本發明涉及(ji)(ji)半導體器件(jian)加工領(ling)域，尤其涉及(ji)(ji)一種真(zhen)空鍍膜設備(bei)、一種真(zhen)空鍍膜方法(fa)，以及(ji)(ji)一種計算機可讀存(cun)儲介(jie)質。

背景技術：

1、現有的(de)(de)真空鍍膜設備通常使用u型(xing)機械(xie)手同(tong)時(shi)(shi)夾持(chi)并(bing)輸送兩個(ge)(ge)待加工(gong)晶圓，以提(ti)升工(gong)藝效率。然而，u型(xing)機械(xie)手無法(fa)實現對反(fan)應腔兩側放片(pian)(pian)和取片(pian)(pian)位置(zhi)分別進(jin)行(xing)調整(zheng)。當反(fan)應腔兩側加熱(re)(re)盤中(zhong)心距安裝出現偏差時(shi)(shi)，兩個(ge)(ge)待加工(gong)晶圓無法(fa)分別精(jing)確放到(dao)兩側加熱(re)(re)盤的(de)(de)中(zhong)心，導致工(gong)藝出現偏差。因此，只能(neng)通過反(fan)復(fu)調整(zheng)加熱(re)(re)盤中(zhong)心距的(de)(de)方法(fa)，讓待加工(gong)晶圓落到(dao)加熱(re)(re)盤中(zhong)心。這種(zhong)方法(fa)不(bu)僅不(bu)好操作，而且浪費工(gong)時(shi)(shi)，大(da)大(da)降低了真空鍍膜工(gong)藝的(de)(de)效率。

2、為了克(ke)服現有技術存在的上述缺(que)陷(xian)，本領域亟需一種改進的真空鍍膜設備，用于克(ke)服兩個(ge)加(jia)熱(re)(re)盤(pan)(pan)中心的安(an)裝偏差，使兩個(ge)晶圓分別精準地落到兩個(ge)加(jia)熱(re)(re)盤(pan)(pan)的工藝位(wei)置。

技術實現思路

1、以(yi)下給出一(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)方面(mian)的(de)(de)(de)簡要概述(shu)以(yi)提(ti)供對(dui)這些方面(mian)的(de)(de)(de)基本理解。此(ci)概述(shu)不是(shi)所有(you)構想到的(de)(de)(de)方面(mian)的(de)(de)(de)詳(xiang)盡(jin)綜覽，并且既非旨在指認出所有(you)方面(mian)的(de)(de)(de)關鍵(jian)性或(huo)決(jue)定(ding)性要素亦非試(shi)圖界(jie)定(ding)任何或(huo)所有(you)方面(mian)的(de)(de)(de)范(fan)圍。其唯一(yi)的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)是(shi)要以(yi)簡化形式給出一(yi)個(ge)(ge)或(huo)多(duo)個(ge)(ge)方面(mian)的(de)(de)(de)一(yi)些概念以(yi)為稍后給出的(de)(de)(de)更加詳(xiang)細的(de)(de)(de)描述(shu)之前序。

2、為了(le)克服(fu)現有技術(shu)存在的(de)(de)上述(shu)缺陷，本發明提供(gong)了(le)一(yi)種真空(kong)鍍(du)膜設備、一(yi)種真空(kong)鍍(du)膜方法及一(yi)種計算機(ji)可(ke)(ke)讀存儲介質，通過配置高(gao)低(di)兩(liang)組(zu)(zu)頂(ding)針(zhen)組(zu)(zu)，并配置機(ji)械手在第(di)一(yi)高(gao)度和(he)第(di)二高(gao)度分別進行對應(ying)加熱(re)盤(pan)(pan)的(de)(de)位(wei)置糾偏后(hou)，再將(jiang)晶圓放置到(dao)對應(ying)的(de)(de)頂(ding)針(zhen)組(zu)(zu)頂(ding)端，可(ke)(ke)以克服(fu)兩(liang)個加熱(re)盤(pan)(pan)中心的(de)(de)安(an)裝(zhuang)偏差，使兩(liang)個晶圓分別精準地落到(dao)兩(liang)個加熱(re)盤(pan)(pan)的(de)(de)工藝位(wei)置。

3、具體來說，根據本發明的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)方面提供的(de)上述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)真空鍍膜設備包(bao)括反應(ying)(ying)腔室(shi)及機(ji)械(xie)手(shou)。所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)反應(ying)(ying)腔室(shi)包(bao)括至少兩(liang)(liang)個加(jia)熱盤(pan)。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)加(jia)熱盤(pan)配置(zhi)(zhi)(zhi)有較(jiao)長的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)針組。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)加(jia)熱盤(pan)配置(zhi)(zhi)(zhi)有較(jiao)短(duan)的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)針組。所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)機(ji)械(xie)手(shou)包(bao)括至少兩(liang)(liang)個承載晶(jing)圓的(de)指(zhi)部，并被配置(zhi)(zhi)(zhi)為：從前端模塊(kuai)獲取第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)圓和/或第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)晶(jing)圓；在高(gao)于(yu)(yu)所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)針組頂(ding)(ding)(ding)端的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)高(gao)度(du)(du)(du)，進行對準(zhun)所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)加(jia)熱盤(pan)的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)位置(zhi)(zhi)(zhi)糾偏(pian)；下降到介(jie)于(yu)(yu)所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)針組頂(ding)(ding)(ding)端與所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)針組頂(ding)(ding)(ding)端之間的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)高(gao)度(du)(du)(du)，以(yi)將(jiang)(jiang)所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)圓放置(zhi)(zhi)(zhi)到所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)針組的(de)頂(ding)(ding)(ding)端，再進行對準(zhun)所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)加(jia)熱盤(pan)的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)位置(zhi)(zhi)(zhi)糾偏(pian)；以(yi)及下降到低于(yu)(yu)所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)針組頂(ding)(ding)(ding)端的(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)三高(gao)度(du)(du)(du)，以(yi)將(jiang)(jiang)所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)晶(jing)圓放置(zhi)(zhi)(zhi)到所述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)針組的(de)頂(ding)(ding)(ding)端。

4、進一(yi)(yi)(yi)步地，在本發明的一(yi)(yi)(yi)些實施(shi)例中，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)機械手還被(bei)配置為：在從(cong)(cong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)前端模塊獲取所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶(jing)圓(yuan)和/或所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二晶(jing)圓(yuan)之后(hou)，攜(xie)帶(dai)獲取的所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶(jing)圓(yuan)和/或所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二晶(jing)圓(yuan)從(cong)(cong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)高度(du)進入所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)反(fan)應腔室，以抵達所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)針組頂(ding)(ding)端及所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二頂(ding)(ding)針組的上方；和/或所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)機械手還在將所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二晶(jing)圓(yuan)放置到(dao)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二加(jia)熱盤(pan)的工藝(yi)位(wei)置之后(hou)，從(cong)(cong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)三高度(du)退出所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)反(fan)應腔室。

5、進一(yi)步地，在(zai)(zai)本發明的(de)(de)(de)一(yi)些實(shi)施例中，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)加(jia)熱(re)(re)盤及(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)加(jia)熱(re)(re)盤還(huan)在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)機械手(shou)進入所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)反應(ying)腔(qiang)室(shi)之(zhi)前，下(xia)降(jiang)到低于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)三高度的(de)(de)(de)傳片位置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)，以(yi)露出所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)頂(ding)(ding)(ding)針組(zu)及(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)針組(zu)，和(he)/或(huo)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)加(jia)熱(re)(re)盤及(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)加(jia)熱(re)(re)盤還(huan)在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)機械手(shou)退出所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)反應(ying)腔(qiang)室(shi)之(zhi)后(hou)，上升(sheng)到高于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)頂(ding)(ding)(ding)針組(zu)頂(ding)(ding)(ding)端的(de)(de)(de)工藝位置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)，以(yi)從(cong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)針組(zu)頂(ding)(ding)(ding)端獲(huo)取所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)晶圓和(he)/或(huo)從(cong)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)頂(ding)(ding)(ding)針組(zu)頂(ding)(ding)(ding)端獲(huo)取所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)晶圓，再(zai)對獲(huo)取的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)晶圓和(he)/或(huo)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)晶圓進行真空鍍膜工藝，和(he)/或(huo)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)加(jia)熱(re)(re)盤及(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)加(jia)熱(re)(re)盤還(huan)在(zai)(zai)完成所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)真空鍍膜工藝之(zhi)后(hou)，下(xia)降(jiang)到所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)傳片位置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)，以(yi)將(jiang)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)晶圓放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)到所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)頂(ding)(ding)(ding)針組(zu)的(de)(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)端，和(he)/或(huo)將(jiang)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)晶圓放(fang)置(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)到所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)針組(zu)的(de)(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)端。

6、進一(yi)(yi)(yi)步地，在本發明的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)些實(shi)施(shi)例中，所(suo)述(shu)(shu)真空鍍膜設備中還包括處(chu)理器。所(suo)述(shu)(shu)處(chu)理器被配置(zhi)為：獲(huo)取所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)加(jia)熱(re)盤(pan)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)位(wei)(wei)置(zhi)數據(ju)(ju)(ju)(ju)和(he)/或(huo)(huo)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)awc數據(ju)(ju)(ju)(ju)，并根(gen)據(ju)(ju)(ju)(ju)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)位(wei)(wei)置(zhi)數據(ju)(ju)(ju)(ju)和(he)/或(huo)(huo)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)awc數據(ju)(ju)(ju)(ju)，確(que)(que)定(ding)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)位(wei)(wei)置(zhi)糾偏(pian)的(de)(de)控(kong)制指令。所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)awc數據(ju)(ju)(ju)(ju)指示(shi)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶圓從所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)高度下降到所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)頂(ding)針(zhen)(zhen)組(zu)頂(ding)端(duan)所(suo)產(chan)生的(de)(de)位(wei)(wei)置(zhi)偏(pian)差(cha)；和(he)/或(huo)(huo)獲(huo)取所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)加(jia)熱(re)盤(pan)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)位(wei)(wei)置(zhi)數據(ju)(ju)(ju)(ju)和(he)/或(huo)(huo)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)awc數據(ju)(ju)(ju)(ju)，并根(gen)據(ju)(ju)(ju)(ju)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)位(wei)(wei)置(zhi)數據(ju)(ju)(ju)(ju)和(he)/或(huo)(huo)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)awc數據(ju)(ju)(ju)(ju)，確(que)(que)定(ding)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)位(wei)(wei)置(zhi)糾偏(pian)的(de)(de)控(kong)制指令。所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)awc數據(ju)(ju)(ju)(ju)指示(shi)所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)晶圓從所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)高度下降到所(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)頂(ding)針(zhen)(zhen)組(zu)頂(ding)端(duan)所(suo)產(chan)生的(de)(de)位(wei)(wei)置(zhi)偏(pian)差(cha)。

7、進一步(bu)地，在本(ben)發明的(de)一些(xie)實(shi)施例中(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)一位(wei)置數(shu)據(ju)和/或所(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)二位(wei)置數(shu)據(ju)分別(bie)包括控制所(suo)(suo)述(shu)(shu)機(ji)械(xie)手(shou)做前后伸(shen)展(zhan)運(yun)(yun)動(dong)(dong)的(de)第(di)一運(yun)(yun)動(dong)(dong)參(can)(can)數(shu)、控制所(suo)(suo)述(shu)(shu)機(ji)械(xie)手(shou)做左(zuo)右旋轉運(yun)(yun)動(dong)(dong)的(de)第(di)二運(yun)(yun)動(dong)(dong)參(can)(can)數(shu)，和/或控制所(suo)(suo)述(shu)(shu)機(ji)械(xie)手(shou)做升降(jiang)運(yun)(yun)動(dong)(dong)的(de)第(di)三運(yun)(yun)動(dong)(dong)參(can)(can)數(shu)。

8、進一(yi)(yi)(yi)步地，在本(ben)發明的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)些實施例中，所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)機械手還被配置為：在所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)加(jia)熱(re)(re)盤(pan)及(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二加(jia)熱(re)(re)盤(pan)下(xia)降到所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)傳片(pian)位(wei)置之后(hou)，從所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三高度進入所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)反應腔(qiang)室(shi)，以(yi)(yi)抵達所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)針(zhen)(zhen)組及(ji)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二頂(ding)(ding)(ding)針(zhen)(zhen)組的(de)(de)(de)下(xia)方，再(zai)進行(xing)對(dui)準(zhun)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二加(jia)熱(re)(re)盤(pan)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)三位(wei)置糾偏(pian)；上升到所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二高度，以(yi)(yi)從所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二頂(ding)(ding)(ding)針(zhen)(zhen)組的(de)(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)端(duan)獲取(qu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二晶(jing)圓，再(zai)進行(xing)對(dui)準(zhun)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)加(jia)熱(re)(re)盤(pan)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)四(si)位(wei)置糾偏(pian)；上升到所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)高度，以(yi)(yi)從所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)針(zhen)(zhen)組的(de)(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)端(duan)獲取(qu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶(jing)圓，再(zai)攜帶獲取(qu)的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶(jing)圓和/或所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二晶(jing)圓從所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)高度退(tui)出所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)反應腔(qiang)室(shi)；以(yi)(yi)及(ji)將獲取(qu)的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)晶(jing)圓和/或所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二晶(jing)圓放置回所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)前端(duan)模塊。

9、進一(yi)(yi)步地，在本發明的(de)一(yi)(yi)些實施例中(zhong)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)處(chu)理器還被(bei)配置(zhi)為：根據(ju)(ju)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)位(wei)置(zhi)數(shu)(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)和/或所(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)awc數(shu)(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)，確定所(suo)(suo)述(shu)(shu)第四位(wei)置(zhi)糾(jiu)偏(pian)的(de)控(kong)制指令；和/或根據(ju)(ju)所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二位(wei)置(zhi)數(shu)(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)和/或所(suo)(suo)述(shu)(shu)第二awc數(shu)(shu)(shu)(shu)據(ju)(ju)，確定所(suo)(suo)述(shu)(shu)第三位(wei)置(zhi)糾(jiu)偏(pian)的(de)控(kong)制指令。

10、進一步地，在本發明的(de)(de)一些實(shi)施(shi)例中，所(suo)述(shu)(shu)真(zhen)空(kong)鍍膜(mo)設備(bei)還包(bao)括(kuo)所(suo)述(shu)(shu)前(qian)(qian)端模(mo)(mo)塊。所(suo)述(shu)(shu)前(qian)(qian)端模(mo)(mo)塊包(bao)括(kuo)大(da)(da)氣(qi)傳動機構及所(suo)述(shu)(shu)大(da)(da)氣(qi)真(zhen)空(kong)轉(zhuan)換負(fu)載(zai)腔(qiang)室(shi)。所(suo)述(shu)(shu)大(da)(da)氣(qi)傳動機構用(yong)于實(shi)現所(suo)述(shu)(shu)第(di)一晶(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)和/或所(suo)述(shu)(shu)第(di)二晶(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)在前(qian)(qian)端的(de)(de)前(qian)(qian)開式晶(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)傳送盒與后端的(de)(de)大(da)(da)氣(qi)真(zhen)空(kong)轉(zhuan)換負(fu)載(zai)腔(qiang)室(shi)之間(jian)的(de)(de)傳輸。所(suo)述(shu)(shu)大(da)(da)氣(qi)真(zhen)空(kong)轉(zhuan)換負(fu)載(zai)腔(qiang)室(shi)用(yong)于實(shi)現所(suo)述(shu)(shu)反應腔(qiang)室(shi)中的(de)(de)真(zhen)空(kong)環(huan)境與所(suo)述(shu)(shu)大(da)(da)氣(qi)傳動機構中的(de)(de)大(da)(da)氣(qi)環(huan)境之間(jian)的(de)(de)氣(qi)壓轉(zhuan)換。

11、進一步(bu)地，在本發明的(de)一些實施例中，所(suo)述(shu)(shu)(shu)真空鍍膜設備包(bao)括多(duo)層所(suo)述(shu)(shu)(shu)反應腔(qiang)室(shi)。每層所(suo)述(shu)(shu)(shu)反應腔(qiang)室(shi)分別包(bao)括所(suo)述(shu)(shu)(shu)至少兩個加熱盤。所(suo)述(shu)(shu)(shu)機(ji)械手包(bao)括對應的(de)多(duo)層指(zhi)(zhi)部(bu)結構。每層所(suo)述(shu)(shu)(shu)指(zhi)(zhi)部(bu)結構分別包(bao)括所(suo)述(shu)(shu)(shu)至少兩個承載晶圓的(de)指(zhi)(zhi)部(bu)。

12、此外，根據本發明的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)方面提供的(de)(de)上(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)真空(kong)鍍膜方法包(bao)括以(yi)下步驟：經(jing)由機(ji)械(xie)手(shou)(shou)(shou)從前端(duan)模塊獲(huo)取(qu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)(jing)圓(yuan)和/或第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)晶(jing)(jing)圓(yuan)，并將(jiang)(jiang)其送(song)入后(hou)端(duan)的(de)(de)反應腔室。反應腔室包(bao)括至少(shao)兩個加(jia)(jia)熱盤(pan)(pan)。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)加(jia)(jia)熱盤(pan)(pan)配置(zhi)有較(jiao)長的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)(ding)針組(zu)(zu)。第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)加(jia)(jia)熱盤(pan)(pan)配置(zhi)有較(jiao)短的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)(ding)針組(zu)(zu)；經(jing)由所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)機(ji)械(xie)手(shou)(shou)(shou)，在高(gao)于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)(ding)針組(zu)(zu)頂(ding)(ding)(ding)(ding)端(duan)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)高(gao)度進行對準所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)加(jia)(jia)熱盤(pan)(pan)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)位(wei)置(zhi)糾(jiu)(jiu)偏；將(jiang)(jiang)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)機(ji)械(xie)手(shou)(shou)(shou)下降到介于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)(ding)針組(zu)(zu)頂(ding)(ding)(ding)(ding)端(duan)與所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)(ding)針組(zu)(zu)頂(ding)(ding)(ding)(ding)端(duan)之間(jian)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)高(gao)度，以(yi)將(jiang)(jiang)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)晶(jing)(jing)圓(yuan)放置(zhi)到所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)頂(ding)(ding)(ding)(ding)針組(zu)(zu)的(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)(ding)端(duan)，再經(jing)由所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)機(ji)械(xie)手(shou)(shou)(shou)進行對準所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)加(jia)(jia)熱盤(pan)(pan)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)位(wei)置(zhi)糾(jiu)(jiu)偏；以(yi)及將(jiang)(jiang)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)機(ji)械(xie)手(shou)(shou)(shou)下降到低于所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)(ding)針組(zu)(zu)頂(ding)(ding)(ding)(ding)端(duan)的(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)三高(gao)度，以(yi)將(jiang)(jiang)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)晶(jing)(jing)圓(yuan)放置(zhi)到所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)頂(ding)(ding)(ding)(ding)針組(zu)(zu)的(de)(de)頂(ding)(ding)(ding)(ding)端(duan)。

13、此外，根據(ju)本(ben)發明(ming)的第三方面提(ti)(ti)供(gong)的上述(shu)計(ji)算機(ji)可讀存儲介質，其上存儲有計(ji)算機(ji)指令。所述(shu)計(ji)算機(ji)指令被處理器執(zhi)行時，實(shi)施(shi)如本(ben)發明(ming)的第二方面提(ti)(ti)供(gong)的真空鍍膜方法。

技術特征：

1.一種(zhong)真空鍍(du)膜設備，其特征在于，包括：

2.如權利(li)要求1所述(shu)(shu)的真空(kong)鍍膜設備，其(qi)特征在于，所述(shu)(shu)機械手還被配(pei)置(zhi)為：

3.如權(quan)利要求2所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)的真空(kong)鍍膜設備，其特征(zheng)在(zai)于(yu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一加(jia)熱(re)盤(pan)及所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二加(jia)熱(re)盤(pan)還在(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)機械手進入所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)反應(ying)腔室(shi)之前，下降到低于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)三高度的傳片位置，以露出(chu)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)一頂針組及所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)第(di)二頂針組，和(he)/或

4.如權利要求3所述(shu)的真空鍍膜設(she)備(bei)，其特(te)征在(zai)于(yu)，所述(shu)真空鍍膜設(she)備(bei)中還包(bao)括處(chu)理(li)器，其中，所述(shu)處(chu)理(li)器被配置為：

5.如權(quan)利要(yao)求4所(suo)述(shu)的(de)真空鍍膜設備，其(qi)特征在于(yu)，所(suo)述(shu)第(di)一位置數據和/或(huo)(huo)所(suo)述(shu)第(di)二(er)位置數據分別包(bao)括控(kong)制所(suo)述(shu)機械手做(zuo)前后伸(shen)展運動的(de)第(di)一運動參數、控(kong)制所(suo)述(shu)機械手做(zuo)左(zuo)右(you)旋(xuan)轉運動的(de)第(di)二(er)運動參數，和/或(huo)(huo)控(kong)制所(suo)述(shu)機械手做(zuo)升降(jiang)運動的(de)第(di)三(san)運動參數。

6.如權利(li)要求4所(suo)述(shu)的真空鍍膜設備(bei)，其(qi)特征(zheng)在于(yu)，所(suo)述(shu)機械手還被(bei)配置為：

7.如權利(li)要(yao)求6所述(shu)的真空鍍(du)膜(mo)設備，其(qi)特征(zheng)在于，所述(shu)處理器還被配置為：

8.如權利要求1所(suo)(suo)述(shu)的真(zhen)空(kong)鍍膜(mo)設(she)備，其特(te)征在于，所(suo)(suo)述(shu)真(zhen)空(kong)鍍膜(mo)設(she)備還包(bao)括(kuo)(kuo)所(suo)(suo)述(shu)前端(duan)模(mo)塊，其中，所(suo)(suo)述(shu)前端(duan)模(mo)塊包(bao)括(kuo)(kuo)：

9.如權利要求1所述的真(zhen)空鍍膜設(she)備，其特(te)征在于，所述真(zhen)空鍍膜設(she)備包括(kuo)多(duo)層(ceng)所述反(fan)應腔室，其中(zhong)，每層(ceng)所述反(fan)應腔室分別包括(kuo)所述至少兩個加熱盤，

10.一種真空(kong)鍍膜(mo)方法，其(qi)特征在于(yu)，包(bao)括以(yi)下步(bu)驟：

11.一(yi)種計算(suan)機可讀存儲介質，其上存儲有計算(suan)機指令，其特征在于(yu)，所述(shu)(shu)計算(suan)機指令被處(chu)理器(qi)執行時(shi)，實(shi)施如權(quan)利(li)要求10所述(shu)(shu)的(de)真空鍍膜方法。

技術總結
本發明提供了一種真空鍍膜設備、一種真空鍍膜方法及一種計算機可讀存儲介質。所述真空鍍膜設備包括反應腔室及機械手。所述反應腔室包括至少兩個加熱盤。第一加熱盤配置有較長的第一頂針組。第二加熱盤配置有較短的第二頂針組。所述機械手被配置為：從前端模塊獲取第一晶圓和/或第二晶圓；在高于所述第一頂針組頂端的第一高度，進行對準所述第一加熱盤的第一位置糾偏；下降到介于所述第一頂針組頂端與所述第二頂針組頂端之間的第二高度，以將所述第一晶圓放置到所述第一頂針組的頂端，再進行對準所述第二加熱盤的第二位置糾偏；以及下降到低于所述第二頂針組頂端的第三高度，以將所述第二晶圓放置到所述第二頂針組的頂端。

技術研發人員：于成輝
受保護的技術使用者：拓荊創益（沈陽）半導體設備有限公司
技術研發日：
技術公布日：2024/9/19