技術編號：9217125
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。對于低集成度存儲器，目前有多種方法對其進行多位翻轉檢測和判別。通過定量分析工藝靜態隨機讀取存儲器(Static Random Access Memory, SRAM)的多位翻轉貢獻的檢測方法，可檢測到錯誤信息錯誤發生的邏輯地址、寫入存儲器的數據、從存儲器讀出的數據和錯誤發生的時間。根據檢測到的錯誤信息，將邏輯地址轉換成物理地址后，可以獲得單粒子翻轉和多維翻轉的可視化圖像。將物理地址相鄰、同一時間段的幾個錯誤判定為多位翻轉。根據報錯率、器件容量和讀寫速度計算...
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