技術編號：6948996
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體集成電路器件制造領域，尤其涉及一種可降低器件源漏泄露電 流的肖特基二極管的制備方法。背景技術在半導體集成電路的制備過程中，薄膜沉積是一項非常重要的工藝。所謂沉積 是指一種以物理方式沉積薄膜在晶片表面上的工藝過程，薄膜沉積的方法包括化學氣 相沉積(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和物理氣相沉積(PVD，Physical Vapor Deposition)法兩大類。其中，由于PVD比CVD環保，對環境造成的傷害較低...
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