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一種多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統的制作方法

文檔序號:9682578閱讀:485來源(yuan):國知局
一種多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及鍍膜技術領域,尤其涉及一種多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統。
【背景技術】
[0002]磁控濺射原理是指電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片,氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子或分子沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在靠近靶面的等離子體區域內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上。
[0003]現有技術中的磁控濺射鍍膜系統,大多采用比較簡單的觸摸屏加PLC控制系統,因其通訊速度慢,且工藝配方和在線控制方面得不到及時實現和監控,無法滿足大型多功能連續磁控濺射真空鍍膜線的特性需求。

【發明內容】

[0004]本發明要解決的技術問題在于,針對現有技術的不足,提供一種結構完善、通訊速度快、易于操控并能滿足大型多功能連續磁控濺射真空鍍膜線的自動控制系統。
[0005]為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案。
[0006]—種多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統,其包括有:一上位控制電腦,其安裝有預設的上位機軟件,用于顯示數據及發出操控指令;一主站,其連接于上位控制電腦,所述主站包括有歐姆龍PLC控制器,用于上傳數據至上位控制電腦以及接收上位控制電腦的操控指令,并對操控指令進行處理;從站組,所述從站組受控于主站,所述從站組用于實現各栗組與各氣動閥的順序控制、ΙΤ0鍍膜箱的溫度控制、工藝氣體流量控制、鍍膜速度控制以及異常報警功能。
[0007]優選地,所述從站組包括有順序控制模塊,所述順序控制模塊基于順序控制的方式,對各旋片栗、羅茨栗、分子栗、各氣動閥、各門閥及各段傳動進行啟動停止控制。
[0008]優選地,所述從站組包括有溫度控制模塊,所述溫度控制模塊根據上位控制電腦的設定值,通過控制可控硅的導通角來實現加熱功率的高低。
[0009]優選地,所述從站組包括有工藝氣體控制模塊,所述工藝氣體控制模塊根據上位控制電腦的設定值,通過控制流量計的流量來調控工藝氣體量。
[0010]優選地,所述從站組包括有調速模塊,所述調速模塊根據上位控制電腦的設定值,通過控制變頻器的頻率輸出來實現對傳動馬達旋轉速度的控制,從而實現鍍膜速度的線性控制。
[0011]優選地,所述從站組包括有異常報警模塊,所述異常報警模塊用于在系統出現異常時,向上位控制電腦上傳報警參數。
[0012]本發明公開的多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統中,在上位控制電腦、主站和從站組的配合作用下,有效解決了現有技術中多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統問題,適合應用于多功能連續磁控濺射真空鍍膜生產線等領域,并且具有結構完善、通訊速度快、易于操控等有益效果。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發明多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統的組成框圖。
[0014]圖2為本發明多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統的具體結構框圖。
[0015]圖3為順序控制模塊的操控界面圖。
[0016]圖4為溫度控制模塊的操控界面圖。
[0017]圖5為工藝氣體控制模塊的操控界面圖。
[0018]圖6為調速模塊的操控界面圖。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖和實施例對本發明作更加詳細的描述。
[0020]本發明公開了一種多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統,如圖1所示,其包括有:
[0021]—上位控制電腦1,其安裝有預設的上位機軟件,用于顯示數據及發出操控指令;
[0022]一主站2,其連接于上位控制電腦1,所述主站2包括有歐姆龍PLC控制器,用于上傳數據至上位控制電腦1以及接收上位控制電腦1的操控指令,并對操控指令進行處理;
[0023]從站組3,所述從站組3受控于主站2,所述從站組3用于實現各栗組與各氣動閥的順序控制、ΙΤ0鍍膜箱的溫度控制、工藝氣體流量控制、鍍膜速度控制以及異常報警功能。
[0024]上述自動控制系統中,在上位控制電腦1、主站2和從站組3的配合作用下,有效解決了現有技術中多功能連續磁控濺射真空鍍膜自動控制系統問題,適合應用于多功能連續磁控濺射真空鍍膜生產線等領域,并且具有結構完善、通訊速度快、易于操控等有益效果。
[0025]進一步地,結合圖1和圖2所示,所述從站組3包括有順序控制模塊30,所述順序控制模塊30基于順序控制的方式,對各旋片栗、羅茨栗、分子栗、各氣動閥、各門閥及各段傳動進行啟動停止控制。所述從站組3包括有溫度控制模塊31,所述溫度控制模塊31根據上位控制電腦1的設定值,通過控制可控硅的導通角來實現加熱功率的高低。所述從站組3包括有工藝氣體控制模塊32,所述工藝氣體控制模塊32根據上位控制電腦1的設定值,通過控制流量計的流量來調控工藝氣體量。所述從站組3包括有調速模塊33,所述調速模塊33根據上位控制電腦1的設定值,通過控制變頻器的頻率輸出來實現對傳動馬達旋轉速度的控制,從而實現鍍膜速度的線性控制。所述從站組3包括有異常報警模塊34,所述異常報警模塊34用于在系統出現異常時,向上位控制電腦1上傳報警參數。
[0026]關于控制方式,參見如下實施例:
[0027]實施例1,請參照圖3,順序控制模塊的界面為各栗組、各氣動閥、各門閥、各段傳動的啟動停止控制,其遵循順序控制原則。如:栗組啟動及各氣動閥打開:先開啟旋片栗2X-70八,再開啟¥?1、¥?2、¥?3、¥?4、¥?5、¥?1、¥?2,當真空度達到設定值,才能啟動羅茨栗2開_300、ZJY-600,又當真空度達到設定值,才能啟動分子栗前級閥及分子栗。
[0028]關于栗組停止及各氣動閥關閉:先停止分子栗,當分子栗完全停止后才能停止羅茨栗,當羅茨栗停止后才能停止旋片栗,最后關閉各氣動閥¥?1、¥?2、¥?3、¥?4、¥?5、¥?1、¥卩2各門閥及放氣氣動閥:門閥VS1、VS2、VS3放氣閥SV1管道氣動閥VP1組成入料系統,門閥VS4、VS5、VS6放氣閥SV2管道氣動閥VP2組成出料系統。在入料系統中,為保證主鍍膜室真空度的穩定,VS1,VS2不能同時開啟,VS2,VS3不能同時開啟。在自動生產過程中,當入口室(箱體1#傳動CM1)沒有框架(被濺射物載體),門閥VS2處于關閉狀態,且傳動CM36上有框架,則VP1關閉,VP1關閉后羅茨栗ZJY-300關閉,羅茨栗ZJY-300關閉后羅茨栗ZJY-600關閉,然后放氣閥SV1打開,破壞入口室(箱體1#)真空后,門閥VS1開啟。門閥VS1開啟后,放氣閥SV1關閉,同時傳動CM1,CM36開啟,載物框架進入入口室(箱體1#),然后門閥VS1關閉。門閥VS1關閉后,VP1開啟,當真空度達到后,羅茨栗ZJY-300開啟,然后羅茨栗ZJY-600開啟。當其真空度達到后,如果門閥VS1VS3都處于關閉狀態,且傳動CM2上沒有框架,則門閥VS2開啟。當門閥VS2開啟到位后,傳動CM1CM2啟動,框架從入口室快速進入入口過渡室(箱體2#),當框架進入到位后,傳動CM1 CM2停止,門閥VS2關閉。當入口協調室(箱體3#)上傳動CM3沒有框架,且門閥VS2處于關閉狀態,入口過渡室(箱體2#)傳動CM2上有框架,則門閥VS3開啟,門閥VS3開啟到位后,傳動CM2 CM3啟動,框架從入口過渡室(箱體2#)快速進入入口協調室(箱體3#),當框架進入到位后,傳動CM2 CM3停止,門閥VS3關閉。
[0029]在出料系統中,為保證主鍍膜室(箱體3#_12#)真空度的穩定,VS4,VS5不能同時開啟,VS5,VS6不能同時開啟。在自動生產過程中,當出口室(箱體14#傳動CM14)有框架,門閥VS5處于關閉狀態,且傳動CM15上沒有框架,則VP2關閉,VP2關閉后羅茨栗ZJY-300關閉,羅茨栗ZJY-300關閉后羅茨栗ZJY-600關閉,然后放氣閥SV2打開,破壞出口室(箱體14#)真空后,門閥VS6開啟。門閥VS6開啟后,放氣閥SV2關閉,同時傳動CM14,CM15開啟,載物框架完全出了出口室(箱體14#),然后門閥VS6關閉。門閥VS6關閉后,VP2開啟,當真空度達到后,羅茨栗ZJY-300開啟
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