技術編號：6903816
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發明涉及半導體器件的制造領域，尤其涉及淺溝槽結構制造方法及由此形成的快閃存儲器。背景技術目前，快閃存儲器(Flash)，又稱為閃存，已經成為非揮發性存儲器的主流。根據結構不同，閃存可分為或非閃存(NOR Flash)和與非閃存(NANDFlash)兩種。其中，或非閃存因為讀取速度快，適合于手機或主板等需要記錄系統編碼的應用。而與非閃存因為高密度及高寫入速度，特別適合多媒體資料存儲。尤其近幾年，與非閃存幾乎以保持每年密度加倍的速度演進。最新一代的與非閃存技...
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