通過調整曝光強度減少極不平衡的方法和系統的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及通過調整曝光強度減少極不平衡的方法和系統。
【背景技術】
[000引半導體集成電路（1C)工業經歷了快速發展。在1C演變過程中，功能密度（即，每 巧片面積中互連器件的數量）通常都在增加，而幾何尺寸（即，可使用制造工藝生成的最小 組件（或線））已經減小。該種按比例縮小工藝通常通過增加產量效率和降低相關成本來 提供益處。該種按比例縮小也增加了用于1C的制造和檢驗工藝的復雜度，并且，為了完全 實現改進，需要1C制造的發展。
[0003] 僅僅作為一個實例，光刻中的進步對于減小器件尺寸尤為重要。通常，光刻是將圖 案從掩模轉印到諸如半導體襯底的工件上。在光刻中，用W轉印圖案的福射引起在工件上 形成的感光材料的受影響區中的變化。在曝光之后，可W選擇性去除感光材料來顯露圖案。 該工件然后經歷加工步驟，加工步驟利用剩余光刻膠的形狀來在工件上生成部件。
[0004] 在一種類型的光刻中，使用遠紫外線巧UV)福射（即，具有約1至lOOnm波長的福 射）W轉印圖案。然而，因為較少材料對于EUV福射而言是可透射的，復雜的反射光學器件 系統用于引導并塑形該EUV福射。因此，在許多EUV系統中，含有要被轉印至襯底的圖案的 掩模也可W是反射的。EUV光刻帶來諸多挑戰，很多挑戰源于反射光學器件的布置。例如， 很多反射掩模并非完全地平面，且掩模上所形成的吸收體的厚度可W遠大于EUV福射的波 長。因此，如果入射福射并非完全垂直于反射掩模的表面，則可能出現不期望的陰影和其他 3D效果。對于該些原因及其他原因，盡管在EUV光刻中進步顯著，但進一步改進有可能實現 改進的解決方案、改進的對準W及改進的產量。因此，盡管現有的光刻技術已大體足夠，但 其并未在所有方面證明是完全滿意的。

【發明內容】

[0005] 為了解決現有技術中的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種光刻方法，所述 方法包括；接收掩模和工件；確定照明圖案相對于所述掩模的定向；根據所述定向調整所 述照明圖案的強度分布；根據所述照明圖案和所述強度分布將所述掩模暴露于福射；W及 利用產生自曝光所述掩模的福射來曝光所述工件。
[0006] 在上述方法中，其中，所述強度分布包括橫跨所述照明圖案的照明的區域變化的 強度。
[0007] 在上述方法中，其中，所述強度分布包括橫跨所述照明圖案的照明的區域變化的 強度；其中，所述強度分布的所述強度橫跨所述照明的區域線性地變化。
[000引在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多個照明的區域，并且其中，所述強度分 布包括橫跨所述多個照明的區域的至少一個變化的強度。
[0009] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多個照明的區域，并且其中，所述強度分 布包括橫跨所述多個照明的區域的至少一個變化的強度；其中，所述多個照明的區域包括 一對雙極形狀，并且其中，所述強度沿著與所述雙極形狀的每個的直徑共同延伸的軸變化。
[0010] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多個照明的區域，并且其中，所述強度分 布包括橫跨所述多個照明的區域的至少一個變化的強度；其中，所述多個照明的區域包括 一對雙極形狀，并且其中，所述強度沿著同與所述雙極形狀的每個的直徑共同延伸的線不 平行的軸變化。
[0011] 在上述方法中，其中，確定所述照明圖案定向包括選擇所述照明圖案的一個或多 個參考點并確定用于所述一個或多個參考點的每個的相對于所述掩模的表面的入射角。
[0012] 在上述方法中，其中，確定所述照明圖案定向包括選擇所述照明圖案的一個或多 個參考點并確定用于所述一個或多個參考點的每個的相對于所述掩模的表面的入射角；其 中，將所述一個或多個參考點的每個均選擇為在所述照明圖案的照明的區域的邊界上。
[0013] 在上述方法中，其中，所述確定的定向為第一定向并對應于第一曝光位置，所述方 法進一步包括：確定所述照明圖案相對于所述掩模并對應于第二曝光位置的第二定向；W 及根據對應于所述第二曝光位置的所述第二定向調整所述強度分布。
[0014] 在上述方法中，其中，所述福射包括遠紫外線巧UV)福射，其中，所述掩模為反射 型掩模，并且其中，利用所述福射來曝光所述工件是利用由所述掩模反射的福射。
[0015] 根據本發明的另一個方面，提供了一種方法，包括：確定用于將被投影在光刻掩模 上的照明圖案的多個參考位置的每個的入射角；基于所述確定的入射角確定用于所述照明 圖案的強度，其中，確定的強度橫跨所述照明圖案變化；根據所述照明圖案和所述確定的強 度將福射投影在所述光刻掩模上；W及使用產生自投影在所述光刻掩模上的所述福射的福 射來曝光工件。
[0016] 在上述方法中，其中，所述強度橫跨所述照明圖案非線性地變化。
[0017] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多種形狀，并且其中，所述強度橫跨所述 多種形狀的至少一種變化。
[0018] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多種形狀，并且其中，所述強度橫跨所述 多種形狀的至少一種變化；其中，所述多個參考位置的每個均定位在所述多種形狀的形狀 邊界上。
[0019] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括環形形狀。
[0020] 根據本發明的又一個方面，提供了一種系統，包括；掩模臺，可操作的W保持掩模； 襯底臺，可操作的W保持工件；福射源；照明器，可操作的W;將由所述福射源產生的福射 塑形為照明圖案；W及通過將所述照明圖案內的福射塑形提供至所述掩模臺來曝光所述掩 模；W及投影光學模塊，可操作的W將所述福射從所述掩模定向至所述工件W便在所述工 件上形成圖案，其中，所述照明器是進一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的所述福射 在所述照明圖案內在強度上發生變化。
[0021] 在上述系統中，其中，所述照明器是進一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射根據所述照明圖案相對于所述掩模的定向在強度上發生變化。
[0022] 在上述系統中，其中，所述照明器是進一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射在所述照明圖案的形狀內的強度上發生變化。
[0023] 在上述系統中，其中，所述照明圖案包括一對雙極形狀，并且所述照明器是進一步 可操作的W曝光所述掩模使得提供的所述福射沿著同所述雙極形狀的每個的直徑共同延 伸的軸在強度上發生變化。
[0024] 在上述系統中，其中，所述照明器是進一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射根據曝光位置在強度上發生變化。
【附圖說明】
[0025] 當結合附圖進行閱讀時，從下面詳細的描述可W最佳地理解本發明。應該強調，根 據工業中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制并且僅用于說明目的。實際上，為了清楚 的討論，各種部件的尺寸可W被任意增加或減少。
[0026] 圖1是根據本發明的各個方面的光刻系統的框圖。
[0027] 圖2是根據本發明的各方面的反射光掩模的截面圖。
[002引圖3是根據本發明的各方面的反射光掩模的部分的截面圖。
[0029] 圖4是根據本發明的各方面的由反射掩模產生的反射強度的曲線。
[0030] 圖5是根據本發明的