一種雙向掃描的電荷分享型像素結構及其驅動方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種像素結構，特別涉及可雙向掃描的電荷分享型像素結構。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(Thin-Film Transistor IXD)是液晶顯示器的一種，由于具有高分辨率、低功耗、輕量化等優點，薄膜晶體管液晶顯示器現已廣泛應用于液晶顯示領域。
[0003]而大尺寸的薄膜晶體管顯示器具有明顯的視角問題，即使用者以不同的角度觀看時，畫面會產生亮度與對比度的差異。現今為了改善薄膜晶體管液晶顯示器的可視角度的問題，一種業內熱門的電荷分享型的像素結構的廣視角技術，不僅有效的解決了這一問題，還有效提升了顯示器的可視角度。
[0004]圖1為現有電荷分享型的像素結構，該像素結構主要將一像素單元分割為第一子像素Sub-pixelA與第二子像素Sub-pixelB兩部分，所述第一子像素Sub-pixelA包括一連接至第一柵極線(Gn)的第一薄膜晶體管(TFTl)，所述的第二子像素Sub-pixelB包括一連接至第一柵極線(Gn)的第二薄膜晶體管(TFT2)及一連接至所述第二薄膜晶體管(TFT2)與第二柵極線(Gn+1)的分壓薄膜晶體管(TFT3)。當所述第一薄膜晶體管(TFTl)與第二薄膜晶體管(TFT2)通過所述的第一柵極線(Gn)而同時開啟時，所述的第一子像素Sub-pixelA的液晶電容CkA與所述的第二子像素Sub-pixelB的液晶電容C lc;B具有相同的灰階電壓，隨后，分壓薄膜晶體管(TFT3)通過第二柵極線(Gn+1)被開啟時，第二子像素Sub-pixelB通過TFT3及電容Cdown作用，電壓被拉低。因此第一子像素Sub-pixel A與第二子像素Sub-pixelB的液晶電容的灰階電壓不同，兩區域的液晶分子呈不同的傾倒程度，從而實現八疇顯示。
[0005]然而，該電荷分享型的像素結構僅支持柵極線單向掃描，即掃描方向按照掃描線Gn η遞增的順序，即先Gn后Gn+Ι順序掃描可實現八疇顯示，反之，掃描順序按照掃描線Gnη遞減的順序，即先Gn+Ι后Gn則不可實現八疇顯示。所以，當像素結構設計一定后，與像素相連接的PCB板和COF板的位置將被固定，當液晶面板的封裝結構調整時，像素結構要進行重新設計，PCB板和COF板的位置沒有調整的彈性。

【發明內容】

[0006]為了解決現有技術的問題，本發明給出了一種雙向掃描的電荷分享型像素結構，包括:多條掃描線Gn(n>2)與多條數據線Dm(m>l)交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括R、G、B三個子像素單元，每一子像素單元包括第一子像素和第二子像素；其中，
[0007]第一子像素包括:
[0008]一第一晶體管，連接所述第一掃描線及所述數據線，并于接收來自所述第一掃描線的第一掃描信號時開啟；
[0009]一第一液晶電容，連接所述第一晶體管，并于所述第一晶體管開啟時，接收來自所述信號線的信號而偏壓至第一灰階電壓；
[0010]一第四晶體管，連接一第一分壓電容及所述第一晶體管，并于接收來自掃描線Gn-1的掃面信號時開啟，當所述的第四晶體管開啟時，所述的第一子像素的第一液晶電容通過與所述的第一分壓電容之間的電荷分享而改變其第一灰階電壓；
[0011]第二子像素包括:
[0012]一第二晶體管，連接所述第一掃描線及所述數據線，并于接收來自所述第一掃描線的第一掃描信號時開啟；
[0013]一第二液晶電容，連接所述第二晶體管，并于所述第二晶體管開啟時，接收來自所述信號線的信號而偏壓至二灰階電壓；
[0014]一第三晶體管，連接一第二分壓電容及所述第二晶體管，并于接收來自掃描線Gn+Ι的掃面信號時開啟，當所述的第三晶體管開啟時，所述的第二子像素的第二液晶電容通過與所述的第二分壓電容之間的電荷分享而改變其第二灰階電壓；
[0015]當對該像素結構進行掃描時，所述的第一晶體管與所述的第二晶體管同時開啟，所述的第三或第四晶體管開啟時，所述的第二子像素的第二灰階電壓或所述的第一子像素的第一灰階電壓被改變。
[0016]進一步，按照掃描線Gn η遞增的順序對該像素結構進行掃描，所述的第一晶體管與所述的第二晶體管同時開啟，所述的第三晶體管開啟時，所述的第二子像素的第二灰階電壓被改變，所述的第一子像素的第一灰階電壓不變；
[0017]進一步，按照掃描線Gn η遞減的順序對該像素結構進行掃描，所述的第一晶體管與所述的第二晶體管同時開啟，所述的第四晶體管開啟時，所述的第一子像素的第一灰階電壓被改變，所述的第二子像素的第二灰階電壓不變；
[0018]進一步，所述的第一子像素還包括與所述第一分壓電容相連接的第一共通電極；所述的第二子像素還包括與所述第二分壓電容相連接的第二共通電極；
[0019]進一步，所述的第一共通電極和所述的第二共通電極位于所述第一掃描信號線的兩側；
[0020]進一步，所述的第一共通電極和所述的第二共通電極為相同電壓；
[0021]進一步，所述第一子像素的各電極的電阻電容值與所述的第二子像素的各電極的電阻電容值，均分別相等；
[0022]進一步，所述的數據線的信號驅動方式為點反轉驅動或列反轉驅動；
[0023]本發明還提供了一種雙向掃描的電荷分享型像素結構的驅動方法，包括:如上所述的雙向掃描的電荷分享型像素結構，按照掃描線Gn η遞增的順序掃描，像素顯示步驟如下:
[0024]掃描線Gn提供一掃描信號至所述第一晶體管和第二晶體管的的柵極，所述的第一晶體管和所述的第二晶體管同步打開，所述的第一子像素的第一液晶電容與所述的第二子像素的第二液晶電容具有相同的灰階電壓；
[0025]其次，掃描線Gn+Ι提供掃描信號至所述的第三晶體管的柵極，所述的第三晶體管通過掃描線Gn+Ι被開啟，所述的第二子像素的第二液晶電容的灰階電壓通過第三晶體管TFT及第二分壓電容作用被拉低；
[0026]隨后，掃描線Gn+2、掃描線Gn+3、提供掃描信號至下一子像素單元，重復上述步驟，進行掃描。
[0027]同時，還給出了另一種雙向掃描的電荷分享型像素結構的驅動方法，包括:如上所述的雙向掃描的電荷分享型像素結構，按照掃描線Gn η遞減的順序掃描，像素顯示步驟如下:
[0028]掃描線Gn提供一掃描信號至所述第一晶體管和第二晶體管的的柵極，所述的第一晶體管和所述的第二晶體管同步打開，所述的第一子像素的第一液晶電容與所述的第二子像素的第二液晶電容具有相同的灰階電壓；
[0029]其次，掃描線Gn-1提供掃描信號至所述的第四晶體管的柵極，所述的第四晶體管通過掃描線Gn-1被開啟，所述的第一子像素的第一液晶電容的灰階電壓通過第四晶體管TFT及第一分壓電容作用被拉低；
[0030]隨后，掃描線Gn-2、掃描線Gn_3提供掃描信號至下一子像素單元，重復上述步驟，進行掃描。
[0031]有益效果:本發明的技術方案將第一子像素和第二子像素都設置分壓電容，不僅可實現八疇顯示；并可實現雙向掃描，使與像素相連接的PCB板和COF板的位置可根據液晶面板的封裝結構進行調整，有效地解決了 PCB板和COF板的位置調整沒有彈性的問題。
【附圖說明】
[0032]圖1為現有電荷分享型的像素結構；
[0033]圖2為本發明的電荷分享型的像素結構；
[0034]圖3為發明第二實施例的像素結構。
【具體實施方式】
[0035]下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發明，應理解這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍，在閱讀了本發明之后，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。
[0036]本發明提供一種可進行雙向掃描的電荷分享型像素結構。(不用寫的這么直白，呵呵)如圖2所示，多條掃描線Gn與多條數據線0111交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括R、G、B三個子像素單元，每一子像素單元包括第一子像素Sub-pixelA和第二子像素Sub-pixelBo圖2所示的一子像素單元為第η行掃描線Gn和第m列數據線D ^^限定的子像素單元(n>2，m>l)，所述的第一子像素Sub-pixelA包括一第一晶體管TFT Tl、一第四晶體管TFT T4、第一液晶電容Cm以及第一分壓電容Ca，所述的第一晶體管TFT Tl的柵極耦接至掃描線Gn，第一晶體管TFT Tl的源極耦接至數據線Dm，第四晶體管TFTT4的源極耦接至第一晶體管TFT Tl的漏極，第四晶體管TFT T4的漏極耦接至第一分壓電容Ca，第四晶體管TFT T4的柵極耦接至掃描線Glri，即第η-1行掃描線Glri;第一分壓電容Ca耦接在第四晶體管TFT T4和第一共通電極CSl之間。
[0037]同理，第二子像素Sub-pixelB的像素設計采用與第一子像素Sub-pixelA相對稱設計。具體為，包括一第二晶體管TFT T2、一第三晶體管TFT T3、第二液晶電容Cra以及第二分壓電容Cb，所述的第二晶體管TFT T2的柵極耦接至掃描線Gn，第二晶體管TFT T2的源極耦接至數據線