專利名稱：TiNi內支撐架涂膜工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及金屬表面涂膜工藝，尤其為一種對TiNi合金內支撐架涂以高分子膜的工藝。
TiNi合金內支撐架是一種可廣泛應用于醫院臨床治療人體臟器狹窄性疾病的復合式形狀記憶合金內支撐架。目前運用TiNi形狀記憶合金的超彈性特性制作的內支撐架與常用的不可形變的栓塞材料相比，具有操作方便，適用范圍廣，治療效果好等優點，對于TiNi合金的生物醫學評價，到現在為止，從已經報導的實驗結果可知，TiNi合金與目前醫學上使用最為廣泛的不銹鋼、CoCr合金幾乎具有同等的生物學相容性。但是TiNi合金的臨床應用給予人們最大的懸念還是TiNi合金植入生物體后，其合金的Ni元素溶出問題。盡管可以認為TiNi合金在相當一段時間內的生物相容性實驗應該是可靠有效的，而且合金中Ni元素的溶出量也是極其微量的，但是真正的評價，特別是長期植入人體后還需要經過長期的生物體內、生物體外的實驗，從而最終評價出這一金屬合金材料的生物學穩定性和可靠性。
本發明的目的就是針對已經得到廣泛應用的具有形狀記憶特牲和超彈性的TiNi合金內支撐架，提供一種特殊的涂膜工藝，以使TiNi絲表面披復上一層血液相容性和組織相容性穩定可靠的C型聚對二甲苯膜(高分子膜)，使其合二為一，成為一種新型的生物學穩定性可靠性較高的復合式形狀記憶合金內支撐架，這樣就可以讓人們完全放心地進行臨床治療而造福于人類。
為實現上述目的，本發明的給出了一種對TiNi內支撐架涂高分子膜工藝，該工藝包括以下步驟，第一、對TiNi合金內支撐架表面進行等離子體改性處理，等離子體改性處理可采用直流等離子體方式或射頻等離子體方式或微波等離子體方式；第二、采用化學氣相沉積工藝使TINI合金內支撐架表面牢固地披覆上1至2微米厚度的C型聚對二甲苯膜。
本發明給出了采用射頻等離子體方式對TiNi合金內支撐架表面進行處理的具體技術方案。射頻功率為80至100W，氬氣壓強為80至300毫米汞柱，射頻頻率為8至于12MHZ，等離子體改性處理時間為5至15分鐘。
披復于TiNi內支撐架表面的C型聚對二甲苯膜材料是以C型對二甲苯環二聚體(化學式C16H24Cl2)為原料，通入氣相沉積裝置的真空容器中，在600～750℃時進行裂解成為活性游離基單體，最后在室溫下聚合為C型聚對二甲苯材料。TiNi內支撐架涂高分子膜工藝是一種將TiNi絲網狀支架的特殊繞制方法與化學氣相沉積方法相結合，其工藝過程是選擇相關的生成原料，通過化學加溫裂解成為活性游離基體，最后再聚合為C型聚對二甲苯材料。為了使這層高分子膜牢固地披復在網狀支架表面，事先必須對TiNi絲進行等離子體表面改性處理。
本發明的優點是基于一種獨特繞制法制備的TiNi合金網狀支架基礎上，使用了氣相沉積工藝使其支架表面牢固地披復了一層具有優良血液相容性和組織相容性的C型聚對二甲苯膜，由于這種高分子膜的披復層只有1至2微米，因此它完全保持了原TiNi合金內支撐架的記憶特性、可變形性、超彈性和順應性等的特點，所以這種材料的有機組合法簡單、實用，具有一定的廣泛性和通用性，它實用，易控并能適應量化生產。另外，本發明的方法不僅能適用于臨床治療腹部外科門脈高壓癥和膽管狹窄癥，而且也同樣適用于消化道，尿道，五官科以及頸動脈狹窄癥以至腦外科、心血管科等等各種疾病的臨床治療。這種方法的實現將大大推動和拓寬原TiNi形狀記憶合金在生物醫學領域中臨床應用。
下面結合附圖介紹本發明的一個實施例。
附

圖1是本發明射頻等離子體表面改性處理裝置結構示意圖。
附圖2是化學氣相沉積裝置主要部分結構示意圖。
以上附圖中，1是樣品室，2是射頻電源，3是機械泵，4是高真空閥，5是微調真空閥，6是放氣閥，7是低真空電阻真空計，8是TiNi合金內支撐架，9是加熱線圈，10是TiNi合金內支撐架，11是真空容器，12是通入的C型對二甲苯環二聚體原料。
在本實施例中，采用射頻等離子體表面改性處理方法對TiNi合金內支撐架進行表面處理。射頻等離子體表面改性處理裝置的具體結構如附圖1所示。其中樣品室為玻璃鐘罩1，通過高真空閥4與機械泵3相連，微調真空閥5控制通入的氬氣，6為放氣閥，射頻電源2為SPD-500型裝置，其射頻頻率為10MHZ，射頻功率為0～500W可調。系統的氣壓由低真空電阻真空計7進行監視。通常射頻等離子體改性處理的規范如下射頻功率為80～100W，氬氣壓強為80至300mmHg，射頻頻率為8至12MHZ，等離子體改性處理時間為5～15分鐘。
將表面已進行改性處理的TiNi合金內支撐架置于化學氣相沉積裝置的真空容器中，以C型對二甲苯環二聚體(化學式C16H24Cl2)為原料，通入真空容器中，在600～750℃時進行裂解成為活性游離基單體，最后在室溫下聚合為C型聚對二甲苯材料。該化學氣相沉積裝置主要結構如附圖2所示。其中9是加熱線圈，10是TiNi合金內支撐架，11是真空容器，12是通入的C型對二甲苯環二聚體原料。
在本實施例中，采用的是射頻等離子體改性處理。實際上改性處理有三種方式可供采用，即直流等離子體、射頻等離子體、微波等離子體改性處理。經實踐證實直流等離子體和射頻等離子體改性處理的效果基本一樣。但是若處理單個工件，可以利用直流等離子體作為改性處理的方式；若處理多個工件，則采用射頻等離子體改性處理就比較好，其表面處理的結果比較均勻，效果也較好。應該說微波等離子體改性處理效果更理想，但目前只能作為一種可行的方案，其中波導怎樣輸送，改性處理的時間、頻率范圍，還有一個關鍵問題是微波輻射如何屏蔽，這是后繼開發產品時所必須考慮的。
權利要求
1.一種TiNi內支撐架涂膜工藝，其特征在于該工藝包括以下步驟，第一，對TiNi合金內支撐架表面進行等離子體改性處理，等離子體改性處理可采用直流等離子體方式或射頻等離子體方式或微波等離子體方式；第二，采用化學氣相沉積工藝使TiNi合金內支撐架表面牢固地披復上1至2微米厚度的C型聚對二甲苯膜。
2.根據權利要求1所述的TiNi內支撐架涂膜工藝，其特征在于采用射頻等離子體方式對TiNi內支撐架表面進行處理，射頻功率為80至100W，氬氣壓強為80至300毫米汞柱，射頻頻率為8至于12MHZ，等離子體改性處理時間為5至15分鐘。
3.根據權利要求1所述的TiNi內支撐架涂膜工藝，其特征在于披復于TiNi內支撐架表面的C型聚對二甲苯膜材料是以C型對二甲苯環二聚體(化學式C16H24Cl2)為原料，通入氣相沉積裝置的真空容器中，在600～750℃時進行裂解成為活性游離基單體，最后在室溫下聚合為C型聚對二甲苯材料。
全文摘要
本發明涉及TiNi內支撐架涂膜工藝。該涂膜工藝分為兩個主要步驟,步驟一。對TiNi內支撐架表面進行等離子體改性處理,等離子體改性處理可采用直流等離子體方式或射頻等離子體方式或微波等離子體方式;步驟二。采用現有化學氣相沉積工藝使TiNi內支撐架表面牢固地披覆上1至2微米厚度的C型聚對二甲苯膜。采用本發明工藝,能保持原TiNi內支撐架的記憶特性、可變形性、超彈性和順應性,又使其生物學方面的穩定性、可靠性得到提高。
文檔編號C23C14/24GK1327080SQ0011231
公開日2001年12月19日 申請日期2000年6月1日 優先權日2000年6月1日
發明者邵力為, 陳曦 申請人:南京益來基因醫學有限公司