技術領域

本發明(ming)涉及一種金屬化(hua)薄膜制(zhi)作(zuo)方(fang)法，屬于電容(rong)器技(ji)術領域。

背景技術：

能源短缺和環境(jing)惡化(hua)已經(jing)成為威脅(xie)人類(lei)生存的(de)全球化(hua)問題，發(fa)展(zhan)(zhan)新能源是(shi)實現人類(lei)可持續(xu)發(fa)展(zhan)(zhan)的(de)必經(jing)之路，中國應該加(jia)快開發(fa)利用新能源的(de)步伐，大力(li)發(fa)展(zhan)(zhan)新能源，逐步實現從常(chang)規(gui)能源向(xiang)清潔能源轉變。

用新能(neng)源逐(zhu)步取(qu)代傳統能(neng)源進行發(fa)(fa)(fa)電(dian)將是今(jin)后電(dian)力(li)工(gong)業發(fa)(fa)(fa)展的趨(qu)勢，新能(neng)源發(fa)(fa)(fa)電(dian)主要包括太陽能(neng)發(fa)(fa)(fa)電(dian)、風力(li)發(fa)(fa)(fa)電(dian)、生物(wu)質能(neng)發(fa)(fa)(fa)電(dian)、地熱發(fa)(fa)(fa)電(dian)、潮汐發(fa)(fa)(fa)電(dian)等(deng)方面(mian)。

城(cheng)市軌(gui)道(dao)交(jiao)通(tong)(tong)是(shi)指具有(you)運量大(da)、速(su)度快、安全、準點(dian)、保護環境、節(jie)約能(neng)源和用地(di)等特點(dian)的(de)(de)交(jiao)通(tong)(tong)方式(shi)，包(bao)括(kuo)地(di)鐵、輕軌(gui)、磁懸浮、快軌(gui)、有(you)軌(gui)電車、新交(jiao)通(tong)(tong)系統等。因(yin)此，在城(cheng)市軌(gui)道(dao)交(jiao)通(tong)(tong)技術領域(yu)中綜合利用新能(neng)源也成為未來城(cheng)市軌(gui)道(dao)交(jiao)通(tong)(tong)的(de)(de)發展需(xu)求。

新能源汽(qi)(qi)車(che)(che)(che)是指采用非常規的車(che)(che)(che)用燃料作為動力來源，新能源汽(qi)(qi)車(che)(che)(che)包括(kuo)混合動力汽(qi)(qi)車(che)(che)(che)、純(chun)電動汽(qi)(qi)車(che)(che)(che)、燃料電池電動汽(qi)(qi)車(che)(che)(che)、氫發動機(ji)汽(qi)(qi)車(che)(che)(che)、其他新能源（如(ru)高效儲能器、二甲醚）汽(qi)(qi)車(che)(che)(che)等(deng)各類別產品。

無論是(shi)新(xin)能(neng)源(yuan)發(fa)電(dian)、新(xin)能(neng)源(yuan)汽車(che)還是(shi)城市(shi)軌道交通等(deng)領域，最(zui)終都是(shi)要電(dian)力設(she)備來驅動、轉換或(huo)實現(xian)，在(zai)(zai)電(dian)力設(she)備中，電(dian)容(rong)器作為儲能(neng)元(yuan)件是(shi)其(qi)中的重要部件，尤其(qi)是(shi)在(zai)(zai)新(xin)能(neng)源(yuan)作為非(fei)常(chang)規能(neng)源(yuan)，在(zai)(zai)其(qi)綜合利用(yong)過程中，對傳統的電(dian)力設(she)備尤其(qi)是(shi)電(dian)容(rong)器在(zai)(zai)體積、耐(nai)壓、耐(nai)溫(wen)、耐(nai)電(dian)流沖(chong)擊(ji)、可(ke)靠(kao)性、使用(yong)時間上有很(hen)高的要求，目前國際上以金(jin)屬化薄膜電(dian)容(rong)器最(zui)符合其(qi)要求，這(zhe)方(fang)面最(zui)關(guan)鍵(jian)性的材料(liao)就是(shi)金(jin)屬化薄膜。

現有金屬(shu)化薄膜(mo)在(zai)自愈時(shi)容(rong)易(yi)發(fa)(fa)生多層(ceng)介質連續擊(ji)穿(chuan)(chuan)造成(cheng)大面積灼傷(shang)的現象，為(wei)避(bi)免該情況的發(fa)(fa)生，通常設計若干規則(ze)排列的極(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)單元(yuan)(yuan)，每一個極(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)單元(yuan)(yuan)通過安全(quan)(quan)熔絲(si)連接周圍的極(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)單元(yuan)(yuan)，其(qi)具(ju)有的優點(dian)是當(dang)(dang)任一極(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)單元(yuan)(yuan)發(fa)(fa)生擊(ji)穿(chuan)(chuan)時(shi)，即電(dian)(dian)容(rong)器薄膜(mo)兩極(ji)之(zhi)間發(fa)(fa)生短路，從而放(fang)電(dian)(dian)并產(chan)生電(dian)(dian)弧，由(you)于(yu)安全(quan)(quan)熔絲(si)區域(yu)的載流量(liang)較小，因(yin)此(ci)會優先(xian)于(yu)極(ji)板(ban)(ban)(ban)(ban)單元(yuan)(yuan)而發(fa)(fa)生熔斷，從而避(bi)免金屬(shu)化薄膜(mo)被(bei)擊(ji)穿(chuan)(chuan)；但(dan)是，當(dang)(dang)安全(quan)(quan)熔絲(si)熔斷后該區域(yu)仍存在(zai)疵點(dian)，一旦(dan)該區域(yu)電(dian)(dian)流或電(dian)(dian)壓達(da)到一定程度，該疵點(dian)附(fu)件區域(yu)將被(bei)擊(ji)穿(chuan)(chuan)，放(fang)出(chu)大量(liang)的熱量(liang)，易(yi)對絕(jue)緣(yuan)薄膜(mo)造成(cheng)機械性損傷(shang)，降(jiang)低金屬(shu)化薄膜(mo)的使(shi)用壽命。

技術實現要素：

本發明針對現有技術存在的(de)不(bu)足，提供了一種金屬化薄膜制作方(fang)法，具體技術方(fang)案如下：

一種金(jin)屬化薄膜制作方法(fa)，包括(kuo)以(yi)下步(bu)驟：

步驟一、金屬(shu)絲(si)的(de)制作

將鋁(lv)錠(ding)、錫錠(ding)、鈉錠(ding)、鉀錠(ding)和金(jin)屬(shu)硅粉置入熔(rong)(rong)煉爐內(nei)進(jin)行(xing)熔(rong)(rong)煉成制成合(he)金(jin)熔(rong)(rong)液，熔(rong)(rong)煉過程中需(xu)要通入氮氣(qi)(qi)保護氣(qi)(qi)，當合(he)金(jin)熔(rong)(rong)液的溫度達(da)到950℃±5℃時，再通過連(lian)鑄(zhu)法和拉絲工藝制成金(jin)屬(shu)絲；

步驟二、真空鍍膜

通過(guo)真(zhen)空鍍膜機中(zhong)的送(song)絲機構將金(jin)屬絲送(song)入蒸(zheng)(zheng)(zheng)發坩(gan)堝中(zhong)，金(jin)屬絲在(zai)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發坩(gan)堝中(zhong)從(cong)金(jin)屬熔(rong)液變為金(jin)屬蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣，金(jin)屬蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣在(zai)鍍膜室中(zhong)對絕緣基膜進行真(zhen)空蒸(zheng)(zheng)(zheng)鍍作業制成(cheng)原料(liao)(liao)膜，原料(liao)(liao)膜經過(guo)分切后(hou)即制成(cheng)金(jin)屬化薄膜。

作為(wei)上述技(ji)術方案的改進，所述步(bu)驟一(yi)中鋁錠(ding)的質量:錫錠(ding)的質量:鈉錠(ding)的質量:鉀錠(ding)的質量: 金屬硅粉的質量=(80~82):(31~33):(7.3~7.6):(3.5~3.7):(0.22~0.28)。

作為(wei)(wei)上述(shu)技術(shu)方案的改(gai)進，所(suo)述(shu)步驟二(er)中蒸發(fa)坩堝的外部還設置(zhi)有安裝槽，安裝槽中設置(zhi)有超聲波(bo)發(fa)生(sheng)(sheng)器(qi)和絕緣油；在(zai)進行真空蒸鍍(du)作業時，超聲波(bo)發(fa)生(sheng)(sheng)器(qi)的頻率為(wei)(wei)30.8~31.6KHz。

作為上述技(ji)術方案的(de)改進(jin)，所(suo)述金屬(shu)絲中(zhong)Na的(de)重(zhong)量(liang)百分比(bi)為a，5.98%≤a≤6%；所(suo)述金屬(shu)絲中(zhong)K的(de)重(zhong)量(liang)百分比(bi)為b，2.87%≤b≤2.92%；2＜a/b＜2.1。

作為上(shang)述技術方案的改進，所(suo)述金屬絲中Si的重量百分比為c，0.18%≤c≤0.22%，40＜(a+b)/c＜50。

作為上述(shu)技(ji)術方案的改進，所述(shu)步(bu)驟(zou)一(yi)中金屬硅(gui)粉(fen)的純度為99.9%以上，金屬硅(gui)粉(fen)的粒徑小于(yu)50μm。

本發(fa)(fa)明的(de)有益效果：該(gai)(gai)(gai)(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)化薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)的(de)自愈能量(liang)(liang)低，發(fa)(fa)熱(re)量(liang)(liang)小(xiao)，自愈時(shi)間很短(duan)，自愈的(de)靈(ling)敏性很高(gao)，對(dui)疵點隔(ge)離優良，對(dui)疵點附(fu)近的(de)絕(jue)緣介質(zhi)損傷(shang)(shang)小(xiao)，即使該(gai)(gai)(gai)(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)化薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)的(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)層不(bu)設計安(an)全(quan)熔(rong)絲，當絕(jue)緣介質(zhi)由(you)于(yu)疵點導(dao)致其被擊穿(chuan)(chuan)時(shi)，該(gai)(gai)(gai)(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)化薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)也能夠良好的(de)自愈，避免發(fa)(fa)生多層絕(jue)緣介質(zhi)連續擊穿(chuan)(chuan)造(zao)成大面積灼傷(shang)(shang)的(de)現象，該(gai)(gai)(gai)(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)化薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)的(de)使用(yong)壽命高(gao)，安(an)全(quan)性好。當該(gai)(gai)(gai)(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)化薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)在85~100℃的(de)高(gao)溫環(huan)(huan)境(jing)下使用(yong)時(shi)，由(you)于(yu)該(gai)(gai)(gai)(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)化薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)能夠快速自愈且發(fa)(fa)熱(re)量(liang)(liang)低，高(gao)溫環(huan)(huan)境(jing)對(dui)該(gai)(gai)(gai)(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)化薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)的(de)影響小(xiao)。

具體實施方式

為了使(shi)本發明(ming)(ming)的目的、技術方案及優點更加清楚明(ming)(ming)白，以下結(jie)合實施例，對(dui)本發明(ming)(ming)進(jin)行進(jin)一(yi)步詳細說(shuo)明(ming)(ming)。應(ying)當理解，此處所描述(shu)的具體實施例僅僅用以解釋本發明(ming)(ming)，并不用于(yu)限定本發明(ming)(ming)。

實施例1

將80Kg的(de)(de)(de)鋁(lv)錠(ding)、31Kg的(de)(de)(de)錫錠(ding)、7.3Kg的(de)(de)(de)鈉(na)錠(ding)、3.5Kg的(de)(de)(de)鉀錠(ding)和0.22Kg純度(du)為(wei)99.9%且粒(li)徑小于50μm的(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)硅粉置(zhi)入熔(rong)(rong)(rong)煉(lian)(lian)爐內進行熔(rong)(rong)(rong)煉(lian)(lian)成制成合(he)金(jin)(jin)(jin)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)，熔(rong)(rong)(rong)煉(lian)(lian)過程中需要通(tong)入氮氣保護氣，當合(he)金(jin)(jin)(jin)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)的(de)(de)(de)溫度(du)達(da)到(dao)950℃±5℃時，再通(tong)過連鑄法和拉絲(si)工藝制成金(jin)(jin)(jin)屬(shu)絲(si)；該(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)絲(si)中Na的(de)(de)(de)重量百分比(bi)(bi)(bi)（單(dan)個組(zu)分占總組(zu)分的(de)(de)(de)質量百分比(bi)(bi)(bi)）為(wei)a，a=5.98%，金(jin)(jin)(jin)屬(shu)絲(si)中K的(de)(de)(de)重量百分比(bi)(bi)(bi)為(wei)b，b=2.87%，a/b=2.09；金(jin)(jin)(jin)屬(shu)絲(si)中Si的(de)(de)(de)重量百分比(bi)(bi)(bi)為(wei)c，c=0.18%，(a+b)/c=49；該(gai)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)絲(si)的(de)(de)(de)熔(rong)(rong)(rong)點為(wei)415~435℃。

通(tong)過(guo)真(zhen)空(kong)(kong)鍍膜(mo)機中(zhong)(zhong)的送絲(si)機構將上(shang)述金(jin)(jin)屬絲(si)送入蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝中(zhong)(zhong)，金(jin)(jin)屬絲(si)在蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝中(zhong)(zhong)從金(jin)(jin)屬熔(rong)液變為(wei)金(jin)(jin)屬蒸(zheng)(zheng)氣(qi)；其中(zhong)(zhong)，蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝的外部還設置(zhi)有安裝槽，安裝槽中(zhong)(zhong)設置(zhi)有超(chao)(chao)聲波(bo)發(fa)(fa)生器和絕(jue)緣(yuan)油；在進行(xing)真(zhen)空(kong)(kong)蒸(zheng)(zheng)鍍作(zuo)業時，超(chao)(chao)聲波(bo)發(fa)(fa)生器的頻率為(wei)30.8KHz，在絕(jue)緣(yuan)油的作(zuo)用下，蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝中(zhong)(zhong)的金(jin)(jin)屬熔(rong)液處于振動狀態；金(jin)(jin)屬蒸(zheng)(zheng)氣(qi)在鍍膜(mo)室中(zhong)(zhong)對絕(jue)緣(yuan)基膜(mo)進行(xing)真(zhen)空(kong)(kong)蒸(zheng)(zheng)鍍作(zuo)業制(zhi)成原(yuan)料(liao)膜(mo)，原(yuan)料(liao)膜(mo)經過(guo)分切后(hou)即制(zhi)成金(jin)(jin)屬化(hua)薄膜(mo)。

實施例2

將(jiang)81.3Kg的(de)(de)鋁錠、32.3Kg的(de)(de)錫錠、7.5Kg的(de)(de)鈉錠、3.6Kg的(de)(de)鉀錠和(he)0.25Kg純度(du)為(wei)99.9%且粒徑小于50μm的(de)(de)金(jin)屬(shu)硅粉置入熔煉爐內進行熔煉成制(zhi)成合(he)金(jin)熔液，熔煉過程中(zhong)需要(yao)通(tong)入氮氣保護氣，當合(he)金(jin)熔液的(de)(de)溫(wen)度(du)達到950℃±5℃時(shi)，再(zai)通(tong)過連鑄法和(he)拉絲(si)工藝(yi)制(zhi)成金(jin)屬(shu)絲(si)；該金(jin)屬(shu)絲(si)中(zhong)Na的(de)(de)重量百分比為(wei)a，a=6%，金(jin)屬(shu)絲(si)中(zhong)K的(de)(de)重量百分比為(wei)b，b=2.88%，a/b=2.08；金(jin)屬(shu)絲(si)中(zhong)Si的(de)(de)重量百分比為(wei)c，c=0.2%，(a+b)/c=44.4；該金(jin)屬(shu)絲(si)的(de)(de)熔點為(wei)413~431℃。

通過真(zhen)空(kong)鍍膜(mo)(mo)機中的送(song)絲(si)機構將上述(shu)金(jin)(jin)屬(shu)絲(si)送(song)入蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)坩堝(guo)中，金(jin)(jin)屬(shu)絲(si)在(zai)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)坩堝(guo)中從(cong)金(jin)(jin)屬(shu)熔液變為金(jin)(jin)屬(shu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)；其中，蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)坩堝(guo)的外(wai)部還(huan)設置(zhi)有安(an)裝(zhuang)槽(cao)，安(an)裝(zhuang)槽(cao)中設置(zhi)有超聲(sheng)波發(fa)(fa)生器(qi)和絕緣油；在(zai)進(jin)行真(zhen)空(kong)蒸(zheng)(zheng)(zheng)鍍作(zuo)業時，超聲(sheng)波發(fa)(fa)生器(qi)的頻率為31KHz，在(zai)絕緣油的作(zuo)用下，蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)坩堝(guo)中的金(jin)(jin)屬(shu)熔液處于振動狀(zhuang)態；金(jin)(jin)屬(shu)蒸(zheng)(zheng)(zheng)氣(qi)在(zai)鍍膜(mo)(mo)室(shi)中對絕緣基膜(mo)(mo)進(jin)行真(zhen)空(kong)蒸(zheng)(zheng)(zheng)鍍作(zuo)業制成原料膜(mo)(mo)，原料膜(mo)(mo)經過分(fen)切(qie)后即制成金(jin)(jin)屬(shu)化薄膜(mo)(mo)。

實施例3

將82Kg的(de)(de)(de)(de)鋁錠、33Kg的(de)(de)(de)(de)錫錠、7.6Kg的(de)(de)(de)(de)鈉錠、3.7Kg的(de)(de)(de)(de)鉀(jia)錠和(he)0.28Kg純度為(wei)99.9%且粒徑小(xiao)于50μm的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬(shu)硅粉置(zhi)入熔(rong)煉(lian)爐(lu)內(nei)進行熔(rong)煉(lian)成(cheng)(cheng)制(zhi)成(cheng)(cheng)合(he)金(jin)(jin)熔(rong)液，熔(rong)煉(lian)過(guo)程中(zhong)(zhong)需(xu)要通入氮氣(qi)保護氣(qi)，當(dang)合(he)金(jin)(jin)熔(rong)液的(de)(de)(de)(de)溫(wen)度達(da)到950℃±5℃時，再通過(guo)連(lian)鑄法和(he)拉絲(si)(si)工(gong)藝制(zhi)成(cheng)(cheng)金(jin)(jin)屬(shu)絲(si)(si)；該金(jin)(jin)屬(shu)絲(si)(si)中(zhong)(zhong)Na的(de)(de)(de)(de)重量百(bai)分比(bi)為(wei)a，a=6%，金(jin)(jin)屬(shu)絲(si)(si)中(zhong)(zhong)K的(de)(de)(de)(de)重量百(bai)分比(bi)為(wei)b，b=2.92%，a/b=2.05；金(jin)(jin)屬(shu)絲(si)(si)中(zhong)(zhong)Si的(de)(de)(de)(de)重量百(bai)分比(bi)為(wei)c，c=0.22%，(a+b)/c=40.4；該金(jin)(jin)屬(shu)絲(si)(si)的(de)(de)(de)(de)熔(rong)點為(wei)410~430℃。

通過真空鍍膜(mo)機中的(de)(de)送絲(si)機構將(jiang)上述金(jin)(jin)屬絲(si)送入蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)坩堝中，金(jin)(jin)屬絲(si)在蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)坩堝中從(cong)金(jin)(jin)屬熔(rong)液變為(wei)金(jin)(jin)屬蒸(zheng)(zheng)氣；其中，蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)坩堝的(de)(de)外部(bu)還設置有安裝槽，安裝槽中設置有超聲波發(fa)(fa)(fa)生(sheng)器和絕(jue)緣油；在進行(xing)真空蒸(zheng)(zheng)鍍作業(ye)時，超聲波發(fa)(fa)(fa)生(sheng)器的(de)(de)頻率為(wei)31.6KHz，在絕(jue)緣油的(de)(de)作用下，蒸(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)坩堝中的(de)(de)金(jin)(jin)屬熔(rong)液處于振動(dong)狀(zhuang)態(tai)；金(jin)(jin)屬蒸(zheng)(zheng)氣在鍍膜(mo)室中對絕(jue)緣基膜(mo)進行(xing)真空蒸(zheng)(zheng)鍍作業(ye)制(zhi)成原(yuan)料膜(mo)，原(yuan)料膜(mo)經過分切后即制(zhi)成金(jin)(jin)屬化薄(bo)膜(mo)。

在上述實施例中(zhong)(zhong)，在金屬(shu)(shu)絲(si)的制(zhi)作過(guo)程中(zhong)(zhong)，連鑄(zhu)法(fa)即是合金熔液(ye)不斷地通(tong)過(guo)水冷結晶(jing)器(qi)，凝成硬殼后從結晶(jing)器(qi)下方出口連續拉(la)出，經噴(pen)水冷卻，全部(bu)凝固后切(qie)成坯料(liao)的鑄(zhu)造工(gong)(gong)藝過(guo)程。坯料(liao)再通(tong)過(guo)拉(la)絲(si)工(gong)(gong)藝制(zhi)成金屬(shu)(shu)絲(si)。通(tong)過(guo)連鑄(zhu)法(fa)和拉(la)絲(si)工(gong)(gong)藝制(zhi)成的金屬(shu)(shu)絲(si)，接頭少(shao)，避(bi)免因(yin)為焊接金屬(shu)(shu)絲(si)導致(zhi)金屬(shu)(shu)絲(si)中(zhong)(zhong)的Na、K和Sn含量變(bian)化。

超(chao)(chao)聲(sheng)波(bo)發(fa)(fa)(fa)(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)產(chan)(chan)(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)頻率(lv)為(wei)30.8~31.6KHz的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)超(chao)(chao)聲(sheng)波(bo)在(zai)(zai)絕(jue)緣(yuan)(yuan)油(you)(you)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)傳遞下(xia)使(shi)得蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)處于振動狀態，蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)不(bu)但能產(chan)(chan)(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)氣(qi)(qi)(qi)泡(pao)，氣(qi)(qi)(qi)泡(pao)將隨著超(chao)(chao)聲(sheng)振動而逐漸生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)長和增大(da)(da)(da)，然后(hou)(hou)又突然破(po)(po)滅(mie)(mie)和分裂，分裂后(hou)(hou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)泡(pao)又連續生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)長和破(po)(po)滅(mie)(mie)；這些氣(qi)(qi)(qi)泡(pao)急速崩潰(kui)時(shi)(shi)在(zai)(zai)氣(qi)(qi)(qi)泡(pao)內產(chan)(chan)(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)了高溫(wen)高壓(ya)，且(qie)(qie)因氣(qi)(qi)(qi)泡(pao)周圍(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)液(ye)體高速沖入氣(qi)(qi)(qi)泡(pao)而在(zai)(zai)氣(qi)(qi)(qi)泡(pao)附(fu)近的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)液(ye)體中(zhong)產(chan)(chan)(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)了強烈的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)局(ju)部激波(bo)，從而產(chan)(chan)(chan)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)了超(chao)(chao)聲(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)粉(fen)碎(sui)、“混(hun)合(he)(he)攪拌”作(zuo)用(yong)(yong)，并且(qie)(qie)在(zai)(zai)超(chao)(chao)聲(sheng)波(bo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)掃(sao)頻作(zuo)用(yong)(yong)下(xia)，金(jin)屬(shu)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)形成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)回流(liu)，使(shi)得未蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)以及臨界(jie)狀態的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)各組分混(hun)合(he)(he)均勻，避(bi)免熔(rong)(rong)(rong)沸點(dian)較(jiao)低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)Na、K和Sn提(ti)前蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)，同(tong)時(shi)(shi)避(bi)免蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)底部沉(chen)積(ji)大(da)(da)(da)量的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)Al，保(bao)證蒸(zheng)(zheng)(zheng)鍍(du)后(hou)(hou)形成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)層(ceng)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)各成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分含量與金(jin)屬(shu)絲(si)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)各成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分含量相等。絕(jue)緣(yuan)(yuan)油(you)(you)采用(yong)(yong)合(he)(he)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)絕(jue)緣(yuan)(yuan)油(you)(you)，絕(jue)緣(yuan)(yuan)油(you)(you)作(zuo)為(wei)超(chao)(chao)聲(sheng)波(bo)傳遞的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)介質(zhi)，并且(qie)(qie)絕(jue)緣(yuan)(yuan)油(you)(you)不(bu)影(ying)(ying)響(xiang)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)使(shi)用(yong)(yong)，避(bi)免蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)發(fa)(fa)(fa)(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)短路。超(chao)(chao)聲(sheng)波(bo)發(fa)(fa)(fa)(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)輸出(chu)功(gong)(gong)率(lv)根據蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)面積(ji)來(lai)算，超(chao)(chao)聲(sheng)波(bo)發(fa)(fa)(fa)(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)輸出(chu)功(gong)(gong)率(lv)保(bao)持(chi)在(zai)(zai)0.3~0.5W每平方厘米(mi)。超(chao)(chao)聲(sheng)波(bo)發(fa)(fa)(fa)(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)輸出(chu)功(gong)(gong)率(lv)選擇偏(pian)小，則(ze)影(ying)(ying)響(xiang)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)中(zhong)金(jin)屬(shu)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)振動程度，造成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)鍍(du)膜時(shi)(shi)間(jian)偏(pian)長，影(ying)(ying)響(xiang)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)效率(lv)，超(chao)(chao)聲(sheng)波(bo)發(fa)(fa)(fa)(fa)生(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)(sheng)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)輸出(chu)功(gong)(gong)率(lv)選擇偏(pian)大(da)(da)(da)，蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)振動劇烈，加速Na、K和Sn的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)流(liu)失，影(ying)(ying)響(xiang)鍍(du)膜質(zhi)量。蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)(guo)(guo)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬(shu)熔(rong)(rong)(rong)液(ye)蒸(zheng)(zheng)(zheng)發(fa)(fa)(fa)(fa)后(hou)(hou)在(zai)(zai)絕(jue)緣(yuan)(yuan)介質(zhi)上沉(chen)積(ji)形成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)金(jin)屬(shu)層(ceng)即(ji)為(wei)原(yuan)料膜，金(jin)屬(shu)層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分與金(jin)屬(shu)絲(si)相同(tong)。

所述金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)中由(you)于(yu)添(tian)加(jia)(jia)了低(di)熔(rong)(rong)沸點(dian)的(de)(de)Na、K和Sn，尤其(qi)是Sn的(de)(de)含(han)量(liang)相(xiang)對(dui)較高(gao)，使(shi)得(de)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)的(de)(de)熔(rong)(rong)點(dian)相(xiang)對(dui)于(yu)純(chun)鋁絲(si)(si)來說(shuo)顯著降(jiang)(jiang)低(di)；該(gai)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)是混合物，故沒(mei)有(you)確定的(de)(de)熔(rong)(rong)點(dian)值，但有(you)一個熔(rong)(rong)點(dian)范圍為410~435℃，相(xiang)對(dui)于(yu)純(chun)鋁的(de)(de)熔(rong)(rong)點(dian)為660℃來說(shuo)，該(gai)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)熔(rong)(rong)點(dian)低(di)，由(you)此(ci)可(ke)知(zhi)，金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)熔(rong)(rong)化(hua)(hua)、氣化(hua)(hua)時所需的(de)(de)能(neng)(neng)量(liang)相(xiang)對(dui)于(yu)純(chun)鋁絲(si)(si)來說(shuo)顯著降(jiang)(jiang)低(di)。Na和K易氧化(hua)(hua)，通(tong)入氮氣保護氣避免Na和K氧化(hua)(hua)。Na和K的(de)(de)總含(han)量(liang)不(bu)能(neng)(neng)過(guo)低(di)，否則會影(ying)響(xiang)到后(hou)續的(de)(de)低(di)能(neng)(neng)量(liang)自愈；Na和K的(de)(de)總含(han)量(liang)較高(gao)則會使(shi)得(de)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)的(de)(de)機(ji)械(xie)性(xing)能(neng)(neng)變(bian)差，金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)變(bian)軟；Na和K按照2~2.1的(de)(de)比例不(bu)但能(neng)(neng)進一步促使(shi)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)的(de)(de)熔(rong)(rong)點(dian)降(jiang)(jiang)低(di)，而且還(huan)能(neng)(neng)其(qi)形成(cheng)(cheng)鈉鉀合金(jin)，影(ying)響(xiang)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)成(cheng)(cheng)型。通(tong)過(guo)加(jia)(jia)入微(wei)量(liang)的(de)(de)Si，可(ke)解決由(you)于(yu)加(jia)(jia)了Na和K導致其(qi)機(ji)械(xie)性(xing)能(neng)(neng)降(jiang)(jiang)低(di)的(de)(de)缺陷，使(shi)得(de)金(jin)屬(shu)(shu)(shu)絲(si)(si)具有(you)優越的(de)(de)耐磨性(xing)能(neng)(neng)；但是，Si不(bu)易蒸發且Si是半導體，其(qi)含(han)量(liang)不(bu)能(neng)(neng)過(guo)高(gao)影(ying)響(xiang)后(hou)續金(jin)屬(shu)(shu)(shu)化(hua)(hua)薄膜自愈；因此(ci)必須根據Na和K的(de)(de)總含(han)量(liang)來確定Si的(de)(de)加(jia)(jia)入量(liang)。

利用(yong)該金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)絲(si)蒸鍍制成(cheng)(cheng)的金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)，當金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)存在疵(ci)點(dian)(dian)時，該金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)放(fang)電自(zi)愈的過程是(shi)：電流(liu)通過金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)時，由(you)于(yu)疵(ci)點(dian)(dian)呈(cheng)現(xian)半導體性(xing)或絕緣(yuan)(yuan)性(xing)，離(li)疵(ci)點(dian)(dian)越近的區(qu)(qu)域(yu)，其(qi)(qi)(qi)電流(liu)密度(du)越大(da)，在金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)化電極(ji)離(li)疵(ci)點(dian)(dian)很(hen)近的區(qu)(qu)域(yu)中，電流(liu)密度(du)急劇上升到其(qi)(qi)(qi)焦(jiao)爾熱能(neng)將該區(qu)(qu)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)化層(ceng)(ceng)的熔(rong)(rong)化，引起電極(ji)間(jian)在此(ci)處飛弧，電弧很(hen)快蒸發(fa)(fa)和(he)拋散掉該處熔(rong)(rong)融(rong)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)，形(xing)成(cheng)(cheng)無金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)的絕緣(yuan)(yuan)隔(ge)離(li)區(qu)(qu)，電弧熄滅，實現(xian)自(zi)愈。其(qi)(qi)(qi)中，在熔(rong)(rong)融(rong)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)蒸發(fa)(fa)過程中，由(you)于(yu)Na和(he)K的熔(rong)(rong)沸點(dian)(dian)很(hen)低，其(qi)(qi)(qi)次(ci)是(shi)Sn，最后是(shi)Al，熔(rong)(rong)融(rong)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)中的范德華力呈(cheng)梯次(ci)被(bei)破壞(huai)，不但Na、K和(he)Sn先蒸發(fa)(fa)，使(shi)得(de)該區(qu)(qu)域(yu)形(xing)成(cheng)(cheng)高阻區(qu)(qu)，進一步促進Al蒸發(fa)(fa)，蒸發(fa)(fa)所需的能(neng)量(liang)進一步降低，并且(qie)，高阻區(qu)(qu)是(shi)環(huan)繞著疵(ci)點(dian)(dian)形(xing)成(cheng)(cheng)的，因此(ci)高阻區(qu)(qu)面積較小(xiao)；該過程中蒸發(fa)(fa)時間(jian)短即(ji)自(zi)愈時間(jian)很(hen)短，自(zi)愈的靈敏性(xing)很(hen)高，對(dui)疵(ci)點(dian)(dian)隔(ge)離(li)優良，對(dui)疵(ci)點(dian)(dian)附近的絕緣(yuan)(yuan)介質損傷(shang)小(xiao)，并且(qie)由(you)于(yu)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)是(shi)由(you)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)絲(si)蒸鍍形(xing)成(cheng)(cheng)的，相對(dui)于(yu)純(chun)鋁金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)來(lai)說，該金(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)(shu)層(ceng)(ceng)自(zi)愈能(neng)量(liang)較小(xiao)，能(neng)夠避免發(fa)(fa)生多(duo)層(ceng)(ceng)絕緣(yuan)(yuan)介質連續擊(ji)穿造成(cheng)(cheng)大(da)面積灼傷(shang)的現(xian)象。

由(you)于金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)的(de)(de)成分中添加了微量的(de)(de)Si，使得金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)具(ju)有優(you)越的(de)(de)耐磨性能，在分切和后續裝配過程(cheng)中不易(yi)被劃傷，保證該金(jin)(jin)屬(shu)化薄膜能夠(gou)良好(hao)的(de)(de)自愈(yu)。

以上所述(shu)僅為本發明的(de)較佳實施(shi)例(li)而已，并不用以限制(zhi)本發明，凡在(zai)本發明的(de)精神和(he)原則之內所作的(de)任(ren)何修改、等同替換和(he)改進等，均應(ying)包含在(zai)本發明的(de)保護范圍之內。