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替換柵極納米線器件的制作方法技術資料下載

技術編號:8382540

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本發明中描述的技術通常涉及基于納米線的器件,且更具體地涉及基于納米線的場效應晶體管(FET)及其制造技術。背景技術柵繞式(GAA)納米線溝道場效應晶體管(FET)可以使部件縮放超過目前的平面互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術。由于納米線溝道FET的靜電特性可以超過傳統FET器件,因此所以人們也開始對其感興趣。納米線溝道FET的制造可以包括產生一批納米線且將它們放置在期望的位置(例如,自底向上法)或可以包括各種光刻圖案化過程(例如,自頂向下法)。發明內容...
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