技術編號：9377760
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 在65nm以下的半導體制造技術中，鎳硅化物用于降低金屬-半導體接觸電阻。通 常，在半導體器件襯底表面清洗之后，沉積鎳材料層，從而形成鎳硅化物。然而，該鎳硅化物 中的鎳在后續工藝中因受熱而向側向擴散到柵極和溝道中，鎳侵蝕成為半導體器件襯底的 缺陷，會在電路工作時引起較大的漏電流，嚴重影響了器件的性能。 針對上述鎳侵蝕的問題，傳統技術主要集中在鎳合金的摻雜以及快速熱處理參數 的優化方面，但是在45nm以下的制程中的效果不大。因此，需要探索能夠降低鎳侵蝕的方 ...
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