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Lcm半成品的抗靜電極限耐壓測試方法

文檔序號:2808235閱讀(du):435來源:國(guo)知(zhi)局
專利名稱:Lcm半成品的抗靜電極限耐壓測試方法
LCM半成品的抗靜電4及限耐壓測試方法
技術領域
本發明涉及對靜電敏感產品的極限抗靜電能力的測試方法,特別是針對 LCM (液晶顯示才莫組)半成品的極限抗靜電能力的測試方法。背景技術
在LCM模組生產過程中,新產品量試導入時,需對IC (半導體元件產 品)、PWB (印刷電路板)、面板等材料組合成半成品做抗靜電極限耐壓測 試,以驗證新產品在后續大量投產時是否符合要求。另外,如需要對照不同 廠商原材料之間的抗靜電能力是否存在差異性時,也需要對IC、 PWB、面板 等材料組合成半成品做抗靜電極限耐壓測試,以提供對生產制造過程中的靜 電防護等級要求。
目前,原材料供應商僅提供單一材料的抗靜電耐壓能力的測試數據,例 如,IC、 ASIC(專用集成電路)。但缺少在LCM生產過程中已組合成半成品后 (即IC+PWB+面板)的極限抗靜電能力的測試方法與測試數據。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種對LCM半成品的極限抗靜電 能力的測試方法,填補目前LCM生產業界的模組半成品的極限耐靜電壓能力 測試方法的空白,提供有效的解決方案。
本發明采用以下技術方案
LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法,包括以下步驟 步驟一待測樣品準備
選取待測試的LCM半成品,事先在點燈機臺上確認待測部位沒有靜電類 不良;
步驟二靜電模擬放電發生器設定
在靜電模擬放電發生器上設置靜電放電模式;選取基準起點放電電壓;選耳又電壓才及性;
步驟三待測樣品接地準備
將LCM半成品放置在絕緣平面上,帶電子元器件面需朝上;將LCM半 成品中的PWB接地孔接地;靜電》文電槍同時接地; 步驟四靜電放電實驗過程 起動靜電槍放電開關,對測試孔逐個進行測試; 步驟五點燈確認
將接地線取下后,測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有靜電擊傷現象。 若未出現靜電不良,則需提高放電電壓來驗證,重復第四步驟,直到出現有 ESD (靜電擊傷)不良現象為止;若出現靜電不良,則需降低放電電壓來驗 證。
作為本發明的具體方案之一,所述步驟一中待測部位是LCM半成品中的 PWB;所述步驟二中靜電放電模式設定為接觸放電模式;所述步驟四中測試 孔是PWB的ASIC (專用集成電路)各引腳。
作為本發明的具體方案之二,所述步驟一中待測部位是LCM半成品中的 IC;所述步驟二中靜電放電模式設定為空氣放電模式;所述步驟四中測試孔 是IC測試孔。
本發明的優點在于本發明可以提供驗證新產品或已投產的LCM模組半 成品的抗靜電能力;也可以對比出不同廠商材料的抗靜電能力水平。

下面參照附圖結合實施例對本發明作一詳細說明。 圖l是本發明第一個實施例各步驟示意圖。 圖2是本發明第二個實施例各步驟示意圖。具體實施方式

實施例一
LCM半成品中的PWB的ASIC元件的抗靜電能力測試方法 步驟ll:待測樣品準備
選取待報廢的LCM半成品的待實驗樣品數量為3-5片,并事先在點燈臺機上確認PWB沒有靜電類不良。
步驟12:靜電模擬放電發生器設定
采用靜電模擬放電發生器,并設定靜電放電模式,對ASIC(專用集成電 路)引腳或測試孔等金屬導體部位需選擇圓錐形的靜電針,作接觸放電;參 考ASIC的耐壓規格為4-5KV,取3KV為基準起點放電電壓;靜電電壓先選 耳又正才及性電壓》文電。
步驟13:待測樣品接地準備
將LCM半成品放置在絕緣平面上,帶電子元器件面需朝上;將PWB接 地孔接地;靜電放電槍同時也接地。 步驟14:靜電放電實驗過程
將靜電針接觸在每個ASIC引腳上,然后啟動靜電槍放電開關開始逐個 對ASIC各引腳放電。放電頻率為l次/秒。若需證明ASIC的輸入端引腳和輸 出端引腳抗靜電擊傷能力的差異,則需分別對輸入端或輸出端測試完成后繼 續步驟15即可。
步驟15:點燈確認
將接地線取下后,測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有ASIC靜電擊 傷現象。
若未出現靜電不良,則仍需采用正電壓逐步提高放電電壓來驗證,重復 步驟14,直到出現有ESD不良現象為止。若3KV即出現ESD不良,則需更 換更換新的待測模組(含ASIC)樣品并降低放電電壓來驗證。上升或下降電 壓間隔閥值一般選擇0.5-lKV。
負極性電壓耐靜電實驗只要切換為負極性開關后,重復上述步驟14-步驟 15即可。
放電電壓從低到高的原則,直到第一個出現ESD不良時的靜電放電最低 電壓值即為該LCM半成品中PWB的極限耐靜電壓能力。
同樣方法測試其余各片的PWB極限耐靜電壓能力。若發生實驗失敗時, 需立即更換新的待測樣品重復步驟11-步驟15繼續實驗。實施例二
LCM半成品中的IC的抗靜電能力測試方法 步驟21:待測樣品準備
選取待報廢的LCM半成品的待實驗樣品數量為3片,并事先在點燈臺機 上確認IC沒有靜電類不良。
步驟22:靜電模擬放電發生器設定
采用靜電模擬放電發生器,并設定靜電放電模式,對IC等非金屬導體部 位的靜電放電需選擇半圓球形的靜電針,作空氣放電;參考IC的耐壓規格為 2-3KV,取1KV為基準起點放電電壓;靜電電壓先選取正極性電壓放電。
步驟23:待測樣品接地準備
將LCM半成品放置在絕緣平面上;將PWB接地孔4妄地;靜電放電槍同 時也接地。
步驟24:靜電放電實驗過程
先起動靜電槍放電開關,并緩慢將靜電針從距離IOCM處移近IC表面, 直到接觸到IC帶晶元側的測試孔為止。整個過程需計時25秒,即放電25次 后停止。放電頻率為1次/秒。
步驟25:點燈確認
將接地線取下后,測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有靜電擊傷現象。 若未出現靜電不良,則仍需采用正電壓逐步提高放電電壓來驗證,重復
步驟24,直到出現有ESD不良現象為止。若1KV即出現ESD不良,則需更
換新的位置的待測IC樣品并降低放電電壓來驗證。上升或下降電壓間隔閥值
一般選擇0.1-1KV。
負極性電壓耐靜電實驗只要切換為負極性開關后,重復上述步驟24-步驟
25即可。
放電電壓從低到高的原則,直到第一個出現ESD不良時的靜電放電最低 電壓值即為該LCM半成品中IC的極限耐靜電壓能力。
同樣方法測試其余各片組合品的IC極限耐靜電壓能力。若發生實驗失敗 時,需立即更換新的待測樣品重復步驟21-步驟25繼續實驗。以上兩實施例中實驗室環境要求為溫度19-25攝氏度,相對濕度為 40-75%。
本發明可以提供驗證新產品或已投產的LCM模組半成品的抗靜電能力; 也可以對比出不同廠商材料的抗靜電能力水平。
權利要求
1. LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法,其特征在于包括以下步驟步驟一待測樣品準備選取待測試的LCM半成品,事先在點燈機臺上確認待測部位沒有靜電類不良;步驟二靜電模擬放電發生器設定在靜電模擬放電發生器上設置靜電放電模式;選取基準起點放電電壓;選取電壓極性;步驟三待測樣品接地準備將LCM半成品放置在絕緣平面上,帶電子元器件面需朝上;將LCM半成品中的PWB接地孔接地;靜電放電槍同時接地;步驟四靜電放電實驗過程起動靜電槍放電開關,對測試孔逐個進行測試;步驟五點燈確認將接地線取下后,測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有靜電擊傷現象。若未出現靜電不良,則需提高放電電壓來驗證,重復第四步驟,直到出現有ESD不良現象為止;若出現靜電不良,則需降低放電電壓來驗證。
2、 如權利要求1所述的LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法,其特 征在于所述步驟一中待測部位是LCM半成品中的PWB;所述步驟二中靜 電放電模式設定為接觸放電模式;所述步驟四中測試孔是PWB的ASIC各引腳。
3、 如權利要求2所述的LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法,其特 征在于所述步驟一待測樣品準備選取待報廢的LCM半成品的待實驗樣品數量為3-5片,并事先在點燈臺 機上確認PWB沒有靜電類不良;所述步驟二靜電模擬放電發生器設定采用靜電模擬放電發生器,并設定靜電放電模式,對PWB的ASIC引腳 或測試孔選擇圓錐形的靜電針,作接觸放電;取3KV為基準起點放電電壓; 選取電壓才及性;所述步驟四靜電放電實驗過程將靜電針接觸在PWB的每個ASIC引腳上,然后啟動靜電槍放電開關開 始逐個對ASIC各引腳放電,放電頻率為l次/秒。
4、 如權利要求1所述的LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法,其特 征在于所述步驟一中待測部位是LCM半成品中的IC;所述步驟二中靜電 放電模式設定為空氣放電模式;所述步驟四中測試孔是IC帶晶元側的測試 孔。
5、 如權利要求4所述的LCM半成品的抗靜電極限耐壓測試方法,其特 征在于所述步驟一待測樣品準備選取待4艮廢的LCM半成品的待實驗樣品數量為3-5片,并事先在點燈臺 機上確認IC沒有靜電類不良;所述步驟二靜電模擬放電發生器設定采用靜電模擬放電發生器,并設定靜電放電模式,對IC等非金屬導體部 位的靜電放電選擇半圓球形的靜電針,作空氣放電;取IKV為基準起點放電 電壓;選取電壓極性;所述步驟四靜電放電實驗過程先起動靜電槍放電開關,并緩慢將靜電針從距離IOCM處移近IC表面, 直到接觸到IC帶晶元側的測試孔為止,放電頻率為l次/秒。
全文摘要
本發明涉及對LCM(液晶顯示模組)半成品的極限抗靜電能力的測試方法。包括以下步驟步驟一待測樣品準備;步驟二靜電模擬放電發生器設定;步驟三待測樣品接地準備;步驟四起動靜電槍放電開關,對測試孔逐個進行測試。步驟五點燈確認,將接地線取下后,測試樣品在點燈機臺上點燈確認是否有靜電擊傷現象。若未出現靜電不良,則需提高放電電壓來驗證,重復步驟四,直到出現有ESD(靜電擊傷)不良現象為止;若出現靜電不良,則需降低放電電壓來驗證。本發明可以提供驗證新產品或已投產的LCM半成品的抗靜電能力;也可以對比出不同廠商材料的抗靜電能力水平。
文檔編號G02F1/13GK101285948SQ200810110039
公開日2008年10月15日 申請日期2008年5月30日 優先權日2008年5月30日
發明者張仁永 申請人:福建華映顯示科技有限公司
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