技術編號：8509352
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利說明 相關申請的交叉引用 本申請要求2013年10月3日提交的美國臨時申請號61/886, 406的權益，其披露 的全部內容通過引用并入本文。 發明背景 本文描述使用一種或多種有機氨基硅烷前體沉積保形的、化學計量或非化學計量 的氮化硅膜的方法。更特別地，本文描述用于沉積集成電路裝置的制作中的氮化硅膜的基 于等離子體的工藝，包括但不限于，等離子體增強原子層沉積（"PEALD")、等離子體增強循 環化學氣相沉積（"PECCVD"）。 低壓化學氣相沉積（LP...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發人員的辛勤研發付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業用途。
該專利適合技術人員進行技術研發參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。