盤狀結構，其直徑與所述外殼1的下端11的直徑相等。所述固定盤2靠近其圓心的位置等間距的設有四個開口 20，所述四個開口 20圍繞所述固定盤2的圓心設置。可以理解，所述固定盤2還可以一體成型地設置在所述外殼1的下端11。
[0026]所述蓋板3呈圓盤狀結構，其直徑與所述外殼1的上端10及所述固定盤2的直徑相等。所述蓋板3的中心設置有貫穿所述蓋板3的上