技術編號：7263431
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明公開了，包括如下工藝步驟1）在N+硅基片正面依次生長N-外延層、非摻雜的氧化硅、氮化硅硬掩膜層，光刻、干法刻蝕氮化硅硬掩膜層，形成底部斜切口；2）N-外延層上干法刻蝕深溝槽；3）熱氧化法生長柵極氧化膜；4）溝槽填充多晶硅；5）回刻多晶硅，氮化硅硬掩膜層上方多晶硅全部去除，溝槽內多晶硅刻蝕到該硬掩膜層的2/3處；6）去除氮化硅硬掩膜層，停止在柵極氧化膜上，剩余多晶硅形貌呈T型；7）N+硅基片正面沉積接觸孔介質膜；8）刻蝕接觸孔介質膜，停止在N-外延層上...
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