一種新型ito靶材布局方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于隱身鍍膜技術領域，具體涉及一種新型ΙΤ0靶材布局方法。
【背景技術】
[0002]現在關于透明導電氧化物薄膜的研究范圍很廣泛，材料品種很多，但主要集中在Ιη203與Sn02以及和其他氧化物混合的領域，從光的透過率方面來講，平板顯示要求透光度愈高愈好，而太陽能電池行業則要滿足太陽光全波段范圍的透光度及熱穩定性。另一方面，薄膜的電阻率要小才能保持好的導電性。綜合來說，當薄膜的光學透過率>80%，電阻率P〈10—4Ω才算是良好的透明導電膜。ΙΤ0具有能隙Eg = 3.5-4.3eV，550nm波長處可見光透過率達85%以上，紅外反射率大于80%，同時兼具高的硬度和耐磨性，易刻蝕等諸多優異性能，使得ΙΤ0薄膜在眾多的透明導電氧化物薄膜中脫穎而出。ΙΤ0靶的化學成分是In203-Sn02，加入Sn的作用是降低In的電阻，使之具有較好的導電性。按分子比，In203-Sn02的組成為93:7或91:9; In203-Sn02中In的質量分數一般超過70 %。密度超過7.0g/cm3的叫超高密度靶材。但由于IT0靶材中銦材料(In)和錫(Sn)材料屬于稀有材料造價昂貴，在磁控濺射過程中，用加速的離子轟擊靶材表面，會產生較高的破壞應力，使得靶材表面容易發生碎裂，而一旦靶材出現裂紋后就需要立即更換才能保證鍍膜的質量，更換成本巨大。
[0003]本發明采用將大塊長方形靶材切割成帶有小角度的平行四邊形靶材，然后通過等間隔排列，減小靶材的應力集中，提高靶材的使用壽命達5-6倍，大大節約了生產成本，保證了鍍膜的質量。

【發明內容】

[0004]1、目的:本發明的目的就是提供一種新型ΙΤ0靶材布局方法。它克服了現有技術的不足，是一種節約生產成本，提高工作效率的新設計。
[0005]2、技術方案:本發明一種新型ΙΤ0靶材布局方法，該方法具體步驟如下:
[0006]步驟一:將原有的背板進行加工，完成一個長環形跑道凹槽；
[0007]步驟二:將原有的大尺寸正長方體靶材加工成小尺寸的帶有預定傾斜角度的(δ-?Ο。) 的斜長方體靶材；
[0008]步驟三:加工長環形跑道長直軌道與半圓形軌道對接處的一面帶有小角度，另外一面是垂直體梯形體靶材；
[0009]步驟四:加工半圓形體靶材。
[0010]步驟五:將小尺寸的斜長方體靶材與梯形體靶材和半圓形體靶材安裝到新加工好的帶有長環形跑道凹槽的背板上，安裝斜長方體靶材間留預定的空隙，空隙大小為靶材厚度的sin(傾斜角度值)。
[0011]3、優點及功效:本發明一種新型ΙΤ0靶材布局方法的優點是:降低了鍍膜濺射過程中靶材內部的熱膨脹過程中引起的應力集中現象，增長了使用壽命。長環形軌道主要是為了更適應濺射軌道，提高了靶材的利用率，節省了昂貴的原材料。
【附圖說明】
[0012]圖1-1為原紫銅背板示意圖。
[0013]圖1-2為原紫銅背板切面示意圖。
[0014]圖1-3為ΙΤ0靶材原有布局方式示意圖。
[0015]圖1-4為ΙΤ0靶材原大塊長方形靶材切面示意圖。
[0016]圖2-1為新紫銅背板正視圖。
[0017]圖2-2為新紫銅背板的切面圖。
[0018]圖3-1為ΙΤ0靶材新型加工布局方法的正面示意圖。
[0019]圖3-2為新型布局方式的長環形跑道兩邊與半圓環相連接的梯形體靶材放大示意圖。
[0020]圖3-3為新型布局方式的長環形跑道直道部分的斜長方體靶材放大示意圖。
[0021]圖3-4為新型布局方式的長環形跑道兩頭半圓形體靶材放大示意圖。
[0022]圖3-5為新型布局方式的兩塊斜長方體靶材之間排布放大圖。
[0023]圖4為本發明流程框圖。
【具體實施方式】
[0024]本發明提供的是一種新型ΙΤ0靶材布局方法。見圖4，該方法具體步驟如下:
[0025]步驟一:將原有的背板進行加工，完成一個長環形跑道凹槽；
[0026]步驟二:將原有的大尺寸正長方體靶材加工成小尺寸的帶有預定傾斜角度的(δ-?Ο。) 的斜長方體靶材；
[0027]步驟三:加工長環形跑道長直軌道與半圓形軌道對接處的一面帶有小角度，另外一面是垂直體的梯形體靶材；
[0028]步驟四:加工半圓形體靶材。
[0029]步驟五:將小尺寸的斜長方體靶材與梯形體靶材和半圓形體靶材安裝到新加工好的帶有長環形跑道凹槽的背板上，安裝斜長方體靶材間留預定的空隙，空隙大小為靶材厚度的sin(傾斜角度值)。
[0030]原靶材背板為長方體紫銅背板(如圖1-1和圖1-2所示)，原靶材布局方式為9塊厚度為10mm的長方體大板(如圖1-3和圖1-4所示)，無間隔排列到長方體紫銅背板上。新的布局方式采用的紫銅背板(如圖2-1和圖2-1所示)，這是為方便小塊靶材的固定而打了一個長環形跑道槽。將原靶材布局方式改成56塊帶有小角度的厚度為10mm的斜長方體靶材(如圖3-3所示)，以間距為0.872mm(10mm*Sin5°)排布貼敷在新加工好長環形凹槽的紫銅背板的兩條直道上，排布方式見放大圖3-5，在靠近環形道的位置貼覆厚度為10mm的四塊梯形體靶材(如圖3-1)，兩邊的環形部分無縫隙貼覆兩塊厚度為10mm的半圓形體靶材(如圖3-4)。半圓形體靶材加工要比直角形更容易加工，且濺射弧軌道即為圓形，這樣既減小了加工難度，又能節省靶材原料。一種新型ΙΤ0靶材布局方法流程框圖見圖4。
[0031]采用新的布局方式布置的ΙΤ0靶材較原布局方式的ΙΤ0靶材壽命減小了靶材在接受濺射過程中產生的熱應力集中，使其壽命提高了至少5-6倍，大大節約了生產成本，提高了鍍膜濺射的工作效率，同時保證了濺射鍍膜的質量。
【主權項】
1.一種新型ITO革E材布局方法，其特征在于:該方法具體步驟如下: 步驟一:將原有的背板進行加工，完成一個長環形跑道凹槽； 步驟二:將原有的大尺寸正長方體靶材加工成小尺寸的帶有預定傾斜角度的5-10°的斜長方體靶材； 步驟三:加工長環形跑道長直軌道與半圓形軌道對接處的一面帶有小角度，另外一面是垂直體梯形體靶材； 步驟四:加工半圓形體靶材； 步驟五:將小尺寸的斜長方體靶材與梯形體靶材和半圓形體靶材安裝到新加工好的帶有長環形跑道凹槽的背板上，安裝斜長方體靶材間留預定的空隙，空隙大小為靶材厚度的sin傾斜角度值。
【專利摘要】一種新型ITO靶材布局方法，該方法有五大步驟：一、將原有的背板進行加工，完成一個長環形跑道凹槽；二、將原有的大尺寸正長方體靶材加工成小尺寸的帶有預定傾斜角度的5-10°的斜長方體靶材；三、加工長環形跑道長直軌道與半圓形軌道對接處的一面帶有小角度，另外一面是垂直體梯形體靶材；四、加工半圓形體靶材；五、將小尺寸的斜長方體靶材與梯形體靶材和半圓形體靶材安裝到新加工好的帶有長環形跑道凹槽的背板上，安裝斜長方體靶材間留預定的空隙，空隙大小為靶材厚度的sin傾斜角度值。本發明在保證了鍍膜質量的同時既節省了原料，又提高了靶材的使用壽命。
【IPC分類】C23C14/08, C23C14/34
【公開號】CN105441883
【申請號】CN201510815761
【發明人】張麗嬌, 郝俊海, 王立峰
【申請人】銥格斯曼航空科技集團有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年11月23日